JPS5848458A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS5848458A JPS5848458A JP56145856A JP14585681A JPS5848458A JP S5848458 A JPS5848458 A JP S5848458A JP 56145856 A JP56145856 A JP 56145856A JP 14585681 A JP14585681 A JP 14585681A JP S5848458 A JPS5848458 A JP S5848458A
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- nitride
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- schottky barrier
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H01L29/47—
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、特に半導体装置の電率構造に関するものであ
る。
る。
ガラス封止飄牛導体、特にショットキバリヤダイオード
においては、所望する特性により、シ。
においては、所望する特性により、シ。
、トキ障壁傘属を様声なものに選択され否。第１図にそ
の１例としてＴｉ−Ｍｏ７．Ｔｉ−Ａｕの電極構造を有
するショットキバリヤダイオードの断面図を示す。例え
ばＮ１Ｍ！の牛導体基板ｘ７上にＮＷｉのシリコンエピ
タキシャル層１を設け、その上に部分的に電擲用開孔を
有するシリコく酸ｊｌｓａ２を設けている。このシリコ
ン酸化膜２の電極用呻孔を七おうように４層の金属から
なる電極が設けられ接合を形成する金属である。第芒層
のＭＱ５は第４層のＡｕ７が第１層のＴｉ４を通してシ
リコンエピタキシャル層１へ侵入するのを防再スるいわ
ゆるＡｕのバッファ雫である。第３層のＴｉ６は第４層
のＡｕ７との密着性を取るための金属である。さらに第
４層のＡｕ７は外部への引き出し電極讐得るための層で
とのＡｕ７に金属細線がボンディングされる。この第４
層のＡｕ７はｐｔでも置き換える仁とができる。
の１例としてＴｉ−Ｍｏ７．Ｔｉ−Ａｕの電極構造を有
するショットキバリヤダイオードの断面図を示す。例え
ばＮ１Ｍ！の牛導体基板ｘ７上にＮＷｉのシリコンエピ
タキシャル層１を設け、その上に部分的に電擲用開孔を
有するシリコく酸ｊｌｓａ２を設けている。このシリコ
ン酸化膜２の電極用呻孔を七おうように４層の金属から
なる電極が設けられ接合を形成する金属である。第芒層
のＭＱ５は第４層のＡｕ７が第１層のＴｉ４を通してシ
リコンエピタキシャル層１へ侵入するのを防再スるいわ
ゆるＡｕのバッファ雫である。第３層のＴｉ６は第４層
のＡｕ７との密着性を取るための金属である。さらに第
４層のＡｕ７は外部への引き出し電極讐得るための層で
とのＡｕ７に金属細線がボンディングされる。この第４
層のＡｕ７はｐｔでも置き換える仁とができる。
一般［Ｖ、、、）キ接合の場合、温度に対する特性の経
時変化が大きく、半導体容器へ素子を組込む場合、その
製造ｌ１での熱処理の温度に制約がある。このため、特
に製造コストの低減が必要な大量生産をする場合、゛歩
留が低下してしまうという問題があった。熱ストレスに
対する特性の経時変化を大きくさせる最大の原因は、シ
、、トキ障壁金属上に被−する金属、例えば、第４層の
金属として用いられるＡｕ又はｐｔが第１層のショット
キバリヤ障壁金属を通して、シリコンエピタキシャル層
１へ侵入するためである。
時変化が大きく、半導体容器へ素子を組込む場合、その
製造ｌ１での熱処理の温度に制約がある。このため、特
に製造コストの低減が必要な大量生産をする場合、゛歩
留が低下してしまうという問題があった。熱ストレスに
対する特性の経時変化を大きくさせる最大の原因は、シ
、、トキ障壁金属上に被−する金属、例えば、第４層の
金属として用いられるＡｕ又はｐｔが第１層のショット
キバリヤ障壁金属を通して、シリコンエピタキシャル層
１へ侵入するためである。
本発明の目的は、熱ストレスに対する電気的特性の経時
変化の少い電極構造を備えた半導体装置を提供するもの
である。
変化の少い電極構造を備えた半導体装置を提供するもの
である。
本発明による半導体装置は、半導体層に接触する第１層
の７．ットキ障壁金属の上に第２層として結晶組成の緻
密なＴＩ等の窒化物を用い、その上に引出し電極を形成
するための電極構造を備えることにより、下地半導体層
内へ前記第２層以降の金属メタルの侵入を第２層のＴｉ
等の窒化膜で有効に防止し、耐熱性を向上させたことを
特徴とするものである。
の７．ットキ障壁金属の上に第２層として結晶組成の緻
密なＴＩ等の窒化物を用い、その上に引出し電極を形成
するための電極構造を備えることにより、下地半導体層
内へ前記第２層以降の金属メタルの侵入を第２層のＴｉ
等の窒化膜で有効に防止し、耐熱性を向上させたことを
特徴とするものである。
以下図面を参照して本発明についてよシ詳細に説明する
。
。
第２図は、本発明の一実施例を示す断面図である。例え
ばＮ型である高不純物濃度の半導体基板１１’上にシ目
ットキバリャダイオードとして所望する特性を得る半導
体エピタキシャル層１１を気相成長せしめる。この半導
体エピタキシャル層１１としては比較的不純物渋腹の低
いＮ型シリコンが通常用いられる。半導体エピタキシャ
ル層１１０表面に熱酸化法により、酸化保饅膜１２を設
け、この酸化保護１１１２を化学蝕刻法によシ、任意な
形状の電極用開孔部分１３を設ける。電極用開孔部分１
３およびその周辺の酸化保１ｊｌ［１２表面にＴｉ、Ｗ
、Ｍｏ、Ｔａ等のショットキ障壁金属、例えばＴｉ層１
４を設け、このショットキ障壁金属としてのＴ１層４上
ＫＴｉ窒化膜層１５を設け、さらＫその上ＫＴｉ層１６
を設け、その上に引き出し電極用として、例えばＡ ｕ
４？ Ｐ ｔ ４Ｐ Ａ ｇ等の導体層１７を設ける
。
ばＮ型である高不純物濃度の半導体基板１１’上にシ目
ットキバリャダイオードとして所望する特性を得る半導
体エピタキシャル層１１を気相成長せしめる。この半導
体エピタキシャル層１１としては比較的不純物渋腹の低
いＮ型シリコンが通常用いられる。半導体エピタキシャ
ル層１１０表面に熱酸化法により、酸化保饅膜１２を設
け、この酸化保護１１１２を化学蝕刻法によシ、任意な
形状の電極用開孔部分１３を設ける。電極用開孔部分１
３およびその周辺の酸化保１ｊｌ［１２表面にＴｉ、Ｗ
、Ｍｏ、Ｔａ等のショットキ障壁金属、例えばＴｉ層１
４を設け、このショットキ障壁金属としてのＴ１層４上
ＫＴｉ窒化膜層１５を設け、さらＫその上ＫＴｉ層１６
を設け、その上に引き出し電極用として、例えばＡ ｕ
４？ Ｐ ｔ ４Ｐ Ａ ｇ等の導体層１７を設ける
。
Ｔ１窒化膜１５はＴ１の外にＷ、Ｍｅ、Ｃｒ等の遷移金
属の窒化物で置き換えることができる。
属の窒化物で置き換えることができる。
これら遷移金属の窒化物は組成が大変数置であるので、
このＴｉ窒化膜をＡｕ等の金属が貫通して通り抜けるこ
とはない。したがって、ＴＩ窒化膜層１５を設けること
によ如、高温による電気的特性の経時変化を押える事が
でき、組立工程に於り′る熱熟理温度の制約がなくなシ
、良好な組立歩留を得ることも可能となる。更には、安
価でかつ信頼性の高いショットキバリャダイオードを提
供することができるという利点がある。□
このＴｉ窒化膜をＡｕ等の金属が貫通して通り抜けるこ
とはない。したがって、ＴＩ窒化膜層１５を設けること
によ如、高温による電気的特性の経時変化を押える事が
でき、組立工程に於り′る熱熟理温度の制約がなくなシ
、良好な組立歩留を得ることも可能となる。更には、安
価でかつ信頼性の高いショットキバリャダイオードを提
供することができるという利点がある。□
第１図は従来のシ、ットキパリャダイオードを水子断面
図である。第２図は本発明の一実施例によるショットキ
バリヤダイオードの断面図である。 １’、 １１’−−−−−−半導体基板、１，１１・・
・・・・半導体エピタキシャル層、２．１２・・・・・
・酸化保護膜層、３．１３・・°・・°電極用開孔、４
．１４・・・・・パＴｉによるショットキ障壁金属層％
５・・・・・・Ｍｅバ、ファ層。 １５・・・・・・Ｔｉ１ｌ化物層、６，１６・・・・・
・Ｔｉ層、７゜１７・・・・・・Ａｕ岬の導体層。
図である。第２図は本発明の一実施例によるショットキ
バリヤダイオードの断面図である。 １’、 １１’−−−−−−半導体基板、１，１１・・
・・・・半導体エピタキシャル層、２．１２・・・・・
・酸化保護膜層、３．１３・・°・・°電極用開孔、４
．１４・・・・・パＴｉによるショットキ障壁金属層％
５・・・・・・Ｍｅバ、ファ層。 １５・・・・・・Ｔｉ１ｌ化物層、６，１６・・・・・
・Ｔｉ層、７゜１７・・・・・・Ａｕ岬の導体層。
Claims (3)
- （１）下地の半導体層に接Ｐ！！ｊる第１の金属層と、
＃ｔｌＥ１の金属層上に設けられた遷移金属の窒化物ア
・らなる第２゛の金属層と、さらに該第′２の金属層上
に設けられ謔３の金属層とを有することを！黴とする半
導体装置。 - （２）前記第２の金属層はチタンの窒化物である特許請
求の範囲第１項記載の半導体装置。 - （３）前記第１の金属層はチタン、タングステン。 モリブデン、タンタルから選ばれる金属であシ、前記第
３の金属層は前記第２の金属層に接触するチタンと該チ
タンに接触する白金、金、鋼から選ばれる金属との多層
構造をしていることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56145856A JPS5848458A (ja) | 1981-09-16 | 1981-09-16 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56145856A JPS5848458A (ja) | 1981-09-16 | 1981-09-16 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5848458A true JPS5848458A (ja) | 1983-03-22 |
Family
ID=15394658
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56145856A Pending JPS5848458A (ja) | 1981-09-16 | 1981-09-16 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5848458A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04109674A (ja) * | 1990-08-29 | 1992-04-10 | Victor Co Of Japan Ltd | 化合物半導体装置 |
| JPH06163879A (ja) * | 1992-11-18 | 1994-06-10 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS493237A (ja) * | 1972-04-22 | 1974-01-12 |
-
1981
- 1981-09-16 JP JP56145856A patent/JPS5848458A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS493237A (ja) * | 1972-04-22 | 1974-01-12 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04109674A (ja) * | 1990-08-29 | 1992-04-10 | Victor Co Of Japan Ltd | 化合物半導体装置 |
| JPH06163879A (ja) * | 1992-11-18 | 1994-06-10 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
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