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JPS60223120A - 現像液 - Google Patents

現像液

Info

Publication number
JPS60223120A
JPS60223120A JP7848984A JP7848984A JPS60223120A JP S60223120 A JPS60223120 A JP S60223120A JP 7848984 A JP7848984 A JP 7848984A JP 7848984 A JP7848984 A JP 7848984A JP S60223120 A JPS60223120 A JP S60223120A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
hydroxide
developer
alkali
developer according
polyoxyethylene
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7848984A
Other languages
English (en)
Inventor
Yutaka Takeda
豊 武田
Takao Iwayagi
岩柳　隆夫
Hiroshi Shiraishi
洋 白石
Shinji Okazaki
信次 岡崎
Hidehito Obayashi
大林　秀仁
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP7848984A priority Critical patent/JPS60223120A/ja
Publication of JPS60223120A publication Critical patent/JPS60223120A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
    • G03F7/322—Aqueous alkaline compositions

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、レジストの現像液に係り、特に感度。
解像性を向上させるのに好適な、現像液組成物に関する
。
〔発明の背景〕
従来の現像液は主成分のアルカリ成分のみで、添加物の
混入はほとんどなされていない。このため、現像条件の
最適化は、現像液濃度、現像液温度等をパラメータとし
て検討していたが、これでは、高感度化、高解像性の向
上は望めなかった。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、添加物を加えた現像液で現像すること
によりレジストの感度、解像度を向上させることにある
。
〔発明の概要〕
現像液の主成分により、レジストの感度、解像度は向上
するが、その成分を固定すれば、成分濃度、現像温度を
変化させても、現像特性の向上は期待できなかった。そ
こで、現像液に添加物を加えることを検討した。その結
果アルカリ性現像液に非イオン性の物質を添加すること
により、感度、解像度ともに向上することがわかった。
しかし、その原因は明らかではない。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の実施例を第１図により説明する。
レジストにフェノール樹脂系を用い、このレジストをＳ
ｉウェハ上に約５００ｎｍ回転塗布し、８０℃、２０分
のプリベークをおこなった。このサンプルに、電子線描
画装置により２μｃ　／　ａｌ〜１００μｃ　／　ｃｄ
の間で照射量を変化させ描画した。
つぎにこれをテトラメチルアンモニウムハイドロオキサ
イドの３％水溶液に、さらにポリオキシエチレン−ポリ
オキシプロピレン縮合物を０．５％添加した現像液で２
０秒間現像した。この時の現像液温度は１８℃である。
この結果を第１図に示す。第１図中の１は上記した本発
明になる現像液を用いた場合を示し、図中２の添加剤を
加えない現像液に比べ、感度は５０％、解像性を示すγ
値（島田溝−１［電子ビーム露光用レジストの種類と特
性」電子材料ｐ２８〜３４　１０，１９７９）は１０％
向上した。
つぎに、実施例１と同様の実施例においてアルカリ物質
を変えた場合を検討した。アルカリ物質として、テトラ
エチルアンモニウムハイドロオキサイド、テトラプロピ
ルアンモニウムハイドロオキサイド、テトラブチルアン
モニウムハイドロオキサイド、メチルトリエタノールア
ンモニウムハイドロオキサイドの水溶液を用い、これに
ポリオキジオエチレン−ポリオキシプロピレン縮合物を
添加しても同様な結果が得られた。また光露光において
も同様な結果が得られた。
以上の様に、現像液濃度、現像液温度による感度、解像
度の向上が得られなかったものが、本発明のように、ア
ルカリ性現像液に非イオン性物質のポリオキシエチレン
−ポリオキシプロピレン縮合物を添加して、現像するこ
とにより、感度で５０％、解像性を示すγ値で１０％向
上するようになった。
〔発明の効果〕
本発明によれば、感度で５０％、解像性を示すγ値で１
０％向上できるので、高感度、高解像性の現像液として
の効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は、レジストの感度、解像性を示す特性図である
。図中１は、本発明で、２は従来法を示第１頁の続き ＠発明者　大鉢　秀仁　国赫市競ケ窪 央研究所内

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、アルカリの水溶液中に非イオン性物質を混入したこ
    とを特徴とする、レジストの現像液。 ２、前記アルカリが、テトラメチルアンモニウムハイド
    ロオキサイドであることを特徴とする特許請求の範囲第
    １項記載の現像液。 ３、前記アルカリが、テトラエチルアンモニウムハイド
    ロオキサイドであることを特徴とする特許請求の範囲第
    １項記載の現像液。 ４、前記アルカリが、テトラプロピルアンモニウムハイ
    ドロオキサイドであることを特徴とする特許請求の範囲
    第１項記載の現像液。 ５、前記アルカリがテトラブチルアンモニウムハイドロ
    オキサイドであることを特徴とする特許請求の範囲第１
    項記載の現像液。 ６、前記アルカリが、メチルトリエタノールアンモニウ
    ムハイドロオキサイドであることを特徴とする特許請求
    の範囲第１項記載の現像液。 ７、前記非イオン性物質が、ポリオキシドエチレン−ポ
    リオキシプロピレン縮合物であることを特徴とする特許
    請求の範囲第１項記載の現像液。 ８、前記アルカリが、テトラメチルアンモニウムハイド
    ロオキサイドで、前記非イオン性物質がポリオキシエチ
    レン−ポリオキシプロピレン縮合物であることを特徴と
    する特許請求の範囲第１項記載の現像液。 ９、前記アルカリが、テトラエチルアンモニウムハイド
    ロオキサイドで、前記非イオン性物質がポリオキシエチ
    レン−ポリオキシプロピレン縮合物であることを特徴と
    する特許請求の範囲第１項記載の現像液。 １０、前記アルカリが、テトラプロピルアンモニウムハ
    イドロオキサイドで、前記非イオン性物質がポリオキシ
    エチレンーポリオキシブロビレン縮合物であることを特
    徴とする特許請求の範囲第１項記載の現像液。 １１、前記アルカリが、テトラブチルアンモニウムハイ
    ドロオキサイドで、前記非イオン°性物質がポリオキシ
    エチレン−ポリオキシプロピレン縮合物であることを特
    徴とする特許請求の範囲第１項記載の現像液。 １２、前記アルカリが、メチルトリエタノールアンモニ
    ウムハイドロオキサイドで、前記非イオン性物質がポリ
    オキシエチレン−ポリオキシプロピレン縮合物であるこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の現像液。
JP7848984A 1984-04-20 1984-04-20 現像液 Pending JPS60223120A (ja)

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JP7848984A JPS60223120A (ja) 1984-04-20 1984-04-20 現像液

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JP7848984A JPS60223120A (ja) 1984-04-20 1984-04-20 現像液

Publications (1)

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JPS60223120A true JPS60223120A (ja) 1985-11-07

Family

ID=13663386

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7848984A Pending JPS60223120A (ja) 1984-04-20 1984-04-20 現像液

Country Status (1)

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JP (1) JPS60223120A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4784937A (en) * 1985-08-06 1988-11-15 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Developing solution for positive-working photoresist comprising a metal ion free organic base and an anionic surfactant
US4833067A (en) * 1985-08-06 1989-05-23 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Developing solution for positive-working photoresist comprising tmah and non-ionic surfactant
US4914006A (en) * 1984-12-25 1990-04-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Positive resist quaternary ammonium hydroxide containing developer with cationic and nonionic surfactant
US5030550A (en) * 1988-04-07 1991-07-09 Fuji Photo Film Co., Ltd. Developer for positive type photoresists
US6432621B1 (en) 1999-01-07 2002-08-13 Kao Corporation Resist developer
US6730239B1 (en) 1999-10-06 2004-05-04 Renesas Technology Corp. Cleaning agent for semiconductor device & method of fabricating semiconductor device

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