JPS5981575A - 放射線検出器の製造方法 - Google Patents
放射線検出器の製造方法Info
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- JPS5981575A JPS5981575A JP57192093A JP19209382A JPS5981575A JP S5981575 A JPS5981575 A JP S5981575A JP 57192093 A JP57192093 A JP 57192093A JP 19209382 A JP19209382 A JP 19209382A JP S5981575 A JPS5981575 A JP S5981575A
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- scintillator crystal
- crystal
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/161—Applications in the field of nuclear medicine, e.g. in vivo counting
- G01T1/164—Scintigraphy
- G01T1/1641—Static instruments for imaging the distribution of radioactivity in one or two dimensions using one or several scintillating elements; Radio-isotope cameras
- G01T1/1644—Static instruments for imaging the distribution of radioactivity in one or two dimensions using one or several scintillating elements; Radio-isotope cameras using an array of optically separate scintillation elements permitting direct location of scintillations
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は故別層Ｗｆ層撮影装置に使用さｎる放射９Ｉ検
出器の製造方法に関する。
出器の製造方法に関する。
〔発り］の技術的背景お↓ひその問題点〕放射線断層撮
影装置たとえばＸ線ＣＴ装置は、被検体の体軸を中心に
して被検体の周囲を回動するＸｉ管と、被検体が配置さ
ｎた空間を挾んでＸ線管と対向配置されると共に、Ｘ線
管より曝射さｔて被検体を透過するＸ勝全検出する放射
線検出器とを少なくとも具備している。このＸｇＣＴ装
置Ｖｉ、被検体の体４ｍを中心にＸ線管全回動しつつＸ
ｉを被検体に曝射し、この被検体を透過したＸ憇を放Ｊ
Ｊ′：Ｊ巖検出器でもって検出し、この検出さ扛た多数
のプロジェクションテータを基に画像再構成処理を行な
い、この再構成した被検体のＩｖＴ層像を表示装置に表
示するよう構成さｎている。そして、Ｘ融ＣＴ装置によ
り傅らｎた萌層像を基に、医者等は被検体即ち患者の健
康状態、病変部の確認等の医学的判断を下す。従って正
確な医学的判＠を下すためには、Ｘ線ＣＴ装置によＶ得
らｎる断層像は極めて高い精度が要求さｎる。この断層
像の精度を左右する要因の一つに放射Ｍ検出器の性能が
挙げらｎる。
影装置たとえばＸ線ＣＴ装置は、被検体の体軸を中心に
して被検体の周囲を回動するＸｉ管と、被検体が配置さ
ｎた空間を挾んでＸ線管と対向配置されると共に、Ｘ線
管より曝射さｔて被検体を透過するＸ勝全検出する放射
線検出器とを少なくとも具備している。このＸｇＣＴ装
置Ｖｉ、被検体の体４ｍを中心にＸ線管全回動しつつＸ
ｉを被検体に曝射し、この被検体を透過したＸ憇を放Ｊ
Ｊ′：Ｊ巖検出器でもって検出し、この検出さ扛た多数
のプロジェクションテータを基に画像再構成処理を行な
い、この再構成した被検体のＩｖＴ層像を表示装置に表
示するよう構成さｎている。そして、Ｘ融ＣＴ装置によ
り傅らｎた萌層像を基に、医者等は被検体即ち患者の健
康状態、病変部の確認等の医学的判断を下す。従って正
確な医学的判＠を下すためには、Ｘ線ＣＴ装置によＶ得
らｎる断層像は極めて高い精度が要求さｎる。この断層
像の精度を左右する要因の一つに放射Ｍ検出器の性能が
挙げらｎる。
従来のｘＨｃｒ装置の放射線検出器は、例えば次のよう
に構成さ扛ている。即ち、放射線検田器は第１図に示す
よ′）に、長さｌが２０〜２５０゜幅ＩＶが約２ ＩＩ
、 ｉ％さｔが４鰭である直方体で材料が、タリウム
添加のヨウ化セシウムＣＣにＴｌｊ ） ｖ等で作らｎ
たシンチレータ素子１に、シンチレータ素子１の下面に
光透過性の良好な接着剤２によりフォトダイオード等か
ら構成さｎる光電変換素子６が接着された検出ブロック
４の多数を、第２図に示すように、検出ブロック４の短
手方向に支持部材５全配列すると共に、検出ブロック４
間に伝えばタングステンやタンタル等の原子番号の太き
な？Ｉ質で構成さ扛、表面に光反射剤を塗布したクロス
ト−り防止板６を挿入して構成さｎる。７はＭ、電変換
素子３の電気信号が出力さ扛る端子である。
に構成さ扛ている。即ち、放射線検田器は第１図に示す
よ′）に、長さｌが２０〜２５０゜幅ＩＶが約２ ＩＩ
、 ｉ％さｔが４鰭である直方体で材料が、タリウム
添加のヨウ化セシウムＣＣにＴｌｊ ） ｖ等で作らｎ
たシンチレータ素子１に、シンチレータ素子１の下面に
光透過性の良好な接着剤２によりフォトダイオード等か
ら構成さｎる光電変換素子６が接着された検出ブロック
４の多数を、第２図に示すように、検出ブロック４の短
手方向に支持部材５全配列すると共に、検出ブロック４
間に伝えばタングステンやタンタル等の原子番号の太き
な？Ｉ質で構成さ扛、表面に光反射剤を塗布したクロス
ト−り防止板６を挿入して構成さｎる。７はＭ、電変換
素子３の電気信号が出力さ扛る端子である。
そして、図示しないＸ線管よジ曝射さｎたＸ線束８がシ
ンチレータ素子１の上面に入射するとシンチレータ素子
１はＸ線を元に変換し、シンチレータ素子１による発光
は光電変換素子６で検知し、電流に変換さｎ１人射Ｘ腺
量に比例する電流を端子７から出力する。
ンチレータ素子１の上面に入射するとシンチレータ素子
１はＸ線を元に変換し、シンチレータ素子１による発光
は光電変換素子６で検知し、電流に変換さｎ１人射Ｘ腺
量に比例する電流を端子７から出力する。
断層像の画質を左右する要因の一つが放射線検出器の性
能にあることは前述した通りであるが、放射線検出器の
性能はシンチレータ素子１の寸法Ｎ度および検出ブロッ
ク４を配列する際の組み立て鞘層に依存する。放射線検
出器を構成するシンチレータ素子１の一つ一つ全切り出
して前記寸法の直方体に形成するのは極めて難しく、た
とえ厳密に前記寸法を有する直方体にシンチレータ素子
１を形成したとしても、シンチレータ素子ＩＫ元電変換
素子６を接層し、次いでクロストーク防止板６をシンチ
レータ素子１と光電変換素子３とから構成さｎる検出ブ
ロック４間に挿入して横用ブロック４を精密に配列して
いくのは困難であり、放射線検出器の組み立て精度の狂
いは不可避である。シンチレータ素子１の配列に狂いが
生ずｎは応答変動が起り、断層像の画質に悪影響が生ず
る。
能にあることは前述した通りであるが、放射線検出器の
性能はシンチレータ素子１の寸法Ｎ度および検出ブロッ
ク４を配列する際の組み立て鞘層に依存する。放射線検
出器を構成するシンチレータ素子１の一つ一つ全切り出
して前記寸法の直方体に形成するのは極めて難しく、た
とえ厳密に前記寸法を有する直方体にシンチレータ素子
１を形成したとしても、シンチレータ素子ＩＫ元電変換
素子６を接層し、次いでクロストーク防止板６をシンチ
レータ素子１と光電変換素子３とから構成さｎる検出ブ
ロック４間に挿入して横用ブロック４を精密に配列して
いくのは困難であり、放射線検出器の組み立て精度の狂
いは不可避である。シンチレータ素子１の配列に狂いが
生ずｎは応答変動が起り、断層像の画質に悪影響が生ず
る。
更に前述のような組み立て方法は煩雑である。また、切
り出し加工によるシンチレータ素子１の幅Ｆｉ小さくす
ｔば壁間分解能が向上するが、上述の組立て方法では幅
Ｗ金余り小さくすることはできない。
り出し加工によるシンチレータ素子１の幅Ｆｉ小さくす
ｔば壁間分解能が向上するが、上述の組立て方法では幅
Ｗ金余り小さくすることはできない。
不発明は上記事情に鑑みてなさ扛たもので、組み立て精
度が良好で空間分解能の高い多チヤンネル型の放射線検
出器を迅速に製造する方法を提供することを目的とする
。
度が良好で空間分解能の高い多チヤンネル型の放射線検
出器を迅速に製造する方法を提供することを目的とする
。
本発明は上記目的を達成する為に、放射線断層撮影装置
に使用される放射線検出器の製造方法において、シンチ
レータ結晶とクロストーク防止板とを交互に積層して接
着する工程、このシンチレータ・クロストーク仮積層体
をシンチレータ結晶配列方向に直行して切断する工程、
切断さｎたシンチレータ・クロストーク仮積層体の１つ
を表面に光電変換素子をシンチレータ素子のピッチと同
一ピッチで配列した支持仮に接層する工程からなる製造
方法にろる。
に使用される放射線検出器の製造方法において、シンチ
レータ結晶とクロストーク防止板とを交互に積層して接
着する工程、このシンチレータ・クロストーク仮積層体
をシンチレータ結晶配列方向に直行して切断する工程、
切断さｎたシンチレータ・クロストーク仮積層体の１つ
を表面に光電変換素子をシンチレータ素子のピッチと同
一ピッチで配列した支持仮に接層する工程からなる製造
方法にろる。
以下、本発明に係る放射線検出器の製造方法の一笑施例
を図面に基づいて説明する。
を図面に基づいて説明する。
先ず、第３図に示す如＜ｂ Ｘ、９３を螢光に返還する
タリウム添加のヨウ化セシウム（Ｃ２１；Ｔｌ！ ）
、ゲルマニウム酸ビスマス（１３ｔ４Ｇｔｓ（ｈ２）
＋ タングステン酸カドミウム（ＣｄＦ０４） 、タン
グステン酸亜鉛（ＺｒＪＶＯ＜ ） 、タングステン酸
マグネシウム（ＭダＦ０４）等の物質で作らｎ１長さが
１幅がＷ。
タリウム添加のヨウ化セシウム（Ｃ２１；Ｔｌ！ ）
、ゲルマニウム酸ビスマス（１３ｔ４Ｇｔｓ（ｈ２）
＋ タングステン酸カドミウム（ＣｄＦ０４） 、タン
グステン酸亜鉛（ＺｒＪＶＯ＜ ） 、タングステン酸
マグネシウム（ＭダＦ０４）等の物質で作らｎ１長さが
１幅がＷ。
高さがＴの直方体状のシンチレータ結晶１０とタングス
テン、モリブデン、アルミニウム等金属薄板表面に二酸
化チタンを含む塗料等からなる光反射剤が塗布さｎ１長
さ、高さがシンチレータ結晶１０と同一で幅のみ異なる
直方体状のクロスト−り防止板１１とを交互に配列する
。シンチレータ結晶１０とクロストーク防止板１１の個
数は、放射線検出器のチャンネル数がルの場合、シンチ
レータ結晶１０はル個クロストーク防止板は（ｒＬ−１
）個用意し、シンチレータ結晶１０とクロストーク防止
板１１の配列の両端にはシンチレータ結晶１０がくるよ
うに配列する。
テン、モリブデン、アルミニウム等金属薄板表面に二酸
化チタンを含む塗料等からなる光反射剤が塗布さｎ１長
さ、高さがシンチレータ結晶１０と同一で幅のみ異なる
直方体状のクロスト−り防止板１１とを交互に配列する
。シンチレータ結晶１０とクロストーク防止板１１の個
数は、放射線検出器のチャンネル数がルの場合、シンチ
レータ結晶１０はル個クロストーク防止板は（ｒＬ−１
）個用意し、シンチレータ結晶１０とクロストーク防止
板１１の配列の両端にはシンチレータ結晶１０がくるよ
うに配列する。
次にシンチレータ結晶１０とクロストーク防止板１１と
全光学的に透明な接層剤、例えばガラヌ用接着剤を用い
て交互に接着する。
全光学的に透明な接層剤、例えばガラヌ用接着剤を用い
て交互に接着する。
更に、接層剤が十分に固化した後、第４図に示した如く
、シンチレータ結晶１０とクロストーク防止板１１との
合同体を、シンチレータ結晶１０とクロストーク防止板
１１との接合面に直交して切断する。切断する手段とし
ては、例えば、等間隔に張り渡した複数のワイヤーソー
よりなるマルチワイヤーソー１２．またはダイヤモンド
カッタ等が挙げられる。マルチワイヤーソー１２を用い
ると、１回の切断作業で多数の多チヤンネル型シンチレ
ータ素子体１３′ｆｉ：同時に得ることができる。
、シンチレータ結晶１０とクロストーク防止板１１との
合同体を、シンチレータ結晶１０とクロストーク防止板
１１との接合面に直交して切断する。切断する手段とし
ては、例えば、等間隔に張り渡した複数のワイヤーソー
よりなるマルチワイヤーソー１２．またはダイヤモンド
カッタ等が挙げられる。マルチワイヤーソー１２を用い
ると、１回の切断作業で多数の多チヤンネル型シンチレ
ータ素子体１３′ｆｉ：同時に得ることができる。
シンチレータ結晶１０とクロストーク防止板１１の合同
体を切断する際、第１図に示した検出ブロック４の高さ
ｔに一致するようにする。すると７Ｖｔ ＝ ｍ個の多
チヤンネル型シンチレータ素子１３を得ることができる
。多チヤンネル型シンチレータ素子１６の１つ全第５図
に示す。多チヤンネル型シンチレータ素子１３はｎ個の
シンチレータ素子１０と（ｎ −１）個のクロストーク
防止板１１が交互に接層さｎており、シンチレータ素子
０Ｉｘｒ面がＸ線入射面であり、その反対側の面が光出
力面である。
体を切断する際、第１図に示した検出ブロック４の高さ
ｔに一致するようにする。すると７Ｖｔ ＝ ｍ個の多
チヤンネル型シンチレータ素子１３を得ることができる
。多チヤンネル型シンチレータ素子１６の１つ全第５図
に示す。多チヤンネル型シンチレータ素子１３はｎ個の
シンチレータ素子１０と（ｎ −１）個のクロストーク
防止板１１が交互に接層さｎており、シンチレータ素子
０Ｉｘｒ面がＸ線入射面であり、その反対側の面が光出
力面である。
一万、第６−において、多チヤンネル型のフォトダイオ
ード等の光電変換素子１４′ｆｃ長方形板状の半導体１
５上に、その長手方向に浴って多チヤンネル型シンチレ
ータ素子１６のシンチレータ素子１０の配列ピッチと同
一の配列ピッチでもって。
ード等の光電変換素子１４′ｆｃ長方形板状の半導体１
５上に、その長手方向に浴って多チヤンネル型シンチレ
ータ素子１６のシンチレータ素子１０の配列ピッチと同
一の配列ピッチでもって。
シンチレータ素子１０の光出力面とほぼ同一形状に九個
配置さｎる。光電変換素子１４の一端１／ｉ：電気信号
を取り出す為の端子９が取Ｖ伺けらｎる。
配置さｎる。光電変換素子１４の一端１／ｉ：電気信号
を取り出す為の端子９が取Ｖ伺けらｎる。
最後に、第５図に示した多チヤンネル型シンチレータ素
子体１６の出光面を第６図に示した半導体１５０光電変
換素子１４の取付は面にガラス用接着剤等の透明な接層
剤でもって接着することにより多チャンネルの放射線検
出器を得ることが出来る。
子体１６の出光面を第６図に示した半導体１５０光電変
換素子１４の取付は面にガラス用接着剤等の透明な接層
剤でもって接着することにより多チャンネルの放射線検
出器を得ることが出来る。
以上述べた如く、本発明によｎば、−回の接着工程と、
−回の切断工程とで多数の多チャンネル型シンチレータ
素子体全同時に得ることが出来、作業の迅速化が図扛る
。
−回の切断工程とで多数の多チャンネル型シンチレータ
素子体全同時に得ることが出来、作業の迅速化が図扛る
。
また切助前のシンチレータ結晶は加工に必要な大きさを
有している為、研磨によって放射線検出器の幅ＪＶｆｊ
−十分に良い精度で加工することができる。また幅Ｗを
小さくすることにより筒分解能を有する工つにすること
も比較的容易である。
有している為、研磨によって放射線検出器の幅ＪＶｆｊ
−十分に良い精度で加工することができる。また幅Ｗを
小さくすることにより筒分解能を有する工つにすること
も比較的容易である。
第１図は従来のシンチレータ素子を示す概略斜睨園、第
２図は従来の放射線検出器を示す概略斜視図、第６図な
いし第７図は本発明に係る方法で放射線検出器全製造す
る工程を示す斜視図である。 １・・・シンチレータ素子、 ２・・・接層剤、
３・・・フｆ：、電変換素子、 ４・・・検出ブロッ
ク、 ６・・・クロストーク防ＩＥ板、 ７・・・
端子、 ８・・・Ｘ線束、１０・・・シンチレータ結
晶、 １１・・・クロストーク防止板、 １２・・
・ワイヤーノー、 １４・・・光電変換素子。
２図は従来の放射線検出器を示す概略斜視図、第６図な
いし第７図は本発明に係る方法で放射線検出器全製造す
る工程を示す斜視図である。 １・・・シンチレータ素子、 ２・・・接層剤、
３・・・フｆ：、電変換素子、 ４・・・検出ブロッ
ク、 ６・・・クロストーク防ＩＥ板、 ７・・・
端子、 ８・・・Ｘ線束、１０・・・シンチレータ結
晶、 １１・・・クロストーク防止板、 １２・・
・ワイヤーノー、 １４・・・光電変換素子。
Claims (1)
- （１）放射側を螢元に変換する直方体状のシンチレータ
結晶とクロストーク防止板と全交互ｌに（複数個積層し
て後腐する工程と、前記シンテレーク、Ｙ古晶とクロス
トーク防止板との積層体全シンチレータ結晶の配列方向
に平行に切断する工程と、前記工程により切断さｎ−に
積層体のブロック全、螢光ｔ を流に変換する光電変換
素子が前記ブロックのシンチレータ電子と同一ビツテで
配タリさ扛だ支持部材に接瘤する工程と企含むことを特
徴とする放射線検出器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57192093A JPS5981575A (ja) | 1982-11-01 | 1982-11-01 | 放射線検出器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57192093A JPS5981575A (ja) | 1982-11-01 | 1982-11-01 | 放射線検出器の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5981575A true JPS5981575A (ja) | 1984-05-11 |
Family
ID=16285527
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57192093A Pending JPS5981575A (ja) | 1982-11-01 | 1982-11-01 | 放射線検出器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5981575A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01202684A (ja) * | 1988-02-08 | 1989-08-15 | Hitachi Medical Corp | 放射線検出器 |
| ES2843924A1 (es) * | 2020-01-20 | 2021-07-20 | Univ Valencia Politecnica | Dispositivo para la deteccion de rayos gamma con codificacion de profundidad de interaccion y tiempo de vuelo |
-
1982
- 1982-11-01 JP JP57192093A patent/JPS5981575A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01202684A (ja) * | 1988-02-08 | 1989-08-15 | Hitachi Medical Corp | 放射線検出器 |
| ES2843924A1 (es) * | 2020-01-20 | 2021-07-20 | Univ Valencia Politecnica | Dispositivo para la deteccion de rayos gamma con codificacion de profundidad de interaccion y tiempo de vuelo |
| WO2021148694A1 (es) * | 2020-01-20 | 2021-07-29 | Universitat Politècnica De València | Dispositivo para la detección de rayos gamma con codificación de profundidad de interacción y tiempo de vuelo |
| US12078766B2 (en) | 2020-01-20 | 2024-09-03 | Universitat Politecnica De Valencia | Device for the detection of gamma rays with interaction depth and time-of-flight encoding |
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