JPS6010776A - バイポーラトランジスタの製造方法 - Google Patents
バイポーラトランジスタの製造方法Info
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Classifications
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66234—Bipolar junction transistors [BJT]
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- H01L29/737—Hetero-junction transistors
- H01L29/7371—Vertical transistors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１） 発明の技術分野
本発明はバイポーラ半導体装置の製造方法に係り、特に
ガリウム・ヒ素に代表される化合物半導体を用いたバイ
ポーラ半導体装置の製造方法に関する。
ガリウム・ヒ素に代表される化合物半導体を用いたバイ
ポーラ半導体装置の製造方法に関する。
（２） 技術の背景
最近、ＭＢＥ （分子線エピタキシャル）法等の方法に
より不純物分布の設計が比較的容易に行なえ、しかも良
質の化合物半導体（アルミニウム・ガリウム・ヒ素等）
が安定的に形成できるようになった。それに伴ってベー
スの半導体よりもバンドギャップの大きい半導体をエミ
ッタに用いたバイポーラ・トランジスタが注目され始め
た。
より不純物分布の設計が比較的容易に行なえ、しかも良
質の化合物半導体（アルミニウム・ガリウム・ヒ素等）
が安定的に形成できるようになった。それに伴ってベー
スの半導体よりもバンドギャップの大きい半導体をエミ
ッタに用いたバイポーラ・トランジスタが注目され始め
た。
一般にバイポーラトランジスタにおいてはベース抵抗を
小さくすることで高周波特性が向上することが知られて
いる。しかしベース幅は非常に小さいものであり、５０
０人〜１０００人程度の幅となっているためにベース抵
抗は必然的に高くなってしまう。
小さくすることで高周波特性が向上することが知られて
いる。しかしベース幅は非常に小さいものであり、５０
０人〜１０００人程度の幅となっているためにベース抵
抗は必然的に高くなってしまう。
そこでベース幅を変えずにベース抵抗を減少させること
が重要な課題となっている。
が重要な課題となっている。
（３） 発明の目的
本発明は上記背景のなかで成されたものであり。
その目的とするところは精密制御の箇所を少なくすると
同時に、ベース領域を大きくとることでベース抵抗の低
減化をもたらすバイポーラ半導体装置の製造方法を提供
することにある。
同時に、ベース領域を大きくとることでベース抵抗の低
減化をもたらすバイポーラ半導体装置の製造方法を提供
することにある。
（４） 発明の構成
上記目的は本発明によれば半導体基板上に一導電形の第
１の半導体、その上に反対導電形の第２の半導体、さら
にその上に上記第１の半導体と同−導電形の第３の半導
体を積層形成する工程と。
１の半導体、その上に反対導電形の第２の半導体、さら
にその上に上記第１の半導体と同−導電形の第３の半導
体を積層形成する工程と。
上記第３の半導体の上に第１の金属電極を形成する工程
と、上記第１の金属電極をマスクにして上記第２の半導
体と同−導電形の半導体領域を自己整合的に形成する工
程と、該工程によって形成された半導体領域に第２の金
属電極を形成する工程と、上記第３の半導体に電気的に
接続した第３の金属電極を形成する工程を含むことを特
徴とするバイポーラ半導体装置の製造方法を提供するこ
とによって達成される。
と、上記第１の金属電極をマスクにして上記第２の半導
体と同−導電形の半導体領域を自己整合的に形成する工
程と、該工程によって形成された半導体領域に第２の金
属電極を形成する工程と、上記第３の半導体に電気的に
接続した第３の金属電極を形成する工程を含むことを特
徴とするバイポーラ半導体装置の製造方法を提供するこ
とによって達成される。
（５） 発明の実施例
以下９本発明の一実施例を図面を用いて詳細に説明する
。第１図ｔａ）ないし第１図＋ｄ）は本発明によるバイ
ポーラトランジスタの製造工程順図である。
。第１図ｔａ）ないし第１図＋ｄ）は本発明によるバイ
ポーラトランジスタの製造工程順図である。
以下、説明の便のためにガリウム・ヒ素はＧａＡ５−
３．またアルミニウムＡ！を３０％ガリウムＧａを７０
％の割合でヒ素ＡＳと化合させた化合物半導体アルミニ
ウム・ガリウム・ヒ素はＡβ、、３Ｇａｏ、りＡｓ、そ
して半導体の導電形は先頭に「ｎ−」あるいはｒＰ−Ｊ
を付して記述することにする。
％の割合でヒ素ＡＳと化合させた化合物半導体アルミニ
ウム・ガリウム・ヒ素はＡβ、、３Ｇａｏ、りＡｓ、そ
して半導体の導電形は先頭に「ｎ−」あるいはｒＰ−Ｊ
を付して記述することにする。
第１図ｆａｔにおいて＋ ｎ＋Ｇ ａ Ａ ｓ基板１の
上に不純物濃度Ｉ Ｘ １０” ｃｍ−３のｎ” −Ｇ
ａＡｓ層３２を２０００人はどバッファ層として形成し
、さらにその上に” １０’ ｃｍ−’のｎ−ＧａＡｓ
層３を４０００人はどコレクタ領域として形成し９次に
ｌ Ｘ Ｉ Ｑ’ ｃｍ−’のＰ”−ＧａＡＳ層４を１
０００人ベース領域として形成する。さらにその上にエ
ミッタ領域として１×１０７り■〜’（７）ｎ −Ａ
ｌ ６．） Ｇ ａ ６．ｑ Ａ ｓ層５を３０００人
成長させ。
上に不純物濃度Ｉ Ｘ １０” ｃｍ−３のｎ” −Ｇ
ａＡｓ層３２を２０００人はどバッファ層として形成し
、さらにその上に” １０’ ｃｍ−’のｎ−ＧａＡｓ
層３を４０００人はどコレクタ領域として形成し９次に
ｌ Ｘ Ｉ Ｑ’ ｃｍ−’のＰ”−ＧａＡＳ層４を１
０００人ベース領域として形成する。さらにその上にエ
ミッタ領域として１×１０７り■〜’（７）ｎ −Ａ
ｌ ６．） Ｇ ａ ６．ｑ Ａ ｓ層５を３０００人
成長させ。
そして最後に２ Ｘ １”０′？ｃｍ〜′のｎ＋−Ｇａ
Ａｓ層６を１０００人形成する。このｎ” Ｇ ａ Ａ
ｓ層６は、エミッタ電極がｎ−Ａｌ２．ｙ、３ Ｇａ
ｔｙ、７ Ａｓ層５と直接オーミック接触すると抵抗値
が大きくなるために、それを防ぐ目的で設けられたもの
で６一 ある。以上の積層構造がＭＢＥ法によって形成される。
Ａｓ層６を１０００人形成する。このｎ” Ｇ ａ Ａ
ｓ層６は、エミッタ電極がｎ−Ａｌ２．ｙ、３ Ｇａ
ｔｙ、７ Ａｓ層５と直接オーミック接触すると抵抗値
が大きくなるために、それを防ぐ目的で設けられたもの
で６一 ある。以上の積層構造がＭＢＥ法によって形成される。
次に第１図（ｂｌにおいて９通常の光露光法によってゲ
ルマニウムＧｅ層７が２００人、その上に高融点金属で
あるタングステンシリサイドＷ ５ Ｓ ｉ３層８をエ
ミッタ電極として５０００人形成する。
ルマニウムＧｅ層７が２００人、その上に高融点金属で
あるタングステンシリサイドＷ ５ Ｓ ｉ３層８をエ
ミッタ電極として５０００人形成する。
そして矢印Ａ方向からＹＡＧ （Ｙｔｔｒｉｕｍ Ａｌ
ｕｍｉｎｕｍＧａｒｎｅｔ ）レーザ光を照射し、レー
ザ・アロイによってｎ丁−ＧａＡｓ層６と００層７との
オーミック接合を行なう。こうしてエミッタ電極８が形
成される。そしてエミッタ電極８をマスクとしてｎ”
−ＧａＡｓ層６をエツチング除去する。
ｕｍｉｎｕｍＧａｒｎｅｔ ）レーザ光を照射し、レー
ザ・アロイによってｎ丁−ＧａＡｓ層６と００層７との
オーミック接合を行なう。こうしてエミッタ電極８が形
成される。そしてエミッタ電極８をマスクとしてｎ”
−ＧａＡｓ層６をエツチング除去する。
第１図（Ｃ）において、ｎ” −ＧａＡｓ層６がエミッ
タ電極８の下の部分だけ残されて除去されると、′再び
エミッタ電極８をマスクとして、イオン注入法によりベ
リリウムイオンＢｅ＋を１５０ＫｅＶでＩ Ｘ １０’
”印−２注入する。そしてシリコン酸化膜９を１０００
人形成した後で７００℃２０分間の熱処理を行なう。こ
のイオン注入および熱処理によってエミッタ電極８の下
の部分を除いてｎ−ＡＡ Ｇａｏ、７ＡＳ層５はＰｆＡ
ｎ ｅｙ−３Ｇａθ３ ６４ Ａ ｓ層１０に変化し、さらにｎ −Ｇ ａ Ａ
ｓＮ３の上部がＰ＋−ＧａＡｓ層４と同導電形に変化
してＰ”−ＧａＡｓｉｉｌｌを形成する。このようにエ
ミッタ電極８をマスクどすることで自己整合的に広いベ
ース領域を簡単に形成することができる。
タ電極８の下の部分だけ残されて除去されると、′再び
エミッタ電極８をマスクとして、イオン注入法によりベ
リリウムイオンＢｅ＋を１５０ＫｅＶでＩ Ｘ １０’
”印−２注入する。そしてシリコン酸化膜９を１０００
人形成した後で７００℃２０分間の熱処理を行なう。こ
のイオン注入および熱処理によってエミッタ電極８の下
の部分を除いてｎ−ＡＡ Ｇａｏ、７ＡＳ層５はＰｆＡ
ｎ ｅｙ−３Ｇａθ３ ６４ Ａ ｓ層１０に変化し、さらにｎ −Ｇ ａ Ａ
ｓＮ３の上部がＰ＋−ＧａＡｓ層４と同導電形に変化
してＰ”−ＧａＡｓｉｉｌｌを形成する。このようにエ
ミッタ電極８をマスクどすることで自己整合的に広いベ
ース領域を簡単に形成することができる。
また同図において、エミッタ領域であるｎ−Ａｊ！ 、
、りＧ ａ ６．７ Ａ ｓ層５の側面はベース領域の
一部であるＰ＋−Ａ４ 、、ｐ Ｇａ 、、４ Ａｓ層
１０によって囲まれており、底面は活性ベースを含むＰ
＋−ＧａＡｓ層１１をはさんでコレクタ領域であるｎ−
ＧａＡｓ層３と相対している。エミッタ領域の電子から
み外ば、Ｐ” −／’／２ ｏ、） Ｇａ 、、７ Ａ
ｓ層１０よりもＰｆ−ＧａＡｓ層１１の方がエネルギー
的に低くなっている。そのためにトランジスタ動作時に
エミッタ領域から横方向、すなわちＰ＋が少なくなり、
はとんどの電子がトランジスタ動作に寄与することとな
る。
、りＧ ａ ６．７ Ａ ｓ層５の側面はベース領域の
一部であるＰ＋−Ａ４ 、、ｐ Ｇａ 、、４ Ａｓ層
１０によって囲まれており、底面は活性ベースを含むＰ
＋−ＧａＡｓ層１１をはさんでコレクタ領域であるｎ−
ＧａＡｓ層３と相対している。エミッタ領域の電子から
み外ば、Ｐ” −／’／２ ｏ、） Ｇａ 、、７ Ａ
ｓ層１０よりもＰｆ−ＧａＡｓ層１１の方がエネルギー
的に低くなっている。そのためにトランジスタ動作時に
エミッタ領域から横方向、すなわちＰ＋が少なくなり、
はとんどの電子がトランジスタ動作に寄与することとな
る。
最後に第１図Ｔｄ）において、ベース電極部の穴開けの
後に、亜鉛Ｚｎ層１２．１２’を２００人。
後に、亜鉛Ｚｎ層１２．１２’を２００人。
次に金Ａｕ層１３．１３’をベース電極として２０００
人被着０せる。また裏面のｎ４−ＧａＡＳ基板１上に金
−ゲルマニウム合金（Ａｕ−Ｇｅ）層１４を２００人、
その上に金Ａｕ層１５をコレクタ電極として２０００人
被着０せ、バイポーラトランジスタが完成する。
人被着０せる。また裏面のｎ４−ＧａＡＳ基板１上に金
−ゲルマニウム合金（Ａｕ−Ｇｅ）層１４を２００人、
その上に金Ａｕ層１５をコレクタ電極として２０００人
被着０せ、バイポーラトランジスタが完成する。
本実施例ではエミッタ・サイズを３μｍ×３０μｍとし
て、電流増幅率ｈｐａ ”’ １５００ ＊遮断周波数
ｆＴ ＝１５ＧＨＬを得ることができた。
て、電流増幅率ｈｐａ ”’ １５００ ＊遮断周波数
ｆＴ ＝１５ＧＨＬを得ることができた。
なお９本実施例ではベース領域形成のためにイオン注入
法を用いたが、拡散法を用いてもよく。
法を用いたが、拡散法を用いてもよく。
イオン注入法に限定されるものではない。
さらにエミッタ領域だけでなくコレクタ領域も広いエネ
ルギー・バンド・ギャップをもつ半導体で形成されてい
れば本実施例におけるエミッタ領域とコレクタ領域との
位置を入れ換えることも可能となる。その場合はコレク
タ電極を耐熱性のある金属で形成し、ベース領域形成の
際のマスクとするわけである。したがって本実施例にお
けるエミッタ電極だけがマスクとして限定されるもので
はない。
ルギー・バンド・ギャップをもつ半導体で形成されてい
れば本実施例におけるエミッタ領域とコレクタ領域との
位置を入れ換えることも可能となる。その場合はコレク
タ電極を耐熱性のある金属で形成し、ベース領域形成の
際のマスクとするわけである。したがって本実施例にお
けるエミッタ電極だけがマスクとして限定されるもので
はない。
、 また本実施例においては、半導体基板としてｎす−
ＧａＡｓを用いたが半絶縁性基板を用いてもよい。ただ
しその場合はイオン注入法あるいは拡散法によってコレ
クタ領域を表面まで延長させてコレクタ電極を形成する
必要がある。
ＧａＡｓを用いたが半絶縁性基板を用いてもよい。ただ
しその場合はイオン注入法あるいは拡散法によってコレ
クタ領域を表面まで延長させてコレクタ電極を形成する
必要がある。
しかしいづれにしても本発明によって自己整合的に広い
ベース領域を得ることができるわけである。
ベース領域を得ることができるわけである。
（６） 発明の効果
以上詳細に説明したように１本発明はエミッタ電極ある
いはコレクタ電極をマスクにすることで自動的に位置合
わせができた広いベース領域を得ることができるために
、ベース抵抗が低く高周波特性のすぐれたバイポーラト
ランジスタを容易に製造できるという効果大なるもので
ある。
いはコレクタ電極をマスクにすることで自動的に位置合
わせができた広いベース領域を得ることができるために
、ベース抵抗が低く高周波特性のすぐれたバイポーラト
ランジスタを容易に製造できるという効果大なるもので
ある。
第１図（ａｌないし第１図（ｄｌは本発明によるバイポ
ー １０− −ラトランジスタの製造工程順図である。 １・・・ｎｔ−ＧａＡＳ基板、 ２・・・ｎ＋ −Ｇａ
Ａｓ層、 ３ ・−・ｎ−ＧａＡｓ層、 ４・・・Ｐ＋
−ＧａＡ３層。 ５−・−ｎ−ＡＮ０３Ｇａ Ａｓ層、６・Ｑ・り ・ ・ｎ” −ＧａＡｓ層、 ８・・ ・エミッタ電極
（Ｗ５Ｓｉ３層）、 １０・・・ Ｐ ” Ａ Ｉ！ （）、３ Ｇ ａ 、、、ｙ Ａ
ｓ層、 １１・・ビーＧａＡｓ層 特許出願人 富士通株式会社 〜 １１− 第１図 第１図 手続補正書（Ｈ鋤 昭和 年 月 １］ 特許庁長官殿 ５９・６．２５ １、事件の表示 昭和５ど年持許願第ｕ’ｌＯ’／１号 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 神奈川県用崎市中原区１−７１・Ｈ１中１０１５
番地（５２２）名称富士通株式会社 ４ 代 理 人 住所 神奈川県用崎市中原区上小田中
１０１５−１’Ｆｊ地富士通株式会社内 ７、補 正 の 対 象 明細書の特許請求の範囲の欄
、および発明の詳細な説明の欄８、補正の内容別紙の通
り （１）本願特許請求の範囲を次のとおり補正する。 ［（１）−導電形の第１の半導体層と、その上の反対導
電形の第２の半導体層と、該第２の半導体層とへテロ接
合をなす一導電形の第３の半導体層を有する半導体基板
の該第３の半導体層上に、所定パターンを有する第１の
電極を形成する工程と、該第１の電極をマスクにして不
純物を導入し前記を形成する工程と、該不純物領域上に
第２の電極を形成する工程とを含むことを特徴とするバ
イポーラトランジスタの製造方法。 バンド・ギャップよりも大きいことを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載のバイポーラトランジスタの製造方
法。 （３） 前記第１の電極をマスクにした不純物の導（４
）前記第１の電極が、高融点金属を含むこと（２）本願
明細書第５頁の第３行乃至第１５行を次のとおり補正す
る。
ー １０− −ラトランジスタの製造工程順図である。 １・・・ｎｔ−ＧａＡＳ基板、 ２・・・ｎ＋ −Ｇａ
Ａｓ層、 ３ ・−・ｎ−ＧａＡｓ層、 ４・・・Ｐ＋
−ＧａＡ３層。 ５−・−ｎ−ＡＮ０３Ｇａ Ａｓ層、６・Ｑ・り ・ ・ｎ” −ＧａＡｓ層、 ８・・ ・エミッタ電極
（Ｗ５Ｓｉ３層）、 １０・・・ Ｐ ” Ａ Ｉ！ （）、３ Ｇ ａ 、、、ｙ Ａ
ｓ層、 １１・・ビーＧａＡｓ層 特許出願人 富士通株式会社 〜 １１− 第１図 第１図 手続補正書（Ｈ鋤 昭和 年 月 １］ 特許庁長官殿 ５９・６．２５ １、事件の表示 昭和５ど年持許願第ｕ’ｌＯ’／１号 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 神奈川県用崎市中原区１−７１・Ｈ１中１０１５
番地（５２２）名称富士通株式会社 ４ 代 理 人 住所 神奈川県用崎市中原区上小田中
１０１５−１’Ｆｊ地富士通株式会社内 ７、補 正 の 対 象 明細書の特許請求の範囲の欄
、および発明の詳細な説明の欄８、補正の内容別紙の通
り （１）本願特許請求の範囲を次のとおり補正する。 ［（１）−導電形の第１の半導体層と、その上の反対導
電形の第２の半導体層と、該第２の半導体層とへテロ接
合をなす一導電形の第３の半導体層を有する半導体基板
の該第３の半導体層上に、所定パターンを有する第１の
電極を形成する工程と、該第１の電極をマスクにして不
純物を導入し前記を形成する工程と、該不純物領域上に
第２の電極を形成する工程とを含むことを特徴とするバ
イポーラトランジスタの製造方法。 バンド・ギャップよりも大きいことを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載のバイポーラトランジスタの製造方
法。 （３） 前記第１の電極をマスクにした不純物の導（４
）前記第１の電極が、高融点金属を含むこと（２）本願
明細書第５頁の第３行乃至第１５行を次のとおり補正す
る。
Claims (11)
- （１） 半導体基板上に一導電形の第１の半導体。 その上に反対導電形の第２の半導体、さらにその上に上
記第１の半導体と同一導電形の第３の半導体を積層形成
する工程と、上記第３の半導体の上に第１の金属電極を
形成する工程と、ｔｈ：記載１の金属電極をマスクにし
て上記第２の半導体と同一導電形の半導体領域を自己整
合的に形成する工程と、該工程によって形成された半導
体領域に第２の金属電極を形成する工程と、上記第３の
半導体に電気的に接続した第３の金属電極を形成する工
程を含むことを特徴とするバイポーラ半導体装置の製造
方法。 - （２） 上記半導体基板は導電性の半導体であることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載のバイポーラ半導
体装置。 - （３） 上記半導体基板は半絶縁性の半導体であること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載のバイポーラ半
導体装置。 - （４） 上記第３の半導体はエネルギー・バンド・ギャ
ップに関して第２の半導体よりも大きいことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載９バイポーラ半導体装置。 - （５） 上記第１の半導体と第３の半導体はエネルギー
・バンド・ギャップに関して第２の半導体よりも大きい
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のバイポー
ラ半導体装置。 - （６） 上記第１の半導体をコレクタ領域、第２の半導
体をベース領域、第３の半導体をエミッタ領域としたこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のバイポーラ
半導体装置。 - （７） 上記第１の半導体をエミッタ領域、第２の半導
体をベース領域、第３の半導体をコレクタ領域としたこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のバイポーラ
半導体装置。 - （８） 上記第２の半導体と同一導電形の半導体領域を
形成する工程でイオン打込み法を用いたことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載のバイポーラ半導体装置。 - （９） 上記第２の半導体と同−導電形の半導体領域を
形成する工程で拡散法を用いたことを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載のバイポーラ半導体装置。 - （１０） 上記第２の半導体と同−導電形の半導体領域
を上記第２の半導体の層より深い位置まで形成したこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載のバイポーラ半
導体装置。 - （１１） 上記第１の金属電極は高融点金属で形成され
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のバイポ
ーラ半導体装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11909783A JPS6010776A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | バイポーラトランジスタの製造方法 |
| DE8484304305T DE3466322D1 (en) | 1983-06-30 | 1984-06-26 | Process for fabricating bipolar transistor |
| EP19840304305 EP0130774B1 (en) | 1983-06-30 | 1984-06-26 | Process for fabricating bipolar transistor |
| US06/781,787 US4617724A (en) | 1983-06-30 | 1985-09-30 | Process for fabricating heterojunction bipolar transistor with low base resistance |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11909783A JPS6010776A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | バイポーラトランジスタの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6010776A true JPS6010776A (ja) | 1985-01-19 |
| JPH0326535B2 JPH0326535B2 (ja) | 1991-04-11 |
Family
ID=14752825
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11909783A Granted JPS6010776A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | バイポーラトランジスタの製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0130774B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6010776A (ja) |
| DE (1) | DE3466322D1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61188966A (ja) * | 1985-02-16 | 1986-08-22 | Fujitsu Ltd | 高速半導体装置の製造方法 |
| EP0654406A1 (en) | 1993-11-22 | 1995-05-24 | Kuraray Chemical Co., Ltd. | Freshness keeping sheet |
Families Citing this family (6)
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|---|---|---|---|---|
| JPS61198776A (ja) * | 1985-02-28 | 1986-09-03 | Fujitsu Ltd | ヘテロ接合バイポ−ラトランジスタおよびその製造方法 |
| GB8507624D0 (en) * | 1985-03-23 | 1985-05-01 | Standard Telephones Cables Ltd | Semiconductor devices |
| EP0197424B1 (en) * | 1985-03-25 | 1993-06-02 | Nec Corporation | Process of fabricating a heterojunction bipolar transistor |
| GB2188479B (en) * | 1986-03-26 | 1990-05-23 | Stc Plc | Semiconductor devices |
| US4872040A (en) * | 1987-04-23 | 1989-10-03 | International Business Machines Corporation | Self-aligned heterojunction transistor |
| JP2971246B2 (ja) * | 1992-04-15 | 1999-11-02 | 株式会社東芝 | ヘテロバイポーラトランジスタの製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53115181A (en) * | 1977-03-18 | 1978-10-07 | Hitachi Ltd | Production of semiconductor device |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2436502A1 (fr) * | 1978-09-12 | 1980-04-11 | Ankri David | Transistors bipolaires a heterojonction de structure plane et leur procede de fabrication |
-
1983
- 1983-06-30 JP JP11909783A patent/JPS6010776A/ja active Granted
-
1984
- 1984-06-26 EP EP19840304305 patent/EP0130774B1/en not_active Expired
- 1984-06-26 DE DE8484304305T patent/DE3466322D1/de not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53115181A (en) * | 1977-03-18 | 1978-10-07 | Hitachi Ltd | Production of semiconductor device |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61188966A (ja) * | 1985-02-16 | 1986-08-22 | Fujitsu Ltd | 高速半導体装置の製造方法 |
| EP0654406A1 (en) | 1993-11-22 | 1995-05-24 | Kuraray Chemical Co., Ltd. | Freshness keeping sheet |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0130774B1 (en) | 1987-09-16 |
| JPH0326535B2 (ja) | 1991-04-11 |
| EP0130774A1 (en) | 1985-01-09 |
| DE3466322D1 (en) | 1987-10-22 |
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