JPS5855236B2 - 酸性Ｎｉ電気メッキ浴 - Google Patents
酸性Ｎｉ電気メッキ浴Info
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- JPS5855236B2 JPS5855236B2 JP50087586A JP8758675A JPS5855236B2 JP S5855236 B2 JPS5855236 B2 JP S5855236B2 JP 50087586 A JP50087586 A JP 50087586A JP 8758675 A JP8758675 A JP 8758675A JP S5855236 B2 JPS5855236 B2 JP S5855236B2
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D15/00—Electrolytic or electrophoretic production of coatings containing embedded materials, e.g. particles, whiskers, wires
- C25D15/02—Combined electrolytic and electrophoretic processes with charged materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/12—Electroplating: Baths therefor from solutions of nickel or cobalt
- C25D3/14—Electroplating: Baths therefor from solutions of nickel or cobalt from baths containing acetylenic or heterocyclic compounds
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- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は酸性Ｎｉ電気メッキ浴に関するものであって、
特に、サテン外観を呈するＮｉメッキ被膜を形成するの
に好適な酸性Ｎｉ電気メッキ浴を提供するものである。
特に、サテン外観を呈するＮｉメッキ被膜を形成するの
に好適な酸性Ｎｉ電気メッキ浴を提供するものである。
従来、各種の写真装置、計算機、タイプライタ−等にお
いてはその表面の反射を弱めるために、表面が細かくざ
らざらしたいわゆるサテン外観を呈する防眩メッキを施
こすことがよく行われている。
いてはその表面の反射を弱めるために、表面が細かくざ
らざらしたいわゆるサテン外観を呈する防眩メッキを施
こすことがよく行われている。
このメッキ被膜としては、例えばニーシライト社製の「
サチライトニッケル」があるが、これは無機の不溶性微
粒子をエアー攪拌によりＮｉメッキ浴中に浮遊させた状
態で電気メッキすることにより得られる。
サチライトニッケル」があるが、これは無機の不溶性微
粒子をエアー攪拌によりＮｉメッキ浴中に浮遊させた状
態で電気メッキすることにより得られる。
しかしながら、上記微粒子を被メッキ体にＮｉと共析さ
せてサテン外観を得るようにしているが、次工程のメッ
キを行なうに当り、メッキ被膜表面に沈着した上記微粒
子を取除くためのデダスト処理が必要であることや、メ
ッキ被膜に手を触れたときに指紋が付いてしまうこと等
の欠点がある。
せてサテン外観を得るようにしているが、次工程のメッ
キを行なうに当り、メッキ被膜表面に沈着した上記微粒
子を取除くためのデダスト処理が必要であることや、メ
ッキ被膜に手を触れたときに指紋が付いてしまうこと等
の欠点がある。
また別の例として、シエーリング社製の「ベロアニッケ
ル」も知られている。
ル」も知られている。
この方法によれば、（ＣＨ２−ＣＨ２−０）ｎ−と−（
ＣＨ２−ＣＨ２ＣＨ２０）ｎ−との構造単位を主体とな
す非イオン性界面活性剤をＮｉメッキ浴中に添加し、そ
の曇点現象を利用してサテン外観を得るようにしている
が、添加した上記界面活性剤は低温では躊解し易くかつ
高温では溶解しにくいために非常に速く凝集してしまい
、このためにメッキ液を冷却、加温して再生しなければ
ならない。
ＣＨ２−ＣＨ２ＣＨ２０）ｎ−との構造単位を主体とな
す非イオン性界面活性剤をＮｉメッキ浴中に添加し、そ
の曇点現象を利用してサテン外観を得るようにしている
が、添加した上記界面活性剤は低温では躊解し易くかつ
高温では溶解しにくいために非常に速く凝集してしまい
、このためにメッキ液を冷却、加温して再生しなければ
ならない。
即ち例えば２時間位経過するだけでメッキの状態に変化
がみられ、メッキ被膜の外観が変わってしまう。
がみられ、メッキ被膜の外観が変わってしまう。
従ってメッキ液を再生するための犬がかりな装置が必要
となると共に、安定した粒子サイズのサテン外観を得る
ことは非常に困難である。
となると共に、安定した粒子サイズのサテン外観を得る
ことは非常に困難である。
更に別の例としては、素材、又はＮｉ等のメッキ被膜表
面をサンドブラストで荒らす方法もあるが、機械処理を
その工程に含むためにコスト高になる。
面をサンドブラストで荒らす方法もあるが、機械処理を
その工程に含むためにコスト高になる。
本発明は上述の如き欠陥を是正することを目的とするも
のである。
のである。
すなわち本発明に係る酸性Ｎｉ電気メッキ浴は、アミド
結合を有しかつ水またはアルコールに可酸な有機化合物
であって、ダイマー酸とアミンとの重合体（分子量６０
０〜７．０００）、共重合ナイーロンおよび変性ナイロ
ンからなる群より選ばれた少なくとも１種の有機化合物
１ｙｎｙ／１１〜ｌｏ ９／ＩＪと、基礎光沢剤０．１
，９／ｌ〜３０ ｇ／ｌとをそれぞれ含有することを特
徴としている。
結合を有しかつ水またはアルコールに可酸な有機化合物
であって、ダイマー酸とアミンとの重合体（分子量６０
０〜７．０００）、共重合ナイーロンおよび変性ナイロ
ンからなる群より選ばれた少なくとも１種の有機化合物
１ｙｎｙ／１１〜ｌｏ ９／ＩＪと、基礎光沢剤０．１
，９／ｌ〜３０ ｇ／ｌとをそれぞれ含有することを特
徴としている。
このように構成することによって、特別なメッキ浴再生
装置を必要とすることなく、強固で安定した均一なサテ
ン外観を安価に得ることが出来る。
装置を必要とすることなく、強固で安定した均一なサテ
ン外観を安価に得ることが出来る。
上述の本発明による有機化合物は、一般式の構造をその
分子内の主鎖に有しかつ水又はアルコールに可爵性のも
のが用いられ、以下に述べるものが挙げられる。
分子内の主鎖に有しかつ水又はアルコールに可爵性のも
のが用いられ、以下に述べるものが挙げられる。
（１）、ダイマー酸とアミンとの重合体
この重合体としては、富士化或工業株式会社や第１ゼネ
ラル株式会社等で製造されているものが用い得られ、例
えば不飽和脂肪酸の二量体とエチレンジアミンとの重合
により得られる、 Ｈ２Ｎ−（ＣＨ２−ＣＨ２−ＮＨ）ｍ （ＱＣＲＣ０ＮＨ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ）ｒｎ）ｎＨ が用いられてよい。
ラル株式会社等で製造されているものが用い得られ、例
えば不飽和脂肪酸の二量体とエチレンジアミンとの重合
により得られる、 Ｈ２Ｎ−（ＣＨ２−ＣＨ２−ＮＨ）ｍ （ＱＣＲＣ０ＮＨ（ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ）ｒｎ）ｎＨ が用いられてよい。
これは分子量が約６００〜７゜７、０００であり（ｍ−
１〜５、ｎ ＝ １〜１３）、分子量が６００未満では
メッキ浴がエマルジョンを形成してもサテン外観を得難
くなり、また分子量が７，０００を越えるとサテン外観
が得られても凝集速度が速くなってしまう。
１〜５、ｎ ＝ １〜１３）、分子量が６００未満では
メッキ浴がエマルジョンを形成してもサテン外観を得難
くなり、また分子量が７，０００を越えるとサテン外観
が得られても凝集速度が速くなってしまう。
゛なお、上記ダイマー酸に加えてこのモノマー酸及び／
又はトリマー酸が主成分のダイマー酸中に存在していて
もよく、上記共重合体においてｍ≧０、ｎ＞１としてよ
い。
又はトリマー酸が主成分のダイマー酸中に存在していて
もよく、上記共重合体においてｍ≧０、ｎ＞１としてよ
い。
（２）、共重合ナイロン
共重合ナイロンとしては、６−ナイロンと６゜６−ナイ
ロンとの共重合体、或いは６−ナイロン、６．６−ナイ
ロン、７−ナイロン、９−ナイロン、１１−ナイロン、
１２−ナイロン、６，１０−ナイロン等のうち少なくと
も２種類のナイロンからなる共重合体であってアルコー
ルに可爵なものが用いられ、デュポン社、宇部興産株式
会社、東し株式会社等で製造されているものが挙げられ
る。
ロンとの共重合体、或いは６−ナイロン、６．６−ナイ
ロン、７−ナイロン、９−ナイロン、１１−ナイロン、
１２−ナイロン、６，１０−ナイロン等のうち少なくと
も２種類のナイロンからなる共重合体であってアルコー
ルに可爵なものが用いられ、デュポン社、宇部興産株式
会社、東し株式会社等で製造されているものが挙げられ
る。
（３）、変性ナイロン
一般式
％式％）
の構造を有するＮ−アルキルポリオキシメチレン変性ナ
イロン、例えばＮ−アルコキシメチル変性ナイロンであ
って、アルコールに再着なものが用いられる。
イロン、例えばＮ−アルコキシメチル変性ナイロンであ
って、アルコールに再着なものが用いられる。
なお上述した本発明による有機化合物の酸性ＮＮｉメッ
キ浴に対する添加物は１−ｐ ｐｍ（１Ｔｒｖ′ｌ’）
〜１０．０００ ｐｐｍ（１０ｇ／Ｉ）であるのがよく
、０．５〜Ｌ５ｇ／ｌが更に好ましい。
キ浴に対する添加物は１−ｐ ｐｍ（１Ｔｒｖ′ｌ’）
〜１０．０００ ｐｐｍ（１０ｇ／Ｉ）であるのがよく
、０．５〜Ｌ５ｇ／ｌが更に好ましい。
添加量がｉｐｐｍ未満ではサテン外観が弱くなる。
また添加量が１０．０００ ｐｐｍを越えると凝集速度
が速くなりすぎてエマルジョンの安定性が悪く、凝集物
のために表面粗さが均一になり難くなり、樹脂状の不均
一なサテン外観しか得られない。
が速くなりすぎてエマルジョンの安定性が悪く、凝集物
のために表面粗さが均一になり難くなり、樹脂状の不均
一なサテン外観しか得られない。
また水又はアルコールに可爵な有機化合物としたのは、
メッキ浴に溶解し易いこと、メッキ後に脱脂液又はアル
コール等にて洗浄除去し得ること等のためである。
メッキ浴に溶解し易いこと、メッキ後に脱脂液又はアル
コール等にて洗浄除去し得ること等のためである。
なお上述した各本発明による有機化合物を２種類以上同
時に添加してもよい。
時に添加してもよい。
また上述の本発明による有機化合物を含むメッキ浴中に
通常の基礎光沢剤として、例えばモノ、ジ又はトリナツ
タレンジスルフォン酸ソーダ、トリスルフオン酸ソーダ
等のスルフォン酸類や、サッカリンソーダ、パラトルエ
ンスルフォンアミド等のスルフォンアミド又はスルフォ
ンイミド類が添加される。
通常の基礎光沢剤として、例えばモノ、ジ又はトリナツ
タレンジスルフォン酸ソーダ、トリスルフオン酸ソーダ
等のスルフォン酸類や、サッカリンソーダ、パラトルエ
ンスルフォンアミド等のスルフォンアミド又はスルフォ
ンイミド類が添加される。
この添加によって、メッキ被嘆に光沢性が付与されるだ
けでなく、メッキ中に被メッキ体に応力が加わるのが防
止されて安定したメッキ体を得ることが出来る。
けでなく、メッキ中に被メッキ体に応力が加わるのが防
止されて安定したメッキ体を得ることが出来る。
この基礎光沢剤はサテン外観を得るのに必要なものであ
るが、その添加量は０．１ｇ／ｌ〜３０ ｇ／ＩＩであ
るのがよく、０．５ｇ／ｌ〜１０ ｇ／ｌが更に好まし
い。
るが、その添加量は０．１ｇ／ｌ〜３０ ｇ／ＩＩであ
るのがよく、０．５ｇ／ｌ〜１０ ｇ／ｌが更に好まし
い。
即ち、ＯＡｇ／１未満ではサテン外観が出に＜＜、また
３ ０９／ｌを越えると光沢が出すぎると共にエマルジ
ョンの安定性も悪くなる。
３ ０９／ｌを越えると光沢が出すぎると共にエマルジ
ョンの安定性も悪くなる。
なおこの光沢剤の添加量は目的とするサテン外観によっ
て異なり、例えば光沢のある外観を得るには上述の本発
明による有機化合物の量を５〜２０ｐｐｍと少なくしか
つ基礎光沢剤の量を多くすることが出来、また本発明に
よる有機化合物としてナイロンを用いると基礎光沢剤の
量を減らしても光沢を出すことが可能である。
て異なり、例えば光沢のある外観を得るには上述の本発
明による有機化合物の量を５〜２０ｐｐｍと少なくしか
つ基礎光沢剤の量を多くすることが出来、また本発明に
よる有機化合物としてナイロンを用いると基礎光沢剤の
量を減らしても光沢を出すことが可能である。
更にまた上述のメッキ浴にカチオン系の界面活性剤、例
えば第４級アンモニウム塩を安定剤として添加して、必
要に応じて浴の安定性を保つようにしてもよい。
えば第４級アンモニウム塩を安定剤として添加して、必
要に応じて浴の安定性を保つようにしてもよい。
上述したようなメッキ浴においては、本発明による有機
化合物の凝集速度が非常に遅いために非常に安定したエ
マルジョンを形成し、例えば１週間以上もメッキ浴を維
持しても形成されるサテン外観は当初のものと変わりな
い。
化合物の凝集速度が非常に遅いために非常に安定したエ
マルジョンを形成し、例えば１週間以上もメッキ浴を維
持しても形成されるサテン外観は当初のものと変わりな
い。
従って従来のようにメッキ浴の特別な再生処理を必要と
せず、メッキ浴の濾過と本発明による有機化合物の補充
という通常のメッキ浴と同様な維持方法にて管理するこ
とが出来、これによって非常に低コストで安定したサテ
ン外観を得ることが可能となる。
せず、メッキ浴の濾過と本発明による有機化合物の補充
という通常のメッキ浴と同様な維持方法にて管理するこ
とが出来、これによって非常に低コストで安定したサテ
ン外観を得ることが可能となる。
なおメッキに際して、メッキ浴としてはワット浴、スル
ファミン酸浴が使用可能であり、被メッキ体としては研
摩した真ちゅう板をはじめ、無電解メッキを施こしたＡ
ＢＳ樹脂等を用いることが出来、更に得られたサテン外
観のＮｉメッキ表面に５ｎ−Ｃｏ光沢メッキの如き装飾
メッキを施こすことにより装飾的価値を高めることが出
来る。
ファミン酸浴が使用可能であり、被メッキ体としては研
摩した真ちゅう板をはじめ、無電解メッキを施こしたＡ
ＢＳ樹脂等を用いることが出来、更に得られたサテン外
観のＮｉメッキ表面に５ｎ−Ｃｏ光沢メッキの如き装飾
メッキを施こすことにより装飾的価値を高めることが出
来る。
次に本発明を実施例に付き更に詳細に説明するが本発明
はこれら実施例に限定されるものではなく、更に様々に
変形が可能であることが理解されよう。
はこれら実施例に限定されるものではなく、更に様々に
変形が可能であることが理解されよう。
実施例 １
下記の組成からなるワット浴（溶媒は水）を調製した。
硫酸ニッケル ２８０ ｇ／ｌ塩化ニッ
ケル ５０ ｇ／ｌホウ酸
４０ ｇ／ｌ この酸性電気Ｎｉメッキ浴に、４００ｐｐｍのトーマイ
ド２１０（富士化戊工業株式会社製の商品名であって、
ダイマー酸とアミンとの重合で得られるポリアミド）と
、ＬＯＯＯｐｐｍの１．５ナフタレンジスルフオン酸ソ
ーダ（基礎光沢剤）と、３０ｐｐｍの第４級アンモニウ
ム塩型の界面活性剤（安定剤）とを夫々添加した。
ケル ５０ ｇ／ｌホウ酸
４０ ｇ／ｌ この酸性電気Ｎｉメッキ浴に、４００ｐｐｍのトーマイ
ド２１０（富士化戊工業株式会社製の商品名であって、
ダイマー酸とアミンとの重合で得られるポリアミド）と
、ＬＯＯＯｐｐｍの１．５ナフタレンジスルフオン酸ソ
ーダ（基礎光沢剤）と、３０ｐｐｍの第４級アンモニウ
ム塩型の界面活性剤（安定剤）とを夫々添加した。
このメッキ浴において電流密度０．２〜１２Ａ／ｄｉ、
温度４０〜７００Ｃの範囲で、鏡面研摩した真ちゅう板
上に約１０分間メッキを行つγこところ、均一でかつ光
沢の少ないサテン外観を呈するＮｉ被膜を得た。
温度４０〜７００Ｃの範囲で、鏡面研摩した真ちゅう板
上に約１０分間メッキを行つγこところ、均一でかつ光
沢の少ないサテン外観を呈するＮｉ被膜を得た。
この被膜の粗面深さは約０．５μであった。
なお上記メッキ浴を１週間の間５５℃に維持してから、
上述と同様に再びメッキを行ったところ、得られたメッ
キ被膜の粗面深さ及び外観は当初のものと殆んど変わら
なかった。
上述と同様に再びメッキを行ったところ、得られたメッ
キ被膜の粗面深さ及び外観は当初のものと殆んど変わら
なかった。
また２週間放置後に、通常のカートリッジタイプの濾過
機で約６時間濾過（濾過速度は１００Ａ！の槽に対して
２５１／Ｉｎ１ｎ） して凝集物を除き、しかる後に３
００ｐｐｍの上記トーマイド２１０と２５ ｐ ｐｍの
上記界面活性剤とを夫々加えることにより建浴時と同様
のサテン外観を呈するメッキ被膜を得ることが出来た。
機で約６時間濾過（濾過速度は１００Ａ！の槽に対して
２５１／Ｉｎ１ｎ） して凝集物を除き、しかる後に３
００ｐｐｍの上記トーマイド２１０と２５ ｐ ｐｍの
上記界面活性剤とを夫々加えることにより建浴時と同様
のサテン外観を呈するメッキ被膜を得ることが出来た。
実施例 ２
前記実施例１と同じワット浴に、４０ｐｐｍのトーマイ
ド２１０（上記と同じ）と、ＬＯＯＯｐｐｍの１．５ナ
フタレンジスルフオン酸ソーダと、３０ｐｐｍの第４級
アンモニウム塩型の界面活性剤とを夫々添加し、前記実
施例１と同様にメッキ処理したところ、粗面深さ０．５
μの均一なサテン外観を呈するメッキ被膜が得られた。
ド２１０（上記と同じ）と、ＬＯＯＯｐｐｍの１．５ナ
フタレンジスルフオン酸ソーダと、３０ｐｐｍの第４級
アンモニウム塩型の界面活性剤とを夫々添加し、前記実
施例１と同様にメッキ処理したところ、粗面深さ０．５
μの均一なサテン外観を呈するメッキ被膜が得られた。
２５時間放置後に再びメッキしても粗面深さに殆んど変
化はなかった。
化はなかった。
実施例 ３
本実施例では、アミド結合を有する有機化合物として２
００ｐｐｍのトーマイド２１５（上記と同じ）を用いか
つ基礎光沢剤として１，０００ｐｐｍのサッカリンソー
ダを用いて前記実施例１と同様にメッキ処理した。
００ｐｐｍのトーマイド２１５（上記と同じ）を用いか
つ基礎光沢剤として１，０００ｐｐｍのサッカリンソー
ダを用いて前記実施例１と同様にメッキ処理した。
本実施例においても前記実施例１と同様のサテン外観が
得られた。
得られた。
実施例 ４
本実施例では、アミド結合を有する有機化合物として４
００ｐｐｍのトーマイド２３５Ｓ（上記と同じ）を用い
かつ基礎光沢剤として１，０００ｐｐｍのサッカリンソ
ーダを用いて前記実施例１と同様にメッキ処理したとこ
ろ、前記実施例１と同様のサテン外観が得られた。
００ｐｐｍのトーマイド２３５Ｓ（上記と同じ）を用い
かつ基礎光沢剤として１，０００ｐｐｍのサッカリンソ
ーダを用いて前記実施例１と同様にメッキ処理したとこ
ろ、前記実施例１と同様のサテン外観が得られた。
実施例 ５
本実施例では、３ｐｐｍのトーマイド２１０（上記と同
じ）と５００ｐｐｍのサッカリンソーダとを用いた点で
前記実施例２と異なるが、得られたメッキ被膜は前記実
施例２と同様良好であった。
じ）と５００ｐｐｍのサッカリンソーダとを用いた点で
前記実施例２と異なるが、得られたメッキ被膜は前記実
施例２と同様良好であった。
実施例 ６
本実施例では、５．ＯＯＯｐｐｍのトーマイド２１０（
上記と同じ）と１，０００ ｐｐｍのサッカリンソーダ
とを用いた点で前記実施例２と異なるが、得られたメッ
キ被膜の光沢性は幾分悪かった。
上記と同じ）と１，０００ ｐｐｍのサッカリンソーダ
とを用いた点で前記実施例２と異なるが、得られたメッ
キ被膜の光沢性は幾分悪かった。
実施例 ７
前記実施例１と同じワット浴に、４００ｐｐｍのパーサ
ミド１００（第１ゼネラル株式会社製の商品名であって
、ダイマー酸とアミンとの重合で得られるポリアミド）
と、１，０００ｐｐｍのサッカリンソーダとを夫々添加
し、このメッキ浴にて電流密度０．５〜ＩＯＡ／ｄ六温
度４０〜７０℃の範囲で約１０分間メッキをした。
ミド１００（第１ゼネラル株式会社製の商品名であって
、ダイマー酸とアミンとの重合で得られるポリアミド）
と、１，０００ｐｐｍのサッカリンソーダとを夫々添加
し、このメッキ浴にて電流密度０．５〜ＩＯＡ／ｄ六温
度４０〜７０℃の範囲で約１０分間メッキをした。
この結果、粗面深さ約０．５μの均一なサテン外観を呈
するＮｉメッキ被膜を得た。
するＮｉメッキ被膜を得た。
このメッキ浴を１週間の間５５℃に維持した後、上述と
同様に再びメッキ処理したところ、得られたメッキ被膜
は建浴時と比べて外観、粗面深さともに殆んど変わらな
かった。
同様に再びメッキ処理したところ、得られたメッキ被膜
は建浴時と比べて外観、粗面深さともに殆んど変わらな
かった。
また１０日間放置した後、通常のカー１− ＩＪツジタ
イプのｐ過機を用いて６時間濾過し、しかる後に上記パ
ーサミド１００を２００ｐｐｍ添加して再度上記の条件
下でメッキしたが、建浴時と同様な均一なサテン外観の
メッキ被膜が得られた。
イプのｐ過機を用いて６時間濾過し、しかる後に上記パ
ーサミド１００を２００ｐｐｍ添加して再度上記の条件
下でメッキしたが、建浴時と同様な均一なサテン外観の
メッキ被膜が得られた。
実施例 ８
本実施例では、アミド結合を有する有機化合物として８
０ ｐ ｐｍのパーサミド１１０（上記と同じ）を用い
かつ基礎光沢剤として１０ ｇ／ｌのサッカリンソーダ
を用いて前記実施例７と同様にメッキ処理した。
０ ｐ ｐｍのパーサミド１１０（上記と同じ）を用い
かつ基礎光沢剤として１０ ｇ／ｌのサッカリンソーダ
を用いて前記実施例７と同様にメッキ処理した。
この結果、前記実施例７と同様の結果が得られると共に
、基礎光沢剤の量を増やしかつアミド結合を有する有機
化合物の量を減らしたので約１５時間で光沢性が強くな
り、約２０時間で光沢面となった。
、基礎光沢剤の量を増やしかつアミド結合を有する有機
化合物の量を減らしたので約１５時間で光沢性が強くな
り、約２０時間で光沢面となった。
実施例 ９
本実施例では、２０ｐｐｍのパーサミド１１０（上記と
同じ）を用いた点で前記実施例８と異なるが、ポリアミ
ドの量を減らしているので、メッキ被膜の光沢性が更に
良くなった。
同じ）を用いた点で前記実施例８と異なるが、ポリアミ
ドの量を減らしているので、メッキ被膜の光沢性が更に
良くなった。
比較例 １
比較のために、０．５ ｐ ｐｍのパーサミド１１０（
上記と同じ）と５００ｐｐｍのサッカリンソーダとを用
いて前記実施例８及び９と同様にメッキ処理したところ
、アミド結合を有する有機化合物の添加量は上述した好
ましい範囲外のものであるため、得られたサテン外観が
弱く、不適当であった。
上記と同じ）と５００ｐｐｍのサッカリンソーダとを用
いて前記実施例８及び９と同様にメッキ処理したところ
、アミド結合を有する有機化合物の添加量は上述した好
ましい範囲外のものであるため、得られたサテン外観が
弱く、不適当であった。
実施例 １０〜１２
本実施例では、３００ｐｐｍのパーサミド１１５（上記
と同じ）を実施例１０に、２００ｐｐｍのパーサミド１
２５（上記と同じ）を実施例１１に４００ｐｐｍのパー
サミド１４０（上記と同じ）を実施例１２に夫々用いて
いる点で、前記実施例７と異なるが得られたメッキ被膜
の外観は極めて良好であった。
と同じ）を実施例１０に、２００ｐｐｍのパーサミド１
２５（上記と同じ）を実施例１１に４００ｐｐｍのパー
サミド１４０（上記と同じ）を実施例１２に夫々用いて
いる点で、前記実施例７と異なるが得られたメッキ被膜
の外観は極めて良好であった。
実施例 １３
前記実施例１と同じワット浴に、８００ｐｐｍのタイプ
８ナイロン（ユニチカ株式会社製の商品名テアって、平
均分子量４８，０００のアルコール可溶性Ｎ−メトキシ
メチル変性ナイロン）と、５００ｐｐｍのサッカリンソ
ーダとを添加した。
８ナイロン（ユニチカ株式会社製の商品名テアって、平
均分子量４８，０００のアルコール可溶性Ｎ−メトキシ
メチル変性ナイロン）と、５００ｐｐｍのサッカリンソ
ーダとを添加した。
このメッキ浴において、電流密度０．５〜ＩＯＡ／ｄｉ
”、温度３５〜７５℃の範囲でメッキしたところ、ピッ
ト（小孔）のないサテン外観のメッキ被膜を得た。
”、温度３５〜７５℃の範囲でメッキしたところ、ピッ
ト（小孔）のないサテン外観のメッキ被膜を得た。
この被膜の粗面深さは約０．５μであった。
比較例 ２
比較のために、前記実施例１３において過剰の、例えば
１５，０００ｐｐｍの上記タイプ８ナイロンを添加した
ところ、メッキ浴中にて生成されたエマルジョンの凝集
速度が非常に速くなり、この結果凝集した添加剤がメッ
キ面に付着して不均一な樹脂状のメッキ被膜しか得られ
なかった。
１５，０００ｐｐｍの上記タイプ８ナイロンを添加した
ところ、メッキ浴中にて生成されたエマルジョンの凝集
速度が非常に速くなり、この結果凝集した添加剤がメッ
キ面に付着して不均一な樹脂状のメッキ被膜しか得られ
なかった。
また上記タイプ８ナイロンを０．５ｐｐｍと極めて少量
しか添加しない場合には効果が弱くなり、目的とするサ
テン外観が得られなかった。
しか添加しない場合には効果が弱くなり、目的とするサ
テン外観が得られなかった。
実施例 １４
前記実施例１と同じワット浴に、４００ｐｐｍのアルコ
ール可尋性ナイロン５０３５（宇部興産株式会社製の商
品であって、６ナイロンと６，６ナイロンとからなる平
均分子量約１０，０００の共重合ナイロン）と、２５０
ｐｐｍのサッカリンソーダとを添加した。
ール可尋性ナイロン５０３５（宇部興産株式会社製の商
品であって、６ナイロンと６，６ナイロンとからなる平
均分子量約１０，０００の共重合ナイロン）と、２５０
ｐｐｍのサッカリンソーダとを添加した。
このメッキ浴において前記実施例１１３と同様の条件で
メッキしたところ、粗面深さ約１μの均一なサテン外観
を有するメッキ被膜が得られた。
メッキしたところ、粗面深さ約１μの均一なサテン外観
を有するメッキ被膜が得られた。
実施例 １５
実施例１と同じワット浴に、２．００ ｐｐｍのザイデ
ル６３（デュポン社製の商品名であって、アルコール可
鼎性の共重合ナイロン）と、５００ｐｐｍのサッカリン
ソーダとを添加した。
ル６３（デュポン社製の商品名であって、アルコール可
鼎性の共重合ナイロン）と、５００ｐｐｍのサッカリン
ソーダとを添加した。
このメッキ浴において、電流密度１〜ＩＯＡ／ｄｇ温度
４０〜７０℃の範囲でメッキしたところ、粗面深さ約０
．５μでピットのない半光沢性のサテン状メッキ被膜が
得られた。
４０〜７０℃の範囲でメッキしたところ、粗面深さ約０
．５μでピットのない半光沢性のサテン状メッキ被膜が
得られた。
実施例 １６
下記の組成からなるスルファミン酸浴（尋媒は水）を調
製した。
製した。
スルフアミノ酸ニッケル ４１０９／１塩化ニツ
ケル ３０ｇ／ｌホウ酸
４０９／ｌこの酸性電気Ｎｉメッキ浴に
、４００ｐｐｍのパーサミド１１０と、５００ｐｐｍの
サッカリンソーダとを添加した。
ケル ３０ｇ／ｌホウ酸
４０９／ｌこの酸性電気Ｎｉメッキ浴に
、４００ｐｐｍのパーサミド１１０と、５００ｐｐｍの
サッカリンソーダとを添加した。
このメッキ浴を用いてメッキを行っても、均一なサテン
外観を呈するメッキ被膜が得られた。
外観を呈するメッキ被膜が得られた。
実施例 １７及び１８
前記実施例１６と同じスルファミン酸浴に加えるアミド
結合を有する有機化合物として、４００ｐｐｍのタイプ
８ナイロン（上記と同じ）を実施例１７に、８００ｐｐ
ｍの共重合ナイロン（宇部興産株式会社製の商品名であ
って上記と同じ）を実施例１８に夫々用いてメッキを行
った。
結合を有する有機化合物として、４００ｐｐｍのタイプ
８ナイロン（上記と同じ）を実施例１７に、８００ｐｐ
ｍの共重合ナイロン（宇部興産株式会社製の商品名であ
って上記と同じ）を実施例１８に夫々用いてメッキを行
った。
この結果、やはり均一なサテン外観のメッキ被膜が得ら
れた。
れた。
参考例
下記の組成からなる酸性硫酸銅メッキ浴を調整した。
ＣｕＳＯ４・５Ｈ２０２００〜２４０ｇ／１Ｈ２ＳＯ４
４５〜６０ ｇ／Ｉ Ｃ１３０〜８０■／ｌ このメッキ浴に、２ｃｃ、Ｑのニーバック（ＵＢＡＣ）
＋ＩＣエバラニーシラシト４製の光沢剤の商品名）と、
４０ｐｐｍの第４級アンモニウム塩型の界面活性剤と、
６０ｐｐｎのトーマイド（富士化戊工業株式会社製の商
品名であって、タイマー酸とアミンとの重合で得られる
ポリアミド）と、１ ｇ／ｌのサッカリンソーダとを夫
々添加した。
４５〜６０ ｇ／Ｉ Ｃ１３０〜８０■／ｌ このメッキ浴に、２ｃｃ、Ｑのニーバック（ＵＢＡＣ）
＋ＩＣエバラニーシラシト４製の光沢剤の商品名）と、
４０ｐｐｍの第４級アンモニウム塩型の界面活性剤と、
６０ｐｐｎのトーマイド（富士化戊工業株式会社製の商
品名であって、タイマー酸とアミンとの重合で得られる
ポリアミド）と、１ ｇ／ｌのサッカリンソーダとを夫
々添加した。
このメッキ浴において、電流密度１〜２０Ａ／ｄｉの範
囲でメッキしたところ、光沢性の非常に強いサテン外観
のＣｕメッキ被膜が得られた。
囲でメッキしたところ、光沢性の非常に強いサテン外観
のＣｕメッキ被膜が得られた。
この場合メッキ条件は通常の光沢Ｃｕメッキと同様にし
たが、エアー攪拌は弱くした。
たが、エアー攪拌は弱くした。
なおこのＣｕメッキ被膜は耐食性に幾分上しいので、更
にこの表面にＮｉメッキを施こす必要があった。
にこの表面にＮｉメッキを施こす必要があった。
Claims (1)
- １ アミド結合を有しかつ水またはアルコールに可溶な
有機化合物であって、ダイマー酸とアミンとの重合体（
分子量６００〜７，０００）、共重合ナイロンおよび変
性ナイロンからなる群より選ばれた少なくとも１種の有
機化合物１■／ｌ〜１０ｇ／ｌと、基礎光沢剤ｏ、１９
／ｌ〜３０９１とをそれぞれ含有することを特徴とする
酸性Ｎｉ電気′メッキ浴。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50087586A JPS5855236B2 (ja) | 1975-07-17 | 1975-07-17 | 酸性Ｎｉ電気メッキ浴 |
| GB2868676A GB1538762A (en) | 1975-07-17 | 1976-07-09 | Nickel electroplating baths for satin finish |
| DE19762632214 DE2632214A1 (de) | 1975-07-17 | 1976-07-16 | Bad zur galvanischen abscheidung von matten nickelueberzuegen |
| US05/705,797 US4058439A (en) | 1975-07-17 | 1976-07-16 | Nickel electroplating bath for satin finish and method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50087586A JPS5855236B2 (ja) | 1975-07-17 | 1975-07-17 | 酸性Ｎｉ電気メッキ浴 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5211132A JPS5211132A (en) | 1977-01-27 |
| JPS5855236B2 true JPS5855236B2 (ja) | 1983-12-08 |
Family
ID=13919095
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50087586A Expired JPS5855236B2 (ja) | 1975-07-17 | 1975-07-17 | 酸性Ｎｉ電気メッキ浴 |
Country Status (2)
| Country | Link |
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| US (1) | US4058439A (ja) |
| JP (1) | JPS5855236B2 (ja) |
Families Citing this family (14)
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|---|---|---|---|---|
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| JP3945956B2 (ja) * | 2000-03-06 | 2007-07-18 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 複合めっき方法 |
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| DE10222962A1 (de) * | 2002-05-23 | 2003-12-11 | Atotech Deutschland Gmbh | Saurer galvanischer Badelektrolyt und Verfahren zur elektrolytischen Abscheidung satinglänzender Nickelniederschläge |
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| DE102006005541A1 (de) * | 2006-02-07 | 2007-08-16 | Hans und Ottmar Binder GmbH Oberflächenveredelung | Verfahren zur Oberflächenbearbeitung von Dachträgern für Kraftfahrzeuge sowie Dachträger für Kraftfahrzeuge |
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| US20100116675A1 (en) * | 2008-11-07 | 2010-05-13 | Xtalic Corporation | Electrodeposition baths, systems and methods |
| KR101583330B1 (ko) * | 2014-12-22 | 2016-01-07 | 대륙금속(주) | 광택도 검사를 이용한 사틴-니켈 도금방법 |
| CN105350034B (zh) * | 2015-11-25 | 2017-11-17 | 广东致卓环保科技有限公司 | 珍珠镍电镀添加剂及其应用 |
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| EP3456870A1 (en) * | 2017-09-13 | 2019-03-20 | ATOTECH Deutschland GmbH | A bath and method for filling a vertical interconnect access or trench of a work piece with nickel or a nickel alloy |
| KR102684520B1 (ko) * | 2018-07-19 | 2024-07-11 | 도요 고한 가부시키가이샤 | 조화 니켈 도금판 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US3471271A (en) * | 1965-08-16 | 1969-10-07 | Udylite Corp | Electrodeposition of a micro-cracked corrosion resistant nickel-chromium plate |
| US3839166A (en) * | 1967-05-16 | 1974-10-01 | Henkel & Cie Gmbh | Method for obtaining nickel deposits with satin finish |
-
1975
- 1975-07-17 JP JP50087586A patent/JPS5855236B2/ja not_active Expired
-
1976
- 1976-07-16 US US05/705,797 patent/US4058439A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5211132A (en) | 1977-01-27 |
| US4058439A (en) | 1977-11-15 |
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