JPS60242518A - 磁気デイスク媒体 - Google Patents
磁気デイスク媒体Info
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- JPS60242518A JPS60242518A JP9634084A JP9634084A JPS60242518A JP S60242518 A JPS60242518 A JP S60242518A JP 9634084 A JP9634084 A JP 9634084A JP 9634084 A JP9634084 A JP 9634084A JP S60242518 A JPS60242518 A JP S60242518A
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- film
- films
- magnetic disk
- magnetic
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は、潤滑層の固定化及び均一化を図り潤滑安定性
を高めた磁気ディスク媒体に関する。
を高めた磁気ディスク媒体に関する。
一般にヘッドと磁気ディスク媒体間の衝突や摩擦による
損傷から磁気ディスク媒体を保護するために磁性膜表面
に潤滑層が形成されている。該潤滑層は先づ磁気ディス
ク媒体表面に無機シリコン化合物膜等が設けられ、その
上に形成されているものが多い。ところが従来のものは
潤滑層と磁気ディスク媒体表面ないしは無機シリコン化
合物膜とが化学的に結合し、固定しているわけではなく
、従って磁気ディスクの長期使用により潤滑剤の揮散、
偏り等の問題が生している。
損傷から磁気ディスク媒体を保護するために磁性膜表面
に潤滑層が形成されている。該潤滑層は先づ磁気ディス
ク媒体表面に無機シリコン化合物膜等が設けられ、その
上に形成されているものが多い。ところが従来のものは
潤滑層と磁気ディスク媒体表面ないしは無機シリコン化
合物膜とが化学的に結合し、固定しているわけではなく
、従って磁気ディスクの長期使用により潤滑剤の揮散、
偏り等の問題が生している。
例えば、従来の潤滑層は、磁気ディスク媒体表面にスパ
ッタリング法で５Ｉ０２を形成し、その後クライトック
ス１４３ＡＤ（ディポン社商標）を塗布する方法（特開
、昭５７−１６７１３１号）や、無機高分子化合物中に
シランカップリング剤やメタクリラドクロミッククロリ
ドを用いて、その上に配向性潤滑剤を塗布する方法（特
開、昭５５−２５８２２号）、磁性薄膜表面にシランカ
ップリング剤、チタンカップリング剤を塗布し、これら
のカップリング剤となじみのよいカーボン鎖を有する高
級アルコールや高級脂肪酸、オレフィン変性シリコンオ
イル等の潤滑剤を塗布する方法（特開、昭５８−２９１
４８）等があるが、これらは潤滑剤層と無機薄膜とを特
定の化学結合により固定化したものではない。
ッタリング法で５Ｉ０２を形成し、その後クライトック
ス１４３ＡＤ（ディポン社商標）を塗布する方法（特開
、昭５７−１６７１３１号）や、無機高分子化合物中に
シランカップリング剤やメタクリラドクロミッククロリ
ドを用いて、その上に配向性潤滑剤を塗布する方法（特
開、昭５５−２５８２２号）、磁性薄膜表面にシランカ
ップリング剤、チタンカップリング剤を塗布し、これら
のカップリング剤となじみのよいカーボン鎖を有する高
級アルコールや高級脂肪酸、オレフィン変性シリコンオ
イル等の潤滑剤を塗布する方法（特開、昭５８−２９１
４８）等があるが、これらは潤滑剤層と無機薄膜とを特
定の化学結合により固定化したものではない。
従って、磁気ディスクの長期運転によって、潤滑剤の揮
散や潤滑剤厚さの偏りが起こり、そのため摩擦係数が大
きくなったりヘッドクラッシュ発生の原因となっている
。
散や潤滑剤厚さの偏りが起こり、そのため摩擦係数が大
きくなったりヘッドクラッシュ発生の原因となっている
。
〈発明の目的〉
本発明は、潤滑層を磁気ディスク媒体表面に無機薄膜を
介しあるいは介さずに固定化し、これにより潤滑層の偏
りや揮散を防止して摩擦係数の増加やヘッドクラッシュ
の発生を抑え磁気ディスクの長期運転における信頼性を
高めた磁気ディスク媒体を提供することを目的とする。
介しあるいは介さずに固定化し、これにより潤滑層の偏
りや揮散を防止して摩擦係数の増加やヘッドクラッシュ
の発生を抑え磁気ディスクの長期運転における信頼性を
高めた磁気ディスク媒体を提供することを目的とする。
〈発明の構成〉
上記目的を達成する本発明の構成は、磁性膜上にアミノ
シラン化合物膜あるいはエポキシシラン化合物膜が設け
られ、更にその上にカルボキシル基含有ないしスルホニ
ル基含有フッ素化カーボン系潤滑剤膜あるいはカルボキ
シル基含有ないしスルホニル基含有ポリシロキサン潤滑
剤膜が形成されることを特徴とする。
シラン化合物膜あるいはエポキシシラン化合物膜が設け
られ、更にその上にカルボキシル基含有ないしスルホニ
ル基含有フッ素化カーボン系潤滑剤膜あるいはカルボキ
シル基含有ないしスルホニル基含有ポリシロキサン潤滑
剤膜が形成されることを特徴とする。
更には、磁性膜上に無機薄膜が設けられ、該無機薄膜上
にアミノシラン化合物膜あるいはエポキシシラン化合物
膜が設けられ、更にその上にカルボキシル基含有ないし
スルホニル基含有フッ素化カーボン系潤滑剤膜あるいは
カルボキシル基含有ないしスルホニル基含有ポリシロキ
サン潤滑剤膜が形成されることを特徴とし上記無機薄膜
としてチタン、アルミニウム、ジルコニウム、マグネシ
ウム、タングステン、ビスマスの酸化合物、炭化物、窒
化物あるい・はこれらの混合物であることを特徴とする
。
にアミノシラン化合物膜あるいはエポキシシラン化合物
膜が設けられ、更にその上にカルボキシル基含有ないし
スルホニル基含有フッ素化カーボン系潤滑剤膜あるいは
カルボキシル基含有ないしスルホニル基含有ポリシロキ
サン潤滑剤膜が形成されることを特徴とし上記無機薄膜
としてチタン、アルミニウム、ジルコニウム、マグネシ
ウム、タングステン、ビスマスの酸化合物、炭化物、窒
化物あるい・はこれらの混合物であることを特徴とする
。
第１図は本発明に係る磁気ディスク媒体の一例を示す断
面図であり、同図において、磁気ディスク媒体は、アル
ミニウム基板１、その上に被覆されたアルマイト層２、
該アルマイト層２の研摩面上に被覆された磁性膜３、こ
の磁性膜３上に形成された無機薄膜４、該無機薄膜４の
上に形成された化合物膜５と、該化合物膜５の上に塗布
された潤滑剤膜６によって形成されている。
面図であり、同図において、磁気ディスク媒体は、アル
ミニウム基板１、その上に被覆されたアルマイト層２、
該アルマイト層２の研摩面上に被覆された磁性膜３、こ
の磁性膜３上に形成された無機薄膜４、該無機薄膜４の
上に形成された化合物膜５と、該化合物膜５の上に塗布
された潤滑剤膜６によって形成されている。
アルマイト層２を有するアルミニウム基板１は平均かつ
平滑な表面に仕上げられており中心線平均粗さく０．０
２７ｓ程度に加工されている。
平滑な表面に仕上げられており中心線平均粗さく０．０
２７ｓ程度に加工されている。
磁性膜３はγ、−Ｆｅ２０．を主成分とするものなどが
用いられ、スパッタリング法あるいはその他の方法によ
りアルマイト層２の表面に積層される。尚磁性膜３の材
質はγ−Ｆ８２０３に限らない。
用いられ、スパッタリング法あるいはその他の方法によ
りアルマイト層２の表面に積層される。尚磁性膜３の材
質はγ−Ｆ８２０３に限らない。
次に、上記無機Ｒ膜４ば無機シリコン化合物膜以外の無
機質薄膜であり、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化
ジルコニウム、酸化マグネシウム、酸化タングステン、
酸化ビスマス及びこれら“の混合物などの酸化物を使用
することができる。更にこの他、炭化チタン、炭化アル
ミニウム、炭化ジルコニウム、炭化マグネシウム、炭化
タングステン、炭化ビスマス及びこれらの混合物などの
炭化物を使用することができ、又、窒化チタン、窒化ア
ルミニウム、窒化ジルコニウム、窒化マグネシウム、窒
化タングステン、窒化ビスマス及びこれらの混合物など
の窒化物を使用することができる。
機質薄膜であり、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化
ジルコニウム、酸化マグネシウム、酸化タングステン、
酸化ビスマス及びこれら“の混合物などの酸化物を使用
することができる。更にこの他、炭化チタン、炭化アル
ミニウム、炭化ジルコニウム、炭化マグネシウム、炭化
タングステン、炭化ビスマス及びこれらの混合物などの
炭化物を使用することができ、又、窒化チタン、窒化ア
ルミニウム、窒化ジルコニウム、窒化マグネシウム、窒
化タングステン、窒化ビスマス及びこれらの混合物など
の窒化物を使用することができる。
尚、無機シリコン化合物膜については本発明者等の先願
（特願昭５８−２０８６６１号、特願昭５９−５７４５
３号）に開示されているように上記無機薄膜４の各種化
合物と同様に用いることができる。
（特願昭５８−２０８６６１号、特願昭５９−５７４５
３号）に開示されているように上記無機薄膜４の各種化
合物と同様に用いることができる。
無機薄膜４である酸化物薄膜はアルコキシシラン溶液の
スピンコ−１・及び熱処理或いはスパッタリング法、プ
ラズマ法、陽極酸化１、イオンブレーティング法、ＣＶ
Ｄ法等によって形成される。また炭化物無機薄膜および
窒化物無機薄膜はスパッタリング法、プラズマ法、イオ
ンブレーティング法、ＣＶＤ法等によって形成される。
スピンコ−１・及び熱処理或いはスパッタリング法、プ
ラズマ法、陽極酸化１、イオンブレーティング法、ＣＶ
Ｄ法等によって形成される。また炭化物無機薄膜および
窒化物無機薄膜はスパッタリング法、プラズマ法、イオ
ンブレーティング法、ＣＶＤ法等によって形成される。
次に、該無機薄膜上にアミノシラン化合物或いはエポキ
シシラン化合物の溶液がスピンコーティング法などによ
って塗布され１００℃前後の加熱により該アミノシラン
化合物、或いはエポキシシラン化合物が、該無機薄膜４
と脱水縮合反応により化学結合する。
シシラン化合物の溶液がスピンコーティング法などによ
って塗布され１００℃前後の加熱により該アミノシラン
化合物、或いはエポキシシラン化合物が、該無機薄膜４
と脱水縮合反応により化学結合する。
該アミノシラン化合物としては次表の化合物を用いるこ
とができる。
とができる。
Ｎ−β−アミノエチル−γ−アミツブ四ピルトリメトキ
シシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン 又、エポキシシラン化合物としては次表のγ−グリシド
キシプロピルトリメトキシシラノ、γ−グリシドキシプ
ロビルトリエトキシンラン、β−グリシドキシエチルト
リメトキシシラン、β−グリシドキシエチルトリエトキ
シシラン、γ−グリシドキシプロビル・メチルジメトキ
シシラン、γ−グリシドキシプロピル・メチルジェトキ
シシラン、β−グリシドキシエチルメチルジメトキシシ
ラン、β−グリシドキシエチルメチルジエｌ−キシシラ
ノ、β−（３，４−エポキシシクロへキシルエヂルトリ
メトキシシラン、β〜（３，４−エポキシシクロヘキシ
ル）エチルトリエトキシシラン、γ−（３，４−エボキ
ジシクロヘキジノ１暑 プロビルトリメトキシレラン、
γ−（３，４−エポキシシクロヘキシル）プロピルトリ
エ）・キシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキ
シル）エチルジェトキシメチルシラン、β−（３，４−
エポキシシクロヘキシル）エチルジェトキシメチルシラ
ン、γ−（３，４−エポキシシクロヘキシル）プロピル
ジメトキシメチルシラン、γ−（３，４−エポキシシク
ロヘキシル）プロビルジエト勿論、アミノシラン化合物
、エポキシシラン化合物としては上記のものに限定され
るものではない。
シシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン 又、エポキシシラン化合物としては次表のγ−グリシド
キシプロピルトリメトキシシラノ、γ−グリシドキシプ
ロビルトリエトキシンラン、β−グリシドキシエチルト
リメトキシシラン、β−グリシドキシエチルトリエトキ
シシラン、γ−グリシドキシプロビル・メチルジメトキ
シシラン、γ−グリシドキシプロピル・メチルジェトキ
シシラン、β−グリシドキシエチルメチルジメトキシシ
ラン、β−グリシドキシエチルメチルジエｌ−キシシラ
ノ、β−（３，４−エポキシシクロへキシルエヂルトリ
メトキシシラン、β〜（３，４−エポキシシクロヘキシ
ル）エチルトリエトキシシラン、γ−（３，４−エボキ
ジシクロヘキジノ１暑 プロビルトリメトキシレラン、
γ−（３，４−エポキシシクロヘキシル）プロピルトリ
エ）・キシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキ
シル）エチルジェトキシメチルシラン、β−（３，４−
エポキシシクロヘキシル）エチルジェトキシメチルシラ
ン、γ−（３，４−エポキシシクロヘキシル）プロピル
ジメトキシメチルシラン、γ−（３，４−エポキシシク
ロヘキシル）プロビルジエト勿論、アミノシラン化合物
、エポキシシラン化合物としては上記のものに限定され
るものではない。
尚、上記化合物膜に、更にヘキサメチルジシラザン（（
ＣＨ３） ３ＳｉＮＳｉ （Ｃ：Ｈ３１つ）などのシリ
ル化剤を反応させて、未反応の残存水酸基を戻水性のア
ルコキシ基に変えることもできる。
ＣＨ３） ３ＳｉＮＳｉ （Ｃ：Ｈ３１つ）などのシリ
ル化剤を反応させて、未反応の残存水酸基を戻水性のア
ルコキシ基に変えることもできる。
これらのシリル化剤としてはトリメチルクロルシラン、
トリメチルメトキシシラン、ジメチルアミノトリメチル
シラン、ビス（トリメチルシリル）アセトアミド、トリ
メチルシリルジフェニル尿素、ビス（ｌ・リメチルシリ
ル）尿素１．トリメチルシリルイミダゾール等がある。
トリメチルメトキシシラン、ジメチルアミノトリメチル
シラン、ビス（トリメチルシリル）アセトアミド、トリ
メチルシリルジフェニル尿素、ビス（ｌ・リメチルシリ
ル）尿素１．トリメチルシリルイミダゾール等がある。
この地熱安定性を向上させたシリル基としてフェニルジ
メチルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基等がある
。またこれらのシリル基の水素を全てフッ素で置き変え
た化合物も用いることができる。このように残余の水酸
基をシリル化反応により変性し接水性官能基とすること
により平衡水分吸着量の増加がほとんど無い撥水性表面
が形成される。
メチルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基等がある
。またこれらのシリル基の水素を全てフッ素で置き変え
た化合物も用いることができる。このように残余の水酸
基をシリル化反応により変性し接水性官能基とすること
により平衡水分吸着量の増加がほとんど無い撥水性表面
が形成される。
この結果、高温高湿下でも長期間摩擦係数の増加が無く
、従って高温高温下で高信頼、高安定な磁気ディスクを
得ることができる。
、従って高温高温下で高信頼、高安定な磁気ディスクを
得ることができる。
次に上記アミノンラン化合物膜あるいはエポキシシラン
化合物膜にカルボキシル基あるいはスルホニル基含有フ
ッ素化カーボン系潤滑剤またはこれに代えてカルボキシ
ル基あるいはスルホニル基含有ポリシロキサン潤滑剤が
塗布され潤滑剤膜６が形成される。
化合物膜にカルボキシル基あるいはスルホニル基含有フ
ッ素化カーボン系潤滑剤またはこれに代えてカルボキシ
ル基あるいはスルホニル基含有ポリシロキサン潤滑剤が
塗布され潤滑剤膜６が形成される。
かかるカルボキシル基含有フッ素化カーボン系潤滑剤の
具体例としては片末端カルボキシル基含有パーフロロエ
チルポリエーテル。
具体例としては片末端カルボキシル基含有パーフロロエ
チルポリエーテル。
片末端カルボキシル基含有パーフロロイソプロピルポリ
エーテルなどのカルボキシル基含有パーフロロポリエー
テル等がある。
エーテルなどのカルボキシル基含有パーフロロポリエー
テル等がある。
スルホニル基含有フッ素化カーボン系潤滑剤の具体例と
しては片末端スルホニル基含有パーフロロエチルポリエ
ーテル、 片末端スルホニル基含有パーフロロイソプロ
ピルポリエーテルなどのスルホニル基含有パーフロロポ
リエーテル重合体等がある。またカルボキシル基ないし
スルホニル基含有ポリシロキサン潤滑剤の具体例として
はカルボキシル基ないしスルホニル基含有ジメチルシロ
キサンを用いることができる。尚該潤滑剤の塗布方法と
してはスピンコーティング法、スプレー法ｐ潤滑溶液へ
浸漬し引上げるデツプ法、潤滑剤溶液を含浸させた布や
紙を回転している磁気ディスク上にこすりつけるワイプ
法等がある。
しては片末端スルホニル基含有パーフロロエチルポリエ
ーテル、 片末端スルホニル基含有パーフロロイソプロ
ピルポリエーテルなどのスルホニル基含有パーフロロポ
リエーテル重合体等がある。またカルボキシル基ないし
スルホニル基含有ポリシロキサン潤滑剤の具体例として
はカルボキシル基ないしスルホニル基含有ジメチルシロ
キサンを用いることができる。尚該潤滑剤の塗布方法と
してはスピンコーティング法、スプレー法ｐ潤滑溶液へ
浸漬し引上げるデツプ法、潤滑剤溶液を含浸させた布や
紙を回転している磁気ディスク上にこすりつけるワイプ
法等がある。
この潤滑剤塗布により室温或いは加温状態で該潤滑剤（
よ該シラン化合物と化学反応して固定する。この反応に
より液体であった潤滑剤は固体または半固体となり、磁
気ディスクと磁気ヘッド間の吸着現象が液体時より著し
く減少する。
よ該シラン化合物と化学反応して固定する。この反応に
より液体であった潤滑剤は固体または半固体となり、磁
気ディスクと磁気ヘッド間の吸着現象が液体時より著し
く減少する。
尚、潤滑剤としてカルボキシル基あるいはスルホニル基
含有ポリシロキサン潤滑剤を用いると潤滑層の接水性が
良好である。
含有ポリシロキサン潤滑剤を用いると潤滑層の接水性が
良好である。
また、無機薄膜４としてフッ素化シラン化合物、長鎖ア
ルキルシラン化合物、フッ化黒鉛を含有するものを用い
ると潤滑性が一層向上する。因に無機薄膜にこれらの混
合物を含有しないものは潤滑層の摩擦係数は０．３程度
であるが、これらの混合物を含有するものの摩擦係数は
０１程度である。
ルキルシラン化合物、フッ化黒鉛を含有するものを用い
ると潤滑性が一層向上する。因に無機薄膜にこれらの混
合物を含有しないものは潤滑層の摩擦係数は０．３程度
であるが、これらの混合物を含有するものの摩擦係数は
０１程度である。
以上、磁性膜上に無機薄膜４を設け、゛その上に潤滑層
を形成する場合について説明したが、この他、磁性膜上
に無機薄膜を設けず、直接アミノシラン化合物膜あるい
はエポキシシラン化合物膜を磁性膜上に設け、その上に
上記潤滑剤を塗布することもできる。この場合にも上記
化合物膜が直接磁性膜と結合し強固な潤滑剤膜を得るこ
とができる。例えば磁性膜としてγ−Ｆｅ２Ｏ３（ガン
マ・フェライトＩ司を用イｔコ場合、γ−Ｆｅ２Ｏ３は
Ｆｅ２．６０３．５（ＯＨ）０．５の組成をもつハイド
ロジンスピネルフェライトを一部含んでいる。即ちこれ
はバルク状で水酸基（ＯＨ−４）を含んでいるので、ア
ミノシラン化合物とは次式のように脱水縮合反応し易い
。
を形成する場合について説明したが、この他、磁性膜上
に無機薄膜を設けず、直接アミノシラン化合物膜あるい
はエポキシシラン化合物膜を磁性膜上に設け、その上に
上記潤滑剤を塗布することもできる。この場合にも上記
化合物膜が直接磁性膜と結合し強固な潤滑剤膜を得るこ
とができる。例えば磁性膜としてγ−Ｆｅ２Ｏ３（ガン
マ・フェライトＩ司を用イｔコ場合、γ−Ｆｅ２Ｏ３は
Ｆｅ２．６０３．５（ＯＨ）０．５の組成をもつハイド
ロジンスピネルフェライトを一部含んでいる。即ちこれ
はバルク状で水酸基（ＯＨ−４）を含んでいるので、ア
ミノシラン化合物とは次式のように脱水縮合反応し易い
。
２ Ｆ ｅ ２５０３５（ＯＨ） 。 ５＋ＮＨ２ＣＨ
２ＣＨ２ＣＨ２Ｓ皇（ＯＣ２Ｈ５）３またγ−Ｆｅ２０
３表面には他の磁性合金（例えばＣｏＮ１−Ｐなど）と
同様、金属に直接、結合している水酸基が存在しており
（第２図（ａ））これがアミノシラン化合物と反応す
ると考えられる（第２図（ｂ））。
２ＣＨ２ＣＨ２Ｓ皇（ＯＣ２Ｈ５）３またγ−Ｆｅ２０
３表面には他の磁性合金（例えばＣｏＮ１−Ｐなど）と
同様、金属に直接、結合している水酸基が存在しており
（第２図（ａ））これがアミノシラン化合物と反応す
ると考えられる（第２図（ｂ））。
〈実 施 例〉
次に本発明の実施例を示す。
実施例１：鏡面研摩した磁気ディスク基板に、テトラエ
トキシシラン溶液（濃度００１〜２％）をスピンコード
し、２００℃で３時間焼成する。更にアミノシラン（濃
度００１〜０５％）のアルコール溶液をスピンコー１−
ｊ、 １００℃〜１５０℃に加熱する。室温に冷却後
、この表面上に０００５〜００３％濃度のカルボキシル
基含有パーフルオロアルキルポリエーテル（デュポン社
製、商品名：クライトックス１５７ ＦＳ）を塗布する
。上記の方法により作成した磁気ディスクの摩擦係数は
０２以下であった。この時使用した磁気ヘッドはスラ、
イダ幅０２５ｍｍのＭｎ Ｚｎ形のテーパフラットスラ
イダ（荷重６０ｇ）である。８０℃×８０％ＲＨ雰囲気
１００日後も、摩擦係数は約４０％しか増加しなかった
。コンタクト・スタート・ストップ（ＣＳＳ）試験にお
いても５万回以上のテス）・をパスし、磁気ディスクと
磁気ヘッドにも何ら異状は認められなかったまた吸着力
はクライトツクス１５７ＦＳのにシリコン酸化物以外の
他の酸化物、無機薄膜を用いても、前記と同様の優れた
結果を示した。
トキシシラン溶液（濃度００１〜２％）をスピンコード
し、２００℃で３時間焼成する。更にアミノシラン（濃
度００１〜０５％）のアルコール溶液をスピンコー１−
ｊ、 １００℃〜１５０℃に加熱する。室温に冷却後
、この表面上に０００５〜００３％濃度のカルボキシル
基含有パーフルオロアルキルポリエーテル（デュポン社
製、商品名：クライトックス１５７ ＦＳ）を塗布する
。上記の方法により作成した磁気ディスクの摩擦係数は
０２以下であった。この時使用した磁気ヘッドはスラ、
イダ幅０２５ｍｍのＭｎ Ｚｎ形のテーパフラットスラ
イダ（荷重６０ｇ）である。８０℃×８０％ＲＨ雰囲気
１００日後も、摩擦係数は約４０％しか増加しなかった
。コンタクト・スタート・ストップ（ＣＳＳ）試験にお
いても５万回以上のテス）・をパスし、磁気ディスクと
磁気ヘッドにも何ら異状は認められなかったまた吸着力
はクライトツクス１５７ＦＳのにシリコン酸化物以外の
他の酸化物、無機薄膜を用いても、前記と同様の優れた
結果を示した。
実施例２：磁気ディスク媒体の基板に炭化シリコン、炭
化チタン、炭化アルミニウム、炭化ジルコニウム、炭化
マグネシウム、炭化タングステン、炭化ビスマス及びこ
れらの混合物膜をスパッタリング法で２００〜３００人
形成し、この膜上にエポキシシラン（濃度０００５〜０
５％）溶液をスピンコー１− Ｌ １００℃〜１５０℃
で３０分間加熱する。更にジカルボキシル化パーフルオ
ロポリエーテル（濃度０００５〜０１％）をスピンコー
ティングによって塗布する。
化チタン、炭化アルミニウム、炭化ジルコニウム、炭化
マグネシウム、炭化タングステン、炭化ビスマス及びこ
れらの混合物膜をスパッタリング法で２００〜３００人
形成し、この膜上にエポキシシラン（濃度０００５〜０
５％）溶液をスピンコー１− Ｌ １００℃〜１５０℃
で３０分間加熱する。更にジカルボキシル化パーフルオ
ロポリエーテル（濃度０００５〜０１％）をスピンコー
ティングによって塗布する。
このディスクを１５０℃で３０分間加熱し、室温に冷却
する。この様にして作成した磁気ディスクは、実施例１
と同様の優れた特性を示した。
する。この様にして作成した磁気ディスクは、実施例１
と同様の優れた特性を示した。
実施例３：磁気ディスク媒体の基板に窒化シリコン、窒
化チタン、窒化アルミニウム、窒化ジルコニウム、窒化
マグネシウム、窒化タングステン、窒化ビスマス及びこ
れらの混合物などを、スパッタリング法で２００〜３０
０人形成し、この膜上にアミノシラノ（［度００１〜０
５％）のアルコール溶液をスピンコードし１００℃〜１
５０℃に加熱する。室温に冷却後、本磁気ディスクの表
面上に００００５〜００３％濃度のカルボキシル基含有
パーフルオロアルキルポリエーテル（デュポン社製、商
品名クライトックス１５７ Ｆ Ｓ ）を塗布する。上
記の方法により作成した磁気ディスクの摩擦係数は０２
以下であった。この時使用した磁気７、ッ ドはスライ
ダ幅０．２５ ｍｍのＭｎ Ｚｎ形のテーバフラットス
ライダ（荷重６０ｇ）である。８０℃×８０％ＲＨ雰囲
気１００日後も摩擦係数は約４０％しか増加しなかった
。コンタクト・スタート・ストップ（ＣＳＳ）試験にお
いても５万回以上のテストをパスし、磁気ディスクと磁
気ヘッドにも何ら異状は認められなかった。また吸着力
はクラこの様に本発明の磁気ディスク媒体は長期にわた
って高信頼性を保つことができる。
化チタン、窒化アルミニウム、窒化ジルコニウム、窒化
マグネシウム、窒化タングステン、窒化ビスマス及びこ
れらの混合物などを、スパッタリング法で２００〜３０
０人形成し、この膜上にアミノシラノ（［度００１〜０
５％）のアルコール溶液をスピンコードし１００℃〜１
５０℃に加熱する。室温に冷却後、本磁気ディスクの表
面上に００００５〜００３％濃度のカルボキシル基含有
パーフルオロアルキルポリエーテル（デュポン社製、商
品名クライトックス１５７ Ｆ Ｓ ）を塗布する。上
記の方法により作成した磁気ディスクの摩擦係数は０２
以下であった。この時使用した磁気７、ッ ドはスライ
ダ幅０．２５ ｍｍのＭｎ Ｚｎ形のテーバフラットス
ライダ（荷重６０ｇ）である。８０℃×８０％ＲＨ雰囲
気１００日後も摩擦係数は約４０％しか増加しなかった
。コンタクト・スタート・ストップ（ＣＳＳ）試験にお
いても５万回以上のテストをパスし、磁気ディスクと磁
気ヘッドにも何ら異状は認められなかった。また吸着力
はクラこの様に本発明の磁気ディスク媒体は長期にわた
って高信頼性を保つことができる。
実施例４ニスバツタリング法で作成しｔこγ−Ｆｅ２０
３磁性体膜上に無機薄膜を形成せず、直接アミノシラン
化合物（３−アミノプロピルメチルジェトキシシラン（
濃度００５〜０５％））をスピンコーティングによって
塗布してから、１３０℃１５分間加熱した。冷却後スル
ホン酸含有パーフルオロポリエーテル （濃度０．００５〜００５％））をスピンコーティング
により塗布した。乙の様にして作成した磁気ディスク媒
体は実施例１と同様な性能を示した。
３磁性体膜上に無機薄膜を形成せず、直接アミノシラン
化合物（３−アミノプロピルメチルジェトキシシラン（
濃度００５〜０５％））をスピンコーティングによって
塗布してから、１３０℃１５分間加熱した。冷却後スル
ホン酸含有パーフルオロポリエーテル （濃度０．００５〜００５％））をスピンコーティング
により塗布した。乙の様にして作成した磁気ディスク媒
体は実施例１と同様な性能を示した。
実施例５：鏡面研摩した磁気ディスク媒体の基板上にテ
トラアルコキシシラン溶液（濃度００１〜２％）と第一
表中のＮｏ、 １〜９の一種類（濃度００１〜２％）と
の混合溶液をスピンコーティングにより塗布し２００℃
３０分間熱処理する。更にカルボン酸含有パーフルオロ
ポリエーテル（濃度０．０５〜００１％）をスピンコー
ドする。この様にして作成した磁気ディスク媒体は実施
例１と同様の性能を有していた。
トラアルコキシシラン溶液（濃度００１〜２％）と第一
表中のＮｏ、 １〜９の一種類（濃度００１〜２％）と
の混合溶液をスピンコーティングにより塗布し２００℃
３０分間熱処理する。更にカルボン酸含有パーフルオロ
ポリエーテル（濃度０．０５〜００１％）をスピンコー
ドする。この様にして作成した磁気ディスク媒体は実施
例１と同様の性能を有していた。
実施例６：鏡面研摩した磁気ディスク媒体の基板上にテ
トラアルコキシシラン溶液（濃度００１〜２％）と第一
表中のＮｏ、 １〜９の一種類（濃度００１〜２％）と
の混合溶液をスピンコーティングにより塗布し２００℃
３０分間熱処理した。更にスルホン酸含有フッ素化カー
ボン（濃度０．０５〜００１％）をスピンコードする。
トラアルコキシシラン溶液（濃度００１〜２％）と第一
表中のＮｏ、 １〜９の一種類（濃度００１〜２％）と
の混合溶液をスピンコーティングにより塗布し２００℃
３０分間熱処理した。更にスルホン酸含有フッ素化カー
ボン（濃度０．０５〜００１％）をスピンコードする。
この様にして作成した磁気ディスク媒体は実施例１と同
様の性能を有していた。
様の性能を有していた。
ここでＹは０〜３（濃度０．０１〜０５％））アルコー
ル溶液をテトラアルコキシシラン溶液ｌ＜濃度００１〜
１５％）と共にスピンコーティングによって塗布し２０
０℃１時間加熱する。この磁気ディスク上にアミノシラ
ン、次にカルボン酸含有パーフロ四ポリエーテルを塗布
する。この様にして得た磁気ディスク媒体は実施例１と
同様の性質を有していた。
ル溶液をテトラアルコキシシラン溶液ｌ＜濃度００１〜
１５％）と共にスピンコーティングによって塗布し２０
０℃１時間加熱する。この磁気ディスク上にアミノシラ
ン、次にカルボン酸含有パーフロ四ポリエーテルを塗布
する。この様にして得た磁気ディスク媒体は実施例１と
同様の性質を有していた。
’１Ｅ７）［８、実施例１のテトラエトキシシランの代
わりにそれぞれテトラプロポキシシラン、テトラブトキ
シシラン、メチルトリエトキシシランあるいはエチルト
リエトキシシ“ランを用い実施例１と同様に磁気ディス
ク潤滑層を作製した。得られた磁気ディスクはいずれも
実施例１と同様の優れた特性を示した。
わりにそれぞれテトラプロポキシシラン、テトラブトキ
シシラン、メチルトリエトキシシランあるいはエチルト
リエトキシシ“ランを用い実施例１と同様に磁気ディス
ク潤滑層を作製した。得られた磁気ディスクはいずれも
実施例１と同様の優れた特性を示した。
第１表 フッ素化アルコキシシラン
〈発明の効果〉
以上説明したように、本発明によれば、磁性膜上に酸化
物、炭化物、窒化物などの無機薄膜を形成しあるいは直
接磁性膜上にアミノシラン、エポキシシラン化合物膜を
介して、カルボキシル基或いはスルホニル基含有のフッ
素化カーボン系潤滑剤、或いはまたポリシロキサン潤滑
剤膜を形成することにより、該潤滑剤を磁気ディスク表
面に、強固に結合させ、更に磁気ディスク上に塗布する
前には液体だった潤滑剤を固体ないしは半固体にしてい
る。
物、炭化物、窒化物などの無機薄膜を形成しあるいは直
接磁性膜上にアミノシラン、エポキシシラン化合物膜を
介して、カルボキシル基或いはスルホニル基含有のフッ
素化カーボン系潤滑剤、或いはまたポリシロキサン潤滑
剤膜を形成することにより、該潤滑剤を磁気ディスク表
面に、強固に結合させ、更に磁気ディスク上に塗布する
前には液体だった潤滑剤を固体ないしは半固体にしてい
る。
従って本発明の磁気ディスクにおいては該潤滑剤の安定
性を増し、潤滑剤劣化或いは飛散による潤滑性能の低下
を抑えることがてきる。このため磁気ヘッドと磁気ディ
スク媒体間の摩耗を少なくシ、その上ヘッドのディスク
への吸着を抑制することができ、ヘッドの衝突による破
壊、損傷を抑えることができる。
性を増し、潤滑剤劣化或いは飛散による潤滑性能の低下
を抑えることがてきる。このため磁気ヘッドと磁気ディ
スク媒体間の摩耗を少なくシ、その上ヘッドのディスク
への吸着を抑制することができ、ヘッドの衝突による破
壊、損傷を抑えることができる。
この結果磁気ディスク媒体の長期間にわたる高信頼性の
走行及び記録再生を行うことかできる。
走行及び記録再生を行うことかできる。
第１図は本発明に係る磁気ディスク媒体の一例を示す断
面図、第２図（ａｌ （ｂｌは磁性膜に直接化合物膜を
形成する場合の説明図である。 図 中、 １ ゛アルミニウム基板、 ２ アルマイト層、 ３ 磁性膜、 ４ 無機シリコン化合物膜、 ５ アミノシラン化合物膜、 ６ カルボキシル基含有フッ素化カーボン系潤滑剤膜な
いしはスルホン酸含有フッ素化カーボン系潤滑剤膜 特許出願人 日本電信電話公社 代 理 人 弁理士 光 石 士 部 （他１名） 第１図
面図、第２図（ａｌ （ｂｌは磁性膜に直接化合物膜を
形成する場合の説明図である。 図 中、 １ ゛アルミニウム基板、 ２ アルマイト層、 ３ 磁性膜、 ４ 無機シリコン化合物膜、 ５ アミノシラン化合物膜、 ６ カルボキシル基含有フッ素化カーボン系潤滑剤膜な
いしはスルホン酸含有フッ素化カーボン系潤滑剤膜 特許出願人 日本電信電話公社 代 理 人 弁理士 光 石 士 部 （他１名） 第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＋１） 磁性膜上にアミノシラン化合物膜あるいはエポ
キシシラン化合物膜が設けられ、更にその上にカルボキ
シル基含有ないしスルホニル基含有フッ素化カーボン系
潤滑剤膜あるいはカルボキシル基含有ないしスルホニー
ル基含有ポリシロキサン潤滑剤膜が形成されていること
を特徴とする磁気ディスク媒体。 （２）磁性膜上に無機薄膜が設けられ、該無機薄膜上に
アミノシラン化き物膜あるいはエポキシシラン化合物膜
が設けられ、更にその上にカルボキシル基含有ないしス
ルホニル基含有フッ素化カーボン系潤滑剤膜あるいはカ
ルボキシル基含有ないしスルホニル基含有ポリシロキサ
ン潤滑剤膜が形成されることを特徴とする磁気ディスク
媒体。 （３）上記無機薄膜がチタン、アルミニウム、マグネシ
ウム、タングステン、ビスマスの酸化合物、炭化物、窒
化物あるいはこれらの混合物であることを特徴とする特
許請求の範囲第２項記載の磁気ディスク媒体。 （４）上記無機薄膜がフッ素化シラン化合物、長鎖アル
キルシラン化合物、フッ化黒鉛を含有したものであるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第２項、又は第３項記載
の磁気ディスク媒体。 （５）磁性膜上に無機シリコン化合物膜が設けられ、該
無機シリコン化合物膜上にアミノシラン化合物膜あるい
はエポキシシラン化合物膜が設けられ、更にその上にカ
ルボキシル基含有ないしスルホニル基含有ポリシロキサ
ン潤滑剤膜が形成されることを特徴とする磁気ディスク
媒体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9634084A JPS60242518A (ja) | 1984-05-16 | 1984-05-16 | 磁気デイスク媒体 |
| US06/664,702 US4529659A (en) | 1983-11-05 | 1984-10-25 | Magnetic recording member and process for manufacturing the same |
| FR8416969A FR2554625B1 (fr) | 1983-11-05 | 1984-11-05 | Element d'enregistrement magnetique et procede de fabrication |
| DE3440361A DE3440361C2 (de) | 1983-11-05 | 1984-11-05 | Magnetaufzeichnungsteil und Verfahren zu seiner Herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9634084A JPS60242518A (ja) | 1984-05-16 | 1984-05-16 | 磁気デイスク媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60242518A true JPS60242518A (ja) | 1985-12-02 |
Family
ID=14162283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9634084A Pending JPS60242518A (ja) | 1983-11-05 | 1984-05-16 | 磁気デイスク媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60242518A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6273422A (ja) * | 1985-09-26 | 1987-04-04 | Nec Corp | 磁気記憶体 |
| JPH02116024A (ja) * | 1988-10-24 | 1990-04-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 記録媒体潤滑層 |
| EP0451457A2 (en) * | 1990-03-30 | 1991-10-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic recording medium |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5440606A (en) * | 1977-09-05 | 1979-03-30 | Nec Corp | Magnetic memory element |
| JPS5829148A (ja) * | 1981-08-15 | 1983-02-21 | Sony Corp | 磁気記録媒体 |
| JPS60202533A (ja) * | 1984-03-27 | 1985-10-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 磁気デイスク媒体 |
-
1984
- 1984-05-16 JP JP9634084A patent/JPS60242518A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5440606A (en) * | 1977-09-05 | 1979-03-30 | Nec Corp | Magnetic memory element |
| JPS5829148A (ja) * | 1981-08-15 | 1983-02-21 | Sony Corp | 磁気記録媒体 |
| JPS60202533A (ja) * | 1984-03-27 | 1985-10-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 磁気デイスク媒体 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6273422A (ja) * | 1985-09-26 | 1987-04-04 | Nec Corp | 磁気記憶体 |
| JPH02116024A (ja) * | 1988-10-24 | 1990-04-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 記録媒体潤滑層 |
| EP0451457A2 (en) * | 1990-03-30 | 1991-10-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic recording medium |
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