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JPS61208840A - Detecting method for semiconductor chip - Google Patents

Detecting method for semiconductor chip

Info

Publication number
JPS61208840A
JPS61208840A JP5101785A JP5101785A JPS61208840A JP S61208840 A JPS61208840 A JP S61208840A JP 5101785 A JP5101785 A JP 5101785A JP 5101785 A JP5101785 A JP 5101785A JP S61208840 A JPS61208840 A JP S61208840A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
needle
chip
pad
detection
detecting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5101785A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shizuo Tsukishiro
築城 静雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP5101785A priority Critical patent/JPS61208840A/en
Publication of JPS61208840A publication Critical patent/JPS61208840A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

PURPOSE:To detect the presence or absence of a semiconductor chip by detecting the prescribed potential given through a detecting pad to a chip detecting needle in case of contacting the needle with the pad formed at the prescribed position on the chip. CONSTITUTION:A probing needle 3 is contacted with a device electrode pad 2 in case of measuring, and a detecting needle 8 is contacted with a detecting pad 7 provided similarly at the pad 2 at the periphery of a chip 1. If the chip is presented, a state 5 is raised, and the needle 8 is contacted with the pad 7. When contacting, the state 5 is conducted through a wafer 10 and an N<+> type layer 9 with an aluminum for forming the pad 7. Accordingly, a detection signal (a) becomes substantially the potential of the stage 5, i.e., 0 volt. This is because the resistance value (r) of a series resistor 11 formed of the wafer 10 and the layer 9 from the stage is sufficiently smaller than the resistance value R of a detecting electrode pullup resistor 6.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は半導体チップ検出方法に係り、特につ工−ハ状
態でチップの良、不良を判定するブロービング工程にお
ける半導体チップ検出方法に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to a method for detecting a semiconductor chip, and more particularly to a method for detecting a semiconductor chip in a blobbing process for determining whether a chip is good or bad in a working state.

〔発明の技術的背景〕[Technical background of the invention]

ウェーハ状態で半導体チップの良、不良を判定するブロ
ービング工程では、通常プローブカードを用いて測定が
おこなわれる。ブロービングはチップサイズだけ順次ピ
ッチ送りされておこなわれるが、ウェーハの端にプロー
ブカードがきた時にはその位置にチップが存在している
か否かを検出する必要がある。このようにウェーハ状態
の端において半導体チップが存在するか否かを検出する
ために、従来はチップ検出ニードルをプローブカード上
にデバイス用ブロービングニードルと同様に配置して、
このチップ検出ニードルがウェーハに接触するか否かに
よってチップの有無を検出していた。
In the probing step, which determines whether a semiconductor chip is good or bad in the wafer state, a probe card is usually used to perform measurements. Blobbing is performed by sequentially pitching the chip size, but when the probe card reaches the edge of the wafer, it is necessary to detect whether or not a chip is present at that position. In order to detect whether or not a semiconductor chip exists at the edge of a wafer, conventionally a chip detection needle is placed on the probe card in the same way as a device blowing needle.
The presence or absence of a chip was detected by whether or not this chip detection needle came into contact with the wafer.

第4図はブロービング状態を示ず図で、チップ1の周辺
部に形成されたデバイス電極バッド2のおのおのにブロ
ービングニードルを接触させてブロービングをおこなっ
ている状態を示している。
FIG. 4 does not show the blowing state, but shows a state in which the blowing needle is brought into contact with each of the device electrode pads 2 formed around the periphery of the chip 1.

前述したチップ検出ニードル4はブロービングニードル
3と同様にブロービングカード上に配置され、チップ1
の端部に接触するように構成されている。
The chip detection needle 4 described above is placed on the blobbing card in the same way as the blowing needle 3, and is
is configured to contact the end of the

辷のチップ検出ニードル4【よ通常2本で構成されてお
り、この2本のニードルが互いに接触するか否かでチッ
プの有無を検出していた。
The chip detection needle 4 on the arm usually consists of two needles, and the presence or absence of a chip is detected by whether or not these two needles come into contact with each other.

第5図(A)はステージ5上に載置されたウェーハ10
の端部において、チップ1が存在しない状態でのチップ
検出ニードル4の状態を示し、同図(B)はその電気的
等価回路を示している。チップ検出ニードル4は接触ニ
ードル4aと検出電極ニードル4bとの2本のニードル
で構成されいる。ウェーハ10の端部においてチップ1
の無い状態ではこの2つのニードル4a、4bは電気的
に短絡した状態に保たれる。 したがってプルアップ抵
抗6を介して接続されている検出°電極ニードル4bの
電位は接触ニードル4aと同電位となる。第6図(A)
はチップ1が存在する場合の状態を示した図であり、同
図(B)はその電気的等価回路を示している。この場合
には接触ニードル4aがウェーハ10に接触してニード
ルが押し上げられるため、検出電極ニードル4bと電気
的に非接触の状態となる。したがって第6図(B)の電
気的等価回路で示すように、検出電極ニードル4bの電
位はプルアップ抵抗6を介して与えられる電位となる。
FIG. 5(A) shows the wafer 10 placed on the stage 5.
The state of the tip detection needle 4 is shown in the state where the tip 1 is not present at the end of the figure, and FIG. 2B shows its electrical equivalent circuit. The chip detection needle 4 is composed of two needles: a contact needle 4a and a detection electrode needle 4b. Chip 1 at the edge of wafer 10
In the absence of the needles 4a and 4b, the two needles 4a and 4b are kept electrically short-circuited. Therefore, the potential of the detection electrode needle 4b connected via the pull-up resistor 6 becomes the same potential as that of the contact needle 4a. Figure 6 (A)
1 is a diagram showing a state when a chip 1 is present, and FIG. 2B shows its electrical equivalent circuit. In this case, the contact needle 4a comes into contact with the wafer 10 and is pushed up, so that it is out of electrical contact with the detection electrode needle 4b. Therefore, as shown in the electrical equivalent circuit of FIG. 6(B), the potential of the detection electrode needle 4b becomes the potential applied via the pull-up resistor 6.

このようにチップの有無によって・検出電極ニードル4
bの電位が異なるので電気的にチップの有無を検出する
ことが可能である。
In this way, depending on the presence or absence of the tip, the detection electrode needle 4
Since the potentials of b are different, it is possible to electrically detect the presence or absence of a chip.

〔背景技術の問題点〕[Problems with background technology]

以上説明したように、従来のチップ検出方法ではチップ
検出ニードルを2本で構成して、そのニードル間の接触
、非接触により電気的にチップの有無を検出していた。
As explained above, in the conventional chip detection method, two chip detection needles are used, and the presence or absence of a chip is electrically detected by contact or non-contact between the needles.

しかしチップの有り無しによって接触ニードル4aが受
ける押し上げ移動量は20〜30μmと小さくその変動
が大きいため、安定した動作が難しいという問題があっ
た。また2本のニードル間の接点の長期的かつ安定的な
接触抵抗値を保つことも難しい。
However, the amount of upward movement that the contact needle 4a undergoes depending on the presence or absence of the tip is as small as 20 to 30 μm, and its fluctuation is large, so there is a problem that stable operation is difficult. It is also difficult to maintain a long-term and stable contact resistance value at the contact point between two needles.

デバイステスト用ブロービングニードルがデバイス電極
パッドと安定接触を保つためには、ブロービングニード
ルがデバイス電極パッドに接触した後の追加押し上げ量
(オーバードライブ量)を一定に保つ必要がある。しか
し追加押し上げ量の制御は接触ニードルと検出電極ニー
ドルが離れたチップ検出点を基準におこなわれるため、
この追加押し上げ量を一定に保つのはきわめて困難であ
る。 第7図は追加押し上げ量が大きすぎる場合の影響
を説明するための図であり、第8図は追加押し上げ量が
小さすぎる場合の影響を説明するための図である。第7
図および第8図の左側に示したのは標準条件例の場合で
あり、検出ニードル用押し上げ移動量を30μm、チッ
プ検出後のデバイス電極パッドとブロービングニードル
との接触安定化のために、追加押し上げ逝(オーバード
ライブ間)を100μmと定める。
In order for the device testing blowing needle to maintain stable contact with the device electrode pad, it is necessary to keep the amount of additional push-up (overdrive amount) constant after the blowing needle contacts the device electrode pad. However, since the amount of additional push-up is controlled based on the tip detection point where the contact needle and detection electrode needle are separated,
It is extremely difficult to keep this additional push up amount constant. FIG. 7 is a diagram for explaining the effect when the additional push-up amount is too large, and FIG. 8 is a diagram for explaining the effect when the additional push-up amount is too small. 7th
The example shown on the left side of the figure and Fig. 8 is a case of standard conditions, in which the amount of push-up movement for the detection needle is 30 μm, and additional steps are added to stabilize the contact between the device electrode pad and the blowing needle after detecting the chip. The push-up distance (between overdrives) is set to 100 μm.

第7図は接触ニードルが検出電極ニードルから離れるま
での実際の押し上げ移動量が70μmの場合を示したも
のである。追加押し上げ量〈オーバードライブ間)が1
00μmのため、デバイス電極パッドが実際に受ける追
加押し上げ量は140μmとなり、圧力が強すぎるため
チップ上の電極パッドを構成するアルミニウムを突き破
って接触不良をおこしてしまう可能性がある。
FIG. 7 shows a case where the actual amount of upward movement of the contact needle until it separates from the detection electrode needle is 70 μm. Additional push up amount (between overdrive) is 1
00 μm, the amount of additional push-up actually received by the device electrode pad is 140 μm, and the pressure is so strong that it may break through the aluminum forming the electrode pad on the chip and cause a contact failure.

第8図は接触ニードルが検出電極ニードルから離れるま
での実際の移a量が5μmの場合を示した図である。こ
の場合には追加押し上げ量(オーバドライブ量)が10
0μmでもデバイス電極バットが実際に受ける追加押し
上げ量は75μmとなり、圧力が弱すぎるためチップ上
の電極パッドを構成するアルミニウムを突き破る危険性
は無いが、接触不良をおこす可能性がある。
FIG. 8 is a diagram showing a case where the actual amount of displacement a until the contact needle separates from the detection electrode needle is 5 μm. In this case, the additional push-up amount (overdrive amount) is 10
Even if the pressure is 0 μm, the amount of additional push that the device electrode butt actually receives is 75 μm, and since the pressure is too weak, there is no risk of it breaking through the aluminum that makes up the electrode pads on the chip, but there is a possibility of contact failure.

このように従来のチップ検出ニードルを用いた検出方法
では、接触ニードルの受ける押し上げ移動量を正確に制
御することが困難であったため、それがデバイス測定の
正確さにも悪影響を与えるという問題があった。
As described above, in the conventional detection method using a tip detection needle, it is difficult to accurately control the amount of upward movement of the contact needle, which has a negative effect on the accuracy of device measurement. Ta.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

本発明は上記事情を考慮してなされたもので、チップ検
出ニードルの受ける圧力の不安定性がもたらすブロービ
ングの不安定性を除去することのできる半導体チップ検
出方法を提供することを目的とする。
The present invention has been made in consideration of the above circumstances, and it is an object of the present invention to provide a semiconductor chip detection method that can eliminate the instability of blobbing caused by the instability of the pressure applied to the chip detection needle.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

上記目的を達成するために本発明による半導体チップ検
出方法は、チップ検出ニードルが半導体チップ上の所定
の場所に形成された検出用パッドに接触したさいの、前
記チップ検出ニードルに前記検出用パッドを介して与え
られている所定の電位を検知することにより、前記半導
体チップの有無を検出することを特徴とする。
In order to achieve the above object, a semiconductor chip detection method according to the present invention includes a method for detecting a semiconductor chip, when the chip detection needle contacts a detection pad formed at a predetermined location on a semiconductor chip, the detection pad is attached to the chip detection needle. The present invention is characterized in that the presence or absence of the semiconductor chip is detected by detecting a predetermined potential applied through the semiconductor chip.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

以下本発明の一実施例を第1図から第3図に基づいて詳
細に説明する。本実施例による半導体チップ検出方法で
は従来のように検出用ニードルを2本用いることなく1
本でおこなう。このように検出ニードルを1本にしたた
め、半導体チップ有無を検出するための手段を別に設け
る必要がある。
An embodiment of the present invention will be described in detail below with reference to FIGS. 1 to 3. In the semiconductor chip detection method according to this embodiment, one detection needle is used instead of two detection needles as in the conventional method.
Do it with a book. Since the number of detection needles is reduced to one in this way, it is necessary to separately provide means for detecting the presence or absence of a semiconductor chip.

そこでデバイス用の電極パッド2と同様な検出専用ニー
ドルパッド7を半導体チップ1上に設け、この半導体チ
ップ1上の検出パッド7に検出ニードル8を接触させる
ことによりウェーハ10をのせるステージ5の電位をウ
ェーハを介して検出パット7に導通させ、検出電位を与
えるようにしている。したがって測定の際には第2図に
示すようにブロービングニードル3をデバイス電極パッ
ド2に接触させるとともに、検出ニードル8をチップ1
0周辺部にデバイス電極パッド2同様に設けられた検出
用パッド7に接触させる必要がある。
Therefore, a detection-only needle pad 7 similar to the electrode pad 2 for devices is provided on the semiconductor chip 1, and by bringing the detection needle 8 into contact with the detection pad 7 on the semiconductor chip 1, the potential of the stage 5 on which the wafer 10 is placed is is electrically connected to the detection pad 7 through the wafer to apply a detection potential. Therefore, during measurement, the blowing needle 3 is brought into contact with the device electrode pad 2 as shown in FIG.
It is necessary to contact the detection pad 7 provided in the same manner as the device electrode pad 2 at the periphery of the device electrode pad 2 .

第3図にチップの検出状態を示す電気的等価回路を示す
。まずチップ無しの場合には検出ニードル8が検出用パ
ッド7に接触していないので検出信号(a)はプルアッ
プ抵抗6を通したプルアップ電位となっている。ついで
チップ有りの場合にはステージ5が上昇し、検出ニード
ル8が検出バッド7に接触する。接触がおこるとステー
ジ5がウェーハ10およびN 層9を通して検出バッド
7を形成するアルミニウムに導通するため、検出信号(
a)はほぼステージ5の電位、すなわち。
FIG. 3 shows an electrical equivalent circuit showing the detection state of the chip. First, when there is no chip, the detection needle 8 is not in contact with the detection pad 7, so the detection signal (a) is at a pull-up potential through the pull-up resistor 6. Then, if a chip is present, the stage 5 rises and the detection needle 8 comes into contact with the detection pad 7. When contact occurs, the stage 5 conducts through the wafer 10 and the N layer 9 to the aluminum forming the detection pad 7, so that the detection signal (
a) is approximately the stage 5 potential, ie.

ボルトとなる。これはステージがらウェーハ1゜および
N 層9で構成されるシリーズ抵抗11の抵抗値rが検
出電極プルアップ抵抗6の抵抗値Rよりも十分小さいた
めである。
Becomes a bolt. This is because the resistance value r of the series resistor 11 composed of the wafer 1° and the N layer 9 from the stage is sufficiently smaller than the resistance value R of the detection electrode pull-up resistor 6.

このようにして検出ニードル8により半導体チップの有
無を検出することができる。
In this way, the detection needle 8 can detect the presence or absence of a semiconductor chip.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上の通り、本発明ではチップ検出ニードルを1本にし
、別にチップ上に形成した検出用パッドを用いてこの検
出ニードルを検出用パッドに接触させることによりチッ
プ有無の検出をおこなうようにしたため、従来のように
チップ検出ニードルの押し上げ移動量を正確に制御する
必要が無(なり、ブロービングニードルと同一の押し上
げ移動量となるように調節するのみでよい。このためデ
バイス特性を正確な測定するのに必要な安定かつ均一な
オーバードライブ■を保つことができ、安定接触および
正確な測定条件を提供することが可能となる。またブロ
ービングカードの製作においても検出ニードルを1本減
らすことができるため材料節約となる他、製作が容易と
なるという利点がある。
As described above, in the present invention, the number of chip detection needles is reduced to one, and the presence or absence of a chip is detected by using a detection pad separately formed on the chip and bringing this detection needle into contact with the detection pad. There is no need to accurately control the amount of upward movement of the tip detection needle (as in It is possible to maintain the stable and uniform overdrive necessary for This has the advantage of saving materials and being easy to manufacture.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例を説明するための図、第2図
は本発明によるブロービング状態を示す図、第3図は第
1図の動作を説明するための電気的等価回路の回路図、
第4図は従来の方法によるブロービング状態を示す図、
第5図は従来の方法においてチップ検出無しの状態を示
す図、第6図は従来の方法においてチップ検出有りの状
態を示す図、第7図は従来の方法において接触ニードル
の押し上げ移動量が大きすぎる場合を説明するための図
、第8図は従来の方法において押し上げ移動けが少なす
ぎる場合を説明するための図である。 1・・・半導体チップ、2・・・デバイス電極パッド、
3・・・ブロービングニードル、4・・・チップ検出ニ
ードル、5・・・ステージ、6・・・プルアップ抵抗、
7・・・検出用パッド、8・・・チップ検出ニードル、
9・・・Nl!、10・・・ウェーハ。
FIG. 1 is a diagram for explaining one embodiment of the present invention, FIG. 2 is a diagram showing a probing state according to the present invention, and FIG. 3 is an electrical equivalent circuit diagram for explaining the operation of FIG. 1. circuit diagram,
FIG. 4 is a diagram showing the state of blobbing according to the conventional method;
Fig. 5 shows a state in which a chip is not detected in the conventional method, Fig. 6 shows a state in which a chip is detected in the conventional method, and Fig. 7 shows a state in which the upward movement of the contact needle is large in the conventional method. FIG. 8 is a diagram for explaining a case where the push-up movement is too small in the conventional method. 1... Semiconductor chip, 2... Device electrode pad,
3... Blobbing needle, 4... Chip detection needle, 5... Stage, 6... Pull-up resistor,
7... Detection pad, 8... Chip detection needle,
9...Nl! , 10... wafer.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims]  チップ検出ニードルが半導体チップ上の所定の場所に
形成された検出用パッドに接触したさいの、前記チップ
検出ニードルに前記検出用パッドを介して与えられてい
る所定の電位を検知することにより、前記半導体チップ
の有無を検出することを特徴とする半導体チップ検出方
法。
By detecting a predetermined potential applied to the chip detection needle via the detection pad when the chip detection needle contacts a detection pad formed at a predetermined location on the semiconductor chip, A semiconductor chip detection method characterized by detecting the presence or absence of a semiconductor chip.
JP5101785A 1985-03-14 1985-03-14 Detecting method for semiconductor chip Pending JPS61208840A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5101785A JPS61208840A (en) 1985-03-14 1985-03-14 Detecting method for semiconductor chip

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5101785A JPS61208840A (en) 1985-03-14 1985-03-14 Detecting method for semiconductor chip

Publications (1)

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JPS61208840A true JPS61208840A (en) 1986-09-17

Family

ID=12875018

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5101785A Pending JPS61208840A (en) 1985-03-14 1985-03-14 Detecting method for semiconductor chip

Country Status (1)

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JP (1) JPS61208840A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02108983A (en) * 1988-10-18 1990-04-20 Nippon Maikuronikusu:Kk Probe board

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02108983A (en) * 1988-10-18 1990-04-20 Nippon Maikuronikusu:Kk Probe board

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