JPS5857744A - 高耐圧ダイオ−ド - Google Patents
高耐圧ダイオ−ドInfo
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- JPS5857744A JPS5857744A JP15663681A JP15663681A JPS5857744A JP S5857744 A JPS5857744 A JP S5857744A JP 15663681 A JP15663681 A JP 15663681A JP 15663681 A JP15663681 A JP 15663681A JP S5857744 A JPS5857744 A JP S5857744A
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- Japan
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- neutron
- dielectric strength
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＰＨ１合を有する半導体チップをはんだあるい
はアル？＝ウムなどのろう材を用いて積層させてなる高
耐圧ダイオードに関する。
はアル？＝ウムなどのろう材を用いて積層させてなる高
耐圧ダイオードに関する。
このような高耐圧ダイオードの半導体としては耐熱性の
高いシリコンが用いられ、高抵抗シリコ“ン基板にＰＮ
接合を形成したのち、ろう材をはさんで所定の数積層し
、賽の目状に切断して高耐圧ダイオードを得る。用いら
れたシリコン基板の比抵抗、ベース巾６チツプ面積、逆
回復時間および表面処理などによって決められる。そし
て素子全体としての逆耐圧は、ある一定逆漏れ電流値で
の各チップでの耐圧の和となる。従って各ダイオ−・ト
チツブのアバランシ電圧のばらつきがあると、各チップ
毎の電圧分担にばらつきが生ずる。特に高温になると逆
漏れ電流が増大し、逆方向特性がソフトになってくるた
め、各々のチップの電圧分担はさらにくずれ、耐圧が高
く逆漏れ電流の小さなチップはさらに分担が大きくなっ
て発生損失が゛増大する。積層型ダイオードでは個々の
チップが隣接しているため、あるチップが熱暴走をおこ
すと周囲のチップｔで影響を及ぼし、連鎖反応的に熱暴
走を起こすことが知られている。それ故、積層型高耐圧
ダイオードでは個々のチップでの逆耐圧をそろえる事が
極めて重要な線層である。
高いシリコンが用いられ、高抵抗シリコ“ン基板にＰＮ
接合を形成したのち、ろう材をはさんで所定の数積層し
、賽の目状に切断して高耐圧ダイオードを得る。用いら
れたシリコン基板の比抵抗、ベース巾６チツプ面積、逆
回復時間および表面処理などによって決められる。そし
て素子全体としての逆耐圧は、ある一定逆漏れ電流値で
の各チップでの耐圧の和となる。従って各ダイオ−・ト
チツブのアバランシ電圧のばらつきがあると、各チップ
毎の電圧分担にばらつきが生ずる。特に高温になると逆
漏れ電流が増大し、逆方向特性がソフトになってくるた
め、各々のチップの電圧分担はさらにくずれ、耐圧が高
く逆漏れ電流の小さなチップはさらに分担が大きくなっ
て発生損失が゛増大する。積層型ダイオードでは個々の
チップが隣接しているため、あるチップが熱暴走をおこ
すと周囲のチップｔで影響を及ぼし、連鎖反応的に熱暴
走を起こすことが知られている。それ故、積層型高耐圧
ダイオードでは個々のチップでの逆耐圧をそろえる事が
極めて重要な線層である。
しかるに従来の高比抵抗シリコン単結晶力１らｉそり
ワ 畔出された基板は、比抵抗が均一でなく、１枚の板の中
で最大±７チ、板と板の間となると量大±２５％のばら
つきがあり、このような基板を用いて積層して作られる
高耐圧ダイオードの各チップ間の逆耐圧および逆漏れ電
流をそろえることは極めて困離であった。
ワ 畔出された基板は、比抵抗が均一でなく、１枚の板の中
で最大±７チ、板と板の間となると量大±２５％のばら
つきがあり、このような基板を用いて積層して作られる
高耐圧ダイオードの各チップ間の逆耐圧および逆漏れ電
流をそろえることは極めて困離であった。
本発明は、このような問題点を解決して、各ダイオード
チップの特性がそろっており、信頼性の高い積層蓋高耐
圧ダイオードを提供することを目的とする。
チップの特性がそろっており、信頼性の高い積層蓋高耐
圧ダイオードを提供することを目的とする。
この目的はダイオードチップをろう材を用いて積層して
なる高耐圧ダイオードにおいて、各ダイオードチップを
中性子照射シリコン基板を用いて作成することによって
達成される。
なる高耐圧ダイオードにおいて、各ダイオードチップを
中性子照射シリコン基板を用いて作成することによって
達成される。
シリコンに中性子を照射し、シリコンの同位元素である
３０８１ を核反応によりＳｉｐに変換して、シリコ
ンの比抵抗を制御する方法が知られている。
３０８１ を核反応によりＳｉｐに変換して、シリコ
ンの比抵抗を制御する方法が知られている。
このような中性子照射シリコンは比抵抗のばらつきが少
なく、１枚のシリコン板面内においては±５−以下、シ
リコン板間でも±１０％以下のばらつきに押えることが
可能である。この中性子照射シリコン板の板肉の比抵抗
の均一性は大電流用の、すなわち大面積のダイオードに
生かされ、その特性の向上に役立っている。本発明はこ
の中性子照射シリコンの板肉ばかりでなく、各板間に２
いても比抵抗のばらつきの少ないことを利用したもので
ある。
なく、１枚のシリコン板面内においては±５−以下、シ
リコン板間でも±１０％以下のばらつきに押えることが
可能である。この中性子照射シリコン板の板肉の比抵抗
の均一性は大電流用の、すなわち大面積のダイオードに
生かされ、その特性の向上に役立っている。本発明はこ
の中性子照射シリコンの板肉ばかりでなく、各板間に２
いても比抵抗のばらつきの少ないことを利用したもので
ある。
このような中性子照射シリコン基板を用いた積層型高圧
ダイオードにおいては、用いられたシリコン基板の比抵
抗のばらつきが少ないことに基づき、各ダイオードチッ
プの逆耐圧右よび逆漏れ電流のばらつきは従来のシリコ
ン単結晶を用いた場合に比して半分以下となり、素子全
体の特性の均一性および熱的安定性が著しく向上した。
ダイオードにおいては、用いられたシリコン基板の比抵
抗のばらつきが少ないことに基づき、各ダイオードチッ
プの逆耐圧右よび逆漏れ電流のばらつきは従来のシリコ
ン単結晶を用いた場合に比して半分以下となり、素子全
体の特性の均一性および熱的安定性が著しく向上した。
従って本発明に基づく高圧ダイオードはテレビのブラウ
ン管用高圧整流体、自動車のデス）ＩＪピユータレス用
高圧ダイオードのはか一般電源用高圧ダイオードとして
極めて有効に使用できる。
ン管用高圧整流体、自動車のデス）ＩＪピユータレス用
高圧ダイオードのはか一般電源用高圧ダイオードとして
極めて有効に使用できる。
Claims (1)
- １）ダイオードチップを積層してなるものにおいて、各
ダイオードチップが中性子照射シリコン基板を用いて作
成されたことを特徴とする高耐圧ダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15663681A JPS5857744A (ja) | 1981-10-01 | 1981-10-01 | 高耐圧ダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15663681A JPS5857744A (ja) | 1981-10-01 | 1981-10-01 | 高耐圧ダイオ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5857744A true JPS5857744A (ja) | 1983-04-06 |
Family
ID=15631995
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15663681A Pending JPS5857744A (ja) | 1981-10-01 | 1981-10-01 | 高耐圧ダイオ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5857744A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8178266B2 (en) | 2008-06-27 | 2012-05-15 | Ricoh Company, Ltd. | Electrophotographic photoreceptor, image forming apparatus using the electrophotographic photoreceptor, and method of producing electrophotographic photoreceptor |
-
1981
- 1981-10-01 JP JP15663681A patent/JPS5857744A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8178266B2 (en) | 2008-06-27 | 2012-05-15 | Ricoh Company, Ltd. | Electrophotographic photoreceptor, image forming apparatus using the electrophotographic photoreceptor, and method of producing electrophotographic photoreceptor |
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