JPS61145724A - 磁気記録フレキシブルデイスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 １支術分野 本発明はトラッキングミスを回避できる新規な磁気記録
フレキシブルディスクに関する。

更に詳しくは、高いトラック密度記録の可能な磁気記録
７レキシプルデイスクに関する。

従来技術 磁気フレキシブルディスク記録再生装置自体に温度変化
を抑制する機講やトラック検出の特別な回路（トランク
サーボ等）を設けることによって、トラッキングミスを
防止することが従来から知られている。もつとも、これ
らの手段では記録再生３！置が複雑となるので汎用的で
はない、実際的には熱膨張率及び湿度膨張率の可能な限
り小さい基材フィルムや磁気材料を用いて磁気フレキシ
ブルディスクをつくることによってトラッキングミスを
防止する手段が採られている。

しかしながら、この様な磁気フレキシプルディスクでも
、高温（４０℃）及び／又は高温（約８０％ＲＨ）で使
用すると、トラッキングミスが発生する。特に低温（ｘ
ＯＣ程度）または低湿（２０％ＲＨ程度）の条件下で記
録した磁気７レキシプルデイスクは、高温（４０℃程度
）または高い湿度（６０〜８０４ＲＨａ度）雰囲気のも
とで再生するとトラッキングミスが発生するという欠点
があった。

このトラッキングミスによって、出力エンベロープの低
下が起り、Ｓ／Ｎ比が悪くなるという問題は未だ未解決
である。

発明の目的 本発明の目的は、使用可能な雰囲気条件温度、湿度範囲
を拡大し、高温・高湿の条件でもトラックミスが発生し
ない様に改良し、かつ高い引裂強度を有する磁気記録フ
レキシブルディスクを提供することにある。

本発明者は、上記の欠点を解消するため研究を重ねた結
果す７タレン環を含む特定構造の芳香族ポリエステルを
用いて二軸配向フィルムとし、特に核二軸配向フィルム
の温度膨張率及び湿度膨張率を特定範囲に調斃すること
によって得られる寸法安定性の高いフィルムを基材とし
て用いて磁気記録フレキシブルディスクをつくるならば
トラッキングミスの発生を回避できるのみならず、磁気
記録の高密度化、就中、トラック密度の向上も可能にな
ることを見出した。

発明の構成 本発明の目的は、本発明によれば、６．６’　−（エチ
レンジオキシ）ジ−２−ナフトエ酸を主とする酸成分と
エチレングリコール及び／又は１，４−シクロベキサン
ジメタツールを主とするジオール成分のエステル巣位か
ら実質的になる芳香族ポリエステルの二軸配向フィルム
、特に面方向における最大の湿度膨張率が１０〜３５（
ＸＩＯ−優／℃）、最大の湿度膨張率が０〜８．０　（
Ｘ　ｌ　Ｏ−’／％ＲＨ）、最大と最小との温度膨張率
の差が０〜６．０　（Ｘｌ０−’／℃）、かつ最大と最
小と湿度膨張率の差が０〜４．０　（Ｘ　Ｉ　Ｑ−“／
％ＲＨ）である二軸配向フィルムを基材とし、この上に
磁性層を設けてなる磁気記録７レキシプルデイスクによ
って達成される。

本発明における６、６’−（エチレンジオキシ）ジ−２
−ナフトエ酸は下記構造式Ｉで示される芳香族ジカルボ
ン酸である。

・・・・・・・・・Ｉ 上記６．６’−（エチレンジオキシ）ジ−２−ナフトエ
酸はその一部を他の二官能性カルボン酸で置換すること
ができる。この他の二官能性カルボン酸としては下記構
造式■、■で示されるカルボン酸をあげることができる
。

ＨＯＯＣ−Ｒ↓−ＣＯＯＨ・・・・−・・・・・・・・
・・■ＨＯＯＣ−Ｒ”−ＯＲ・・・・・川・・・・・・
・■（香族基又は側車族基である。　　　　　〕上記Ｒ
１としては例えば炭素数２〜１０のフルキレン；置換基
（例えば低級アルキル、）−ロゲン等）で＃置換されて
いてもよい７エ二レン、す７タレン、ジフェニレン；炭
ｉ数６〜１２のシクロアルキレン等をあげることができ
、またＲ雪としては例えば上記Ｒ１と同じもあげること
ができる。更に具体的にはテレフタル酸、イソフタル酸
、２，６−す７タレンジカルボン酸、４．４’−ジフェ
ニルジカルボン酸。

オキシ安息香酸、オキシカブジン酸、セパチン酸、シク
ロヘキサンジカルボン酸等を例示できる。

かかる他の二官能性カルボン酸は、全酸成分当り５０モ
ルチ未満、更には３０モルチ未満、特に２０モルチ未満
であることが好ましい。更に本発明におけるジオール成
分は二手レンゲリコール及び／又は１．４−シフ−ヘキ
サンジメチロールを主とするジオール成分であるが、そ
の一部を他のジオール成分で置換することも出来る。か
（る他のジオールとしては炭素数３〜１２の脂肪族、脂
環族及び芳香族ジオールがあげられ、具体的にはプロピ
レングリコール、トリメチレングリコール。

テトラメチレングリコール、ヘキサメチレングリコール
、オクタメ牛レンゲリコール、ネオペンチレンゲリコー
ル、ｌ、４−ビス（β−ヒドロキシエトキシ）ベンゼン
、４．４’−ジフェニルスルホン、４．４’−ジフェニ
ルエーテル。

２．２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フａパン等を
例示することが出来る。

かかる他のジオールは、全ジオール成分当り５０モルチ
未満、更には３０ＪＥ：ルチ未満、特に２０モル多未満
であることが好ましい。

本発明において芳香族ポリエステルは上記の酸成分とジ
オール成分のエステルより実質的になるが、６．６’−
（エチレンジオキシ）ジ−２−ナフトエ酸とエチレング
リコール及び／又は１．４−シクロヘキサンジメチロー
ルとのエステル単位が全繰返し琳位の５０％以上、更に
は７０チ以上、特に８０％以上であることが好ましい。

この芳香族ポリエステルは、開存粘度０．４以上、更に
は０．５以上であることが好ましい。

本発明の芳香族ポリエステルは、従来公知のポリエステ
ルの重縮合方法に準じて弊漬することが出来るが、好ま
しい方法としては６．６’−（エチレンジオキシ）ジ−
２−ナフトエ酸及び／又はそのエステル形成性誘導体と
エチレングリコール及び／又は１，４−シクロヘキサフ
ジメチ１−ルとを、場合によっては更に他種酸成分とな
゛るジカルボン酸、ヒドロキシカルボン酸及び／又はこ
れらのエステル形成性誘導体や他、種ジオール成分とな
るジヒドロキシ化合物等を用いて、好ましくは触媒の存
在下で反応させる方法があげられる。

前記カルボン酸のエステル形成性誘導体としてはメチル
、エチル、ブーピル等の低級アルキルエステル、フェニ
ル等の７リールエステル等が例示される。ジオールは全
酸成分に対し１．１〜３モル倍用いることが好ましい。

また触媒としては例えばナトリウム、カリウアルミニウ
ム、コバルト、鉛、ニッケル、チタニウム、マンガン、
アンチモン等の単体。

酸化物、水素化物、水酸化物、ハジゲン化物。

無機及び有機酸塩類、錯塩、複塩、アルフラートウフェ
ノラート等をあげることができ、これらは二種以上併用
してもよい。特にアンチモン化合物、ゲルマニウム化合
物、チタニウム化合物等が重縮合触媒として好ましく用
いられる。かかる触媒量はポリマーに対し０．００５〜
０．５モルチ程度が好ましい。好ましい重合温度は得ら
れるポリマーの融点以上３５０℃以下、より好ましくは
融点＋５℃以上３３０℃以下であるが、特に高重合度の
ものを得たい場合には溶融重合法によって得た比較的低
重合度のポリマーを粉粒化し、減圧下及び／又は不活性
ガス気流下ポリマーの融点より低い温度に加熱して重合
度を高める、いわゆる固相重合法も採用出来る。

芳香族ポリエステルには、ポリマーが実質的に線状であ
る範囲内で、例えば安息香酸。

ベンゾイル安息香酸味のエステル形成性官能基を１個有
する化合物；グリセリン、ペンタエ　リ　ス　リ　　ト
　−　ル　、　　ト　リ　メ　リ　ッ　ト　酉！、　　
ピ　ｐ　メ　リット酸等のエステル形成性官能基な３個
以上有する化合物の残基を含有せしめてよく、この様な
芳香族ポリエステルは前記カルボン酸。

ヒドロキシ化合物及び／又はそのエステル形成性誘導体
を前記ポリエステルｔ４合反応系に添加反応させること
によって得ることが出来る。

本発明における二軸配向フィルムは、基本的には従来か
ら蓄積された製膜方法で製造できる。例えば乾燥ポリエ
ステルを溶融押出し、キヤステングトラム上で冷却して
未延伸フィルムを得、更に該未延伸フィルムを逐次また
は同時二軸延伸し、ヒートセットする方法で型造するこ
とができる。更に具体的な条件は次の通りである。

ポリマーの乾燥は１７０℃、３時間前後が適当であるが
、これに限定されるものでないっこの鴎にして乾燥され
たポリエステルをポリマーの融点（Ｔｍ：℃）以上、３
５０℃以下より好ましくは３３０℃以下の温度で溶融し
、フィルム成形用ダイかう押出し、続いてポリマーのガ
ラス転移温度（Ｔｇ：℃）以下の温度に保つ回転ドラム
上に接触させて急冷させることが好ましい。延伸は（Ｔ
ｇ−１０）１：〜（Ｔｇ−＋−５ｏ）℃程度の温度で、
面積倍ぶにして２倍以上、更には５倍以上、特に８倍以
上になるように行なうことが好ましい、延伸方法は、逐
次でも同時でもよい。延伸したフィルムは延伸温度〜（
Ｔｍ−１０）’Ｃの温度で延伸乃至熱処理することが好
ましい、か（る方法によって本発明の二軸配向フィルム
を得ることができる。しかし、本発明における二軸配向
フィルムは、この様な方法で得られたもののみには限ら
れない。本発明の二軸配向フィルムは、通常２５〜１２
５μ、更には５０〜１００μ程度の範囲から選ばれる。

もつとも、この厚さの範囲に限定されるものではない。

本発明における二軸配向フィルムは、フィルムの面方向
の畷大の温度膨張率差コール３５（ＸＩＯ−“７℃）、
好ましくは１５〜３０（ｘ　１０−’／Ｃ）　＋　Ｊｌ
大の湿度膨張率がＯ〜８．０　（Ｘ　１０−’％／ＲＨ
）、好ましくは３〜７．０　（Ｘ　１０−′％／ＲＨ）
であり、しかも最大と最小との温度膨張°率の差が０〜
６．０　（Ｘ１０−・７℃）；また最大と最小との湿度
膨張率の差が０〜４．０　（Ｘ　１０”’／％ＲＨ）、
好ましくは０〜３．０　（Ｘ　１０−・／％ＲＨ）であ
る。フィルム基材の温度俸湿度膨張率がこの範囲にある
と、フレキシブルディスクのトラッキングミスを著しく
減少ないし防止でき、広い温度。

湿度ｄ囲での使用が可能になる。温度又は湿度膨張率が
上記に規定した範囲を超えると、磁気記録７レキシプル
デイスクに記録した雰囲気と異なった温度で再生した場
合に、磁気ヘッドと記録トラックがずれてトラッキング
ミスな発生することが多くなる。この結果、出力が変化
して、ドロップアウトを生ずる。

現状技術では磁気記録フレキシブルディスクとして最も
一般的に用いられているポリエチレンテンフタレート系
ポリエステルフィルムでは盪犬の温度膨張率は約１７　
Ｘ　１０”７℃。

１晶度膨張塞の最大と最小の差は８ＸＩＦ／℃８度で、
温度膨張耶の面では記録再生装置の温度膨張率とほぼ一
致するものの、面内方向における温度膨張率差によるト
ランクずれを完全に防止することはできない。また湿度
膨張率については約１１　Ｘ　１０”’／％ＲＨ程度と
かなり大きく、湿度変化に対応したトラックずれは記録
再生装置の湿度膨張率が０とみなせるのでかなり大きな
ものとなる。一方、本発明の二軸配向ポリエステルフィ
ルムは一般的に用いられているポリエチレンテレフタレ
ート系ポリエステルよりなる二軸配向フィルムよりも温
度膨張及び温度膨張に伴うトラックずれが小さく、かつ
温度膨張率の最大値と最小値との差、湿度膨張率の最大
値と最小値との差が小さいので、トラックずれを更に小
さく抑えることができ、広い温度・湿度範囲の雰囲気で
の使用に全（支薫がない。

本発明の磁気記録フレキシブルディスクは、磁性層と上
述の基材フィルムとによって構成されている。磁性層は
磁性粉体或は金属よりなる。本発明における強磁性粉体
又は金属としては、例えばγ−Ｆ≧＊０＠　、　Ｃｏ含
有のｒ−Ｆｅ＊Ｏｓ　、Ｆｓｓ０４　、Ｃｏ含有のＦｅ
、０４＋　Ｃｒｙ、　、　Ｃｏ　−Ｎｉ−Ｐ合金＋　Ｃ
ｏ　　Ｎｉ　　Ｆｅ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、Ｃｏ−Ｎｉ
合金、バリウムフェライト等の強磁性体を例示できる。

磁性粉体は通常バインダーと共に使用される。このバイ
ンダーとしては、例えば公知の熱可塑性樹脂、熱硬化性
樹脂１反応型樹脂又はこれらの混合物が繰げられる。具
体的には、例えば塙化ビニ嘩ル・酢酸ビニル共重合体、
塩化ビニル・塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル・ア
クリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル・アクリ
ロニトロル共重合体、アクリル酸エステル・環化ビニリ
デン共重合体、アクリル酸エステル・スチレン共重合体
、メタクリル酸エステル・アク！ｊＥ二）リル共重合体
、メタクリル酸エステル・塩仏ビニリデン共重合体。

メタクリル酸エステルスチレン共重合体、ウレタンエラ
ストマー、ポリフッ化ビニル、塩化ビニリデン・アクリ
ロニトリル共重合体、ブタジェン・アクリロトリル共重
合体、ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラール、セルロ
ース誘導体（セルロースアセテートブチレート。

セルｐ−スダイアセテート、セル一一ストリアセテート
、セルーースプロピオ＄−）、ニトロセルロース等）、
スチレン・ブタジェン共重合体、ポリエステル樹脂、ク
ロロビニルエーテル・アクリル虐エステル共重合体、ア
ミノ樹脂、各種の合成ゴム系の熱可塑性樹脂およびこれ
らの混合物等が使用できる。

基材（二軸配向フィルム）上への前記の磁性層を塗布す
る方法としては、例えばエアードクターコート、ブレー
ドコート、エアナイフコート、スクイズフート、含浸コ
ート、リバースー−ルコート、トランスファーロールフ
ート、グラビアフート、キスコート、キャストコート、
スプレィコート等が利用できる。

磁性層は０．１〜２０μの厚さに塗布することが好まし
い。塗布後には表面平滑処理例えばカレンダーロール処
理を施して表面を平滑化することが好ましい。

発明の効果 本発明の磁気記録フレキシブルディスクは、特定のポリ
エステル、即ち６．６’＝（エチレンジオキシ）ジ−２
−ナフトエ酸な主とする酸成分とエチレングリフール及
び／又は１，４−シクロヘキサンジメチロールを主とす
るジオール成分とのエステル単位から実質的になり、面
方向にバランスするように二軸延伸を施したものを基材
とし、この基材の表面に磁性層を設けたものである。基
材フィルムが、高い引裂強度と所定の温度膨張率及び温
度膨張率とを備え、磁気ディスクとしてトラック密度を
高めてもトラッキングミスが生じないので、高密度記録
が可能となる利点を備えている。

更に、この磁気ディスクは、記録と再生との温度・湿度
条件が相違し文もトラッキングミスがないという利点も
備えている。従って、本発明のフレキシブルディスクは
、雰囲気の変イヒに耐えられる、適用範囲の広いもので
ある。

実施例 以下、実施例をあげて本発明を説明する。

なお固有粘度はｐ−りａｐフェノール／テトラクロルエ
タン（４０，／６０重景比）の混合溶媒を用い３５℃で
測定して求め、またガラス転移温度、融点はＤＳＣによ
り昇温速度２０℃／分で測定した。また温度及び湿度膨
張率は次に示す方法で測定した。

（１）　　温度膨張率 日本自動制御社製の定荷重伸び試験機 ＩＴＬＺ型）を恒温恒湿槽内ｌｌＣｅき測定を行う。測
定サンプルは予め所定の条件（例えば７０℃３０分）で
熱処理を施し、このサンプルを試験機に取付は温度２０
℃・湿度６０％ＲＨ（相対湿度）と温度４０℃・湿度６
０４ＲＨとの間での寸法変化を曹取ることによって温度
膨張率を測定する。このときの原サンプル長は、５０５
■、サンプル巾は１／４インチである。測定時に加える
加重は５　Ｆ／１／４インチ巾当りで一定とした。長い
サンプルが得られない場合は、真空理工社製熱機械分析
装ＲＴＭ−３０００を用い測定することもできる。温度
膨張率の最大値及び量小値の差をもとめる場合は、ＴＭ
−３０００を用いる。サンプルの寸法は長さ１５晴、巾
５麿であって、温度１０℃・湿度θ％ＲＨと温＃′４０
℃・相対湿度０％における寸法変化を読取ることによっ
て、温度膨張率の量大と最小との差を知ることができる
。両者の測定法によって得られた値は完全に一致するか
ら、いずれの測定法でもよい。

（２）　　湿度膨張率 温度膨張率を求める場合と同様に日本自動制御社製の定
荷重伸び試験機を用い、温度４０℃・相対湿度９０％の
条件で予め処理を施したサンプルを取付け、温度２０℃
・相対湿度３０％と２０部湿度７０％ＲＨの間における
寸法変化を読取ることによって湿度膨張率を求める。サ
ンプルが長くとれない場合は温度膨張測定時と同様に真
空理工社製の熱機械分析装置を恒温恒湿機に置き、前記
条件のもとで測定を行なった。この場合もいずれの方法
によって得られる値も完全に一致する。また例中の「部
」は「重量部」を意味する。

実施例１ 精留塔付き反応器にジエチル６．６’−（エチレンジオ
キシ）ジ−２−ナフトニート（融点１９３ｃ　）−４５
８部、エキレンゲリコール１３０部及びチタニウムテト
ラブトキシド０．１部を仕込み、２００〜２６０℃に加
熱し反応により生ずるエタノールを系外に留去せしめた
。はｙ理論量のエタノールが留出してから反応物を攪拌
機、窒素ガス導入口及び留出口を備えた反応器に移し、
２９０℃で窒素ガス気流中常圧で３０分反応させ、次い
で反応温度を３１０℃に昇温し、かつ系内を徐々に減圧
として１５分後に絶対圧約０．２ｍＪ（ｇとし、更に°
１０分間反応せしめた。得られたポリエステルは溶融下
透明であるが、急冷しても結晶化し、固有粘度は０．６
３　、ガラス転移点は１２９℃、＃１点は２９４℃であ
った。

次いで該ポリエステルを粉砕、乾燥したのち３２０℃に
て溶融し、０．５ｍ間隔のＴダイより押出し、約８０℃
の回転ドラム上に密着させて急冷し、未延伸フィルムを
得た。次いでこのフィルムを１４０℃で縦方向に３．４
倍、横方向に３．７倍延伸し、更に２６０℃で３０秒間
熱処理して厚み６５μの二軸配向フィルムを得た。この
様にして得られた二軸配向フィルムは最大温度膨張率１
９　Ｘ　１　ｏ−’／℃＋最大と最小の温度膨張率差２
．５　Ｘ　１０−’／℃、最大湿度膨張高６．０×１０
１／％ＲＨ，最大と最小の湿度膨張率差１．５Ｘ　１０
−’／％ＲＨであった。この二軸配向フィルムに下記組
成の磁性塗布液を５μの厚さに塗布し、カレンダーロー
ル処理を施し、外径２０ｃｒｎで内径３．８αに切抜い
て得た。得られた磁気記録フレキシブルディスクは温度
、湿度変化によるトラッキングミスが少なかった。

磁性塗布液組成 ？”　　Ｆｅ１ｏｎ　　　　　　　　　　　２００部塩
化ビニール−酢酸ビニル共重合樹脂 （ＵＣＣｆｉＶＡＧＨ）　　　　　　　　　３０部ポリ
ウレタン（日本ポリウレタン 工業製ｐｐ−ｓｓ）２０部 イソシアネート化合物（日本ポリウレ タン工業製コロネートＩ（Ｌ）　　　４０部カーボン（
平均サイズ０．５μｆ）　　２００部ジメチルシルキサ
ン　　　　　　　　２部トルエン　　　　　　　　　　
　　　７０部メチルエチルケトン　　　　　　　　７０
部シクロヘキサノン　　　　　　　　　７０部上記塗料
を充分に混合攪拌して塗布処理に供した。

実施例２ 出口を備えた反応器、にジエチル６．６’−（エチレン
ジオキシ）ジ−２−ナフトニート（融点１９３℃）４５
８部、１，４−シクロヘキサンジメタツール（トランス
／ミス（７／３　）混合物）２８８部及びチタニウムテ
トラブトキシド０．１部を仕込み、２００〜２６０℃に
加熱し反応により生ずるエタノールを系外に留去せしめ
た。

はｙ理論量のエタノールが留出してから反応温度を２９
０℃に上昇させ窒素ガス気流中常圧で３０分反応させ、
次いで反応温度を３００℃に昇温し、かつ系内な徐々に
減圧として１５分後に絶対圧的０．２ｗｍＨｇとし、更
に１０分間反応せしめた。得られたポリエステルは溶融
下透明であり、固有粘度は０．７５であった。またＤＳ
Ｃにおける融点は２８５℃であった。

次いで該ポリエステルを粉砕、乾燥した後、３００℃に
て溶融し、０．５　ｍ間隔のＴダイより押出し、約８０
℃の回転ドラム上に密着させて急冷し未延伸フィルムを
得た。次にこのフィルムを１４０℃で縦方向に３．０倍
、１４５℃で横方向に３．２倍延伸し、更に定長下２４
０℃で３０秒間熱処理することＫより厚さ７５μの二軸
配向フィルムを得た。この様にして得た二軸配向フィル
ムの最大温度膨張率は２２Ｘ１０−６／１．最大と最小
の温度膨張率は３．ＯＸ　１０−’／℃、最大湿度膨張
率は５．ＯＸ　１０−’／％ＲＨ。

最大と最小の湿度膨張率差は１．ＯＸ　１０−’／チＲ
Ｈであった。このフィルムを用いる以外は実施例１と同
様にしてフレキシブルディスクを得た。

このディスクは温度・湿度変化によるトラッキングミス
が少なかった。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、６，６′−（エチレンジオキシ）ジ−２−ナフトエ
   酸を主とする酸成分とエチレングリコール及び／又は１
   ，４−シクロヘキサンジメチロールを主とするジオール
   成分のエステル単位から実質的になる芳香族ポリエステ
   ルの二軸配向フィルムを基材とし、この上に磁性層を設
   けてなる磁気記録フレキシブルディスク。 ２、上記二軸配向フィルムは、該フィルムの面方向にお
   ける最大の温度膨張率が１０〜３５（×１０＾−＾４／
   ℃）、最大の湿度膨張率が０〜８．０（×１０＾−＾４
   ／ＲＨ）、最大と最小との温度膨張率の差が０〜６．０
   （×１０＾−＾４／℃）、及び最大と最小との湿度膨張
   率の差が０〜４．０（×１０＾−＾４／％ＲＨ）である
   ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気記録
   フレキシブルディスク。