JPS5846055B2 - ホトマスクの欠陥修正法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、半導体装置の製造に用いられるホトマスク
の欠陥修正法に係る。

近年の半導体装置の製造においては、写真食刻技術が広
く適用され、この写真食刻技術にはホトマスクが必ず用
いられることは周知のとおりである。

そしてこのホトマスクには、半導体装置の製造に必要な
所定のパターン形状寸法で、透光部と遮光部のパターン
が設けられている。

だがもしこのホトマスクにホトマスク製造などで不必要
な透光部または遮光部が発生すれば、これはホトマスク
の欠陥となって、半導体装置の不良に導ひく。

したがってホトマスク製造にあたっては、こうしたホト
マスクの欠陥が発生しないようにしなければならないの
であるが、半導体装置が集積回路のごとく微細パターン
化してくると、たとえマスク製造環境が高清浄度であっ
たとしてもホトマスクの欠陥を皆無とすることは、きわ
めて困難である。

そこで止むなく発生したホトマスクの欠陥を除去する修
正が必要となってくる訳である。

ホトマスクは通常、ガラス板のごとき透光性支持体の上
にクロム膜のごとき遮光性膜が遮光部としてパターン状
に配置されており、遮光性膜のない部分は透光部となっ
ている。

そしてこうしたホトマスクの欠陥の修正は、従来、不必
要な遮光部の欠陥修正は比較的容易であっても、不必要
な透光部の欠陥修正はきわめて困難であった。

従来、ホトマスクの不必要な遮光部の欠陥修正には、不
必要な遮光性膜たとえば不必要なりロム膜の残存に対し
ては、レーザ光照射による不必要なりロム膜のトリミン
グで除去するなどの欠陥修正法があり比較的容易であっ
た。

しかし遮光性膜のピンホール、遮光性膜パターンの欠除
など透光部の欠陥修正には、新らたに遮光性膜をピンホ
ールやパターン欠除の個所に充填・附加しなければなら
ないため欠陥修正が困難であった。

すなわち新らたに遮光性膜を充填・附加する透光部の欠
陥修正法として、欠陥ホトマスクへ更に遮光性膜を全面
または欠陥個所を含む領域に形成し、これに欠陥修正の
ための写真食刻技術を適用する方法があ６が、この従来
の欠陥修正法は新らたに別の欠陥を発生させる欠点があ
り、修正作業の繁雑な欠点があった。

本発明によるホトマスクの欠陥修正法は、有機化合物蒸
気の存在する雰囲気の中で電子ビームを照射することに
よって、従来のホトマスクの欠陥修正法の欠点、とくに
上記の透光部の欠陥修正法の欠点を除去しようとするも
のである。

以下図面にしたがって、この発明の詳細な説明する。

第１図は、透光部の欠陥を有するホトマスクの部分平面
図、第２図は本発明によるホトマスクの欠陥修正法を説
明するための断面図である。

第１図におにては、ガラス板のごとき透光性支持体１の
上にクロム膜のごとき遮光性膜２のパターンを有するホ
トマスク１００に、遮光性膜のピンホール３とパターン
欠除４の代表的な透光部の欠陥が示されている。

無欠陥ホトマスクとしてはピンホール３が遮光性膜で充
填され、パターン欠除４が斜線を施した部分に遮光性膜
が存置されるべきものである。

本発明による欠陥修正法では、第２図ａに示すごとく、
ホトマスク１００が有機化合物蒸気５の中に配置されて
おり、遮光性膜を充填・附加すべき欠陥個所６に対向す
る位置に電子ビーム発生源７が配置されている。

欠陥個所６とは第１図で示したようなピンホール３、パ
ターン欠除４などである。

電子ビーム発生源７には、図示されていないが電子ビー
ム８の射出を停止できるカットオフ電極が含まれており
、かつホトマスク１００面上の欠陥個所６にのみ電子ビ
ーム８が射突できるような偏向電極が含まれており、ま
たこれら電極を駆動できる電気回路が含まれている。

これら電子ビーム発生源７は、走査型電子顕微鏡におけ
る電子ビーム発生源と略々同じものである。

第２図ａは欠陥個所６のみに電子ビーム８が照射されて
いる状態を示している。

ところで電子ビーム８が有機化合物蒸気５の中を通過す
るとき、有機化合物蒸気５の種類、蒸気圧、電子ビーム
８の加速電圧、ビーム電流密度、照射時間が適切であれ
ば、有機化合物蒸気５の分子は電子ビーム８でカーボン
とその他の気体に分解され、そのうちカーボンは電子ビ
ーム８の射突している欠陥個所６に堆積・固着し、カー
ボン膜９が形成される。

このカーボン膜９の膜厚は、たとえば電子ビーム８の照
射時間を調節することにより、遮光性膜２の膜厚と略々
等しくできる。

カーボン膜９の光透過率は、カーボン膜９の膜厚がたと
えば遮光性膜２としてのクロム膜と同じ膜厚の８００λ
もあれば、写真食刻用光源の光波長に対してほとんど零
（ゼロ）である。

したがってカーボン膜９は遮光性膜としての機能を果す
ことになる。

この結果、欠陥個所６は第２図すに示すごとくカーボン
膜９で充填され、ホトマスク１００は無欠陥ホトマスク
に修正される。

パターン欠除４のごとき欠陥に対しては、電子ビーム発
生源７の諸電極を駆動させパターン欠除４の個所にのみ
電子ビーム８が射突するようにすればよい。

有機化合物蒸気５としては、たとえば真空ポンプ油の蒸
気を用い、その蒸気圧を１０’Ｔｏｒｒに調整し、その
蒸気圧の調整は電子ビーム発生源７を含む真空容器内に
設けた真空ポンプ油の温度コントロールによればよい。

欠陥修正後のホトマスク１００には、有機化合物分子が
付着することもあり得るがきわめて薄い分子膜であるゆ
え、通常のホトマスクの洗浄処理によって除去できる。

以上詳しく説明したように、本発明によりホトマスクの
欠陥修正法は、従来の方法のように欠陥ホトマスクに遮
光性膜を形成したり、写真食刻技術をこれに適用する必
要はないから、二次的な欠陥発生を誘起する恐れは全く
なく、修正作業がきわめて容易である。

また電子ビーム８は、電子光学的にきわめて細いビーム
径とすることができるので、微小な欠陥修正も可能であ
る。

また電子ビーム８は、偏向電極などにより複雑なパター
ン形状を描かせて走査できるので、複雑なパターン欠除
も修正できる。

さらに追記すれば、欠陥修正のみならず、新らたな遮光
性膜パターンをホトマスクに追加することもできる。

【図面の簡単な説明】

第１図は透光部の欠陥を有するホトマスクの部分平面図
、第２図は本発明によるホトマスクの欠陥修正法を説明
するための断面図である。 １は透光性支持体、２は遮光性膜、３はピンホール、４
はパターン欠除、５は有機化合物蒸気、６は欠陥個所、
７は電子ビーム発生源、８は電子ビーム、９はカーボン
膜、１００はホトマスクである。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 有機化合物蒸気の存在する雰囲気内で電子ビームを
   ホトマスクの欠陥個所に照射し、前記欠陥個所にカーボ
   ン膜を形成することを特徴とするホトマスクの欠陥修正
   法。 ２ 有機化合物蒸気が真空ポンプ油蒸気である前記特許
   請求の範囲第１項記載のホトマスクの欠陥修正法。 ３ 電子ビームが所要のパターンで走査できる電子ビー
   ムであり、カーボン膜が電子ビームの走査に対応した形
   状のカーボン膜である前記特許請求の範囲第１項記載の
   ホトマスクの欠陥修正法。