JPS61158183A - 電界効果型半導体装置 - Google Patents
電界効果型半導体装置Info
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- JPS61158183A JPS61158183A JP27991684A JP27991684A JPS61158183A JP S61158183 A JPS61158183 A JP S61158183A JP 27991684 A JP27991684 A JP 27991684A JP 27991684 A JP27991684 A JP 27991684A JP S61158183 A JPS61158183 A JP S61158183A
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- gaas
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 title abstract description 10
- 230000005684 electric field Effects 0.000 title 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 18
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000004047 hole gas Substances 0.000 claims description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 7
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 3
- 229910018885 Pt—Au Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 abstract 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 abstract 1
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 206010027783 Moaning Diseases 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005247 gettering Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000003446 memory effect Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/36—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the concentration or distribution of impurities in the bulk material
- H01L29/365—Planar doping, e.g. atomic-plane doping, delta-doping
-
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- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
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- H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
- H01L29/7786—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with direct single heterostructure, i.e. with wide bandgap layer formed on top of active layer, e.g. direct single heterostructure MIS-like HEMT
- H01L29/7787—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with direct single heterostructure, i.e. with wide bandgap layer formed on top of active layer, e.g. direct single heterostructure MIS-like HEMT with wide bandgap charge-carrier supplying layer, e.g. direct single heterostructure MODFET
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、バンドギャップが相違する２種類の半導体を
接合することによって形成される接合の近傍に発生する
キャリア（担体）蓄積層におけるキャリア濃度を制御電
極に印加する電圧によシ変化させ、該電子蓄積層からな
る導電路のインピーダンスを制御する形式の電界効果型
半導体装置に係る。そして、特に、前記２種類の接合（
ヘテロ接合）の近傍のキャリア金、咳ヘテロ接合に臨接
して設は九超格子構造から供給する高電子或いは正孔移
動度トランジスタに関する。
接合することによって形成される接合の近傍に発生する
キャリア（担体）蓄積層におけるキャリア濃度を制御電
極に印加する電圧によシ変化させ、該電子蓄積層からな
る導電路のインピーダンスを制御する形式の電界効果型
半導体装置に係る。そして、特に、前記２種類の接合（
ヘテロ接合）の近傍のキャリア金、咳ヘテロ接合に臨接
して設は九超格子構造から供給する高電子或いは正孔移
動度トランジスタに関する。
従来、高電子移動度トランジスタの電子供給層としては
Ｎ ＡｉＧａＡａ ｋ用いる方法と、５−Ｇ５Ａｇ／
ＡＩＬＧａＡａ超格子を用いるものとが提案されて−る
。
Ｎ ＡｉＧａＡａ ｋ用いる方法と、５−Ｇ５Ａｇ／
ＡＩＬＧａＡａ超格子を用いるものとが提案されて−る
。
第６図にそのｎ−ＧａＡａ／ＡＩｔＧａＡａ超格子２を
用いた従来例のバンド構造を示す。図にお−て、ノン・
ドープ或は％凰ドーグのＧａ１ｎ ／ｉｉ １に超格子
２が隣接して設けられ、該超格子のＧａ Ａｓ層に％麗
不純物１例えばＳ４がドープされ５−ＧａＡａ層５とな
されており、これよシワイドギャップな半導体のＡＸＧ
ａＡａ ４ Ｆ１ノン・ドープとされている。超格子２
は、例えばｚｏＪのｓ ＧａＡａ層５とｚｏＪのＢＧ
ａＡａ層４Ａｓ層互に形成され、全層厚が５００１に形
成される。この構成において、超格子のコンダクシヨ／
・バンド５ＬＣＢよｊ） Ａ７Ｄだけ下がりたレペルに
Ｓ−ドーグによるドナーレベルＤＬが生じる。
用いた従来例のバンド構造を示す。図にお−て、ノン・
ドープ或は％凰ドーグのＧａ１ｎ ／ｉｉ １に超格子
２が隣接して設けられ、該超格子のＧａ Ａｓ層に％麗
不純物１例えばＳ４がドープされ５−ＧａＡａ層５とな
されており、これよシワイドギャップな半導体のＡＸＧ
ａＡａ ４ Ｆ１ノン・ドープとされている。超格子２
は、例えばｚｏＪのｓ ＧａＡａ層５とｚｏＪのＢＧ
ａＡａ層４Ａｓ層互に形成され、全層厚が５００１に形
成される。この構成において、超格子のコンダクシヨ／
・バンド５ＬＣＢよｊ） Ａ７Ｄだけ下がりたレペルに
Ｓ−ドーグによるドナーレベルＤＬが生じる。
該Ｓ（ドナーよシミ子が供給され、Ａ１０６４１層４と
ＧｃｂＡａ層１とのヘテロ接合近傍のＧａ Ａｍ層１に
２次元電子ガス（２ＤＥＧ ）層が形成される。該２Ｄ
ＥＧの電子濃度ｎ、 ’ｆｃゲート金属３に与える電圧
によって制御することによりトランジスタ動作が可能と
なる。
ＧｃｂＡａ層１とのヘテロ接合近傍のＧａ Ａｍ層１に
２次元電子ガス（２ＤＥＧ ）層が形成される。該２Ｄ
ＥＧの電子濃度ｎ、 ’ｆｃゲート金属３に与える電圧
によって制御することによりトランジスタ動作が可能と
なる。
ところが、従来の素子においては、Ｎ−ＡＸＧａＡａを
電子供給層に用いた場合、Ｎ−ＡＪＧａＡａ Ｋ特有な
欠陥の九めに、例えば液体窒素温度において、光照射の
影響が数千時間も残るなどの問題があシ（ＰＰＣｐｅｒ
ｓｉｓｔｅｎｔ ｐｈｏｔｏ ｏｏｓｄｓｏｔｔｖｉｔ
ｙ持続的光照射効果と呼ぶ）、ま九、第６図の３−Ｇａ
Ａａ／ＡＡＧαＡｓ起格子においては２０λ程度のＧｃ
Ｌｈａ層の１部に不純物をドーグするために、不純物プ
ロファイルの制御が難しいという欠点がおる。例えば第
５図のように、本来ＳｉドープしたいＧｃｂ Ａｓ層４
０の一部４０’のみにドープできず、斜線部のＡＪ Ｇ
ａ Ａｓ ５０にもＳ（のドープのプロファイルがか＼
ってしまうことがらる。すると、前述のＮ ＡｆｌＧ
ａＡａの持続的光照射効果が生じることになる。
電子供給層に用いた場合、Ｎ−ＡＪＧａＡａ Ｋ特有な
欠陥の九めに、例えば液体窒素温度において、光照射の
影響が数千時間も残るなどの問題があシ（ＰＰＣｐｅｒ
ｓｉｓｔｅｎｔ ｐｈｏｔｏ ｏｏｓｄｓｏｔｔｖｉｔ
ｙ持続的光照射効果と呼ぶ）、ま九、第６図の３−Ｇａ
Ａａ／ＡＡＧαＡｓ起格子においては２０λ程度のＧｃ
Ｌｈａ層の１部に不純物をドーグするために、不純物プ
ロファイルの制御が難しいという欠点がおる。例えば第
５図のように、本来ＳｉドープしたいＧｃｂ Ａｓ層４
０の一部４０’のみにドープできず、斜線部のＡＪ Ｇ
ａ Ａｓ ５０にもＳ（のドープのプロファイルがか＼
ってしまうことがらる。すると、前述のＮ ＡｆｌＧ
ａＡａの持続的光照射効果が生じることになる。
さらに従来の問題点として、 ２ＤＥＧｄ度ｎ１が十
分に得られないという問題がら９、ガを増大する工夫が
種々研究されている。
分に得られないという問題がら９、ガを増大する工夫が
種々研究されている。
本発明においては、高電子移動度トランジスタ或は高正
孔移動度トランジスタのキャリア（担体）供給層として
、所ｇｊｌ ＡＰＤ （！ｔｏｍｉｅ ２１ａ％ａｙ
ｄ＋ｐｉｓｙ ） ｋ用いる。ＡＰＤ （以下界面ドー
ピングという）は、ＭｆｌＥ （分子線結晶成長）中に
、一時エピタキシャル成長を中断し、不純物のみをデポ
ジットする方法でろシ、制御性が良く、プロファイルコ
ントロールが容易でおる。
孔移動度トランジスタのキャリア（担体）供給層として
、所ｇｊｌ ＡＰＤ （！ｔｏｍｉｅ ２１ａ％ａｙ
ｄ＋ｐｉｓｙ ） ｋ用いる。ＡＰＤ （以下界面ドー
ピングという）は、ＭｆｌＥ （分子線結晶成長）中に
、一時エピタキシャル成長を中断し、不純物のみをデポ
ジットする方法でろシ、制御性が良く、プロファイルコ
ントロールが容易でおる。
すなわち、本発明は、半導体層と、該半導体層に格子整
合し、これよシもワイドギャップの半導体層とのヘテロ
接合近傍に形成される２次元電子ガス或いは２９元正孔
ガスを用いる高電子或いは正孔移動度トランジスタにお
いて、チャネルとなる前記ヘテロ接合に隣接して、超格
子が備えられ、該超格子のヘテロ接合界面にドナー成り
はアクセプタ不純物がドーグされ、該ドナー成いはアク
セプタ不純物から担体を供給するようにする。
合し、これよシもワイドギャップの半導体層とのヘテロ
接合近傍に形成される２次元電子ガス或いは２９元正孔
ガスを用いる高電子或いは正孔移動度トランジスタにお
いて、チャネルとなる前記ヘテロ接合に隣接して、超格
子が備えられ、該超格子のヘテロ接合界面にドナー成り
はアクセプタ不純物がドーグされ、該ドナー成いはアク
セプタ不純物から担体を供給するようにする。
第４図に示すように本発明によれば、Ｓｉ等の不純物を
０６４８層４０とＡＡＧｔｓＡａ ／ｉ田等のヘテロ界
面にドーピングすることができる。その結果次のような
作用が得られる。
０６４８層４０とＡＡＧｔｓＡａ ／ｉ田等のヘテロ界
面にドーピングすることができる。その結果次のような
作用が得られる。
■ 従来のＮ−ＡＡＧａＡａを電子供給層とする場合と
異なシＡＸＧａＡａ層等の電子供給層ににドープされな
いので前記ｒｐｃ （光照射のメモリ効果）が° 少
なくなる。
異なシＡＸＧａＡａ層等の電子供給層ににドープされな
いので前記ｒｐｃ （光照射のメモリ効果）が° 少
なくなる。
■ ２次元電子ガス或いは２次元正孔ガス濃度が増大す
る。その理由を以下に述べる。
る。その理由を以下に述べる。
一般に高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）において
、不純物のレベルが浅くなるとキャリア濃度が増大する
ことは良く仰られている。
、不純物のレベルが浅くなるとキャリア濃度が増大する
ことは良く仰られている。
（ス、ｌコ ＾Ｉ Ｇａ 入Ｓ）
第１図にＧａ Ａｍ／％／ＡＩＧａＡａ Ｅｉ扁４を備
える本発明例のバンド構造が示されておシ、これを用い
て本作用を説明する。図において、ＧａＡｓ層１１とＧ
ａＡｓ／％／Ａｉ、Ａａ超格子層１２の間にヘテロ接合
が形成され、該接合近傍に２ ＤＥＧ蓄積層が形成され
ている。
える本発明例のバンド構造が示されておシ、これを用い
て本作用を説明する。図において、ＧａＡｓ層１１とＧ
ａＡｓ／％／Ａｉ、Ａａ超格子層１２の間にヘテロ接合
が形成され、該接合近傍に２ ＤＥＧ蓄積層が形成され
ている。
該２ＤＥＧ蓄積層の電子濃度はゲート金属１３に印加さ
れる電圧で制御され、トランジスタ動作せしめる。
れる電圧で制御され、トランジスタ動作せしめる。
超格子１ｉ１１２はＡＪＩＡａ層１４とＧａ Ａｓ層１
５が交互に形成され、界面にＳ（がドーグされている。
５が交互に形成され、界面にＳ（がドーグされている。
超格子層には超格子のコンダクシ冒ンバンド５ＬＣＢカ
存在し、 ５ＬＣＢからＥＤ下がったレベルにＳ（のド
ナーレベルＤＬ１がろる。これに対してＤＬ２と図示さ
れているのが、従来法によυＧａ Ａｓ層１５だけにＳ
（ヲドーグした場合のドナーレベルでらる。図から明ら
かなように、界面ドーピングのＤＬｌの方がＤＬ２よシ
レベルが浅くなっている。したがって、上述のドナーレ
ベルとキャリア濃度の関係から、ＱＤＥＧ層の電子密度
は本発明において増大することになる。
存在し、 ５ＬＣＢからＥＤ下がったレベルにＳ（のド
ナーレベルＤＬ１がろる。これに対してＤＬ２と図示さ
れているのが、従来法によυＧａ Ａｓ層１５だけにＳ
（ヲドーグした場合のドナーレベルでらる。図から明ら
かなように、界面ドーピングのＤＬｌの方がＤＬ２よシ
レベルが浅くなっている。したがって、上述のドナーレ
ベルとキャリア濃度の関係から、ＱＤＥＧ層の電子密度
は本発明において増大することになる。
この界面ドーピングとドナーの深さの関係は、文献Ｇ、
Ｂａ５ｔａｒｄ Ｐｈｙｓ Ｅｔｖ、 Ｅ２４ Ｎｏ
８ （１９８１ンＰ４７１４に記載されておシ、第５
図に示すように、景子井戸の幅りを横軸にドナーの深さ
Ｅｖ ｆｃ縦軸にとったとき％量子井戸の幅が軸におい
て■の界面ドーピングの場合Ｅｏ ＝”” ＋ ■の中
央ドーピングの場合ＥＤｍＲ，でアク、常に■の界面ド
ーピングの方が■の中央ドーピングよりドナーの深さＥ
Ｄが浅くなりている。なお、Ｒｏは約６ｍｍＶでらる。
Ｂａ５ｔａｒｄ Ｐｈｙｓ Ｅｔｖ、 Ｅ２４ Ｎｏ
８ （１９８１ンＰ４７１４に記載されておシ、第５
図に示すように、景子井戸の幅りを横軸にドナーの深さ
Ｅｖ ｆｃ縦軸にとったとき％量子井戸の幅が軸におい
て■の界面ドーピングの場合Ｅｏ ＝”” ＋ ■の中
央ドーピングの場合ＥＤｍＲ，でアク、常に■の界面ド
ーピングの方が■の中央ドーピングよりドナーの深さＥ
Ｄが浅くなりている。なお、Ｒｏは約６ｍｍＶでらる。
第２図に本発明の一実施例のＨＥＭＴの断面要部を示し
ておシ、次の各部よシ構成されている。
ておシ、次の各部よシ構成されている。
各層に通常のＨＥＭＴと同様にＭＢＥ法によシ半絶縁性
Ｇａ Ａａ基板１０の上に連続して形成される。
Ｇａ Ａａ基板１０の上に連続して形成される。
１１・・・ノ／・ドープ（高純度）ＧａＡｓ層、厚さ６
０００λ１２°” Ｇａ Ａｓ／％／Ａｉｄ 、４６
超格子層、全層厚５００Ｘこの超格子層１２μ、第１図
のＧａ Ａｓ／ｓ／ＡＪ！ Ａａに相当する。その細部
構成は次のとおシである。
０００λ１２°” Ｇａ Ａｓ／％／Ａｉｄ 、４６
超格子層、全層厚５００Ｘこの超格子層１２μ、第１図
のＧａ Ａｓ／ｓ／ＡＪ！ Ａａに相当する。その細部
構成は次のとおシである。
１４・・・ＧａＡｓ層、ノン・ドープ、厚さ２０λ１５
・・・ＡＩ−Ａｍ層、ノン・ドープ、厚さｚｏＪここで
、Ｇａ Ａｓ層１４とＡｇＡｓ層１５のヘテロ界面には
前述のアトミック・ブレーナ・ドーピング（ＡＰＤ）に
よｐ、ｓｔのドーピングを行う。それには、 ＧａＡ
ａとＡｌＡｍの界面において、成長を一旦中断し、 Ｇ
Ｇビームをオフとし、Ａ１ビームのみオ／Ｃ’）ｉ’ｌ
、Ｓｔのビームを照射し、Ｓ（のドーピングのみを行な
う。ここでＡ１ビーム照射を続けるのは、ＧａＡａのＡ
＃の解離を防止する九めである。具体例を示すと、Ｇａ
Ａａｆｉ−成長しなからドーピングすると仮定したとき
、 Ｉ Ｘ １０” ｅｍ−”のドーピング相当のＳ
イヒームｔ−１８秒照射する。これによｊ５．６Ｘ１ｕ
”０１％−２のＳｔ面密度を得る。なお、ＡＰＤについ
ては文献Ｊ、 Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙａ、 ５１（１）
、 ｐｐ、 ５８３〜３８７ （１９８０，１）に詳記
されている。
・・・ＡＩ−Ａｍ層、ノン・ドープ、厚さｚｏＪここで
、Ｇａ Ａｓ層１４とＡｇＡｓ層１５のヘテロ界面には
前述のアトミック・ブレーナ・ドーピング（ＡＰＤ）に
よｐ、ｓｔのドーピングを行う。それには、 ＧａＡ
ａとＡｌＡｍの界面において、成長を一旦中断し、 Ｇ
Ｇビームをオフとし、Ａ１ビームのみオ／Ｃ’）ｉ’ｌ
、Ｓｔのビームを照射し、Ｓ（のドーピングのみを行な
う。ここでＡ１ビーム照射を続けるのは、ＧａＡａのＡ
＃の解離を防止する九めである。具体例を示すと、Ｇａ
Ａａｆｉ−成長しなからドーピングすると仮定したとき
、 Ｉ Ｘ １０” ｅｍ−”のドーピング相当のＳ
イヒームｔ−１８秒照射する。これによｊ５．６Ｘ１ｕ
”０１％−２のＳｔ面密度を得る。なお、ＡＰＤについ
ては文献Ｊ、 Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙａ、 ５１（１）
、 ｐｐ、 ５８３〜３８７ （１９８０，１）に詳記
されている。
さらに、第２図において、２１はコンタクトのための１
０６４１層で厚さ３００Ｘに形成され、２２，２４５は
ソース及びドレイン電極で６ ’） 、Ａ％ＧＪＡ鴬き
アコイして形成しておシ、ゲート金属１３はＡＪＬまた
Ｆ２Ｔ （−Ｐ ｔ −Ａｓで形成する。
０６４１層で厚さ３００Ｘに形成され、２２，２４５は
ソース及びドレイン電極で６ ’） 、Ａ％ＧＪＡ鴬き
アコイして形成しておシ、ゲート金属１３はＡＪＬまた
Ｆ２Ｔ （−Ｐ ｔ −Ａｓで形成する。
本実施例による２ＤＥＧ濃度の増加を比較例とともに以
下に示す。
下に示す。
通常のＨＥＭＴ （Ｎ −Ａｆｔ ＧａＡａ ） −＊
ｎｇ 〜６ Ｘ １０” ｃｍ−”超格子ｎ −Ｇａ
ＡＪＡＪ−Ａ ＃をキャリア供給層とするＨＥＭＴ
呻ｎｇ 〜８ Ｘ １０ ｅｔｎ″′
５本発明の実施例 ＝ζ〜？Ｘ１０ ａ濯−５
以上％世不純物の界面ドーピングによる実施例によシ説
明したが、ｐ型不純物の界面ドーピングによシ、高正孔
移動度トラ／ジスタが形成できることは明らかでおろう
。
ｎｇ 〜６ Ｘ １０” ｃｍ−”超格子ｎ −Ｇａ
ＡＪＡＪ−Ａ ＃をキャリア供給層とするＨＥＭＴ
呻ｎｇ 〜８ Ｘ １０ ｅｔｎ″′
５本発明の実施例 ＝ζ〜？Ｘ１０ ａ濯−５
以上％世不純物の界面ドーピングによる実施例によシ説
明したが、ｐ型不純物の界面ドーピングによシ、高正孔
移動度トラ／ジスタが形成できることは明らかでおろう
。
本発明によれば次のような効果が得られる。
■ Ｎ Ａｉｄ−ＧａＡａ ｔ−電子供給層とするＨＥ
ＭＴに比べてμＧαＡ＃或いはＡＪｉｌＡｇに３４ ｆ
ドーグしない為に低温における持続的光照射効果が少な
くなる。
ＭＴに比べてμＧαＡ＃或いはＡＪｉｌＡｇに３４ ｆ
ドーグしない為に低温における持続的光照射効果が少な
くなる。
■ ｓ −Ｇ６ Ａａ／ＡＪ Ａｍ超格子を電子供給層
とするＲＥＮＴに比べると、Ｓｔ等の不純物のドーピン
グ・プロファイルの制御性が高い（ヘテロ界面に不純物
をゲッターする効果があるため、バルク結晶にドープす
るよシ界面ドーピングの方が制御性が良い。）利点がら
る。
とするＲＥＮＴに比べると、Ｓｔ等の不純物のドーピン
グ・プロファイルの制御性が高い（ヘテロ界面に不純物
をゲッターする効果があるため、バルク結晶にドープす
るよシ界面ドーピングの方が制御性が良い。）利点がら
る。
■ Ｇａ Ａｍ／Ａ１１．Ａｓ等の超格子において、Ｇ
ａＡ−中のＳｔ等の不純物のレベルよシもヘテロ界面の
不純物のレベルの方が浅いため、同じドープ景ではチャ
ネルの２次元電子ガスの濃度ガが高くなる利点がある。
ａＡ−中のＳｔ等の不純物のレベルよシもヘテロ界面の
不純物のレベルの方が浅いため、同じドープ景ではチャ
ネルの２次元電子ガスの濃度ガが高くなる利点がある。
第１図は本発明の実施例の素子のバンド構造を示す図、
第２図は本発明の実施例の素子の断面図、第３図及び第
４図にそれぞれｎ−ＧａＡｓ／ＡＡＧａＡａ及びＧａＡ
ｇ／％／Ａｌｌ Ｇａ Ａｓのバンド構造による説明図
、第５図はヘテロ界面ドーピングと中央ドーピングのド
ナーレベルの深さを示す図、第６図は従来の５ＧａＡｓ
／ＡＪＩＧａＡａ超格子を用いたＨＨ：ＭＴのバンド構
造を示す図。 １０・・・半絶縁性ＧａＡａ基板 １１・・・Ｇａ Ａｓ層 １２・・・（σαＡ８／％／Ａｉ、Ａｚ）超格子層１３
・・・ゲート金属 １４・・・（超格子の）試Ａ１層 １５−（超格子の） ＧａＡａ Ｎ ２１− ＲＧａＡｓ層 ２２・・・ソース電極 ２５・・・ドレイン電極 第 １ 図 ＧａＡｓ／’ｎ ｚ′ＡＬＡｓ ｓ格＋ｒｌ
ＧａＡｓ Ｊ”１２ １１ τ 第２図 第３ 図 第 ４ 口 笛 ５ 図 第 ６ 図
第２図は本発明の実施例の素子の断面図、第３図及び第
４図にそれぞれｎ−ＧａＡｓ／ＡＡＧａＡａ及びＧａＡ
ｇ／％／Ａｌｌ Ｇａ Ａｓのバンド構造による説明図
、第５図はヘテロ界面ドーピングと中央ドーピングのド
ナーレベルの深さを示す図、第６図は従来の５ＧａＡｓ
／ＡＪＩＧａＡａ超格子を用いたＨＨ：ＭＴのバンド構
造を示す図。 １０・・・半絶縁性ＧａＡａ基板 １１・・・Ｇａ Ａｓ層 １２・・・（σαＡ８／％／Ａｉ、Ａｚ）超格子層１３
・・・ゲート金属 １４・・・（超格子の）試Ａ１層 １５−（超格子の） ＧａＡａ Ｎ ２１− ＲＧａＡｓ層 ２２・・・ソース電極 ２５・・・ドレイン電極 第 １ 図 ＧａＡｓ／’ｎ ｚ′ＡＬＡｓ ｓ格＋ｒｌ
ＧａＡｓ Ｊ”１２ １１ τ 第２図 第３ 図 第 ４ 口 笛 ５ 図 第 ６ 図
Claims (1)
- 半導体層と、該半導体層に格子整合しこれよりもワイド
ギャップの半導体層とのヘテロ接合近傍に形成される２
次元電子ガス或いは２次元正孔ガスを用いる高電子或い
は正孔移動度トランジスタにおいて、チャネルとなる前
記ヘテロ接合に隣接して、超格子が備えられ、該超格子
のヘテロ接合界面にドナー或いはアクセプタ不純物がド
ープされ、該ドナー或いはアクセプタ不純物から担体を
供給することを特徴とする電界効果型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27991684A JPS61158183A (ja) | 1984-12-29 | 1984-12-29 | 電界効果型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27991684A JPS61158183A (ja) | 1984-12-29 | 1984-12-29 | 電界効果型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61158183A true JPS61158183A (ja) | 1986-07-17 |
Family
ID=17617696
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27991684A Pending JPS61158183A (ja) | 1984-12-29 | 1984-12-29 | 電界効果型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61158183A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6414971A (en) * | 1987-07-09 | 1989-01-19 | Agency Ind Science Techn | Heterojunction field-effect transistor |
| JPH01166568A (ja) * | 1987-12-23 | 1989-06-30 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPH01183163A (ja) * | 1988-01-18 | 1989-07-20 | Fujitsu Ltd | 高電子移動度電界効果型トランジスタ |
| US5091759A (en) * | 1989-10-30 | 1992-02-25 | Texas Instruments Incorporated | Heterostructure field effect transistor |
| US5196359A (en) * | 1988-06-30 | 1993-03-23 | Texas Instruments Incorporated | Method of forming heterostructure field effect transistor |
| JP2005302861A (ja) * | 2004-04-08 | 2005-10-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｉｉｉ−ｖ族窒化物半導体を用いた半導体装置 |
-
1984
- 1984-12-29 JP JP27991684A patent/JPS61158183A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6414971A (en) * | 1987-07-09 | 1989-01-19 | Agency Ind Science Techn | Heterojunction field-effect transistor |
| JPH01166568A (ja) * | 1987-12-23 | 1989-06-30 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPH01183163A (ja) * | 1988-01-18 | 1989-07-20 | Fujitsu Ltd | 高電子移動度電界効果型トランジスタ |
| US5196359A (en) * | 1988-06-30 | 1993-03-23 | Texas Instruments Incorporated | Method of forming heterostructure field effect transistor |
| US5091759A (en) * | 1989-10-30 | 1992-02-25 | Texas Instruments Incorporated | Heterostructure field effect transistor |
| JP2005302861A (ja) * | 2004-04-08 | 2005-10-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｉｉｉ−ｖ族窒化物半導体を用いた半導体装置 |
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