JPS6044168A - 一方向凝固法 - Google Patents
一方向凝固法Info
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- JPS6044168A JPS6044168A JP58147922A JP14792283A JPS6044168A JP S6044168 A JPS6044168 A JP S6044168A JP 58147922 A JP58147922 A JP 58147922A JP 14792283 A JP14792283 A JP 14792283A JP S6044168 A JPS6044168 A JP S6044168A
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- JP
- Japan
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- mold
- seed
- molten metal
- seeds
- melting
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22D—CASTING OF METALS; CASTING OF OTHER SUBSTANCES BY THE SAME PROCESSES OR DEVICES
- B22D27/00—Treating the metal in the mould while it is molten or ductile ; Pressure or vacuum casting
- B22D27/04—Influencing the temperature of the metal, e.g. by heating or cooling the mould
- B22D27/045—Directionally solidified castings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
- C30B11/14—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method characterised by the seed, e.g. its crystallographic orientation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/52—Alloys
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、鋳造に係り、更に詳細には種よりエピタキシ
ャル成長させることにより金属鋳造物品を一方向凝固に
より製造する方法に(ffi6゜一方向凝固法は凝固界
面が溶融金属にて充填された鋳型内を徐々に移動せしめ
られる鋳造方法である。一方向凝固法によれば、米国特
許第3,260.505号に開示されている如き柱状晶
vf造物品及び米国特許第3,494,709号に開示
されている如き単結晶vJ造物品が有効に形成される。
ャル成長させることにより金属鋳造物品を一方向凝固に
より製造する方法に(ffi6゜一方向凝固法は凝固界
面が溶融金属にて充填された鋳型内を徐々に移動せしめ
られる鋳造方法である。一方向凝固法によれば、米国特
許第3,260.505号に開示されている如き柱状晶
vf造物品及び米国特許第3,494,709号に開示
されている如き単結晶vJ造物品が有効に形成される。
最も一般的な工業的方法に於ては、物品は所望の形状に
てセラミックR型を形成し、該鋳型を炉内に配置し、鋳
型内に導入された溶融金属を鋳型の底部より頂部まで徐
々に冷却によって凝固させることにより形成される。
てセラミックR型を形成し、該鋳型を炉内に配置し、鋳
型内に導入された溶融金属を鋳型の底部より頂部まで徐
々に冷却によって凝固させることにより形成される。
場合によっては物品が非常に特異な結晶組織を有するこ
とが望ましいことがある。例えば物品の×軸線、y軸線
、Z軸線に対し結晶軸がある特定の方位をなず単結晶鋳
造物品が必要どされることがある。また場合によっては
物品が該物品の種々の部分に於て仙の部分とは異る組織
をイ1覆ることが望ましいことがある。かかる結果を達
成すべく、金属種を使用し、溶融金属が鋳型内に導入さ
れる前に種を鋳型内に配置することが一般に行われてい
る。溶融金属が鋳型内に導入されると、種は溶融金属と
接触した部分に於て部分的に溶融される。
とが望ましいことがある。例えば物品の×軸線、y軸線
、Z軸線に対し結晶軸がある特定の方位をなず単結晶鋳
造物品が必要どされることがある。また場合によっては
物品が該物品の種々の部分に於て仙の部分とは異る組織
をイ1覆ることが望ましいことがある。かかる結果を達
成すべく、金属種を使用し、溶融金属が鋳型内に導入さ
れる前に種を鋳型内に配置することが一般に行われてい
る。溶融金属が鋳型内に導入されると、種は溶融金属と
接触した部分に於て部分的に溶融される。
しかる後鋳造物品を徐々に冷却させることにより溶融さ
れていない種の部分より溶融金属がエピタキシ1Fル成
長によって凝固Vしめられる。
れていない種の部分より溶融金属がエピタキシ1Fル成
長によって凝固Vしめられる。
エピタキシャル凝固の目的を達成づるためには、種は完
全に溶融されてはならず部分的に溶融されな()ればな
らないことは明らかである。しかしニッケル超合金物品
の商業的及び実験室的鋳造に於ては、鋳造が上述の明ら
かな限度範囲内にて行われても、その結果前られる鋳造
物品が種よりエピタキシャル成長した場合に得られる所
望の結晶組織を有するとは限らないことがある。従って
種を用いて行われる鋳造の生産性を改善する際に於番4
る上述の問題を解決する方法を丸見づべ〈従来より種々
の研究が行われている。
全に溶融されてはならず部分的に溶融されな()ればな
らないことは明らかである。しかしニッケル超合金物品
の商業的及び実験室的鋳造に於ては、鋳造が上述の明ら
かな限度範囲内にて行われても、その結果前られる鋳造
物品が種よりエピタキシャル成長した場合に得られる所
望の結晶組織を有するとは限らないことがある。従って
種を用いて行われる鋳造の生産性を改善する際に於番4
る上述の問題を解決する方法を丸見づべ〈従来より種々
の研究が行われている。
本発明の目的は、種を用いて行われる制御された結晶組
織を有する物品の鋳造の生産性を向上させるべく改良さ
れた一方向凝固法を提供することである。
織を有する物品の鋳造の生産性を向上させるべく改良さ
れた一方向凝固法を提供することである。
本発明によれば一方向凝固鋳型内に収容された種はエピ
タキシャル凝固が開始される前にその元の長さの少くと
も25%であり且75%以下の量にて再溶融されなけれ
ばならない。種の再溶融の程度は凝固界面が移動1しめ
られる軸線に沿って測定した場合に於ける種の元の長さ
の33〜67%であることが好ましい。
タキシャル凝固が開始される前にその元の長さの少くと
も25%であり且75%以下の量にて再溶融されなけれ
ばならない。種の再溶融の程度は凝固界面が移動1しめ
られる軸線に沿って測定した場合に於ける種の元の長さ
の33〜67%であることが好ましい。
種の再溶融の制御は鋳型の瀧廉及び該鋳型内に導入され
る溶融金属の湿度を制御1−ることによって達成される
。ニッケル超合金に関し本発明を実施覆る場合に番よ、
秤の横方向1法は約1.3CI11であり、長さは約1
〜5C01である。異質の結晶核が生成することを回避
づべく、本発明の好ましい実施例に於ては種は鋳型内に
畜に嵌合した状態にて配置される。本発明を採用する4
ことにより、鋳造の生産性が実質的に増大することが解
っている。
る溶融金属の湿度を制御1−ることによって達成される
。ニッケル超合金に関し本発明を実施覆る場合に番よ、
秤の横方向1法は約1.3CI11であり、長さは約1
〜5C01である。異質の結晶核が生成することを回避
づべく、本発明の好ましい実施例に於ては種は鋳型内に
畜に嵌合した状態にて配置される。本発明を採用する4
ことにより、鋳造の生産性が実質的に増大することが解
っている。
以下に添付の図を参照しつつ、本発明を実施例について
詳細に説明する。
詳細に説明する。
本川@ itに放ては、本発明をセラミック鋳型にて面
心立法ニッケル超合金を鋳造することに関し説明するが
、本発明は一方向凝固法の種々のバリエーションにて他
の金属を鋳造することに対しても適用可能なものであ′
λ。また本明細書に於ては、本発明を米国特許第4,2
09,348@に記載されている如きニッケル合金を用
いて単結晶の種より単結晶物品を#fi造づることに関
し説明Jるが、本発明は一方向凝固によって種よりエピ
タキシャル凝固させることにより製造される如き柱状晶
組織や他の微細組織の&/i造物品の製造に対しても適
用可能なものである。
心立法ニッケル超合金を鋳造することに関し説明するが
、本発明は一方向凝固法の種々のバリエーションにて他
の金属を鋳造することに対しても適用可能なものであ′
λ。また本明細書に於ては、本発明を米国特許第4,2
09,348@に記載されている如きニッケル合金を用
いて単結晶の種より単結晶物品を#fi造づることに関
し説明Jるが、本発明は一方向凝固によって種よりエピ
タキシャル凝固させることにより製造される如き柱状晶
組織や他の微細組織の&/i造物品の製造に対しても適
用可能なものである。
一方向凝固の一般的な手法は、種々の技術文献や前述の
米国特許第4.209.348号、同第4、.190,
094号、同第3.763.926号の如き種々の米国
特許の明i書に記載されている。
米国特許第4.209.348号、同第4、.190,
094号、同第3.763.926号の如き種々の米国
特許の明i書に記載されている。
第1図は溶融金属22にて充填されたけラミック鋳型2
0を示している。鋳型20は図には示されていないが一
方向凝固炉内に配置されている。
0を示している。鋳型20は図には示されていないが一
方向凝固炉内に配置されている。
一方向凝固炉は鋳型を加熱し、しかる後チルブレート2
4に当接する鋳型の底部25よりその頂部26まで鋳型
の長手方向l軸線に沿って温度勾配を移動させ得るよろ
構成されている。鋳型20は・三つの独立した部分、即
ちチルプレート271に最も近接した端部に位置し秤2
7を収容するスタータセクション28と、該スタータセ
クションの直上のヒレフタセクション30(絞りヒクシ
ョンとも呼ばれる)と、該耳しクタセクションの上方に
位置する物品鋳造キャビディ32とよりなっている。添
イ」の図面に於ては簡略化の目的で、通常鋳型20の頂
部26に取イリ()られるゲート及び押湯は省略されて
いる。スタータセクション27内には部分的に溶融され
無孔の上面36を荷重る伸27が収容されている。第1
図に於て破線34は種2.7がそれが溶融される以前に
右していたl軸線方向の長さく約2cm)を示している
。鋳型20のスタータセクション28の黴線34近傍の
部分は溶融金属22の融点以上の温度にあり、該湿度は
溶融金属の融点と溶融金属導入時に於ける溶融金属の過
熟温度との合計であり、このことにJ、り秤27が部分
的に再溶融される。
4に当接する鋳型の底部25よりその頂部26まで鋳型
の長手方向l軸線に沿って温度勾配を移動させ得るよろ
構成されている。鋳型20は・三つの独立した部分、即
ちチルプレート271に最も近接した端部に位置し秤2
7を収容するスタータセクション28と、該スタータセ
クションの直上のヒレフタセクション30(絞りヒクシ
ョンとも呼ばれる)と、該耳しクタセクションの上方に
位置する物品鋳造キャビディ32とよりなっている。添
イ」の図面に於ては簡略化の目的で、通常鋳型20の頂
部26に取イリ()られるゲート及び押湯は省略されて
いる。スタータセクション27内には部分的に溶融され
無孔の上面36を荷重る伸27が収容されている。第1
図に於て破線34は種2.7がそれが溶融される以前に
右していたl軸線方向の長さく約2cm)を示している
。鋳型20のスタータセクション28の黴線34近傍の
部分は溶融金属22の融点以上の温度にあり、該湿度は
溶融金属の融点と溶融金属導入時に於ける溶融金属の過
熟温度との合計であり、このことにJ、り秤27が部分
的に再溶融される。
種27が再溶融される程度は多数のパラメータの関数で
ある。一方向凝固炉及び鋳型の温度は溶融金属22が鋳
型内に導入される以前に於て°b種種子7上面が溶融す
るような温度であって良い。
ある。一方向凝固炉及び鋳型の温度は溶融金属22が鋳
型内に導入される以前に於て°b種種子7上面が溶融す
るような温度であって良い。
チルプレート24と接触している種27の端部38が冷
加され、種27を通る熱伝導により種のチルプレート2
4より離れた部分が溶融しないj−う該部分が十分低い
湿度に維持される。しかし鋳型を適正に断熱し、加熱温
度及び加熱時間を−;−分に確保し、溶融金属を過熱す
ることにより、第1図に示された程度よりもはるかに人
きく種を溶融させることも可能である。このことに関し
以下により一層詳細に説明する。
加され、種27を通る熱伝導により種のチルプレート2
4より離れた部分が溶融しないj−う該部分が十分低い
湿度に維持される。しかし鋳型を適正に断熱し、加熱温
度及び加熱時間を−;−分に確保し、溶融金属を過熱す
ることにより、第1図に示された程度よりもはるかに人
きく種を溶融させることも可能である。このことに関し
以下により一層詳細に説明する。
第2図は種27が部分的に再溶融され鋳型22内に導入
された溶融金属22と平衡状態にある場合に於ける種2
7の状態を詳細に示している。本明l@書に於て、再溶
融の程度Pは種27の元の表面34に対し液相40が移
動する距離の測定値であり、種が加熱される前に於ける
その全長しの一部である(一般に鋳造物品に於ける凝固
界面の位置は固相界面と液相界面との間の中間点として
定義される。液相界面が再溶融の程度の測定値と看做さ
れる理由はこれ以降のぴ2明より明らかとなるであろう
)。液相界面40は固相界面36よりもチルプレート2
4より遠い位置に存在する。何故ならば、溶融金属22
の温度はチルプレート24より遠い程^いからである。
された溶融金属22と平衡状態にある場合に於ける種2
7の状態を詳細に示している。本明l@書に於て、再溶
融の程度Pは種27の元の表面34に対し液相40が移
動する距離の測定値であり、種が加熱される前に於ける
その全長しの一部である(一般に鋳造物品に於ける凝固
界面の位置は固相界面と液相界面との間の中間点として
定義される。液相界面が再溶融の程度の測定値と看做さ
れる理由はこれ以降のぴ2明より明らかとなるであろう
)。液相界面40は固相界面36よりもチルプレート2
4より遠い位置に存在する。何故ならば、溶融金属22
の温度はチルプレート24より遠い程^いからである。
液相界面と固相界面とにより郭定される凝固領域には、
液体マトリックス44により囲繞された多数のデンドラ
イト42が存在する。本願の発明者により1981年1
2月14日付にて出願されIC米国特許出願第330.
911号の第13図を参照されたい。温度勾配が垂直上
方へ鋳型内の溶融金属を経て移!811!シめられると
、溶融金属はデンドライトの成長及びマトリックス材料
の凝固によって凝固づる。液イロ界面と固相界面との間
に於ける凝固領域は、そ1′シが固体と液体とよりなっ
ているので柔か(A領域(1ushy zone )と
呼ばれることが多い。この領域は機械的安定性に乏しく
外力に対する抵抗の小さい領域である。
液体マトリックス44により囲繞された多数のデンドラ
イト42が存在する。本願の発明者により1981年1
2月14日付にて出願されIC米国特許出願第330.
911号の第13図を参照されたい。温度勾配が垂直上
方へ鋳型内の溶融金属を経て移!811!シめられると
、溶融金属はデンドライトの成長及びマトリックス材料
の凝固によって凝固づる。液イロ界面と固相界面との間
に於ける凝固領域は、そ1′シが固体と液体とよりなっ
ているので柔か(A領域(1ushy zone )と
呼ばれることが多い。この領域は機械的安定性に乏しく
外力に対する抵抗の小さい領域である。
第3図は単結晶鋳造物品が形成れた後にスタータセクシ
ョン28及びセレクタセクション30より取ゝり出され
た鋳造物品の一部を示す縦断面図である。鋳造物品はそ
の結晶組織を明瞭に1べく腐食されている。第4図は第
3図に示された鋳造物品の断面の一部を示す解図である
。第3図及び第4図に示された符居は相互に同一である
。
ョン28及びセレクタセクション30より取ゝり出され
た鋳造物品の一部を示す縦断面図である。鋳造物品はそ
の結晶組織を明瞭に1べく腐食されている。第4図は第
3図に示された鋳造物品の断面の一部を示す解図である
。第3図及び第4図に示された符居は相互に同一である
。
第5図及び第6図は第4と同様の断面図であり、これら
の図に於ては第4図に示された部分と同一の部分はサフ
ィックスaまたはbを付され1:同一の符号により示さ
れている。矢印にて示さtt7こ領域Pは鋳造プロセス
中に生じた再溶融の距離を示している。破線48は鋳造
前に於(プる種の長さく上端)を示しており、線50は
溶融さttなhXつた元の種の部分52と種よりエピタ
キシャル成長した鋳造物品の部分5/lとの間の境界を
示している。
の図に於ては第4図に示された部分と同一の部分はサフ
ィックスaまたはbを付され1:同一の符号により示さ
れている。矢印にて示さtt7こ領域Pは鋳造プロセス
中に生じた再溶融の距離を示している。破線48は鋳造
前に於(プる種の長さく上端)を示しており、線50は
溶融さttなhXつた元の種の部分52と種よりエピタ
キシャル成長した鋳造物品の部分5/lとの間の境界を
示している。
第5図は種が十分には再溶融されない状態にて形成され
た鋳造物品を示す縦断面図である。種の一部は溶融され
たが、その場合の溶融はエピタキシャル成長が発生する
には不十分なものであった。
た鋳造物品を示す縦断面図である。種の一部は溶融され
たが、その場合の溶融はエピタキシャル成長が発生する
には不十分なものであった。
従って種の上方にて凝固11分54aは一以上の結晶よ
りなっており、このことは種46aの単結晶J、リエビ
タキシャル成長したものではな訃ことを愚昧している。
りなっており、このことは種46aの単結晶J、リエビ
タキシャル成長したものではな訃ことを愚昧している。
この第5図より解る如く、鋳造物品54aは実際には種
46aとは機械的に不連続な状態にある。種の上面には
溶融金属が導入される前に形成された酸化物表面膜が存
在り−ることが多い。このことに関し米国特許第4,2
89゜570号を参照されたい。従って種が溶融された
としても、その場合の条件は酸化物の膜を破壊づるには
不十分であり、エピタキシャル成長をさせる可能性は遥
かに小さい。種を十分に再溶融させることによりエピタ
キシャル成長をさせる可能性が増大する。更に種の再溶
融が不十分である場合には、スタータセクション内の温
度が低くなりづぎることか多い。かかる場合には異質の
核の発生、即ちセラミック鋳型の壁面の如く種数外の核
発生源より核が発生する可能性が高い。異V【の核より
成長した結晶は廿しクタセクションヘ向りてJ、たレレ
クタヒクションを経て伝拙し、これにJ、り秤に対しエ
ピタキシ1フル成長した組織ではない物品が形成されて
しまう。M造に於()る上述の如ぎ問題の発生を回避す
るためには、種はその元の長さの少くども25%、好ま
しくは33%再溶融される必要がある。
46aとは機械的に不連続な状態にある。種の上面には
溶融金属が導入される前に形成された酸化物表面膜が存
在り−ることが多い。このことに関し米国特許第4,2
89゜570号を参照されたい。従って種が溶融された
としても、その場合の条件は酸化物の膜を破壊づるには
不十分であり、エピタキシャル成長をさせる可能性は遥
かに小さい。種を十分に再溶融させることによりエピタ
キシャル成長をさせる可能性が増大する。更に種の再溶
融が不十分である場合には、スタータセクション内の温
度が低くなりづぎることか多い。かかる場合には異質の
核の発生、即ちセラミック鋳型の壁面の如く種数外の核
発生源より核が発生する可能性が高い。異V【の核より
成長した結晶は廿しクタセクションヘ向りてJ、たレレ
クタヒクションを経て伝拙し、これにJ、り秤に対しエ
ピタキシ1フル成長した組織ではない物品が形成されて
しまう。M造に於()る上述の如ぎ問題の発生を回避す
るためには、種はその元の長さの少くども25%、好ま
しくは33%再溶融される必要がある。
第6図は種が過剰に再溶融された場合に於【ノる鋳造物
品の一部を示寸断面図である。この第6図より、新たに
凝固した部分54bは1以上の結晶にすなっていること
がわかる。種の残存づる元の部分46bはZ軸線に沿っ
て測定した場合その長さが比較的短いことが解る。再溶
融mが元の種の長さの67〜75%以上である場合には
良好な鋳。
品の一部を示寸断面図である。この第6図より、新たに
凝固した部分54bは1以上の結晶にすなっていること
がわかる。種の残存づる元の部分46bはZ軸線に沿っ
て測定した場合その長さが比較的短いことが解る。再溶
融mが元の種の長さの67〜75%以上である場合には
良好な鋳。
造物品を製造することができない。このことは、ニッケ
ル超合金の柔かい領域が比較的広くなるので第2図に関
する上述の説明より明らかである。
ル超合金の柔かい領域が比較的広くなるので第2図に関
する上述の説明より明らかである。
一つの典型的なニッケル超合金は約1400℃の融点(
液相線)を有している。従って第2図に於て線42より
示された位置の温度は上述の温度にある。ニッケル超合
金に於ける液相と同相との間の温度差は80〜170℃
の範囲である。従ってJi!;+3Gにて示された領域
は線/10にて示された領域よりも80〜170℃低い
。一般にチルプレート24は室温よりも僅かに低い温度
に維持される。
液相線)を有している。従って第2図に於て線42より
示された位置の温度は上述の温度にある。ニッケル超合
金に於ける液相と同相との間の温度差は80〜170℃
の範囲である。従ってJi!;+3Gにて示された領域
は線/10にて示された領域よりも80〜170℃低い
。一般にチルプレート24は室温よりも僅かに低い温度
に維持される。
しかし種27とチルプレート24の表面との間の界面5
6は一般に一部の伝達を阻害J−る。従って種27の大
部分は比較的高い温度になり、温度勾配はその最初の状
態程急峻なしのではなくなる。従って柔かい領域の厚さ
はZ軸線に沿って測定して約1〜2cmである。
6は一般に一部の伝達を阻害J−る。従って種27の大
部分は比較的高い温度になり、温度勾配はその最初の状
態程急峻なしのではなくなる。従って柔かい領域の厚さ
はZ軸線に沿って測定して約1〜2cmである。
更に第6図より、種の再溶融の程度が過剰である場合に
なぜ異常な鋳造物品が形成されるかが解る。柔かい領域
は種の溶融されていない部分461)の実質的に全ての
部分を含んでいる。前述の如(、柔かい領域は機械的に
不安定であるので、種の溶融されていない部分に於【)
るデンドライトは変動しやすい。かかるプントライ1−
の変動により結晶構造が局部的に変化され、その結果性
の上りに於ける結晶成長が不均一になる。種の再溶融が
過剰である場合にエピタキシャル成長が異常になる他の
一つの要因は、液相界面(再溶融立面)が添fりの図面
に示されている如き平坦な平面ではないということであ
る。実際には液相界面は湾曲した形状を有していること
が多く、秤の横方向平面を横切る種々の点に変動が存在
する。
なぜ異常な鋳造物品が形成されるかが解る。柔かい領域
は種の溶融されていない部分461)の実質的に全ての
部分を含んでいる。前述の如(、柔かい領域は機械的に
不安定であるので、種の溶融されていない部分に於【)
るデンドライトは変動しやすい。かかるプントライ1−
の変動により結晶構造が局部的に変化され、その結果性
の上りに於ける結晶成長が不均一になる。種の再溶融が
過剰である場合にエピタキシャル成長が異常になる他の
一つの要因は、液相界面(再溶融立面)が添fりの図面
に示されている如き平坦な平面ではないということであ
る。実際には液相界面は湾曲した形状を有していること
が多く、秤の横方向平面を横切る種々の点に変動が存在
する。
種の再溶融の適正間をめる多数の実験が行われた。その
実験の結果が上述の方法を用い又鋳造中に形成された物
品の結晶組織を測定することにより評価された。第7図
は上述の実験の結果を要約して承りグラフである。この
第7図より、((I!の再溶a量が0%又は100%で
ある場合には成功(ここに成功とは種の結晶組織を右づ
る鋳造物品を形成し得ることを意味する)の可能性は殆
どないことが解る。種の再溶融出が33〜67%である
場合には、良好な鋳造物品を得る可能性が高く、通常の
商業的目的に対してはこの範囲で十分である。結果に影
響する他の要因(例えば温度勾配の不完全さ、物品鋳造
キャビティ内に於t)る異質の核生成、物品鋳造キャビ
ディ内にIAりる結晶成長の変化、デンドライトのアー
ムの破損など)が存在するので、良好な鋳造物品を製造
する可能性は1.0にはならない。また第7図は種の再
溶酌量が25〜75%である場合に成功の可能性がかな
り高くなる(約0.25以上)ことを示している。
実験の結果が上述の方法を用い又鋳造中に形成された物
品の結晶組織を測定することにより評価された。第7図
は上述の実験の結果を要約して承りグラフである。この
第7図より、((I!の再溶a量が0%又は100%で
ある場合には成功(ここに成功とは種の結晶組織を右づ
る鋳造物品を形成し得ることを意味する)の可能性は殆
どないことが解る。種の再溶融出が33〜67%である
場合には、良好な鋳造物品を得る可能性が高く、通常の
商業的目的に対してはこの範囲で十分である。結果に影
響する他の要因(例えば温度勾配の不完全さ、物品鋳造
キャビティ内に於t)る異質の核生成、物品鋳造キャビ
ディ内にIAりる結晶成長の変化、デンドライトのアー
ムの破損など)が存在するので、良好な鋳造物品を製造
する可能性は1.0にはならない。また第7図は種の再
溶酌量が25〜75%である場合に成功の可能性がかな
り高くなる(約0.25以上)ことを示している。
勿論上述のII)IIIに従って再溶融される実際の物
理的長さは種の全長に応じ′C変化する。本願発明者の
発見は約1〜5cm、典型的には約3〜4.cmの範囲
の長さを有する種を基準とするものである。
理的長さは種の全長に応じ′C変化する。本願発明者の
発見は約1〜5cm、典型的には約3〜4.cmの範囲
の長さを有する種を基準とするものである。
実際には、種の長さが小さくなればなるほど物理高公差
が小さくなることによって臨界点間の幅が小さくなるの
で、工業的環境に於て種を適正に再溶融することが幾分
か困難になる。また種の長さを大きくづ−ることも種の
コストが増大し鋳型の全長が大きくなるので回避されな
ければならないが、場合にJ:つでは比較的長い種、が
使用されてもよい。
が小さくなることによって臨界点間の幅が小さくなるの
で、工業的環境に於て種を適正に再溶融することが幾分
か困難になる。また種の長さを大きくづ−ることも種の
コストが増大し鋳型の全長が大きくなるので回避されな
ければならないが、場合にJ:つでは比較的長い種、が
使用されてもよい。
従って本発明をより一般的に表現するならば、種は種の
表面に存在する酸化物の表面膜を物理的に破壊するに十
分であり且物品鋳造キャピテイより最も離れた種の部分
が固相線温度以上の温度に昇温づるに不十分な程度にて
再溶融されなり4′1ばならない。種が上述の再溶融限
界範囲内に維持されたか否かは第2図に示されている如
く金属学的に観察することによって確かめられてよい。
表面に存在する酸化物の表面膜を物理的に破壊するに十
分であり且物品鋳造キャピテイより最も離れた種の部分
が固相線温度以上の温度に昇温づるに不十分な程度にて
再溶融されなり4′1ばならない。種が上述の再溶融限
界範囲内に維持されたか否かは第2図に示されている如
く金属学的に観察することによって確かめられてよい。
酸化物の表面膜が破壊されていない場合には、該表面膜
が明瞭に観察される(因みに、表面膜が破壊されていな
くてもエピタキシャル成長が発生していることが観察さ
れることがあるが、表面膜が破壊されていない場合には
種の再溶融が殆ど発生ぜり゛、従って成功の可能性は低
くなる)。同様に当業者はチルプレートより最も離れた
秤の部分が固相線温度以上に4濡したか否かを判断する
ことができる。制御されたプロヒスに於ては、異常が観
察された場合には鋳造プロセスを所望の種再溶融限界内
にもたらすべく、鋳型若しくは溶融金属の過熱または鋳
型の断熱特性が変化されてよい。
が明瞭に観察される(因みに、表面膜が破壊されていな
くてもエピタキシャル成長が発生していることが観察さ
れることがあるが、表面膜が破壊されていない場合には
種の再溶融が殆ど発生ぜり゛、従って成功の可能性は低
くなる)。同様に当業者はチルプレートより最も離れた
秤の部分が固相線温度以上に4濡したか否かを判断する
ことができる。制御されたプロヒスに於ては、異常が観
察された場合には鋳造プロセスを所望の種再溶融限界内
にもたらすべく、鋳型若しくは溶融金属の過熱または鋳
型の断熱特性が変化されてよい。
本発明は発見を基礎とするものであり、精密鋳造用のセ
ラミック鋳型にてニッケル基合金の鋳造を行うことに特
に適したものである。一般にかかる鋳型の厚さは約8m
mであり、ユーザの選択に従い、主にジルコニウム、ア
ルミナ、又はシリカにて形成されている。このことに関
し米国特許第2゜912.729号及び同第2.961
.751号を参照されたい。セラミック鋳型の熱膨張係
数は4〜11X10 /’Cであり、ニッケル合金の熱
膨張係数は10〜17X10 /’Cである。従って種
がセラミック鋳型にきつく嵌合しないようにするこ。と
が重要である。さもなくば秤を加熱した際に稲が膨張し
て鋳型を破壊してしまう。他方、第8図に示された鋳造
物品の場合の如く異質の核が発生ずることがないよう、
種が鋳型内に余りにも緩く嵌合することがないようにす
ることも重要である。第8図に於ける金属58は種とv
iF!l!の壁面との間に流入しデルプレートに近いよ
り低)漏の・領域に侵入した際に凝固した金属である。
ラミック鋳型にてニッケル基合金の鋳造を行うことに特
に適したものである。一般にかかる鋳型の厚さは約8m
mであり、ユーザの選択に従い、主にジルコニウム、ア
ルミナ、又はシリカにて形成されている。このことに関
し米国特許第2゜912.729号及び同第2.961
.751号を参照されたい。セラミック鋳型の熱膨張係
数は4〜11X10 /’Cであり、ニッケル合金の熱
膨張係数は10〜17X10 /’Cである。従って種
がセラミック鋳型にきつく嵌合しないようにするこ。と
が重要である。さもなくば秤を加熱した際に稲が膨張し
て鋳型を破壊してしまう。他方、第8図に示された鋳造
物品の場合の如く異質の核が発生ずることがないよう、
種が鋳型内に余りにも緩く嵌合することがないようにす
ることも重要である。第8図に於ける金属58は種とv
iF!l!の壁面との間に流入しデルプレートに近いよ
り低)漏の・領域に侵入した際に凝固した金属である。
この凝固した金属58の結晶方位はランダムであり、一
方向凝固の開始と共に所望の結晶成長より逸れた異常な
結晶成長をしたものである。本願発明者等は、横方向寸
法が約1On+であるニッケル合金の種については、ジ
ルコンをベースとづるセラミック鋳型の場合には、上)
ホの如き問題の発生を回避1−るためには、種の加熱前
に於ける種と物品鋳造キャビディとの間のクリアランス
が0.25mm以下、好ましくは約Q 、 Q 8n1
m”’C−なりればならないことを見出した。しかし上
述のクリアランスは鋳ハ1!の割れを回避するためには
約0.’06mm以上でなければならない。種が本発明
に従って再溶融される場合には、上述の1■合公差が導
守されなければならない。以上に於ては、本発明をチル
プレート上に載置された種に関し説明したが、本発明は
種が熱シンクべの放熱の如き他の手段により冷11Il
される他の鋳造装置や方法に対しても適用可能なもので
ある。
方向凝固の開始と共に所望の結晶成長より逸れた異常な
結晶成長をしたものである。本願発明者等は、横方向寸
法が約1On+であるニッケル合金の種については、ジ
ルコンをベースとづるセラミック鋳型の場合には、上)
ホの如き問題の発生を回避1−るためには、種の加熱前
に於ける種と物品鋳造キャビディとの間のクリアランス
が0.25mm以下、好ましくは約Q 、 Q 8n1
m”’C−なりればならないことを見出した。しかし上
述のクリアランスは鋳ハ1!の割れを回避するためには
約0.’06mm以上でなければならない。種が本発明
に従って再溶融される場合には、上述の1■合公差が導
守されなければならない。以上に於ては、本発明をチル
プレート上に載置された種に関し説明したが、本発明は
種が熱シンクべの放熱の如き他の手段により冷11Il
される他の鋳造装置や方法に対しても適用可能なもので
ある。
以上に於ては、本発明を特定の実施例について詳細に説
明したが、本発明はかかる実施例に限定されるものでは
なく、本発明の範囲内にて種々の実施例が可能であるこ
とは当業者にとって明らかであろう。
明したが、本発明はかかる実施例に限定されるものでは
なく、本発明の範囲内にて種々の実施例が可能であるこ
とは当業者にとって明らかであろう。
第1図は溶融金属をエピタキシャル凝固さぼるべく種が
鋳型の底部に配置された状態にてチルプレート上に装着
されたセラミック鋳型内に導入された溶融金病を示す縦
断面図である。 第2図は第1図に示された鋳型のスタータはクション及
び種を承り部分縦断面図である。 第3図は結晶組織を明確にづべく腐食されたニッケル合
金の鋳造物品であって、種の部分と核種の部分よりエピ
タキシャル凝固した金属を含む鋳造物品を示す断面図で
ある。 第4図は第3図に示された鋳造物品と同様の鋳造物品の
縦断面を示す断面図であり、種の再溶融距@Pの意味を
示している。 第5図は種の再Wj融量が不」−分である場合トニ於(
プる鋳造物品の断面を示す第4図と同様の縦断面図であ
る。 第6図は再溶融間が過剰である場合に於ける鋳造物品の
断面を示ず第4図と同様の縦断面図である。 第7図は種結晶の再溶融間の変化と共に成功の可能性が
如何に変化づるかを示すグラフである。 第8図は種結晶が鋳型内に余りにも緩く嵌合している場
合に於ける鋳造物品のh面を示す第4図と同様の1fa
i面図である。 20・・・I型、22・・・溶融金属、24・・・デル
プレート、25・・・底部、26・・・Iq部、27・
・・種、28・・・スタータセクション、30・・・セ
レクタヒクション、32・・・物品鋳造キャビディ、3
6・・・土面、38・・・端部、40・・・液相、42
・・・デンドライト、44・・・液体71−リックス、
4G・・・種、5G・・・界面。 58・・・金属 特許出願人 ユナイデッド・テクノ(コジーズ・コーポ
レイション 代 理 人 弁 理 士・ 明 石 昌 毅図面の浄書
(内容に変更なし) nG、J (方 式)(自 発) 手、続補正自 1、事件の表示 昭和58年特W[願第147922号
2、発明の名称 一方向凝固法 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 アメリカ合衆国コネチカット州、ハートフl−
ド、フィナンシャル・プラグ 1 名 称 ユナイテッド・チクノロシーズ・コーポレイシ
ョン4、代理人
鋳型の底部に配置された状態にてチルプレート上に装着
されたセラミック鋳型内に導入された溶融金病を示す縦
断面図である。 第2図は第1図に示された鋳型のスタータはクション及
び種を承り部分縦断面図である。 第3図は結晶組織を明確にづべく腐食されたニッケル合
金の鋳造物品であって、種の部分と核種の部分よりエピ
タキシャル凝固した金属を含む鋳造物品を示す断面図で
ある。 第4図は第3図に示された鋳造物品と同様の鋳造物品の
縦断面を示す断面図であり、種の再溶融距@Pの意味を
示している。 第5図は種の再Wj融量が不」−分である場合トニ於(
プる鋳造物品の断面を示す第4図と同様の縦断面図であ
る。 第6図は再溶融間が過剰である場合に於ける鋳造物品の
断面を示ず第4図と同様の縦断面図である。 第7図は種結晶の再溶融間の変化と共に成功の可能性が
如何に変化づるかを示すグラフである。 第8図は種結晶が鋳型内に余りにも緩く嵌合している場
合に於ける鋳造物品のh面を示す第4図と同様の1fa
i面図である。 20・・・I型、22・・・溶融金属、24・・・デル
プレート、25・・・底部、26・・・Iq部、27・
・・種、28・・・スタータセクション、30・・・セ
レクタヒクション、32・・・物品鋳造キャビディ、3
6・・・土面、38・・・端部、40・・・液相、42
・・・デンドライト、44・・・液体71−リックス、
4G・・・種、5G・・・界面。 58・・・金属 特許出願人 ユナイデッド・テクノ(コジーズ・コーポ
レイション 代 理 人 弁 理 士・ 明 石 昌 毅図面の浄書
(内容に変更なし) nG、J (方 式)(自 発) 手、続補正自 1、事件の表示 昭和58年特W[願第147922号
2、発明の名称 一方向凝固法 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 アメリカ合衆国コネチカット州、ハートフl−
ド、フィナンシャル・プラグ 1 名 称 ユナイテッド・チクノロシーズ・コーポレイシ
ョン4、代理人
Claims (1)
- 溶融金属を一方向凝固させることにより種に対しエピタ
キシャルである組織を有する物品を製造する方法にして
、鋳型を形成する過程と、該鋳型内に種を配置する過程
と、前記鋳型を加熱する過程と、前記様の表面を前記鋳
型内に導入された溶融金属と接触させることにより前記
様の一部を溶融させる過程と、前記溶融金属をエピタキ
シャル凝固させる過程とを含み、前記様の一部を溶融さ
せる過程に於ては元の種の長さの少くとも2596が溶
融され、前記様の溶融された部分の良さLl、溶融前に
於ける溶融金属と接触した表面より溶融後に於ける液相
界面の位置までの測定値であり、前記溶融はエピタキシ
ャル凝固すべき溶融金属と接触した前記様の表面上の表
面膜を物理的に破壊するに十分であり且エピタキシャル
凝固゛リベき金属と接触した領域より最も離れた前記様
の部分を金属の同相線温度以Pに昇温させるに不十分な
程麻の溶融であることを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/343,083 US4412577A (en) | 1982-01-27 | 1982-01-27 | Control of seed melt-back during directional solidification of metals |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6044168A true JPS6044168A (ja) | 1985-03-09 |
JPH0379103B2 JPH0379103B2 (ja) | 1991-12-17 |
Family
ID=23344628
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58147922A Granted JPS6044168A (ja) | 1982-01-27 | 1983-08-12 | 一方向凝固法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4412577A (ja) |
JP (1) | JPS6044168A (ja) |
AU (1) | AU559152B2 (ja) |
CA (1) | CA1211341A (ja) |
DE (1) | DE3329306A1 (ja) |
FR (1) | FR2550556B1 (ja) |
GB (1) | GB2144357B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011148002A (ja) * | 1998-11-20 | 2011-08-04 | Rolls-Royce Corp | 鋳造部品を製造する方法及び装置 |
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- 1983-08-09 AU AU17822/83A patent/AU559152B2/en not_active Ceased
- 1983-08-09 FR FR838313072A patent/FR2550556B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1983-08-12 JP JP58147922A patent/JPS6044168A/ja active Granted
- 1983-08-12 DE DE19833329306 patent/DE3329306A1/de active Granted
- 1983-08-24 CA CA000435284A patent/CA1211341A/en not_active Expired
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CA1211341A (en) | 1986-09-16 |
JPH0379103B2 (ja) | 1991-12-17 |
GB2144357B (en) | 1987-05-28 |
GB2144357A (en) | 1985-03-06 |
FR2550556A1 (fr) | 1985-02-15 |
DE3329306A1 (de) | 1985-02-28 |
US4412577A (en) | 1983-11-01 |
GB8321209D0 (en) | 1983-09-07 |
FR2550556B1 (fr) | 1990-08-17 |
AU1782283A (en) | 1985-02-14 |
AU559152B2 (en) | 1987-02-26 |
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