JPS6021858A - 磁器組成物 - Google Patents
磁器組成物Info
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- JPS6021858A JPS6021858A JP58127220A JP12722083A JPS6021858A JP S6021858 A JPS6021858 A JP S6021858A JP 58127220 A JP58127220 A JP 58127220A JP 12722083 A JP12722083 A JP 12722083A JP S6021858 A JPS6021858 A JP S6021858A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capacitance
- dielectric constant
- capacitor
- composition
- resistance
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁器組成物、特に、１０００℃以下の低温で焼
結でき、誘電率と比抵抗の積が高（、しかも機械的強度
の高い磁器組成物に関するものである。
結でき、誘電率と比抵抗の積が高（、しかも機械的強度
の高い磁器組成物に関するものである。
従来、誘電体磁器組成物として、チタン酸バリウム（Ｂ
ａＴｉＯ，）を主成分とする磁器組成物が広く実用化さ
れていることは周知のとおりである。しかしながら、チ
タン酸バリウム（ＢａＴｊＯｓ ）を主成分とするもの
は、焼結温度が通常１３００〜１４００℃の高温である
。このためこれを４１４形コンデンサに利用する場合に
は内部電極としてこの焼結温度に耐え得る材料、例えば
白金、パラジウムなどの高温な責金編を使用しなければ
ならず、製造コストが高くつくという欠点がある。積層
形コンデンサを安く作るためには銀、ニッケルなどを主
成分とする安価な金属が内部電極に使用できるようなで
きるだけ低温、特に１０００℃以下で焼結できる磁器組
成物が必要である。
ａＴｉＯ，）を主成分とする磁器組成物が広く実用化さ
れていることは周知のとおりである。しかしながら、チ
タン酸バリウム（ＢａＴｊＯｓ ）を主成分とするもの
は、焼結温度が通常１３００〜１４００℃の高温である
。このためこれを４１４形コンデンサに利用する場合に
は内部電極としてこの焼結温度に耐え得る材料、例えば
白金、パラジウムなどの高温な責金編を使用しなければ
ならず、製造コストが高くつくという欠点がある。積層
形コンデンサを安く作るためには銀、ニッケルなどを主
成分とする安価な金属が内部電極に使用できるようなで
きるだけ低温、特に１０００℃以下で焼結できる磁器組
成物が必要である。
ところで磁器組成物を用い、実用的な積層形コンデンサ
を作製するときに磁器組成物の電気的特性として多くの
項目が評価されなければならない１、一般的に誘電率は
できるだけ大きく、誘電損失はできるだけ小さく、比抵
抗はできるだけ大きく、誘電率の温度変化は小さいこと
などが要求される。
を作製するときに磁器組成物の電気的特性として多くの
項目が評価されなければならない１、一般的に誘電率は
できるだけ大きく、誘電損失はできるだけ小さく、比抵
抗はできるだけ大きく、誘電率の温度変化は小さいこと
などが要求される。
しかしながら、実用上積層形コンデンサにおいては誘電
率でなく、まず容量、次に容量の温度変化率、誘電損失
などの値が必要とされる。積層形コンデンサにおいて、
容量は磁器組成物の誘電率に比例するが、しかしその厚
みに反比例し、電極面積、積層数に比例するので、一定
の容量を得るためには磁器組成物の誘電率が大きいこと
は必ずしも絶対的な要因でない。さらに容量の温度変化
率（誘電率の温度変化率）は用途により種々許容された
範囲があり、磁器組成物の誘１率の温度変化率も積層形
コンデンサを作製するときの絶対的な要因でない。
率でなく、まず容量、次に容量の温度変化率、誘電損失
などの値が必要とされる。積層形コンデンサにおいて、
容量は磁器組成物の誘電率に比例するが、しかしその厚
みに反比例し、電極面積、積層数に比例するので、一定
の容量を得るためには磁器組成物の誘電率が大きいこと
は必ずしも絶対的な要因でない。さらに容量の温度変化
率（誘電率の温度変化率）は用途により種々許容された
範囲があり、磁器組成物の誘１率の温度変化率も積層形
コンデンサを作製するときの絶対的な要因でない。
一方誘厩損失は用途により一定の値以下でなければなら
ないという規定があり室温で最大５．０％以下である。
ないという規定があり室温で最大５．０％以下である。
さらに比抵抗に関しては、例えばＩ（ＩＡＪ規格〔日本
電子機械工業会の電子機器用積層磁器コンデンサ（チッ
プ形）ＲＣ−３６９８Ｂ）に述べられているごとく、積
層コンデンサの絶縁抵抗として１００００ ＭΩ以上ま
たは容量抵抗積で５００μＦ −ＭΩ以上のいずれか小
さい方以上と規定されている。すなオ）ち磁器組成物の
誘電率と比抵抗の積がある絶対値以上ｌｊければ、任意
の容量、特に大きな容量のコンデンサを実用的規格に合
せることができず、゛その用途が非常に限定され、実用
的な意味がなくなる。この点を詳しく説明すると次の様
になる。積層形コンデンサでは、ｎ＋１個の内部電極を
構成して一般にｎ個の同じ厚さの層からなる単一層コン
デンサが積層された構造になっている。この場合、単一
層当りの容量をｃｏ、絶縁抵抗を鳥とすれば、積層形コ
ンデンサの容量ＣはＣｏＱ）ｎ倍になり、絶縁抵抗Ｒは
馬の１／ｎになる。
電子機械工業会の電子機器用積層磁器コンデンサ（チッ
プ形）ＲＣ−３６９８Ｂ）に述べられているごとく、積
層コンデンサの絶縁抵抗として１００００ ＭΩ以上ま
たは容量抵抗積で５００μＦ −ＭΩ以上のいずれか小
さい方以上と規定されている。すなオ）ち磁器組成物の
誘電率と比抵抗の積がある絶対値以上ｌｊければ、任意
の容量、特に大きな容量のコンデンサを実用的規格に合
せることができず、゛その用途が非常に限定され、実用
的な意味がなくなる。この点を詳しく説明すると次の様
になる。積層形コンデンサでは、ｎ＋１個の内部電極を
構成して一般にｎ個の同じ厚さの層からなる単一層コン
デンサが積層された構造になっている。この場合、単一
層当りの容量をｃｏ、絶縁抵抗を鳥とすれば、積層形コ
ンデンサの容量ＣはＣｏＱ）ｎ倍になり、絶縁抵抗Ｒは
馬の１／ｎになる。
ここで磁器組成物の誘電率を６．真壁の誘電率をεｏ、
磁器組成物の比抵抗をρ、単一層コンデンサの磁器の厚
さを４１重なる電極面積をＳとすれば、単一層コンデン
サのＣ６は（ε。Ｃ８）／ｄ となりＲ６は（ρｄ）／
８となる。従ってｎ層からなる積層コンデンサの容量（
Ｃ）と絶縁抵抗（Ｒ１の積ＣＸＲは〔（ρｄ）／（”８
）） Ｘ （（ｎｇ、ｇ８）／ｄ） ＝＝ ｇｏερ
となる。すなわち、どのような容量の積層コンデンサも
その容量・抵抗積（ＣＸＲ）は、磁器組成物のεとρの
積に６０を乗じた一定値（ε０ερ）に規格化される。
磁器組成物の比抵抗をρ、単一層コンデンサの磁器の厚
さを４１重なる電極面積をＳとすれば、単一層コンデン
サのＣ６は（ε。Ｃ８）／ｄ となりＲ６は（ρｄ）／
８となる。従ってｎ層からなる積層コンデンサの容量（
Ｃ）と絶縁抵抗（Ｒ１の積ＣＸＲは〔（ρｄ）／（”８
）） Ｘ （（ｎｇ、ｇ８）／ｄ） ＝＝ ｇｏερ
となる。すなわち、どのような容量の積層コンデンサも
その容量・抵抗積（ＣＸＲ）は、磁器組成物のεとρの
積に６０を乗じた一定値（ε０ερ）に規格化される。
容量・抵抗積ＣＸＲが５００μＦ＠ＭΩすなわち５００
Ｆ・Ω以上ということは、ε。＝ ８．８５５刈Ｑ−”
Ｆ／ｃｍ より、ＣＸＲ＝ ｇ、 ｉｐ ＝ ８．８５
５Ｘ１０−”（Ｆ／（ｍ）Ｘε×ρ≧５００Ｆ・Ω、よ
ってερ≧５．６５ ＸＩＯ”Ω壷αなる要求がある。
Ｆ・Ω以上ということは、ε。＝ ８．８５５刈Ｑ−”
Ｆ／ｃｍ より、ＣＸＲ＝ ｇ、 ｉｐ ＝ ８．８５
５Ｘ１０−”（Ｆ／（ｍ）Ｘε×ρ≧５００Ｆ・Ω、よ
ってερ≧５．６５ ＸＩＯ”Ω壷αなる要求がある。
例えばε＝ １００００ではρ≧５．６５Ｘ１０”Ω・
α。
α。
ε＝ ３０００ではρ≧１．８８ ＸＩＯ鳳２Ω・譚、
ε＝５００ ではρ≧１．１３ Ｘ １０”Ω・儂が要
求される。誘電率に応じてこれらの値以上のρを持つ磁
器組成物であればどのような大きな容量の積層コンデン
サも容量・抵抗積は５００μＦ、ＭΩを満足する。もし
εが３０００でρが要求値より１桁低い１．８８ ＸＩ
Ｏ”Ω・いとすればε０ερ＝５０μＦ＠ＭΩで５００
μＦ−ＭΩは満足せず、絶縁抵抗の規格値である１１０
０ＯＯΩすなわち、１０１００以上を満足するには容量
Ｃとして０．００５μＦ以下に限定されなければならな
い。それはこの積層コンデンサの容量・抵抗積（ＣｘＲ
）は常に５０μＦ、ＭΩを示しているので、■が１００
０ＯＯΩのとき、Ｃは０．００５μＦとなり、Ｃがこれ
より太きｉれば几は１００００ ＭΩより小さくなり、
０．００５μＦが規格を満たす最高の容量となるため
である。
ε＝５００ ではρ≧１．１３ Ｘ １０”Ω・儂が要
求される。誘電率に応じてこれらの値以上のρを持つ磁
器組成物であればどのような大きな容量の積層コンデン
サも容量・抵抗積は５００μＦ、ＭΩを満足する。もし
εが３０００でρが要求値より１桁低い１．８８ ＸＩ
Ｏ”Ω・いとすればε０ερ＝５０μＦ＠ＭΩで５００
μＦ−ＭΩは満足せず、絶縁抵抗の規格値である１１０
０ＯＯΩすなわち、１０１００以上を満足するには容量
Ｃとして０．００５μＦ以下に限定されなければならな
い。それはこの積層コンデンサの容量・抵抗積（ＣｘＲ
）は常に５０μＦ、ＭΩを示しているので、■が１００
０ＯＯΩのとき、Ｃは０．００５μＦとなり、Ｃがこれ
より太きｉれば几は１００００ ＭΩより小さくなり、
０．００５μＦが規格を満たす最高の容量となるため
である。
従って磁器組成物の比抵抗が低いとその材料の笑用性、
特に積層形コしデンサの特長である小型大容量の特長を
生かすことはできないし、全く意味のないことにもなる
。よって磁器組成物の誘電率と比抵抗の積がある値以上
を持つことが実用上極めて重要なことである。
特に積層形コしデンサの特長である小型大容量の特長を
生かすことはできないし、全く意味のないことにもなる
。よって磁器組成物の誘電率と比抵抗の積がある値以上
を持つことが実用上極めて重要なことである。
また、！＊Ｊｆ４形チップコンデンサの場合は、チップ
コンデンサを基板に実装したさき、基板とチップコンデ
ンサを構成している磁器組成物との熱膨張係数の違いに
より、チップコンデンサに機械的な歪が加わり、チップ
コンデンサにクラックが発生したり、破損したりするこ
とがある。またエポキシ系樹脂等を外装したディップコ
ンデンサの場合も外装樹脂の応力でディップコンデンサ
にクラックが発生する場合がある。いずれの場合もコン
デンサを形成している磁器の機械的強度が低いほど、ク
ラックが入りやすく容易に破損するため、信頼性が低く
なる。したがって、磁器の機械的強度をできるだけ増大
させることは実用上極めて重要なことである。
コンデンサを基板に実装したさき、基板とチップコンデ
ンサを構成している磁器組成物との熱膨張係数の違いに
より、チップコンデンサに機械的な歪が加わり、チップ
コンデンサにクラックが発生したり、破損したりするこ
とがある。またエポキシ系樹脂等を外装したディップコ
ンデンサの場合も外装樹脂の応力でディップコンデンサ
にクラックが発生する場合がある。いずれの場合もコン
デンサを形成している磁器の機械的強度が低いほど、ク
ラックが入りやすく容易に破損するため、信頼性が低く
なる。したがって、磁器の機械的強度をできるだけ増大
させることは実用上極めて重要なことである。
ところでＰｂ（ＭｇバＷ％）０．−ＰｂＴｉＯ，系磁器
組成物については既にエヌ、エヌ、クライニクとエイア
イ、アグラノフスカヤ（Ｎ 、Ｎ 、Ｋｒａｉｎｉｋ
ａｎｄＡ ＋Ｉ 、 Ａｇｒａｎｏｖｓｋａｙａ （Ｆ
ｉｚｉｋｏ Ｔｖｅｒｄｏｇｏ Ｔ、ｅｌａ。
組成物については既にエヌ、エヌ、クライニクとエイア
イ、アグラノフスカヤ（Ｎ 、Ｎ 、Ｋｒａｉｎｉｋ
ａｎｄＡ ＋Ｉ 、 Ａｇｒａｎｏｖｓｋａｙａ （Ｆ
ｉｚｉｋｏ Ｔｖｅｒｄｏｇｏ Ｔ、ｅｌａ。
Ｖｏ、２．Ｊｃｉｌ 、 ｐｐ’ｙｏ 〜７２．Ｊａｎ
ｖａｒａ １９６０））より提案があったが、積層形コ
ンデンサを作製する際に評価されるべき特性の中で誘電
率とその温度特性記載しかなく、その実用性は明らかで
なかった。また（ ５ｒｘＰｂ１−ｘＴｉＯａ ）ａ（
ＰｂＭｇｏ、ｓＷｏ、ｓＯｓ ）ｂ〔タタシ、ｘ＝ ０
−０．１０ 、 ａハ０．３５〜０．５ 、 ｂハ０．
５〜０．６５であり、モしてａ＋ｂ＝１）について、モ
ノリシックコンデンザおよびその製造方法としてＩ＃開
昭５２−２１６６２号公報に開示され、また＠電体粉末
組成物として特開昭５２−２１６９９号公報に開示され
ている。ここにおいても組成物の特性として誘電率が約
２０００〜８０００ 銹電損失カ０．！ｌｌ〜５．０チ
という記載はあるが比抵抗あるいは容量抵抗積について
は全く記載がなく実用性は明らかであツタ。さらニＰｂ
（Ｍｇ、Ｗ、）０． トＰｂＴｉＯｓ ヲ主トスル組成
物テあッテ、ｐｂ（Ｍｇ３４ｗ％ ） ０． カ２０．
０〜７０．０ モ／Ｌ、 ％ 、 ＰｂＴｉ０． カ３
０．０〜８０．Ｏモ／ｌ、 ％（７）範囲の組成物に対
し、ＭｇＯ量を計算値の３０−以下添加含有したことを
特徴とする高誘電率磁器組成物が特開昭５５−１４４６
０９号公報として開示されている。
ｖａｒａ １９６０））より提案があったが、積層形コ
ンデンサを作製する際に評価されるべき特性の中で誘電
率とその温度特性記載しかなく、その実用性は明らかで
なかった。また（ ５ｒｘＰｂ１−ｘＴｉＯａ ）ａ（
ＰｂＭｇｏ、ｓＷｏ、ｓＯｓ ）ｂ〔タタシ、ｘ＝ ０
−０．１０ 、 ａハ０．３５〜０．５ 、 ｂハ０．
５〜０．６５であり、モしてａ＋ｂ＝１）について、モ
ノリシックコンデンザおよびその製造方法としてＩ＃開
昭５２−２１６６２号公報に開示され、また＠電体粉末
組成物として特開昭５２−２１６９９号公報に開示され
ている。ここにおいても組成物の特性として誘電率が約
２０００〜８０００ 銹電損失カ０．！ｌｌ〜５．０チ
という記載はあるが比抵抗あるいは容量抵抗積について
は全く記載がなく実用性は明らかであツタ。さらニＰｂ
（Ｍｇ、Ｗ、）０． トＰｂＴｉＯｓ ヲ主トスル組成
物テあッテ、ｐｂ（Ｍｇ３４ｗ％ ） ０． カ２０．
０〜７０．０ モ／Ｌ、 ％ 、 ＰｂＴｉ０． カ３
０．０〜８０．Ｏモ／ｌ、 ％（７）範囲の組成物に対
し、ＭｇＯ量を計算値の３０−以下添加含有したことを
特徴とする高誘電率磁器組成物が特開昭５５−１４４６
０９号公報として開示されている。
しかしながら、この特許においても誘電率が約２３００
〜７１００で誘電損失が０゜３チ〜２．１チという記載
のほかに誘電率の温度特性の記載はあるが、比抵抗ある
いは容量抵抗積に関する記載はなくこの組成物について
も実用性は明らかでない。次に本発明者達は既に９１０
℃〜９５０℃の温度で焼結でき、Ｐｂ （Ｍｇ ＭＷ３
Ａ） ０３とＰｂＴｉｏｓ系二成分からなり、これを（
Ｐｂ（Ｍｇ３４Ｗ％）Ｏｓ）ｘｌ：ＰｂＴｉ０ｓ）、−
ｘと表わしたときにＸが０．６５ （ｘ≦１．００の範
囲にある組成物を提案している。この組成物は、誘電率
と比抵抗の積が５．６５ Ｘ １ｏ１５Ω・ぼ以上の高
い値を持ち、誘電損失の小さい優れた電気的特性を有し
ている。
〜７１００で誘電損失が０゜３チ〜２．１チという記載
のほかに誘電率の温度特性の記載はあるが、比抵抗ある
いは容量抵抗積に関する記載はなくこの組成物について
も実用性は明らかでない。次に本発明者達は既に９１０
℃〜９５０℃の温度で焼結でき、Ｐｂ （Ｍｇ ＭＷ３
Ａ） ０３とＰｂＴｉｏｓ系二成分からなり、これを（
Ｐｂ（Ｍｇ３４Ｗ％）Ｏｓ）ｘｌ：ＰｂＴｉ０ｓ）、−
ｘと表わしたときにＸが０．６５ （ｘ≦１．００の範
囲にある組成物を提案している。この組成物は、誘電率
と比抵抗の積が５．６５ Ｘ １ｏ１５Ω・ぼ以上の高
い値を持ち、誘電損失の小さい優れた電気的特性を有し
ている。
しかしながら、上記組成物は、いずれも機械的強度が低
いため、その用途は自ら狭い範囲に限定せざるを得なか
った。
いため、その用途は自ら狭い範囲に限定せざるを得なか
った。
本発明は以上の点にかんがみ９００〜１０００℃の低温
領域で焼結でき、かつ誘電率と比抵抗の積が５．６５
×ｌＱ’５Ｑｅｃ１ｒＬ（すなわち容量抵抗積が５００
ｐ Ｆ −Ｍｎ）以上の高い値を持ち、誘電損失が小
さい優れた電気的特性を有し、更に機械的強度も大きい
磁器組成物を提供しようとするものであり、マグネシウ
ム・タングステン酸鉛（Ｐｂ（ＭｇＭＷ％）０．〕とチ
タン酸鉛（ＰｂＴｉＯ，）からなる二成分組成物をｐｂ
（Ｍｇ％ｗ％）ｏ、 ）ｘ（ＰｂＴｉＯ，）Ｉ Ｘ と
表わしたときにＸが０．５０≦Ｘ≦１．００の範囲内に
ある主成分組成物に副成分として、マンガン（Ｍｎ）を
主成分に対して０．０１〜１原子係添加含有せしめるこ
とを特徴とするものである。
領域で焼結でき、かつ誘電率と比抵抗の積が５．６５
×ｌＱ’５Ｑｅｃ１ｒＬ（すなわち容量抵抗積が５００
ｐ Ｆ −Ｍｎ）以上の高い値を持ち、誘電損失が小
さい優れた電気的特性を有し、更に機械的強度も大きい
磁器組成物を提供しようとするものであり、マグネシウ
ム・タングステン酸鉛（Ｐｂ（ＭｇＭＷ％）０．〕とチ
タン酸鉛（ＰｂＴｉＯ，）からなる二成分組成物をｐｂ
（Ｍｇ％ｗ％）ｏ、 ）ｘ（ＰｂＴｉＯ，）Ｉ Ｘ と
表わしたときにＸが０．５０≦Ｘ≦１．００の範囲内に
ある主成分組成物に副成分として、マンガン（Ｍｎ）を
主成分に対して０．０１〜１原子係添加含有せしめるこ
とを特徴とするものである。
以下、本発明を実施例により詳細に説明する。
出発原料として純度９９．９％以上の酸化鉛（ＰｂＯ）
。
。
酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化タングステン（Ｗｏ
ｓ）酸化チタン（Ｔｉｅ、）、および炭酸マンガン（Ｍ
ｎＣＯ，）を使用し、表に示した配合比となるように各
々秤量する。次に秤量した各材料をボールミル中で湿式
混合した後７５０〜８００℃で予焼を行ない、この粉末
をボールミルで粉砕し、日別、乾燥後、有機バインダー
を入れ整粒後プレスし、直径１６１１ｍ、厚さ約２鮎の
円板４枚と、直径１６朋、厚さ約ＩＱ＋＋ｎの円柱を作
製した。次に空気中９００〜１０００℃の温度で１時間
焼結した。焼結した円板４枚の上下面に６００”Ｃで銀
電極を焼付け、デジタルＬＣＲメーターで周波数Ｉ Ｋ
Ｈｚ 、 ［圧Ｉ Ｖｒ、ｍ、 ｓ 、温度２０℃で容
量と誘電損失を測定し、誘電率を算出した。次に超絶縁
抵抗計で５０Ｖの電圧を１分間印加して絶縁抵抗を温度
２０℃で測定し、比抵抗を算出した。
ｓ）酸化チタン（Ｔｉｅ、）、および炭酸マンガン（Ｍ
ｎＣＯ，）を使用し、表に示した配合比となるように各
々秤量する。次に秤量した各材料をボールミル中で湿式
混合した後７５０〜８００℃で予焼を行ない、この粉末
をボールミルで粉砕し、日別、乾燥後、有機バインダー
を入れ整粒後プレスし、直径１６１１ｍ、厚さ約２鮎の
円板４枚と、直径１６朋、厚さ約ＩＱ＋＋ｎの円柱を作
製した。次に空気中９００〜１０００℃の温度で１時間
焼結した。焼結した円板４枚の上下面に６００”Ｃで銀
電極を焼付け、デジタルＬＣＲメーターで周波数Ｉ Ｋ
Ｈｚ 、 ［圧Ｉ Ｖｒ、ｍ、 ｓ 、温度２０℃で容
量と誘電損失を測定し、誘電率を算出した。次に超絶縁
抵抗計で５０Ｖの電圧を１分間印加して絶縁抵抗を温度
２０℃で測定し、比抵抗を算出した。
機械的性質を抗折強度で評価するため、焼結した円柱か
ら厚さ０．５ ａｒｔ 、幅２１１Ｉｎ、長さ約１３１
１ＩＩＩＩの矩形板を１０枚切り出した。支点間距離を
９鴎により、三なる式に従い、抗折強度τ〔ψ徳２〕を
めた。ただしノは支点間距離、ｔは試料の厚み、Ｗは試
料の幅である。電気的特性は円板試料４点の平均値、抗
折強度は矩形板試料１０点の平均値よりめた。
ら厚さ０．５ ａｒｔ 、幅２１１Ｉｎ、長さ約１３１
１ＩＩＩＩの矩形板を１０枚切り出した。支点間距離を
９鴎により、三なる式に従い、抗折強度τ〔ψ徳２〕を
めた。ただしノは支点間距離、ｔは試料の厚み、Ｗは試
料の幅である。電気的特性は円板試料４点の平均値、抗
折強度は矩形板試料１０点の平均値よりめた。
このようにして得られた磁器の主成分（Ｐｂ（ｉＶ１ｇ
３（Ｗ）４ ） Ｏｓ ） ｘ （Ｐｂ’Ｉ ｔ Ｏｓ
） １−Ｘの配合比Ｘおよび副成分添加量と抗折強度
、誘電率、誘電損失および容量抵抗積（表ではε０ερ
と表示した）の関係を表に示す。
３（Ｗ）４ ） Ｏｓ ） ｘ （Ｐｂ’Ｉ ｔ Ｏｓ
） １−Ｘの配合比Ｘおよび副成分添加量と抗折強度
、誘電率、誘電損失および容量抵抗積（表ではε０ερ
と表示した）の関係を表に示す。
注）試料番号化＊印を付したものは本発明の請求範囲に
含まれない。
含まれない。
表に示した結果からも明らかなように副成分として、マ
ンガン（Ｍｎ）を添加含有せしめることにより、抗折強
度および容量抵抗積を共に高め、しかも低い誘電損失の
値を保った信頼性に富む優れた高誘電率磁器組成物が得
られることがわかる。
ンガン（Ｍｎ）を添加含有せしめることにより、抗折強
度および容量抵抗積を共に高め、しかも低い誘電損失の
値を保った信頼性に富む優れた高誘電率磁器組成物が得
られることがわかる。
こうした優れた特性を示す本発明の磁器組成物は焼結温
度が１０００℃以下の低温であるため積層コンデンサの
内部電極の低価格化を実現できると共に、省エネルギー
や炉材の節約にもなるという棲めて優れた効果も生じる
。
度が１０００℃以下の低温であるため積層コンデンサの
内部電極の低価格化を実現できると共に、省エネルギー
や炉材の節約にもなるという棲めて優れた効果も生じる
。
なお主成分配合比Ｘが０．５オ満では、容量抵抗積が規
格値より小さくなり、誘ｔｔ損失も５．０％を越えるた
め実用的でない。また副成分であるマンカン（Ｍｎ）の
添加量が０．０１原子９６未満では抗折強度の改善効果
が小さく、１原子チを超えると逆に抗折強度が小さくな
り実用的でない。
格値より小さくなり、誘ｔｔ損失も５．０％を越えるた
め実用的でない。また副成分であるマンカン（Ｍｎ）の
添加量が０．０１原子９６未満では抗折強度の改善効果
が小さく、１原子チを超えると逆に抗折強度が小さくな
り実用的でない。
Claims (1)
- マグネシウム・タングスデンｉ！鉛（Ｐｂ（Ｍｇ％Ｗ３
．４ ） Ｏｓ ）とチタン牟°鉛（ＰｂＴＩＯｓ）か
らなる二成分組成物ヲ（Ｐｂ （Ｍｇ３（Ｗ３（） （
Ｊ３ ） Ｘ （Ｐｂ’ｉ １０３ ）Ｉ Ｘと表わし
たときにＸが０．５０≦Ｘ≦１．００の範囲内にある主
成分組成物に副成分としてマンカン（Ｍ口）を主成分に
対して０．０１〜１原子係添加含有せしめることを特徴
とする磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58127220A JPS6021858A (ja) | 1983-07-13 | 1983-07-13 | 磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58127220A JPS6021858A (ja) | 1983-07-13 | 1983-07-13 | 磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6021858A true JPS6021858A (ja) | 1985-02-04 |
| JPS6227024B2 JPS6227024B2 (ja) | 1987-06-11 |
Family
ID=14954692
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58127220A Granted JPS6021858A (ja) | 1983-07-13 | 1983-07-13 | 磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6021858A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01214497A (ja) * | 1988-02-22 | 1989-08-28 | Dainippon Printing Co Ltd | 凹凸模様を形成する方法及びその方法に使用する凹凸模様形成用シート |
-
1983
- 1983-07-13 JP JP58127220A patent/JPS6021858A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01214497A (ja) * | 1988-02-22 | 1989-08-28 | Dainippon Printing Co Ltd | 凹凸模様を形成する方法及びその方法に使用する凹凸模様形成用シート |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6227024B2 (ja) | 1987-06-11 |
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