JPH0158663B2 - - Google Patents
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- JPH0158663B2 JPH0158663B2 JP56174036A JP17403681A JPH0158663B2 JP H0158663 B2 JPH0158663 B2 JP H0158663B2 JP 56174036 A JP56174036 A JP 56174036A JP 17403681 A JP17403681 A JP 17403681A JP H0158663 B2 JPH0158663 B2 JP H0158663B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、パツケージ封止用金属板を用いてな
る半導体装置の製造方法に関するものである。
る半導体装置の製造方法に関するものである。
シリコン（Si）等の半導体基板に半導体素子を
形成し、該基板をチツプに切断したのち素子を形
成したSiチツプを搭載して気密に封止するセラミ
ツク基板を用いたデユアルインライン型の半導体
装置のパツケージは周知である。
形成し、該基板をチツプに切断したのち素子を形
成したSiチツプを搭載して気密に封止するセラミ
ツク基板を用いたデユアルインライン型の半導体
装置のパツケージは周知である。
第１図はこのような従来のセラミツクパツケー
ジに半導体チツプを搭載した場合の断面図であ
る。
ジに半導体チツプを搭載した場合の断面図であ
る。
図で１はセラミツク基板を積層して焼結せしめ
たステージで該ステージ上には金シリコン
（AuSi）合金等を介して半導体チツプ２が融着さ
れて設置されている。一方外部リード線３に接続
しセラミツク基板上に形成された導体層に半導体
チツプからのワイヤ４がボンデイングされて接続
されている。
たステージで該ステージ上には金シリコン
（AuSi）合金等を介して半導体チツプ２が融着さ
れて設置されている。一方外部リード線３に接続
しセラミツク基板上に形成された導体層に半導体
チツプからのワイヤ４がボンデイングされて接続
されている。
このようにステージ上に設置された半導体チツ
プは空気によつて酸化されるのを防止したり、あ
るいは大気中の腐蝕性ガスから侵されるのを防止
するため気密構造に封止される必要がある。セラ
ミツクパツケージの封止部はタングステン（Ｗ）
又はモリブデン（Mo）等によりメタライズさ
れ、さらにNi、Auメツキを施されており、また
一方パツケージのキヤツプとなる鉄（Fe）、ニツ
ケル（Ni）、コバルト（Co）よりなるコバール又
はFe―Ni合金のパツケージ封止用金属板６の周
囲には全面金（Au）メツキを施しておき、この
全面金メツキを施したパツケージ封止用金属板と
Au―Sn合金等の封止剤をセラミツク基板上に設
置してから加熱することによりセラミツク基板上
の封止剤５と金メツキ層７の一部とを融着させて
気密封止していた。
プは空気によつて酸化されるのを防止したり、あ
るいは大気中の腐蝕性ガスから侵されるのを防止
するため気密構造に封止される必要がある。セラ
ミツクパツケージの封止部はタングステン（Ｗ）
又はモリブデン（Mo）等によりメタライズさ
れ、さらにNi、Auメツキを施されており、また
一方パツケージのキヤツプとなる鉄（Fe）、ニツ
ケル（Ni）、コバルト（Co）よりなるコバール又
はFe―Ni合金のパツケージ封止用金属板６の周
囲には全面金（Au）メツキを施しておき、この
全面金メツキを施したパツケージ封止用金属板と
Au―Sn合金等の封止剤をセラミツク基板上に設
置してから加熱することによりセラミツク基板上
の封止剤５と金メツキ層７の一部とを融着させて
気密封止していた。
ところで従来このようなパツケージ封止用金属
板を形成する場合、第２図に示すような板状形状
のFe―Ni合金からなる部材１１を用いている。
このような形状の金属部材をNiメツキ浴に浸積
させて該金属部材の全面にNiメツキを施す。そ
の後該金属部材をAuメツキ浴に浸漬させてパツ
ケージ封止用金属板１２の両面に金メツキを施し
ていた。
板を形成する場合、第２図に示すような板状形状
のFe―Ni合金からなる部材１１を用いている。
このような形状の金属部材をNiメツキ浴に浸積
させて該金属部材の全面にNiメツキを施す。そ
の後該金属部材をAuメツキ浴に浸漬させてパツ
ケージ封止用金属板１２の両面に金メツキを施し
ていた。
しかしこのような従来のパツケージ封止用金属
板の製造方法では金が高価であるため、形成され
るパツケージ封止用金属板のコストが高くなると
いつた欠点を生じる。
板の製造方法では金が高価であるため、形成され
るパツケージ封止用金属板のコストが高くなると
いつた欠点を生じる。
本発明は上述した欠点を除去し、前記パツケー
ジ封止用金属板の切り欠き溝を設けた面、該金属
シートの側面、並びに該切り欠き溝の側面にのみ
貴金属メツキを施し、封止が完全であり、かつ使
用する貴金属の量を減らしたパツケージ封止用金
属板を用いた半導体装置の製造方法の提供を目的
とするものである。
ジ封止用金属板の切り欠き溝を設けた面、該金属
シートの側面、並びに該切り欠き溝の側面にのみ
貴金属メツキを施し、封止が完全であり、かつ使
用する貴金属の量を減らしたパツケージ封止用金
属板を用いた半導体装置の製造方法の提供を目的
とするものである。
かかる目的を達成するためのパツケージ封止用
金属板を用いてなる半導体装置の製造方法は、対
向する帯状部材と該帯状部材に架橋部材を介して
接続する所定パターンの板状部材とを有してな
り、前記架橋部材の表面に切り欠き溝を設けた金
属シートを形成する工程と、該金属シートの両面
にあらかじめ下地メツキを施す工程と、前記金属
シートの裏面を除いて、切り欠き溝を設けた面、
該金属シートの側面、並びに該切り欠き溝の側面
に貴金属メツキを施す工程と、前記切り欠き溝の
位置で架橋部材を切断して所定パターンの板状部
材を取り出す工程と、該封止剤を用いて、該板状
部材の貴金属メツキを施した面を、チツプを載置
した該パツケージの該凹部の外周表面に接着する
工程とを有するものである。
金属板を用いてなる半導体装置の製造方法は、対
向する帯状部材と該帯状部材に架橋部材を介して
接続する所定パターンの板状部材とを有してな
り、前記架橋部材の表面に切り欠き溝を設けた金
属シートを形成する工程と、該金属シートの両面
にあらかじめ下地メツキを施す工程と、前記金属
シートの裏面を除いて、切り欠き溝を設けた面、
該金属シートの側面、並びに該切り欠き溝の側面
に貴金属メツキを施す工程と、前記切り欠き溝の
位置で架橋部材を切断して所定パターンの板状部
材を取り出す工程と、該封止剤を用いて、該板状
部材の貴金属メツキを施した面を、チツプを載置
した該パツケージの該凹部の外周表面に接着する
工程とを有するものである。
以下図面を用いて本発明の一実施例につき詳細
に説明する。
に説明する。
第３図および第４図は本発明のパツケージの封
止用金属板の製造方法に用いるシート状の金属部
材の平面図とそのＡ―A′線に沿つた要部断面図
であり、第５図は本発明の方法によつて製造した
パツケージ封止用金属板を用いた半導体装置のパ
ツケージの断面図である。
止用金属板の製造方法に用いるシート状の金属部
材の平面図とそのＡ―A′線に沿つた要部断面図
であり、第５図は本発明の方法によつて製造した
パツケージ封止用金属板を用いた半導体装置のパ
ツケージの断面図である。
本発明のパツケージの封止用金属板の製造方法
にはまず第３図および第４図に示すような形状の
例えばFe，Ni合金よりなる薄いシート状の金属
板を用意する。
にはまず第３図および第４図に示すような形状の
例えばFe，Ni合金よりなる薄いシート状の金属
板を用意する。
図示するように本発明の方法に用いるシート状
金属板は前述した如く対向する帯状金属板２１に
所定パターンのパツケージ封止用金属板２２が複
数個架橋部材２３を介して連なつて形成されてい
る。ここで架橋部材２３の表面には第４図に示す
ように切り欠き溝１０１が形成されている。この
ような状態のシート状金属部材をNiメツキ浴中
に連続的に浸漬してNi板を電極として電解メツ
キによりシート状の金属部材の全面にNiメツキ
を施す。その後このように全面にNiメツキを施
したシート状の金属板を切り欠き溝を有した面を
上方に向けてシリコンゴム等のゴム板上に載せて
押圧し、金属板の片面のみをゴム板に埋没させる
方法や片面に粘着剤を塗布したテープ等を貼りつ
ける方法等により片面をカバーした後、Auメツ
キ浴中に浸漬し電解メツキにより金属シートの片
面だけAuメツキをする。その後切り欠き溝の部
分にカツターを押し当てプレスにて架橋部材を切
断してパツケージ封止用金属板を取り出す。その
後第５図に示すようにパツケージ封止用金属板の
金メツキ層の部分２４とセラミツク基板上に設置
している封止剤２５と加熱融着してパツケージを
封止する。ここでメツキ工程以前に、架橋部材の
メツキされる面に切り欠き溝を設ける工程がある
ために、金メツキがこの切り欠き溝の中にも施さ
れる。次いで、この切り欠き溝の位置で、架橋部
材を切断すれば、パツケージ封止用金属板の側面
部Ｂのすべてに充分金メツキが施される。そのた
め熱圧着した際封止剤２５のAu―Sn合金が溶融
して前記した切断面をも含めた全側面部Ｂ迄延び
るため封止が完全なものとなる。
金属板は前述した如く対向する帯状金属板２１に
所定パターンのパツケージ封止用金属板２２が複
数個架橋部材２３を介して連なつて形成されてい
る。ここで架橋部材２３の表面には第４図に示す
ように切り欠き溝１０１が形成されている。この
ような状態のシート状金属部材をNiメツキ浴中
に連続的に浸漬してNi板を電極として電解メツ
キによりシート状の金属部材の全面にNiメツキ
を施す。その後このように全面にNiメツキを施
したシート状の金属板を切り欠き溝を有した面を
上方に向けてシリコンゴム等のゴム板上に載せて
押圧し、金属板の片面のみをゴム板に埋没させる
方法や片面に粘着剤を塗布したテープ等を貼りつ
ける方法等により片面をカバーした後、Auメツ
キ浴中に浸漬し電解メツキにより金属シートの片
面だけAuメツキをする。その後切り欠き溝の部
分にカツターを押し当てプレスにて架橋部材を切
断してパツケージ封止用金属板を取り出す。その
後第５図に示すようにパツケージ封止用金属板の
金メツキ層の部分２４とセラミツク基板上に設置
している封止剤２５と加熱融着してパツケージを
封止する。ここでメツキ工程以前に、架橋部材の
メツキされる面に切り欠き溝を設ける工程がある
ために、金メツキがこの切り欠き溝の中にも施さ
れる。次いで、この切り欠き溝の位置で、架橋部
材を切断すれば、パツケージ封止用金属板の側面
部Ｂのすべてに充分金メツキが施される。そのた
め熱圧着した際封止剤２５のAu―Sn合金が溶融
して前記した切断面をも含めた全側面部Ｂ迄延び
るため封止が完全なものとなる。
またパツケージ封止用金属板の片側にのみ金メ
ツキを施しているのでパツケージの製造コストが
低下する利点も併せ生じる。
ツキを施しているのでパツケージの製造コストが
低下する利点も併せ生じる。
また以上の実施例においてはAuメツキをパツ
ケージ封止用金属板の表面に形成するようにした
がAuメツキの代わりに銀（Ag）メツキを施して
もよい。
ケージ封止用金属板の表面に形成するようにした
がAuメツキの代わりに銀（Ag）メツキを施して
もよい。
第１図は従来の半導体装置のパツケージの断面
図、第２図は従来のパツケージ封止用金属板の製
造法に用いる金属板を示す図、第３図、第４図は
本発明のパツケージ封止用金属板の製造方法に用
いる金属板の平面図およびその要部断面図、第５
図は本発明の製造法で形成した封止用金属板を用
いたパツケージの断面図を示す。 図において１はステージ、２はチツプ、３は外
部リード線、４はワイヤ、５，２５は封止剤、
６，１１，２２はパツケージ封止用金属板、７，
２４は金メツキ層、２１は帯状部材、２３は架橋
部材、１０１は切り欠き溝、Ｂは側面を示す。
図、第２図は従来のパツケージ封止用金属板の製
造法に用いる金属板を示す図、第３図、第４図は
本発明のパツケージ封止用金属板の製造方法に用
いる金属板の平面図およびその要部断面図、第５
図は本発明の製造法で形成した封止用金属板を用
いたパツケージの断面図を示す。 図において１はステージ、２はチツプ、３は外
部リード線、４はワイヤ、５，２５は封止剤、
６，１１，２２はパツケージ封止用金属板、７，
２４は金メツキ層、２１は帯状部材、２３は架橋
部材、１０１は切り欠き溝、Ｂは側面を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 対向する帯状部材と該帯状部材に架橋部材を
介して接続する所定パターンの板状部材とを有し
てなり、前記架橋部材の表面に切り欠き溝を設け
た金属シートを形成する工程と、 該金属シートの両面にあらかじめ下地メツキを
施す工程と、 前記金属シートの裏面を除いて、切り欠き溝を
設けた面、該金属シートの側面、並びに該切り欠
き溝の側面に貴金属シートを施す工程と、 前記切り欠き溝の位置で架橋部材を切断して所
定パターンの板状部材を取り出す工程と、 封止剤を用いて、該板状部材の貴金属メツキを
施した面を、チツプを載置したパツケージの凹部
の外周表面に接着する工程と を有する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56174036A JPS5874058A (ja) | 1981-10-29 | 1981-10-29 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56174036A JPS5874058A (ja) | 1981-10-29 | 1981-10-29 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5874058A JPS5874058A (ja) | 1983-05-04 |
| JPH0158663B2 true JPH0158663B2 (ja) | 1989-12-13 |
Family
ID=15971501
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56174036A Granted JPS5874058A (ja) | 1981-10-29 | 1981-10-29 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5874058A (ja) |
-
1981
- 1981-10-29 JP JP56174036A patent/JPS5874058A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5874058A (ja) | 1983-05-04 |
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