JPS6021860A - 磁器組成物 - Google Patents
磁器組成物Info
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- JPS6021860A JPS6021860A JP58127222A JP12722283A JPS6021860A JP S6021860 A JPS6021860 A JP S6021860A JP 58127222 A JP58127222 A JP 58127222A JP 12722283 A JP12722283 A JP 12722283A JP S6021860 A JPS6021860 A JP S6021860A
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- JP
- Japan
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- capacitance
- resistance
- capacitor
- composition
- ceramic composition
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- Inorganic Insulating Materials (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁器組成物、特に、１ｏＯｏ℃以下の低温で焼
結でき、誘電率と比抵抗の積が高く、しかも機械的強度
の高い磁器組成物に関するものである。
結でき、誘電率と比抵抗の積が高く、しかも機械的強度
の高い磁器組成物に関するものである。
従来、誘電体磁器組成物として、チタン酸バリウム（Ｂ
ａＴｉ０３）を主成分とする磁器組成物が広く集用化さ
れていることは周知のとおりである。
ａＴｉ０３）を主成分とする磁器組成物が広く集用化さ
れていることは周知のとおりである。
しかしながら、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯｓ）’２
２成分とするものは、焼結温度が通常１３００〜１４０
０℃の高温である。このためこれを積層形コンデンサに
利用する場合には内部！極としてこの焼結温度に耐える
材料、例えは白金、パラジウムなどの高価な貴金属を使
用しなけれ２はならず、製造コストが高くつくという欠
点がある。積層形コンデンサを安く作るためには銀、ニ
ッケルなどを主成分とする安価な金属が内部電極に使用
できるような、できるだけ低温、特に１０００℃以下で
焼結できる磁器組成物が必要である。
２成分とするものは、焼結温度が通常１３００〜１４０
０℃の高温である。このためこれを積層形コンデンサに
利用する場合には内部！極としてこの焼結温度に耐える
材料、例えは白金、パラジウムなどの高価な貴金属を使
用しなけれ２はならず、製造コストが高くつくという欠
点がある。積層形コンデンサを安く作るためには銀、ニ
ッケルなどを主成分とする安価な金属が内部電極に使用
できるような、できるだけ低温、特に１０００℃以下で
焼結できる磁器組成物が必要である。
ところで磁器組成物を用い、実用的な積層形コンデンサ
を作製するときに磁器組成物の電気的特性として多くの
項目が評価されなけれはならない。
を作製するときに磁器組成物の電気的特性として多くの
項目が評価されなけれはならない。
一般的に誘電率はできるだけ太き（、誘電損失はできる
だけ小さく、比抵抗はできるだけ大きく、誘電率の温度
変化は小さいことなどが要求される。
だけ小さく、比抵抗はできるだけ大きく、誘電率の温度
変化は小さいことなどが要求される。
しかしながら、実用上積層形コンデンサ暑こおいては誘
電率でなく、まず容量、次に容量の温度変化率、誘電損
失などの値が必要とされる。積層形コンデンサにおいて
、容量は磁器組成物の＃電率に比例するが、しかしその
厚みに反比例し、電極面積、積層数に比例するので、一
定の容量を得るためには１ｉＢＬ器組成物の誘電率が大
きいことは必ずしも絶対的な要因でない。さらに容量の
温度変化率（誘電率の温度変化率）は用途により種々許
容された範囲があり、磁器組Ｊｌｉ父、物の誘電率の温
度変化率も積層形コンデンサを作製するときの絶対的な
要因でない。
電率でなく、まず容量、次に容量の温度変化率、誘電損
失などの値が必要とされる。積層形コンデンサにおいて
、容量は磁器組成物の＃電率に比例するが、しかしその
厚みに反比例し、電極面積、積層数に比例するので、一
定の容量を得るためには１ｉＢＬ器組成物の誘電率が大
きいことは必ずしも絶対的な要因でない。さらに容量の
温度変化率（誘電率の温度変化率）は用途により種々許
容された範囲があり、磁器組Ｊｌｉ父、物の誘電率の温
度変化率も積層形コンデンサを作製するときの絶対的な
要因でない。
一方誘電損失は用途により一定の値以下でなければなら
ないという規定かあり室温で最大５．Ｏｑｂ以下である
。さらに比抵抗に関しでは、例えはＥＩＡＪ規格〔日本
電子機械工業会の電子機器用積層磁器コンデンサ（チッ
プ形） １４０−３６９８Ｂ）に述べられているごとく
、積層コンデンサの絶縁抵抗として１１００ＯＯΩ 以
上または芥量抵抗債で５００μＦ−ＭΩ以上のいずれか
小さい１以上と規定されている。すなわち磁器組成物の
誘電率と比抵抗の積がある絶対値以上なければ、任意の
容量、特に大きな容量のコンデンサを実用的規格に合せ
ることができず、その用途が非常に限定され、実用的な
意味がなくなる。この点を詳しく説明すると次の様にな
る。積層形コンデンサでは、ｎ＋１個の内部電極を構成
して一般にｎ個の同じ厚さの層からなる単゛一層コンデ
ンサが積層された構造になっている。この場合、単一層
当りの容量をＣ・ｏ１絶縁抵抗ヲ１（ｏ、とすれは、積
層形コンデンサの容量ＣはＣ０のｎ倍になり、絶縁抵抗
ＲはＲ６の１／ｎ になる。ここで磁器組成物の誘電率
を６、真空の誘電率をεい磁器組成物の比抵抗をρ、単
一層コンデンサの磁器の厚さを６１重なる！極面積をＳ
とずれは、単一層コンデンサのＣ８は（εｏｇｓ）／ｄ
となりＲ６は（ρｄ）／Ｓとなる。
ないという規定かあり室温で最大５．Ｏｑｂ以下である
。さらに比抵抗に関しでは、例えはＥＩＡＪ規格〔日本
電子機械工業会の電子機器用積層磁器コンデンサ（チッ
プ形） １４０−３６９８Ｂ）に述べられているごとく
、積層コンデンサの絶縁抵抗として１１００ＯＯΩ 以
上または芥量抵抗債で５００μＦ−ＭΩ以上のいずれか
小さい１以上と規定されている。すなわち磁器組成物の
誘電率と比抵抗の積がある絶対値以上なければ、任意の
容量、特に大きな容量のコンデンサを実用的規格に合せ
ることができず、その用途が非常に限定され、実用的な
意味がなくなる。この点を詳しく説明すると次の様にな
る。積層形コンデンサでは、ｎ＋１個の内部電極を構成
して一般にｎ個の同じ厚さの層からなる単゛一層コンデ
ンサが積層された構造になっている。この場合、単一層
当りの容量をＣ・ｏ１絶縁抵抗ヲ１（ｏ、とすれは、積
層形コンデンサの容量ＣはＣ０のｎ倍になり、絶縁抵抗
ＲはＲ６の１／ｎ になる。ここで磁器組成物の誘電率
を６、真空の誘電率をεい磁器組成物の比抵抗をρ、単
一層コンデンサの磁器の厚さを６１重なる！極面積をＳ
とずれは、単一層コンデンサのＣ８は（εｏｇｓ）／ｄ
となりＲ６は（ρｄ）／Ｓとなる。
従ってｎ層からなる積層コンデンサの容量０と絶縁抵抗
（杓の積ＯＸＲは〔（ρｄ）／（ｎｓ））Ｘ（（ｎε０
εＳ）／ｄ）＝６０ερとなる。すなわちどのような容
量の積層コンデンサもその容量・抵抗積（ＯＸ’Ｒ）は
、磁器組成物のεとρの積にε。をを乗じた一定値（ε
０ερ）に規格化される。容量・抵抗積ＯＸＲが５００
μＦ’、ＭΩＴｒ、にわち５００Ｆ・Ω以上ということ
は、ｇ０＝８．８５５Ｘ１０ ” Ｆ／ｃｍより、Ｏｘ
Ｒ＝ｇ。ｉ ｐ＝８．８５５刈Ｑ ” （Ｆ／ｃｍ）
ＸεＸρ≧５００Ｆ・Ω、よってερ≧５．６５Ｘ１０
”Ω・儂なる要求がある。例えばε＝１００００では
ρ≧５．６５ＸＩＯ”Ω・の、 ｇ＝３０００ではρ≧
１．８８ Ｘ１０１２Ω・儒、ε＝５００ ではρ〉１
．１３ Ｘｌ０１３Ω・儂が要求される。誘電率に応じ
てこれらの値以上のρを持つ磁器組成物であれはどのよ
うに大きな容量の積層コンデンサも容量・抵抗積は５０
０μＦ・ＭΩを満足する。もしεが３０００でρが要求
値より１桁低い１．８８ Ｘ １０ ”Ω・いとすれは
ε０ερ＝５０μＦ−ＭΩで５００μＦ−ＭΩは満足せ
ず、絶縁抵抗の規格値である１１００ＯＯΩすなわち、
１０１０Ω以上を満足するｌこは１容量Ｃとして０．０
０５μＦ以下に限定されなければならない。それはこの
積層コンデンサの容量・抵抗値（ＯＸ ）Ｌ ）は常に
５０μＦ−ＭΩを示しているので、Ｒが１０００ＯＯΩ
のとき、０は０．００５μＦとなり、Ｃかこれより太き
ければ几は１１００ＯＯΩ より小さくなり、０．００
５μＦが規格を満たす最高の容量となるためである。従
って磁器組成物の比抵抗が低いとその材料の実用性、特
に積層形コンデンサの特長である小型大容量の特長を生
かすことはできないし、全く意味のないことにもなる。
（杓の積ＯＸＲは〔（ρｄ）／（ｎｓ））Ｘ（（ｎε０
εＳ）／ｄ）＝６０ερとなる。すなわちどのような容
量の積層コンデンサもその容量・抵抗積（ＯＸ’Ｒ）は
、磁器組成物のεとρの積にε。をを乗じた一定値（ε
０ερ）に規格化される。容量・抵抗積ＯＸＲが５００
μＦ’、ＭΩＴｒ、にわち５００Ｆ・Ω以上ということ
は、ｇ０＝８．８５５Ｘ１０ ” Ｆ／ｃｍより、Ｏｘ
Ｒ＝ｇ。ｉ ｐ＝８．８５５刈Ｑ ” （Ｆ／ｃｍ）
ＸεＸρ≧５００Ｆ・Ω、よってερ≧５．６５Ｘ１０
”Ω・儂なる要求がある。例えばε＝１００００では
ρ≧５．６５ＸＩＯ”Ω・の、 ｇ＝３０００ではρ≧
１．８８ Ｘ１０１２Ω・儒、ε＝５００ ではρ〉１
．１３ Ｘｌ０１３Ω・儂が要求される。誘電率に応じ
てこれらの値以上のρを持つ磁器組成物であれはどのよ
うに大きな容量の積層コンデンサも容量・抵抗積は５０
０μＦ・ＭΩを満足する。もしεが３０００でρが要求
値より１桁低い１．８８ Ｘ １０ ”Ω・いとすれは
ε０ερ＝５０μＦ−ＭΩで５００μＦ−ＭΩは満足せ
ず、絶縁抵抗の規格値である１１００ＯＯΩすなわち、
１０１０Ω以上を満足するｌこは１容量Ｃとして０．０
０５μＦ以下に限定されなければならない。それはこの
積層コンデンサの容量・抵抗値（ＯＸ ）Ｌ ）は常に
５０μＦ−ＭΩを示しているので、Ｒが１０００ＯＯΩ
のとき、０は０．００５μＦとなり、Ｃかこれより太き
ければ几は１１００ＯＯΩ より小さくなり、０．００
５μＦが規格を満たす最高の容量となるためである。従
って磁器組成物の比抵抗が低いとその材料の実用性、特
に積層形コンデンサの特長である小型大容量の特長を生
かすことはできないし、全く意味のないことにもなる。
よって磁器組成物の誘電率と比抵抗の積がある値以上を
持つことが実用上極めて重要なことである。
持つことが実用上極めて重要なことである。
また、積層形チップコンデンサの場合は、チップコンデ
ンサを基板に実装したとき、基板とチップコンデンサを
構成している磁器組成物との熱膨張係数の違いにより、
チップコンデンサに機械的な歪が加わり、チップコンデ
ンサにクラックが発生したり、破損したりすることがあ
る。またエポキシ系樹脂等を外装したディップコンデン
サの場合も外装樹脂の耐力でディップコンデンサこクラ
ックが発生する場合がある。いずれの場合もコンデンサ
を形成している磁器の機械的強度が低いほど、クラック
が入りや丁く容易に破損するため、信頼性が低くなる。
ンサを基板に実装したとき、基板とチップコンデンサを
構成している磁器組成物との熱膨張係数の違いにより、
チップコンデンサに機械的な歪が加わり、チップコンデ
ンサにクラックが発生したり、破損したりすることがあ
る。またエポキシ系樹脂等を外装したディップコンデン
サの場合も外装樹脂の耐力でディップコンデンサこクラ
ックが発生する場合がある。いずれの場合もコンデンサ
を形成している磁器の機械的強度が低いほど、クラック
が入りや丁く容易に破損するため、信頼性が低くなる。
したがって、磁器の機械的強度をできるだけ増大させる
ことは実用上極めて重要なことである。
ことは実用上極めて重要なことである。
ａころでＰｂ（Ｍｇ、Ｗ、）０３−ＰｂＴｉＯ，、Ｉｔ
磁器組成物ｌこついては既にエヌ、エヌ、クライニクと
エイ、アイ、アグラノフスヵヤ（Ｎ、Ｎ。
磁器組成物ｌこついては既にエヌ、エヌ、クライニクと
エイ、アイ、アグラノフスヵヤ（Ｎ、Ｎ。
Ｋｒａｉｎｉｋ ａｎｄ Ａ、１．Ａｇｒａｎｏｖｓｋ
ａｙａ（Ｆｉｚｉｋｏ Ｔｖｅｒｄｏｇｏ Ｔｅ１ａ、
Ｖｏ、２、Ａ１、ｐｐ７０〜７２、Ｊａｎｖａｒａ １
９６０））より提案があったが、積層形コンデンサを作
製する際に評価されるべき特性の中で誘電率とその温度
特性の記載しかなく、その実用性は明らかでなかった。
ａｙａ（Ｆｉｚｉｋｏ Ｔｖｅｒｄｏｇｏ Ｔｅ１ａ、
Ｖｏ、２、Ａ１、ｐｐ７０〜７２、Ｊａｎｖａｒａ １
９６０））より提案があったが、積層形コンデンサを作
製する際に評価されるべき特性の中で誘電率とその温度
特性の記載しかなく、その実用性は明らかでなかった。
また（ＳｒＸＰｂ、、Ｔｉｅ、）ａ（ＰｂＭｇｏ、５Ｗ
。、５０．）ｂ （ただし、ｘ ＝ ０〜０．１０．ａ
は０．３５〜０．５、ｂは０．５〜０．６５ であり、
そしてａ＋ｂ＝１）について、モノリシックコンデンサ
およびその製造方法として特開昭５２−２１６６２号公
報に開示され、また誘電体粉末組成物として特開昭５２
−２１６９９号公報に開示されている。ここにおいても
組成物の特性さして誘電率が約２０００〜ｓ ｏ ｏ
ｏ、誘電損失が０．５％〜５．０％という記載はあるが
比抵抗あるいは容量抵抗積については全く記載がなく実
用性は明らかでなかった。さらにＰｂ（Ｍｇ％Ｗ％）Ｏ
ｓ とＰｂＴｉＯｓを主とする組成物であって、Ｐｂ（
Ｍｇ３（Ｗ３（） Ｏｊカ２ ｏ、ｏ 〜７０．０−Ｆ
−／ｌ／％、ＰｂＴｉ０１が３０．０〜８０．０モル％
の範囲の組成物ｌこ対し、ＭｇＱ量を計算値の３０％以
下添加含有したことを特徴とする高誘電率磁器組成物か
特開昭 ５５−１４４６０９ 号公報として開示されて
いる。しかしながらこの特許においても誘電率が杓２３
００〜７１００で誘電損失が０．３％〜２．１％という
記載のほかに誘電率の温度特性の記載はあるが、比抵抗
あるいは容量抵抗積に関Ｔる記載はな（この組成物につ
いても実用性は明らかでない。次に本発明者達は既に９
１０℃〜９５０℃の温度で焼結でき、Ｐｂ（Ｍｇ Ｗ
）Ｏｓ とＰｂＴｉ０１Ｍ二ｇ分から３４ ％ なり、これを（Ｐｂ（Ｍｇ、Ｗ、）０３）Ｘ（Ｐｂ’Ｉ
’ｉ０３ ） １−Ｘ と表わシタときにＸが０．６５
＜ｘ４１．００の範囲にある組成物を提案している・こ
の組成物は、誘電率と比抵抗の積が５．６５Ｘ１０ Ω
・ａ 以上の高い値を持ち、誘電損失の小さい優れた電
気的特性を有している。しかしながら上記組成物は、い
ずれも機械的強度が低いため、その用途は自ら狭い範囲
に限定せざ紳得なかった。
。、５０．）ｂ （ただし、ｘ ＝ ０〜０．１０．ａ
は０．３５〜０．５、ｂは０．５〜０．６５ であり、
そしてａ＋ｂ＝１）について、モノリシックコンデンサ
およびその製造方法として特開昭５２−２１６６２号公
報に開示され、また誘電体粉末組成物として特開昭５２
−２１６９９号公報に開示されている。ここにおいても
組成物の特性さして誘電率が約２０００〜ｓ ｏ ｏ
ｏ、誘電損失が０．５％〜５．０％という記載はあるが
比抵抗あるいは容量抵抗積については全く記載がなく実
用性は明らかでなかった。さらにＰｂ（Ｍｇ％Ｗ％）Ｏ
ｓ とＰｂＴｉＯｓを主とする組成物であって、Ｐｂ（
Ｍｇ３（Ｗ３（） Ｏｊカ２ ｏ、ｏ 〜７０．０−Ｆ
−／ｌ／％、ＰｂＴｉ０１が３０．０〜８０．０モル％
の範囲の組成物ｌこ対し、ＭｇＱ量を計算値の３０％以
下添加含有したことを特徴とする高誘電率磁器組成物か
特開昭 ５５−１４４６０９ 号公報として開示されて
いる。しかしながらこの特許においても誘電率が杓２３
００〜７１００で誘電損失が０．３％〜２．１％という
記載のほかに誘電率の温度特性の記載はあるが、比抵抗
あるいは容量抵抗積に関Ｔる記載はな（この組成物につ
いても実用性は明らかでない。次に本発明者達は既に９
１０℃〜９５０℃の温度で焼結でき、Ｐｂ（Ｍｇ Ｗ
）Ｏｓ とＰｂＴｉ０１Ｍ二ｇ分から３４ ％ なり、これを（Ｐｂ（Ｍｇ、Ｗ、）０３）Ｘ（Ｐｂ’Ｉ
’ｉ０３ ） １−Ｘ と表わシタときにＸが０．６５
＜ｘ４１．００の範囲にある組成物を提案している・こ
の組成物は、誘電率と比抵抗の積が５．６５Ｘ１０ Ω
・ａ 以上の高い値を持ち、誘電損失の小さい優れた電
気的特性を有している。しかしながら上記組成物は、い
ずれも機械的強度が低いため、その用途は自ら狭い範囲
に限定せざ紳得なかった。
本発明は以上の点にかんがみ９００〜１０００℃の低温
領域で焼結でき、かつ誘電率と比抵抗の積が５．６５Ｘ
１０”Ω−ｅｌｌ （、Ｔなわち容量抵抗積が５００μ
ｍ” −Ｍｇ）以上の高い値を持ち、誘電損失が小さい
優れた電気的特性を有し、更に機械的強腿も大きい磁器
組成物を提供しようとするものであり、マグネシウム・
タングステン酸鉛（Ｐｂ（Ｍｇ３ＡＷ、）０３〕とチタ
ン酸鉛（ＰｂＴｉ０３）からなる二成分組成物ｉｐｂ（
Ｍｇ ３ＡＷＨ）Ｏｎ ）ｘ（ＰｂＴｉ０３）１−Ｘ
と表わしたときにＸが０．５０≦Ｘ≦１．０００）範囲
内にある主成分組成物に副成分として、マンガン・タン
グステン酸鉛（Ｐｂ （ＭｎｂＷ３Ａ）Ｏｓ ）を主成
分に対して０．０５〜３ｍｏ１％添加含有せしめること
を特徴とするものである。
領域で焼結でき、かつ誘電率と比抵抗の積が５．６５Ｘ
１０”Ω−ｅｌｌ （、Ｔなわち容量抵抗積が５００μ
ｍ” −Ｍｇ）以上の高い値を持ち、誘電損失が小さい
優れた電気的特性を有し、更に機械的強腿も大きい磁器
組成物を提供しようとするものであり、マグネシウム・
タングステン酸鉛（Ｐｂ（Ｍｇ３ＡＷ、）０３〕とチタ
ン酸鉛（ＰｂＴｉ０３）からなる二成分組成物ｉｐｂ（
Ｍｇ ３ＡＷＨ）Ｏｎ ）ｘ（ＰｂＴｉ０３）１−Ｘ
と表わしたときにＸが０．５０≦Ｘ≦１．０００）範囲
内にある主成分組成物に副成分として、マンガン・タン
グステン酸鉛（Ｐｂ （ＭｎｂＷ３Ａ）Ｏｓ ）を主成
分に対して０．０５〜３ｍｏ１％添加含有せしめること
を特徴とするものである。
以下本発明を実施例により詳細に説明する。
出発原料として純度９９．９９ｂ以上の酸化鉛（ｐｂｏ
）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化タングステン（
ＷＯｓ）、酸化チタン（Ｔｉｅ、χ および次酸マンガ
ン（ＭｎＯＯｓ ） を使用し、表に示した配合比とな
るように各々秤量する。次に秤量した各材料をボールミ
ル中で湿式混合した後７５０〜３００℃で予焼を行ない
、この粉末をボールミルで粉砕し、日別、乾燥後、有機
バインダーを入れ整粒後プレスし、直径１６ｍ１厚さ約
２ｍの円板４枚と、直径１６■、厚さ約１０ガの円柱を
作製した。次に空気中９００〜１０００℃の温度で１時
間焼結した。
）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化タングステン（
ＷＯｓ）、酸化チタン（Ｔｉｅ、χ および次酸マンガ
ン（ＭｎＯＯｓ ） を使用し、表に示した配合比とな
るように各々秤量する。次に秤量した各材料をボールミ
ル中で湿式混合した後７５０〜３００℃で予焼を行ない
、この粉末をボールミルで粉砕し、日別、乾燥後、有機
バインダーを入れ整粒後プレスし、直径１６ｍ１厚さ約
２ｍの円板４枚と、直径１６■、厚さ約１０ガの円柱を
作製した。次に空気中９００〜１０００℃の温度で１時
間焼結した。
焼結した円板４枚の上下面に６００℃で銀！極を焼付け
、デジタルＬＯＲメーターで周波数ＩＫＨｚ。
、デジタルＬＯＲメーターで周波数ＩＫＨｚ。
電圧ＩＶｒ、ｍ、ｓ、温度２０℃で容量と誘電損失を測
定し、誘電率を算出した。次に超絶縁抵抗計で５０Ｖの
電圧を１分間印加して絶縁抵抗を温度２０℃で測定し、
比抵抗を算出した。機械的性質を抗折強匿で評価するた
め、焼結した円柱から厚さ０．５ ｍ 、幅２ ｗｘ
ｓ長さ約１３ｍの矩形板を１０枚切り出した。支点間距
Ｍを９ｍにより、三点法で破ｑ（Ｑ、硼〕 壊荷重Ｐｒｏ（ｌｉｐ）を測定し、ｒ ２ｗｔなる式に
従い、抗折強度τ（？／ｄ）をめた。
定し、誘電率を算出した。次に超絶縁抵抗計で５０Ｖの
電圧を１分間印加して絶縁抵抗を温度２０℃で測定し、
比抵抗を算出した。機械的性質を抗折強匿で評価するた
め、焼結した円柱から厚さ０．５ ｍ 、幅２ ｗｘ
ｓ長さ約１３ｍの矩形板を１０枚切り出した。支点間距
Ｍを９ｍにより、三点法で破ｑ（Ｑ、硼〕 壊荷重Ｐｒｏ（ｌｉｐ）を測定し、ｒ ２ｗｔなる式に
従い、抗折強度τ（？／ｄ）をめた。
ただじｌは支点間距離、ｔは試料の厚み、Ｗは試料の幅
である。電気的特性は円板試料４点の平均値、抗折強度
は矩形板試料１ｏ点の平均値よりめた。このようにして
得られた磁器の主成分〔Ｐｂ（Ｍｇ ３（ＷＭ ）Ｏｓ
） Ｘ（Ｐ ｂ ’Ｉ’ ｔ Ｏｓ ） １ ｘ Ｏ
）配合比Ｘおよび副成分添加量と抗折強度、誘電率、誘
電損失および容量抵抗積（表ではε。ερ と表示した
）の関係を表に示す。
である。電気的特性は円板試料４点の平均値、抗折強度
は矩形板試料１ｏ点の平均値よりめた。このようにして
得られた磁器の主成分〔Ｐｂ（Ｍｇ ３（ＷＭ ）Ｏｓ
） Ｘ（Ｐ ｂ ’Ｉ’ ｔ Ｏｓ ） １ ｘ Ｏ
）配合比Ｘおよび副成分添加量と抗折強度、誘電率、誘
電損失および容量抵抗積（表ではε。ερ と表示した
）の関係を表に示す。
注） 試料番号に＊印を付したものは本発明の請求範囲
に金談れない。
に金談れない。
表に示した結果からも明らかなように副成分として、マ
ンガン・タングステン酸鉛（Ｐｂ（Ｍｎ３（Ｗ３Ａ ）
Ｏｎ ）’ｐ添加含有せしめることにより、抗折強度
および容量抵抗積を共に高め、しかも低い誘電損失の値
を保った信頼性の高い実用性に富む優れた高誘電率磁器
組成物が得られることがわかる。
ンガン・タングステン酸鉛（Ｐｂ（Ｍｎ３（Ｗ３Ａ ）
Ｏｎ ）’ｐ添加含有せしめることにより、抗折強度
および容量抵抗積を共に高め、しかも低い誘電損失の値
を保った信頼性の高い実用性に富む優れた高誘電率磁器
組成物が得られることがわかる。
こうした優れた特性を示す本発明の磁器組成物は焼結温
度が１０００℃以下の低温であるため積層コンデンサの
内部電極の低価格化を実現できると共に、省エネルギー
や炉材の節約にもなるという極めて優れた効果も生じる
。
度が１０００℃以下の低温であるため積層コンデンサの
内部電極の低価格化を実現できると共に、省エネルギー
や炉材の節約にもなるという極めて優れた効果も生じる
。
なお主成分配合比Ｘが０．５未満では、容量抵抗積が規
格値より小さくなり、誘電損失も０．５％を越えるため
実用的でない。才た副成分であるＰ ｂ （Ｍ ｎ Ｍ
ＷＭ ） Ｏｎ の添加量が０．０５％未満では抗折強
度の改善効果が小さく、３ｍｏ１％を超えると逆に抗折
強度が小さくなり実用的でない。
格値より小さくなり、誘電損失も０．５％を越えるため
実用的でない。才た副成分であるＰ ｂ （Ｍ ｎ Ｍ
ＷＭ ） Ｏｎ の添加量が０．０５％未満では抗折強
度の改善効果が小さく、３ｍｏ１％を超えると逆に抗折
強度が小さくなり実用的でない。
Claims (1)
- マグネシウム・タングステン酸鉛（Ｐｂ（Ｍｇ％Ｗ、）
０．）とチタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ８）からなる二成分組
成物を（Ｐｂ（Ｍｇ、ｗ、）Ｏｎ）ｘ（ＰｂＴｉＯ，）
城と表わしたときにＸが０．５０≦Ｘ≦ｉ、ｏｏの範囲
内にある主成分組成物に副成分としてマンガン・タング
ステン酸鉛（Ｐｂ（Ｍｎ、４’Ｗ３（）Ｕｓ ） ｆ主
成分に対して０．０５〜３ｍｏ１％添加含有せしめるこ
とを特徴とする磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58127222A JPS6021860A (ja) | 1983-07-13 | 1983-07-13 | 磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58127222A JPS6021860A (ja) | 1983-07-13 | 1983-07-13 | 磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6021860A true JPS6021860A (ja) | 1985-02-04 |
| JPS6227025B2 JPS6227025B2 (ja) | 1987-06-11 |
Family
ID=14954744
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58127222A Granted JPS6021860A (ja) | 1983-07-13 | 1983-07-13 | 磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6021860A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6033255A (ja) * | 1983-07-28 | 1985-02-20 | 日本電気株式会社 | 磁器組成物 |
| JPS6336283A (ja) * | 1986-07-31 | 1988-02-16 | Showa Electric Wire & Cable Co Ltd | 熱定着ロ−ラ |
| US5049943A (en) * | 1989-05-24 | 1991-09-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Fixing rotating member coated with an elastic layer and an offset prevention layer with a predetermined oil absorption rate |
-
1983
- 1983-07-13 JP JP58127222A patent/JPS6021860A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6033255A (ja) * | 1983-07-28 | 1985-02-20 | 日本電気株式会社 | 磁器組成物 |
| JPS6336283A (ja) * | 1986-07-31 | 1988-02-16 | Showa Electric Wire & Cable Co Ltd | 熱定着ロ−ラ |
| US5049943A (en) * | 1989-05-24 | 1991-09-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Fixing rotating member coated with an elastic layer and an offset prevention layer with a predetermined oil absorption rate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6227025B2 (ja) | 1987-06-11 |
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