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JPS60149155A - 半導体装置の製造方法およびそれに使用されるリ−ドフレ−ム - Google Patents

半導体装置の製造方法およびそれに使用されるリ−ドフレ−ム

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Publication number
JPS60149155A
JPS60149155A JP59006097A JP609784A JPS60149155A JP S60149155 A JPS60149155 A JP S60149155A JP 59006097 A JP59006097 A JP 59006097A JP 609784 A JP609784 A JP 609784A JP S60149155 A JPS60149155 A JP S60149155A
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JP
Japan
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plating
lead frame
plated
lead
silver
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59006097A
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English (en)
Inventor
Mamoru Onda
護 御田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Cable Ltd
Original Assignee
Hitachi Cable Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Cable Ltd filed Critical Hitachi Cable Ltd
Priority to JP59006097A priority Critical patent/JPS60149155A/ja
Publication of JPS60149155A publication Critical patent/JPS60149155A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の背景と目的］ 本発明は半導体装置の製造方法およびそれに使用される
リードフレームに関する。
ＩＣ等半導体装置を組立てる際に使用されるリードフレ
ームは、一般にペレット状の半導体素子を固着するダイ
ボンド部、Ａｕ　、　Ａｊ！等の細線により前記半導体
素子と電気的に接続されるインナーリード部、およびア
ウターリード部から構成される。ダイボンド部おＪ：び
インナーリード部は、それぞれ高温半田付性を確保する
ためにＡＬＩ　１Ａｇ等の貴金属めっきが施されるが、
最近はボンディング技術の向上によりこのような貴金属
めっきが省略可能となる傾向にある。
このようなリードフレームを用いて半導体装置を組立て
る場合、まず半導体素子をダイボンド部に固着し、つい
で、Δｕ、Ｍ等の細線により前記半導体素子およびイン
ナーリード部をそれぞれワイヤボンディングし、これら
半導体素子およびインナーリード部分を樹脂モールドに
より封止して半導体装置を完成させる。このあと、樹脂
モールド部分からはみ出たアラタルリード部を半田めっ
きすることが従来行なわれる。これはアウターリード部
が最終的にプリント基板等の穴に挿入後半田付けされる
ときの半田付性を確保するために必要だからである。
ところで、この半田めっきであるが、従来完にされた半
導体装置に半田めっきを行なうためにとうしても半導体
装置たる製品を薬品であるめっき液に触れさせたり、高
温に加熱させたりすることによる製品の信頼性の低下を
ぬぐい切れないでいる。また、半田めっき液およびそれ
から発生ずるガスが、アウターリード部を伝わって樹脂
モールド内部に侵入するという問題がある。ガスによる
浸入は容易に避けることのできない問題である。
そこでこの問題を解決するために、予めリードフレーム
のアウターリード部に半田めっきを施すことが考えられ
る。
しかし出願人の検討によれば、この方法は半田めっきが
溶融半田めっきの場合はもちろん電気半田めっきの場合
であってもめっき液噴射方式の採用によるめっきの高速
化ができないために、同じリードフレームのダイボンド
部やインナーリード部へのＡｕ　、　Ａｇ等のめっきの
場合（めっき液噴射方式を採用）と比較すると、めっき
速度が著しく遅いという問題がある。このため、この方
法は一見有利なように思えるが、リードフレーム全体と
してはめっきの高速化ができないためにリードフレーム
の製造効率、ひいては半導体装置の生産性を従来よりも
著しく悪くし、工業的かつ経済的でないという問題があ
る。
本発明の目的は前記した従来技術の欠点を解消し、半田
めっきに代えて銀めっきを採用するという新しい発想に
より、高信頼性の半導体装置をきわめて効率的にしかも
安価に製造することができる半導体装置の製造方法とこ
れに使用されるり一ドフレームを提供することにある。
［発明の概要］ すなわち本発明の要旨は、その全面にニッケルメッキ又
はニッケル合金めっきを施したリードフレームのアウタ
ーリード部に部分的に銀めっきを施してなるリードフレ
ームを用い、ダイボンディングおよびワイヤボンディン
グ後上記アウターリード部を残して樹脂モールドする半
導体装置の製造方法にあ−る。
また、本発明の要旨は、その全面にニッケル又はニッケ
ル合金めっきを施したリードフレームのアウターリード
部に部分的に銀めっきを施してなるリードフレームにあ
る。
本発明は銀めっきがめつき液噴射方式の採用により高速
化が可能であることに着目し、それならば予めアウター
リード部のめっきを半田めっきに代えて銀めっきを採用
すれば、リードフレームおよび半導体装置の製造を効率
的に行なうことができるとの考えにもとづくものである
。
ところで、銀めっきを施すにあたっては次の点に注意を
要する。一つは防錆のために下地めっきを施すことであ
り、通常この下地めっきにはＮｉ又はＮ１めっきが採用
される。もう一つきはマイグレーション対策であり、こ
れには銀めっきを樹脂モールドに直接触れさせないよう
に位置させて設置プると良い。
アウターリード部で銀めっきが実際に必要な箇所はプリ
ント基板等の穴への挿入部であり、したがってこの挿入
部付近にのみ銀めっきを部分的に設置ノることがマイグ
レーション対策になり、経済的でもある。
［実施例］ 第３図は本発明による１４Ｐ（ビン）ＩＣリードフレー
ムの一例を示す。銅合金あるいは４２アロイ（Ｆｅ−４
２％Ｎ１合金）製のリードフレーム１は、図示しないプ
レスにより図のようなパターンに打抜かれ、これにより
ダイボンド部２、インナーリード部３およびアウターリ
ード部４を形成する。このリードフレームは打抜き前に
全面Ｎｉめつき５され、したがって銀めつき６，７は、
それぞれインナーリード部３とアウターリード部４に前
記Ｎｉめつきを下地としてそれぞれ３μ設けられる。銀
めっき６．７はいずれもめっき液噴射方式により行なわ
れた高速のスポットめっきであり、これらはめっきライ
ン上において並行あるいは別々に行なうことができる。
本実施例ではダイボンド部２は銀めっきされていない。
また、最近はボンディング技術の向上によりインナーリ
ード部３も銀めっきを省略する場合があるが本実施例で
は下地Ｎｉめっきは酸化膜強固なために直接のワイヤボ
ンディングは困難であることに鑑み、インナーリード部
３には銀めつき６を設けている。
第４図は上記リードフレーム１を用いて組立てられた半
導体装置を示す。この半導体装置は、半導体素子８をリ
ードフレーム１のダイボンド部２に固着し、Ａｕ　、Ｍ
等の細線９により前記半導体素子８とインナーリード部
３をそれぞれワイヤボンディングし、これら接合部を樹
脂モールド１０により封止して完成したものである。ア
ウターリード部４は通常樹脂モールド１０の後で折り曲
げられ、その先端部分は使用時プリント基板１１等の穴
１２に挿入されて半田付される。
本実施例ではアウターリード部４の先端部分にのみ銀め
っき７が設けられ、この銀めっき７が樹脂モールド１０
から離れているためにマイグレーションの問題がないと
共に、銀の節約となり経済的である。
つぎに第１図および第２図により上記リードフレーム１
の銀めっき方法、特にアウターリード部４の銀めっき方
法を説明する。
すなわち、銀めっきは、リードフレーム１のアウターリ
ード部４に相当する部分が開口１３されたマスク１４を
用いて行なわれる。
このマスク１４はリードフレームとの接触面を軟質ゴム
１５張りしたものである。１６はめっき液の噴射方向を
示し、めっき液はマスク１４の開口１３を通してアウタ
ーリード部に噴射される。
この状態を第２図により詳しくみると、リードフレーム
１に対しては前記マスク１４と共に同様の開口部分１７
を有するスポンヂ１８が配置され、さらにその後３にバ
ックプレート１９が配置される。このようにスボンヂ１
８を配置すればリードフレームの裏面にまで容易にめっ
きをすることができる。なお、銀の目付を減ら１意味で
かかる裏面の銀めっきを省略することも差し支えない。
２０はめっき液の噴出口を示す。
ここでリードフレーム１を陰極とし、陽極（白金線）２
１どの間に電流を通じると、所定の銀めっきが行なわれ
る。めっき液の流速は、例えば銀めっきの厚さが３μで
あれば３ｍ／秒の速さにすることができ、これにより高
電流密度をもって高速めっきを行なうことができる。
銀めっき液の組成は、例えばＫＡ９（ＣＮ）２１００９
／１２　、ＫＣＮ、５０ｇ／Ｊ　、に２　ＧＯ３３０ｇ
／Ｉ！からなり、その浴温は３０°℃である。
次表は同一構造の半導体装置にＪ３いて、完成品に半田
めっきした場合（従来例）と上記のように予めリードフ
レームに銀めっきしｔｃ場合（実施例）のそれぞれコス
ト比較をしたものである。なお、この場合Ｎｉめっき、
インナーリード都銀めっきなどの共通項はいずれも比較
の対象か除外した。
また、半田刊性の点から１０μ半田めっきが３μＡ！＋
めっきに相当するとし、さらに従来例における半田付は
省略した。
［発明の効果］ 以上のように本発明によれば、予めアウターリード部に
銀めっきを施したリードフレームを用いることにより、
予め当該部分に半田めっきを施す場合と比較してリード
フレームの製造および半導体装置の製造を著しく効果的
かつ安価に行なうことができる。また、完成品後に上記
アウターリード部に半田めっきを施す場合の従来法と比
較してみても、本発明の方が半導体装置の製造が著しく
効率的であり、半導体装置の原価低減にきわめて大きな
効果がある。
また、かかる従来法は完成品後に半田めっきを施ず関係
から樹脂モールド内へのめつき液、めっきガスの侵入に
より製品の信頼性の低下の問題があるが、本発明によれ
ば予めアウターリード部に半田付性に必要な銀めっきが
施されているためにこのような問題を解消し、製品の信
頼性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図はリードフレームへのめっき状況説明図、第２図
は同要部詳細図、第３図はアウターリード部に銀めっき
を施したリードフレームを示づ°本発明の詳細な説明図
、第４図は前記リードフレームを使用しＩｃ半導体装置
の組立て説明図である。 １エリートフレーム、２：ダ゛イボンド部、３：インナ
ーリード部、゛４：アウターリード部、５：Ｎｉめつき
６，７：銀めっき、８：半導体素子、９：細線、１０：
樹脂モールド、１１ニブリント基板。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）その全面にニッケル又はニッケル合金めっきを施
    したリードフレームのアウターリード部に部分的に銀め
    っきを施してなるリードフレームを用い、ダイボンディ
    ングおよびワイヤボンディング後上記アウターリード部
    を残して樹脂モールドすることを特徴とする半導体装置
    の製造方法。
  2. （２）　その全面にニッケル合金めっきを施したリード
    フレームの７ウタ一リード部に部分的に銀めっきを施し
    てなることを特徴とするリードフレーム。
JP59006097A 1984-01-17 1984-01-17 半導体装置の製造方法およびそれに使用されるリ−ドフレ−ム Pending JPS60149155A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62263665A (ja) * 1986-05-12 1987-11-16 Hitachi Ltd リ−ドフレ−ムおよびそれを用いた半導体装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62263665A (ja) * 1986-05-12 1987-11-16 Hitachi Ltd リ−ドフレ−ムおよびそれを用いた半導体装置

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