JPS5943501B2 - 安定化液晶組成物 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はメモリー型液晶表示−すなわち電界無印加時に
は透明であるが、電界印加により白濁し、この状態を印
加電圧を取り除いた後も維持し得る液晶の性質を利用し
た表示一に用いる新規なネマチツクーコレステリツク混
合液晶組成物に関する。

従来、ネマチツク液晶を用いた表示装置としては、負の
誘電異方性を有するｎ型ネマチツク液晶を用いた動的散
乱効果による表示と；正の誘電異方性を有するｐ型ネマ
チツク液晶と偏光板を用いた電界効果による表示；の２
つのタイプがあつた。動的散乱効果による表示は、液晶
層に電流を流した時に生ずる液晶分子の回転、振動等に
基づく光の散乱効果を表示に用いたものであり；電界効
果による表示に比べ表示が明るいという特長があるが、
表示に１０〜数＋Ｖ、数十μＶｄと比較的に大電圧、大
電流を要し、消費電力が電界効果型に比べはるかに大き
くなる難点を有する。また、本質的に電流が必要である
為、反応を生じやすく、寿命が短くなりやすいという欠
点がある。一方電界効果による表示は駆動電圧が１〜数
Ｖと低く、電流も約１μＡ／／（７１と小さい。

また本質的に電流の流れる必要がないので寿命も長いと
いう特長を有する。しかしながら偏光板の使用が必要で
あるため表示は暗く、さらに表示に方向性があり、いわ
ゆる視角が狭い、という欠点がある。これらの表示方法
に対し、メモリー型液晶表示として、ネマチツク液晶に
コレステリツク液晶を混合した組成物に＋〜数＋Ｖの直
流または交流電圧を加えると白濁を生じ動的散乱による
表示と同様の表示状態が得られ、この白濁は印加電圧を
除いた後も保持され、メモリー効果を示すこと；またこ
のメモリー状態の液晶に数Ｍの低周波電圧を印加するか
、セルに機械的圧力を加えて液晶相に流れを生ずるか、
あるいは表示メモリー化電圧の約２〜５倍程度の電圧を
印加した後電圧を急激に０にする方法により、上記白濁
が除かれること、すなわちメモリーの消去が行われるこ
と：が知られている。上記白濁は電界効果によるもので
あり、本質的に電流が流れる必要はない。その上メモリ
ーＡ力果を考えると、このメモリー型液晶表示に要する
単位時間当りの消費電力は極めて小さくなることが期待
できる。また表示は偏光板が不必要であり、表示が明る
く視角が広いという特徴がある。しかしながらこのネマ
チツクーコレステリツク混合液晶には、ネマチツク液晶
成分とコレステリツク液晶成分の間に分子構造上の非常
に大きな差違があり、安定な混合液晶の維持という点で
問題がある。

すなわち表示と消去の繰り返しにより、しだいに各液晶
成分に相分離するなどの変化を生じ混合初期に比べて、
表示電圧、消去電圧および応答速度の変化ならびにメモ
リー特性の劣化などの特性変化が現われ、さらには表示
が認められなくなるような場合さえある。さらに、この
混合液晶を用いるメモリー型液晶表示には、前記した動
的散乱効果による表示あるいは電界効果による表示に比
べて、表示あるいは消去の応答性が遅いという欠点があ
る。本発明者らは、上記したような従来のネマチツクー
コレステリツク混合液晶の欠点を解決することを目的と
して研究を進めた結果、特定の有機ハロゲン化物を添加
することにより上記欠点が著しく改善されることを見出
し本願発明に到達したものである。

すなわち、本発明のメモリー型液晶組成物は、（ａ）ネ
マチツク液晶７０〜９５重量％とコレステリツク液晶５
〜３０重量％とからなる混合液晶、および（ｂ）該混合
液晶基準で０．０１〜１０重量％のアルキルハライドお
よび／または弗素界面活性剤を含むことを特徴とするも
のである。

このようにして、上記した特定の有機ハロゲン化物を添
加して得られた本発明の液晶組成物をメモリー型液晶表
示素子として用いる場合には、次のような改善が得られ
るものである。

（１）表示電圧、消去電圧、応答速度、メモリー特性な
どの長期安定化が図れる。

（２）上記特性の安定化に加えて、表示電圧および消去
電圧の低下、ならびに応答速度の迅速化が得られる。

（３）作動温度範囲、特に低温域、が拡げられる。

（４）また、表示のときのスレシホールド電圧の安定性
が著しく改善される。以下、本発明のメモリー型液晶組
成物を更に詳細に説明する。

本発明の混合液晶中のネマチツク液晶成分としては、従
来ネマチツク液晶特性を示すものとして知られている任
意の化合物を単独で、あるいは二種以上併用して用いる
ことができる。

正の誘電異方性を有すると負の誘電異方性を有するとを
問わない。このようなネマチツク液晶化合物の例として
、たとえば以下のものが挙げられる。一般式 （ここで、Ｘｌ，Ｘ２はそれぞれ炭素数１〜８のアルキ
ル基もしくはアルコキシ基、またはシアノ基）で表わさ
れるシツフ液晶化合物、たとえばｐ−ブチルベンジリデ
ン−ｐ′−シアノアニリン、ｐ一メトキシベンジリデン
一ｐ′一エトキシアニリンなど；一般式 〜１１１、１１〜７．−１１′ （Ｙ：炭素数４〜１５のアルキルもしくはアルコキシ基
、または炭素数８〜３０のアルキルフエニル基もしくは
アルコキシフエニル基）のビフエニル液晶化合物、たと
えばｐ−ペンチル一ｐ′−シアノビフエニル、ｐ−ヘキ
シルオキシ−ｐ′−シアノビフエニル、ｐ−ブトキシ一
ｐ′−（ｐ−シアノフエニル）ビフエニルなど；一般式 （Ｚｌ，Ｚ２は、それぞれ炭素数３〜８のアルキル基；
炭素数４〜８のアルコキシ基、シアノ基から選ばれ；と
もにアルキル基であり得るが、ともにシアノ基、アルコ
キシ基でないことが好ましい）で表わされるフエニルベ
ンゾエート液晶化合物、たとえばｐ−シアノフエニルー
メーシアノベンゾエート、ｐ−ペンチルオキシ一ｐ′−
ヘプチルベンゾエートなど；一般式 （Ｒは炭素数４〜８のアルキル基）で表わされるアゾ系
液晶化合物、たとえばｐ−シアノ−Ｐ７−ヘキシルオキ
シアゾベンゼン；（Ａ，Ｂ：それぞれ炭素数４〜８のア
ルキル基またはアルコキシ基、シアノ基）で表わされる
アゾキシ系液晶化合物、たとえばｐ−ブチル−ｐ′ーブ
チルアゾキシベンゼン、ｐ−ヘキシルオキシ−ｐ！−シ
アノアゾキシベンゼンなど。

上記ネマチツク液晶化合物中の置換基としてのアルキル
基およびアルコキシ基は直鎖状であることが好ましい。

以上のネマチツク液晶化合物のうち、ビフエニル液晶化
合物もしくはフエニルベンゾエート液晶化合物の少くと
も１種をネマチツク液晶成分として用いると、表示（特
にメモリー化のための書込み）電圧、消去電圧をさらに
低下することが可能であり、また液晶の化学的安定性に
もすぐれるので好ましい。

また、このビフエニル液晶化合物とフエニルベンゾエー
ト液晶化合物を、混合液晶（コレステリツク液晶も含む
）基準で、それぞれ１〜３０重量％および５０〜９４重
量％の割合で混合すれば、得られる表示素子の作動温度
範囲を拡げる効果ならびに応答速度の迅速化の向上が得
られる。また、混合液晶中のコレステリツク液晶として
は、コレステロールの誘導体：たとえばコレステリルホ
ルメート、コレステリルアセテート、コレステリルプロ
ピオネート、コレステリルブチレート、コレステリルバ
レレート、コレステリルヘキサノエート、コレステリル
ヘプタノエート、コレステリルオクタノエート、コレス
テリルノナノエート、コレステリルデカノエート、コレ
ステリルウンデシレート、コレステリルラウレート、コ
レステリルミリステート、コレステリルバルミテート、
コレステリルマルガレート、コレステリルステアレート
、コレステリルエルケート、コレステリルオレエート、
コレステリルリノレート、コレステリルリノリネート、
コレステリルクロトネート、ジコレステリルセバケート
、ジコレステリルアジペート等の鎖状カルボン酸エステ
ル；コレステリルベンゾエート、コレステリル−ｐ−ニ
トロベンゾエート、コレステリルジニトロベンゾエート
、コレステリルシンナメート、コレステリルアニソエー
ト、ジコレステリルフタレート等の芳香族カルボン酸エ
ステル；コレステリルシクロヘキサンカルボキシレート
、コレステリル−２−フロエート等の脂環族カルボン酸
エステル；コレステリルメチルカーボネート、コレステ
リルエチルカーボネート、コレステリルメトキシエチル
カーボネート、コレステリル−２，２，２−トリフロロ
エチルカーボネート、コレステリルドデシルカーボネー
ト、コレステリル−２−（２−メトキシエトキシ）エチ
ルカーボネート、コレステリル（２−エトキシエトキシ
）エチルカーボネート、コレステリル−２−（２−ブト
キシエトキシ）エチルカーボネート、コレステリルゲラ
ニールカーボネート、コレステリルシンナミルカーボネ
ート、コレステリルアリルカーボネート、コレステリル
メタリルカーボネート、コレステリルクロチルカーボネ
ート、コレステリルオレイルカーボネート、コレステリ
ルノリルカーボネート、コレステリル一２−プロピン−
１−イルカーボネート、コレステリル−２−メチル−２
−プロペン−１−イルカーボネート、等の炭酸エステル
；さらにはコレステリルクロライド、コレステリルブロ
マイド、コレステリルニトレート等の他の無機酸のエス
テルがあげられる。

上記コレステリツク液晶は少なくとも一種が用いられる
。

本発明のメモリー型液晶組成物に用いる混合液晶は、上
記ネマチツク液晶とコレステリツク液晶をそれぞれ７０
〜９５重量％対５〜３０重量％に混合することにより得
られる。

ネマチツク液晶が．混合液晶中の、７０重量％未満では
応答性が遅くなり、場合によつては表示が生ぜず、また
液晶が相分難し易くなる。また９５重量％を越えるとメ
モリー性を失い、場合によつては表示も生じないことが
ある。本発明では上記した混合液晶に添加剤としてその
０．０１〜１０重量％のアルキルハライドおよび／また
は弗素系界面活性剤を加える。

アルキルハライドとしては、室温で液体のフツ化アルキ
ル、塩化アルキル、臭化アルキル、ヨウ化アルキルが用
いられる。

炭素数４以上の塩化アルキル、炭素数３以上の臭化アル
キル、炭素数２以上のヨウ化アルキルが室温付近での作
動特性、液晶との相溶性が特に良く、混合系の安定性が
良いので好ましい。アルキル基は直鎖であると、分岐鎖
のものであることを問わず、また炭素数の上限はアルキ
ルハライドを室温付近で液状とする範囲で定められ、好
ましくは１０以下である。このような、アルキルハライ
ドとしては、たとえば、ヨウ化エチル、ヨウ化アミル、
ヨウ化ヘキシル、臭化ブチル、臭化ヘプチル、塩化アミ
ル、塩化へブチル、塩化デシルなどが挙げられる。また
弗素系界面活性剤としては混合液晶に可溶性であり、表
面活性を示すものであれば、ノニオン系、アニオン系、
カチオン系又は両性のいずれの弗素系界面活性剤をも用
いることができ、たとえばフルオロアルコキシポリフル
オロアルキル硫酸エステル、フルオロカーボンスルホン
酸塩、フルオロカーボンカルボン酸塩などのアニオン系
界面活性剤、たとえばＮ−フルオロアルキルスルホンア
ミドアルキルアミン４級アンモニウム塩、Ｎ一フルオロ
アルキルスルホンアミドアルキルアミン塩、Ｎ−フルオ
ロアルキルアミドアルキルアミン４級アンモニウム塩、
Ｎ−フルオロアルキルアミドアルキルアミン塩、Ｎ−フ
ルオロアルキルスルホンアミドアルキルハロメチルエー
テル４級アンモニウム塩などのカチオン系界面活性剤、
たとえばフルオロカーボンスルホンアミド、フルオロカ
ーボンアミノスルホンアミド、フルオロカーボンカルボ
キシスルホンアミド、フルオロカーボンヒドロキシスル
ホンアミド、フルオロカーボンスルホンアミドエチレン
オキサイド付加物、フルオロカーボンヒドロキシスルホ
ンアミド硫酸エステル、フルオロカーボンアミノ酸アミ
ド、フルオロカーボン酸アミド、フルオロカーボンヒド
ロキシ酸アミド、フルオロカーボン酸アミドのエチレン
オキサイド付加縮合物、フルオロカーボンヒドロキシ酸
アミド硫酸エステル、フルオロカーボンヒドロキシ酸ア
ミド硫酸エステル、フルオロカーボンスルホン酸、フル
オロハイドロカーボンカルボン酸、フルオロハイドロカ
ーボンアルキルエステル、フルオロハイドロカーボンア
ルキルエーテル、フルオロハイドロカーボンカルボキシ
アルキルエステル、フルオロカーボンヒドロキシアミド
、フルオロハイドロカーボンアルキルエステル硫酸、フ
ルオロアルキルジアミンなどのノニオン系界面活性剤、
たとえばベタイン型フルオロカーボンスルホンアミド結
合を有するアルキルアミン、ベタイン型フルオロカーボ
ン酸アミド結合を有するアルキルアミンなどの両性界面
活性剤があげられる。

好ましい弗素系界面活性剤の例としては、米国ミネソタ
・マニユフアクチユアリング・アンド・マイニング・カ
ンバニ一（以下３Ｍ社と略称する）からゞＦＣ″系列と
して販売されているＦＣ９５（バーフルオロオクタスル
ホン酸カリウム塩）、あるいはＦＣｌ２８（フルオロカ
ーボンカルボキシスルフアミドカリウム塩）、ＦＣｌ７
Ｏ（ポリオキシエチレンフルオロカーボンスルホアミド
）、ＦＣ４３ｌ（ポリオキシエチＩ／ンフルオロカーボ
ンアミド）などが挙げられる。上記アルキルハライドお
よび／または弗素系界面活性剤は、それぞれ二種以上あ
るいはそれぞれ二種以上を選んでそれらの混合物として
用いることもでき、その総和として前記混合液晶基準で
０．０１〜１０重量％添加される。

添加量が０．０１重量％未満では本質的な改善は得られ
ず、１０重量％を越えると液晶相を破壊する危険性があ
るので好ましくない。さらに詳しくいえば、アルキルハ
ライドのみを用いるときは０．５〜１０重量％、弗素系
界面活性剤のみを用いるときは０．０１〜５重量％の範
囲で用いることが好ましい。本発明の液晶組成物には、
上記添加剤とともに、アルキルスルホニウム塩、ハイド
ロキノンエステル塩、アルキルアンモニウム塩などの有
機電解質、さらにはその他の公知の添加剤を加えること
ができる。

この場合にも、添加剤の総量は、本発明の添加剤も含め
て前記混合液晶の１０重量％を越えることは好ましくな
い。本発明の液晶組成物は、上記した各成分を必要によ
り加熱して、液状を保ちつつ混合することにより得られ
る。

加熱する場合は不活性雰囲気、特に真空中で行うことが
好ましい。このようにして得られた本発明のメモリー型
液晶表示組成物は、電子腕時計、クロツクなどの電子時
計、あるいは電子式卓上計算機などの耐久用表示素子と
して秀れた適正を示す。

以下、実施例、比較例を挙げて本発明をさらに具体的に
示す。

例中で％は重量％を示し、液晶化合物のアルキル基、ア
ルコキシ基は直鎖状のものである。比較例 １ 布販のｐ−メトキシベンジリデン−ｐ′−ブチルアニリ
ン４５〜５５％、ｐ−エトキシベンジリデン−ｐ′−ブ
チルアニリン２５〜３５％、ｐ−ヘキシルオキシベンジ
リデン−ｐ′−シアノアニリン１０〜１５％、およびコ
レステリルノナノエート５〜１５％よりなる混合液晶Ａ
を真空中で、ＮＩ点以上に加熱溶解混合し、一対のネサ
ガラス電極間に厚さ１０〜２０ミクロンのマイラ一・フ
イルムをスペーサーとして挟み込み；さらに該一対のネ
サガラスをエポキシ樹脂で接着固定して表示セルを構成
した。

こうして得られたセルの一対の電極間に３２Ｈｚの矩形
波電圧を印加したところ１０〜３５Ｖ（表示電圧）で白
濁状態となつた。特に１５〜２０Ｖの印加電圧（メモリ
ー化電圧）では電圧除去後も白濁が残り、いわゆるメモ
リー状態が得られた。一方４０Ｖ以上の電圧を印加する
と白濁は得られなかつた。また上記したようにメモリー
状態にあるセルに対して４０Ｖ以上の電圧（消去電圧）
を印加すると白濁状態は直ちに透明状態になり、この状
態で印加電圧を急激にＯにすると透明状態が保たれた。

しかしながら、上記セルに２０秒間に１秒の割合で２０
Ｖと４５Ｖの３２Ｈｚの矩形波電圧を交互に繰り返し印
加して、表示一消去の繰り返しによる寿命試験を行つた
ところ、５〜１０日で表示状態にむらが生じ、更に寿合
試験を続けると表示の認められなくなる部分が現われた
。この表示が認められなくなつた妄区分を顕微鏡で観察
したところ液晶相に分離が認められた。実施例 １ 比較例１で用いた混合液晶（４）に、その０．５重量％
のヨウ化エチルを添加して液晶組成物を得た。

この液晶組成物を用いて比較例１と同様にセル組みした
。得られたセルを用いて、比較例１と同様に表示−消去
試験をしたところ、メモリー化電圧７〜２０Ｖ、消去電
圧３５Ｖ以上の結果が得られた。

またこのセルを用いて比較例１と同一条件で寿命試験を
したところ、９０日間の試験によつても表示むらその他
の変化は何ら認められなかつた。このヨウ化エチルの添
加量を０．０５％としても添加の効果は認められ、また
１０％まで添加しても液晶状態は保たれ、寿命は改善さ
れた。さらにヨウ化エチルの代わりに炭素数３〜１０の
直鎖または分岐のヨウ化アルキル、臭化アルキル、ある
いは炭素数４〜１０の塩化アルキルを用いても同様の効
果が認められた。

比較例 ２ ｐ−シアノフエニル一ｐ′−プロピルベンゾエート２％
、ｐ−シアノフエニル一ｐ′−ブチルベンゾエート１５
％、ｐ−シアノフエニル一ｐ′−ベンチルベンゾエート
３％、ｐ−シアノフエニル一ｐ′−ヘキシルベンゾエー
ト２０％、ｐ−シアノフエニル一ｐｌ−ヘプチルベンゾ
エート２０％、ｐ−シアノフエニル一ｐ／−オクチルベ
ンゾエート２０％およびｐ−ヘキシルオキシ−ｐ′−ブ
チルベンゾエート２０％からなるフエニルベンゾエート
系ネマチツク液晶９３％と、コレステリルクロライド７
％とを、真空中でＮ点以上に加熱溶解混合して、混合液
晶（Ｂ）を得た。

得られた混合液晶を通常の方法で作られた表示セル中に
封入し、表示電極および対向電極間に、直流または交流
電圧を印加したところ、３〜１３Ｖで白濁状態となり、
特に７〜１２Ｖの電圧ではメモリー化が得られた。

このメモリー状態は１５Ｖ以上の交流電圧の印加により
消去され透明状態にもどつた。しかし、５０Ｈｚのサイ
ン波による交流電圧１０Ｖおよび２０を交互に３０秒に
２秒の割合で印加したところ１力月で表示状態にむらを
生じ、顕微鏡によると液晶相に分離が認められた。

実施例 ２ 上記混合液晶（Ｂ）にその０．１％の３Ｍ社製フツ素系
界面活性剤ＦＣ−１７０（ポリオキシエチレンフルオロ
カーボンスルホアミド）を添加し、比較例２と同様にセ
ル組みした。

得られたセルを用いて比較例２と同様に試験したところ
、同様の表示および消去電圧が得られ、連続駆動テスト
においては３力月たつても表示むらや液相相の分離は全
く認められなかつた。またＦＣ−１７０の添加量を３％
に増加したところ、低温域での粘度増加が抑制され、使
用可能温度域が拡げられた。

さらにＦＣ−１７０の代わりに、同じ３Ｍ社製のＦＣ−
９５，−９８，−１２６，−１２８，一１３４，−１７
６，−４３０，−４３１を用いてテストしてみても同様
の結果が得られた。

比較例 ３ ｐ−ペンチル一ｐ′−シアノビフエニル８０％、ｐ−ヘ
キシル−ｐ／−シアノビフエニル１６％およびｐ−ヘキ
シルオキシ−ｐ′−シアノビフエニル４％からなるビフ
エニル系ネマチツク液晶８７％と、コレステリツクオレ
エート１３％を加え真空中で加熱溶解混合して混合液晶
（Ｃ）を得た。

この混合液晶を用いて比較例１と同様にセル組みし、３
２Ｈｚの短形波電圧を印加し、３０秒に２秒の割合で１
０Ｖでメモリー化、２０Ｖで消去を交互に行う連続駆動
試験を行つたところ約２週間で表示むらを生じた。

実施例 ３ 上記混合液晶（Ｏに、その５％のＦＣ−４３１（ポリオ
キシエチレンフルオロカーボンアミド）を添加して液晶
組成物を得た。

混合液晶（Ｃ）のみでは約１０℃以下で粘度の急上昇と
、さらには凝固状態が生じたが、この組成物では凝固状
態となる温度が低下した。この低温域での粘度上昇の抑
制効果は、ＦＣ−４３１の添加量の増加に従つて増大し
た。この組成物を用いて比較例３と同様にセル組みし、
書込み電圧１０、消去電圧２０Ｖで連続駆動試験を行つ
たところ、３力月経過後も表示むらや液晶相の分離は認
められなかつた。

ＦＣ−４３１の代わりに、ＦＣ−９５，−９８，−１２
６，−１２８，−１３４，−１７０，−１７６，−４３
０を添加した場合も同様の効果が認められた。

比較例 ４ ｐ−シアノフエニル一ｐ′−ブチルベンゾエート４７（
！）、ｐ−シアノーメーヘブチルビフエニル２１％およ
びｐ−シアノフエニル一ｐ／−ヘキシルベンゾエート３
２（ｆｌ）からなるネマチツク液晶（ビフエニル液晶化
合物とフエニルベンゾエート液晶化合物の併用系）の９
０％とコレステリルノナノエート１０％とからなる混合
液晶（Ｄ）を比較例１と同様にセル組みし、比較例１と
同様に表示ならびに消去試験をしたところ、表示電圧５
〜１０Ｖ、メモリー化電圧５〜９、消去電圧１１Ｖ以上
の結果が得られた。

表示、消去に要する応答時間はそれぞれ１〜２秒および
０．５秒であつた。またメモリー化電圧および消去電圧
をそれぞれ６Ｖおよび１２Ｖとした以外は比較例１と同
様にして連続駆動試験を行つたところ、約１力月で表示
むらが発生した。実施例 ４ 混合液晶（Ｄ）に、その０．５％の塩化アミルを添加し
、得られた組成物を用いて、比較例４と同様にセル組な
らびに表示、消去試験を行つたところ、表示最低電圧が
２Ｖまで下がり、駆動電圧の安定化が見られた。

また上記組成物に更にＦＣ−９５（バーフルオロオクタ
スルホン酸カリウム塩）を０．２％添加して同様にセル
組みならびに表示試験を行つたところ、表示および消去
に要する応答時間はともに比較例４の場合の約Ｊ４に短
縮された。

さらに、このセルを用いて比較例４と同様に連続駆動試
験を行つたところ、３力月経過後も表示むらならびに液
晶相の分離は認められなかつた。

実施例 ５ 比較例２で用いた混合液晶（Ｂ）にその１％の臭化ブチ
ルおよび１％のヨウ化ヘキシルを加えて組成物を得た。

この組成物を用いて、比較例２と同様にセル組み、なら
びに表示一消去試験を行つたところ、表示電圧３〜１３
、メモリー化電圧７〜１２Ｖ１消去電圧１５以上の結果
が得られた。

また、このセルを用いて比較例２と同様に連続駆動試験
を行つたところ、３力月経過後も表示むらの発生、液晶
相の分離は認められなかつた。

実施例 ６ 比較例３で用いた混合液晶（Ｏに、その０．５％のＦＣ
−１２８（フルオロカーボンカルボキシスルフアミドカ
リウム塩）および０．５％のへブチルクロライドを添加
して組成物を得た。

この組成物を用いて、比較例３と同様にセル組した。

得られたセルに、３２Ｈｚ矩形波電圧を印加して表示、
消去試験を行つたところ；同一条件下で比較例３のセル
を用いたときは表示電圧３〜１２Ｖ、メモリー化電圧、
消去電圧１５Ｖ以上であつたのに対し；表示電圧２〜１
２Ｖ１メモリー化電圧３〜７Ｖ１消去電圧１３〜１５Ｖ
の結果が得られた。また、このセルを用いて、比較例３
と同様に連続駆動試験を行つたところ、３力月経過後も
表示むらや液晶相の分離は認められなかつた。

また、この組成物には低温域での粘度増加の抑制効果も
認められた。

実施例 ７ ｐ−ペンチル一ｐ′−シアノビフエニル７９．８％、ｐ
−アミロキシ一ｐ′−シアノビフエニル２．０％、ｐ−
ヘキシル−ｐ／−シアノビフエニル１５．３％、ｐ−ヘ
プチルオキシ−ｐ′−シアノビフエニル１．４％、ｐ−
オクチルオキシ−ｐ′−シアノビフエニル１．３％、ｐ
−ブチル−ｐ′−（ｐ−シアノフエニル）ビフエニル０
，２％からなる混合液晶に、０．０５（ｆｌ）のＦＣ−
９８および０．１％のＦＣ−１２８を添加して組成物を
得た。

この組成物を用いて、比較例３と同様にセル組した。

得られたセルに、３２Ｈｚ矩形波電圧を印加して表示、
消去試験を行つたところ；同一条件下で比較例３のセル
を用いたときは表示電圧３〜１２、メモリー化電圧、消
去電圧１５Ｖ以上であつたのに対し；表示電圧２〜１２
、メモリー化電圧３〜７Ｖ１消去電圧１３〜１５Ｖの結
果が得られた。また、このセルを用いて、比較例３と同
様に連続駆動試験を行つたところ、３力月経過後も表示
むらや液晶相の分離は認められなかつた。

また、この組成物には低温域での粘度増加の抑制効果も
認められた。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ （ａ）ネマチツク液晶７０〜９５重量％とコレステ
   リツク液晶５〜３０重量％とからなる混合液晶、および
   （ｂ）該混合液晶基準で０．０１〜１０重量％のアルキ
   ルハライドおよび／または弗素系界面活性剤を含むこと
   を特徴とする、安定化されたメモリー型液晶組成物。 ２ 前記ネマチツク液晶が、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （Ｘ＿１、Ｘ＿２はそれぞれ、炭素数１〜１２のアルキ
   ル基、炭素数１〜９のアルコキシ基、シアノ基から選ば
   れる。 ）のシッフ液晶化合物の少くとも１種を含む特許請求の
   範囲第１項記載の組成物。３ 前記ネマチツク液晶が、
   前記混合液晶基準で、４０〜６０重量％のｐ−メトキシ
   ベンジリデン−ｐ′−ブチルアニリン、２０〜４０重量
   ％のｐ−エトキシベンジリデン−ｐ′ブチルアニリン、
   および７〜２０重量％のｐ−ヘキシルオキシベンジリデ
   ン−ｐ′−シアノアニリンまたはｐ−ブトキシベンジリ
   デン−ｐ′−シアノアニリン、からなる特許請求の範囲
   第２項に記載の組成物。 ４ 前記ネマチツク液晶が一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （Ｙは炭素数４〜１５のアルキルもしくはアルコキシ基
   、または炭素数８〜３０のアルキルフェニル基もしくは
   アルコキシフェニル基）で表わされるビフェニル液晶化
   合物の少くとも一種を含む、特許請求の範囲第１項記載
   の組成物。 ５ 前記ネマチツク液晶が一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （Ｚ＿１、Ｚ＿２はそれぞれシアノ基、炭素数３〜８の
   アルキル基、炭素数４〜８のアルコキシ基から選ばれ；
   ともにアルキル基であり得るが、ともにシアノ基あるい
   はアルコキシ基ではあり得ない）であるフェニルベンゾ
   エート液晶化合物の少くとも一種を含む、特許請求の範
   囲第１項記載の組成物。 ６ 前記ネマチツク液晶が、前記混合液晶基準で、（ｉ
   ）一般式▲数式、化学式、表等があります▼ （Ｙ：炭素数４〜１５のアルキルもしくはアルコキシ基
   、または炭素数８〜３０のアルキルフェニル基もしくは
   アルコキシフェニル基）で表わされるビフェニル液晶化
   合物の少くとも一種１〜３０重量％；および（ｉｉ）一
   般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （Ｚ＿１、Ｚ＿２は、それぞれシアノ基、炭素数３〜８
   のアルキル基、炭素数４〜８のアルコキシ基から選ばれ
   ；ともにアルキル基であり得るが、ともにシアノ基ある
   いはアルコキシ基ではあり得ない）であるフェニルベン
   ゾエート液晶化合物の少くとも一種５０〜９４重量％と
   からなる、特許請求の範囲第１項記載の組成物。