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JPS5926603Y2 - ハイブリッド・イグナイタ− - Google Patents

ハイブリッド・イグナイタ−

Info

Publication number
JPS5926603Y2
JPS5926603Y2 JP1978183345U JP18334578U JPS5926603Y2 JP S5926603 Y2 JPS5926603 Y2 JP S5926603Y2 JP 1978183345 U JP1978183345 U JP 1978183345U JP 18334578 U JP18334578 U JP 18334578U JP S5926603 Y2 JPS5926603 Y2 JP S5926603Y2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
hybrid
igniter
metal case
power transistor
heat dissipation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP1978183345U
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5599156U (ja
Inventor
治美 青木
昭栄 酒師
Original Assignee
松下電器産業株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 松下電器産業株式会社 filed Critical 松下電器産業株式会社
Priority to JP1978183345U priority Critical patent/JPS5926603Y2/ja
Publication of JPS5599156U publication Critical patent/JPS5599156U/ja
Application granted granted Critical
Publication of JPS5926603Y2 publication Critical patent/JPS5926603Y2/ja
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate

Landscapes

  • Casings For Electric Apparatus (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は大電流制御用のパワートランジスタを喫蔵する
ハイブリッド・イグナイターの改良に関し、簡単な構成
でパワートランジスタの熱分離を行い、信頼性の向上を
計ろうとするものである。
従来のハイブリッド・イグナイターの構成例を第１図に
示す。
放熱用突起１０を有する金属ケース９内には、放熱ベー
ス２に半田付けされたパワートランジスタ３と、ボンデ
ィングポスト５、外部結線用端子７、モノリシックＩＣ
等の電子部品６を装着したバイブノット基板１１が収納
されており、パワートランジスタ３およびハイブリッド
基板１１間は、ワイヤー４によって超音波溶接等の手段
により結線されている。
又、外部へは外部接続用端子７を介して、外部接続用リ
ード８が引き出される。
さらに、上記金属ケース９内にはエポキシ等の注型樹脂
１を充填するのが一般的である。
しかし、上記構成ではパワートランジスタ３の発熱が金
属ケース９を通して直接ハイブリッド基板１１上の電子
部品６に伝わるため、電子部品６の信頼性を著しく損う
ものであった。
特に排ガス対策の希薄燃焼エンジン用として、放電エネ
ルギーをアップしたイグナイターでは、パワートランジ
スタ３の発熱が大きくなりハイブリッド基板１１上の電
子部品６を著しく劣化させる欠点があった。
本考案は、極めて簡単な構成で上記問題を解決したもの
である。
以下、第２図、第３図に示す実施例によって、本考案の
詳細な説明を行なう。
１３は底面に放熱用の突起１４を数個形成した金属ケー
スで、この数個の突起１４のうち少なくとも１つには金
属ケース１３の内側面から凹み１５が設けられている。
そして、この金属ケース１３内には上記凹み１５を境と
して一方に放熱ベース１６に半田付けされたパワートラ
ンジスタ７が取付けられ、他方にはボンディングポスト
１８、外部結線用端子１９、モノシリツクＩＣなどの電
子部品２０を装着したハイブリッド基板２１が取付けら
れている。
また、パワートランジスタ１７とハイブリッド基板２１
の間はワイヤー２２によって超音波溶接などの手段で結
線されており、外部結線用端子１９からは外部接続リー
ド線２３が引出されている。
さらにこの金属ケース１３内にはエポキシなどの注型樹
脂２４が充填されている。
上記構成によれば、パワートランジスタ１７の発熱は凹
み１５を設けた突起１４に伝わるが、この突起１４の金
属厚みが小さいため、熱伝導率が悪くなる。
さらに、熱伝導路の外気との接触部が長くなるため、放
熱も良くなる。
以上により、パワートランジスタ１７とハイブリッド基
板２１間の熱伝導路は、熱伝導率が悪く、かつ放熱が良
くなり、熱的に分離される。
したがって、パワートランジスタ１７の発熱が、ハイブ
リッド基板２１上の電子部品２０を劣化させることがな
くなり、高度の信頼性を維持することができる。
以上のように本考案は従来の放熱用突起を利用すること
によって極めて簡単かつ効果的に、パワートランジスタ
とハイブリッド基板の電子部品の熱分離を行なうもので
あり、電子部品の熱的劣化は阻止でき信頼性の大幅な向
上が計れ、その実用的価値は極めて大きい。
なお、本実施例では、放熱用の突起−個に凹みを設ける
例を示したが、形状により複数個の突起に凹みを設けれ
ば更に効果的である。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のハイブリッド・イグナイターを示す断面
図、第２図は本考案のハイブリッド・イグナイターの一
実施例を示す斜視図、第３図は同断面図である。 １３・・・・・・金属ケース、１４・・・・・・突起、
１５・・・・・・凹み、１６・・・・・・放熱ベース、
１７・・・・・・パワートランジスタ、１８・・・・・
・ボンディングポスト、１９・・・・・・外部結線用端
子、２０・・・・・・電子部品、２１・・・・・・ハイ
ブリッド基板、２２・・・・・・ワイヤー、２３・・・
・・・外部接続リード線、２４・・・・・・注型樹脂。

Claims (2)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. （１）放熱用の複数個の突起を有するハイブリッド・イ
    グナイター用金属ケース内にパワートランジスタや電子
    部品を組込んだハイブリッド基板を組込んで構成される
    ハイブリッド・イグナイターにおいて、上記金属ケース
    の突起の内の一個又は複数にケース内面側から凹みを設
    け、この凹みを境にしてパワートランジスタと、電子部
    品を装着したハイブリッド基板とを配置したことを特徴
    とするハイブリッド・イグナイター。
  2. （２）金属ケース内を、注型樹脂で充填したことを特徴
    とする実用新案登録請求の範囲第１項記載のハイブリッ
    ド・イグナイター
JP1978183345U 1978-12-27 1978-12-27 ハイブリッド・イグナイタ− Expired JPS5926603Y2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1978183345U JPS5926603Y2 (ja) 1978-12-27 1978-12-27 ハイブリッド・イグナイタ−

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1978183345U JPS5926603Y2 (ja) 1978-12-27 1978-12-27 ハイブリッド・イグナイタ−

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5599156U JPS5599156U (ja) 1980-07-10
JPS5926603Y2 true JPS5926603Y2 (ja) 1984-08-02

Family

ID=29195010

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1978183345U Expired JPS5926603Y2 (ja) 1978-12-27 1978-12-27 ハイブリッド・イグナイタ−

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5926603Y2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003112532A (ja) * 2001-10-05 2003-04-15 Aisin Aw Co Ltd 電子制御装置を備えた自動変速機

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003112532A (ja) * 2001-10-05 2003-04-15 Aisin Aw Co Ltd 電子制御装置を備えた自動変速機

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5599156U (ja) 1980-07-10

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