JPS5831424Y2 - ハイブリッド・イグナイタ− - Google Patents
ハイブリッド・イグナイタ−Info
- Publication number
- JPS5831424Y2 JPS5831424Y2 JP1978183344U JP18334478U JPS5831424Y2 JP S5831424 Y2 JPS5831424 Y2 JP S5831424Y2 JP 1978183344 U JP1978183344 U JP 1978183344U JP 18334478 U JP18334478 U JP 18334478U JP S5831424 Y2 JPS5831424 Y2 JP S5831424Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hybrid
- power transistor
- inner frame
- igniter
- electronic components
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Ignition Installations For Internal Combustion Engines (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は電装品のように環境が極めて厳しい条件下で使
用されるハイブリッド部品を収納したハイブリッド・イ
グナイターの改良に関し、極めて簡単な構成で高度の信
頼性を得ようとするものである。
用されるハイブリッド部品を収納したハイブリッド・イ
グナイターの改良に関し、極めて簡単な構成で高度の信
頼性を得ようとするものである。
従来の樹脂注型タイプのハイブリッド・イグナイターの
構成例を第１図に示す。
構成例を第１図に示す。
モノシリツクＩＣ等の電子部品１を装着したハイブリッ
ド基板２は、部品装着面を上側にして接着剤３等で金属
ケース４に接着され、これとは別に放熱ベースに半田６
により接続された出力用パワートランジスタ７が、絶縁
基板８を介して、金属ケース４に接着されていた。
ド基板２は、部品装着面を上側にして接着剤３等で金属
ケース４に接着され、これとは別に放熱ベースに半田６
により接続された出力用パワートランジスタ７が、絶縁
基板８を介して、金属ケース４に接着されていた。
又、各半導体チップは、ポンチ゛ングポスト９との間を
Ａｌ、Ａｕ等のワイヤー１０によって超音波溶接等の手
法により結線され、外部へは、導体１１に半田６により
接続された端子１２を介してリード線１３等によって配
線されている。
Ａｌ、Ａｕ等のワイヤー１０によって超音波溶接等の手
法により結線され、外部へは、導体１１に半田６により
接続された端子１２を介してリード線１３等によって配
線されている。
さらに、上記構成品の上を、エポキシ等の注型樹脂１４
で充填していた。
で充填していた。
しかし、上記構成では、温度サイクル等によって生じる
ケース４と注型樹脂１４間の剥離や、注型樹脂１４自身
の吸湿等による湿気の浸入が、モノシリツクＩＣなどの
電子部品１のような繊細な素子の表面を腐食し、特性劣
化を生じるという問題があった。
ケース４と注型樹脂１４間の剥離や、注型樹脂１４自身
の吸湿等による湿気の浸入が、モノシリツクＩＣなどの
電子部品１のような繊細な素子の表面を腐食し、特性劣
化を生じるという問題があった。
又、注型樹脂１４の温度サイクル等によって生じる樹脂
応力からハイブリッド基板２上の電子部品１を保護する
目的で、第１図に示すように、樹脂応力の小さいシリコ
ン樹脂１５を下層に充填する構成が多く用いられていた
。
応力からハイブリッド基板２上の電子部品１を保護する
目的で、第１図に示すように、樹脂応力の小さいシリコ
ン樹脂１５を下層に充填する構成が多く用いられていた
。
しかし、この場合、シリコン樹脂１５と注型樹脂１４の
相性が極めて悪いため、壁面を毛細管現象で上昇するシ
リコン樹脂１５によって、エポキシなどの注型樹脂１４
が剥離するという問題も生じていた。
相性が極めて悪いため、壁面を毛細管現象で上昇するシ
リコン樹脂１５によって、エポキシなどの注型樹脂１４
が剥離するという問題も生じていた。
さらに、パワートランジスタ７に大電流を通じる場合、
その発熱がハイブリッド基板２上の電子部品１に影響を
与えることも多く、熱分離のできる構成とする必要があ
った。
その発熱がハイブリッド基板２上の電子部品１に影響を
与えることも多く、熱分離のできる構成とする必要があ
った。
特に、電装品のように極めて厳しい条件下で使用される
場合、上記欠点は信頼性を損う重要な問題であった。
場合、上記欠点は信頼性を損う重要な問題であった。
本考案は極めて簡単な構成で上記欠点を解決したもので
ある。
ある。
以下、第２図、第３図に示す実施例によって本考案の詳
細な説明を行なう。
細な説明を行なう。
１６は金属ケースで、この金属ケース１６の内底部には
上方に突出する内枠１７が設けられており、この内枠１
７の外側の内底面には放熱ベース１８に半田１９により
接続されたパワートランジスタ２０が放熱ベース１８を
絶縁板２１に結合して接着剤２２により固着されている
。
上方に突出する内枠１７が設けられており、この内枠１
７の外側の内底面には放熱ベース１８に半田１９により
接続されたパワートランジスタ２０が放熱ベース１８を
絶縁板２１に結合して接着剤２２により固着されている
。
また、上記内枠１７の上端には、下面にモノシリツクＩ
Ｃなどの電子部品２３、ボンディングポスト２４、導体
層２５を形成したハイブリッド基板２６が内枠１７内を
密閉するように接着剤２２により固着されている。
Ｃなどの電子部品２３、ボンディングポスト２４、導体
層２５を形成したハイブリッド基板２６が内枠１７内を
密閉するように接着剤２２により固着されている。
さらに、このハイブリッド基板２６には上面に貫通する
外部配線用端子２７が設けられ、この外部配線用端子２
７の上端面は上記パワートランジスタ２０とＡｌ、Ａｕ
などのワイヤー２８で接続されたり、外部リード線２９
が接続されている。
外部配線用端子２７が設けられ、この外部配線用端子２
７の上端面は上記パワートランジスタ２０とＡｌ、Ａｕ
などのワイヤー２８で接続されたり、外部リード線２９
が接続されている。
なお、内枠１７内の空間３０はそのま・であってもよい
し、必要に応じてハイブリッド基板２６に注入孔を設け
てシリコン樹脂３１を注入してもよい。
し、必要に応じてハイブリッド基板２６に注入孔を設け
てシリコン樹脂３１を注入してもよい。
さらに、金属ケース１６内にはエポキシ樹脂などの注型
樹脂３２を充填して構成されている。
樹脂３２を充填して構成されている。
上記構成によれば、湿気の浸入からハブリッド基板２６
上の繊細な電子部品２３の素子を保護することができ、
又、シリコン樹脂３１を用いても注型樹脂３２と直接触
れることがないので、毛細管現象による金属ケース１６
と注型樹脂３２の剥離もなくなる。
上の繊細な電子部品２３の素子を保護することができ、
又、シリコン樹脂３１を用いても注型樹脂３２と直接触
れることがないので、毛細管現象による金属ケース１６
と注型樹脂３２の剥離もなくなる。
さらに、内枠１７内の空間３０が、完全気密、又はシリ
コン樹脂３１充填の構成になるので、温度サイクル等に
よる注型樹脂３２の内部応力からハイブリッド基板２６
上の電子部品２３を保護することができる。
コン樹脂３１充填の構成になるので、温度サイクル等に
よる注型樹脂３２の内部応力からハイブリッド基板２６
上の電子部品２３を保護することができる。
又、パワートランジスタ２０の発熱は、内枠１７を経て
、ハイブリッド基板２６の端部から電子部品２３へ伝わ
るため、パワートランジスタ２０とハイブリッド基板２
６上の電子部品２３間の熱抵抗は極めて大きくすること
ができる。
、ハイブリッド基板２６の端部から電子部品２３へ伝わ
るため、パワートランジスタ２０とハイブリッド基板２
６上の電子部品２３間の熱抵抗は極めて大きくすること
ができる。
したがって、モノジノツクＩＣ等の電子部品２３は、パ
ワートランジスタ２０から熱分離され、信頼性が向上す
る。
ワートランジスタ２０から熱分離され、信頼性が向上す
る。
以上のように、本考案によれば、電装品のように極めて
厳しい環境下で使用されるハイブリッド・イグナイター
において簡単な構成で確実な電子部品の保護ができ、高
度の信頼性を確保することができる。
厳しい環境下で使用されるハイブリッド・イグナイター
において簡単な構成で確実な電子部品の保護ができ、高
度の信頼性を確保することができる。
以上により、本考案は、極めて実用的価値が大きいもの
である。
である。
第１図は従来のハイブリッド・イグナイターの断面図、
第２図は本考案のハイブリッド・イグナイターの一実施
例を示す断面図、第３図は注型樹脂を充填する前の斜視
図である。 １６・・・・・・金属ケース、１７・・・・・・内枠、
１８・・・・・・放熱ベース、１９・・・・・・半田、
２０・・・・・・パワートランジスタ、２１・・・・・
・絶縁板、２２・・・・・・接着剤、２３・・・・・・
電子部品、２４・・・・・・ボンディングポスト、２５
・・・・・・導電層、２６・・・・・・ハイブリッド基
板、２７・・・・・・外部配線用端子、２８・・・・・
・ワイヤー、２９・・・・・・外部リード線、３０・・
・・・・空間、３１・・・・・・シリコン樹脂、３２・
・・・・・注型樹脂。
第２図は本考案のハイブリッド・イグナイターの一実施
例を示す断面図、第３図は注型樹脂を充填する前の斜視
図である。 １６・・・・・・金属ケース、１７・・・・・・内枠、
１８・・・・・・放熱ベース、１９・・・・・・半田、
２０・・・・・・パワートランジスタ、２１・・・・・
・絶縁板、２２・・・・・・接着剤、２３・・・・・・
電子部品、２４・・・・・・ボンディングポスト、２５
・・・・・・導電層、２６・・・・・・ハイブリッド基
板、２７・・・・・・外部配線用端子、２８・・・・・
・ワイヤー、２９・・・・・・外部リード線、３０・・
・・・・空間、３１・・・・・・シリコン樹脂、３２・
・・・・・注型樹脂。
Claims (2)
- （１）金属ケース内にパワートランジスタと、モノシリ
ツクＩＣなどの電子部品を組込たハイブリッド基板を収
納するとともに注型樹脂を充填して構成したハイブリッ
ド・イグナイターにおいて、上記金属ケースの内底部の
一部に上方に突出する内枠を設け、この内枠外にパワー
トランジスタを配置し、この内枠の上端に下面に電子部
品を組込んだハイブリッド基板を結合してなるハイブリ
ッド・イグナイター。 - （２）ハイブリッド基板に貫通する外部配線用端子を設
け、この外部配線用端子にパワートランジスタまたは外
部リード線を接続してなる実用新案登録請求の範囲第１
項記載のハイブリッド・イグナイター０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1978183344U JPS5831424Y2 (ja) | 1978-12-27 | 1978-12-27 | ハイブリッド・イグナイタ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1978183344U JPS5831424Y2 (ja) | 1978-12-27 | 1978-12-27 | ハイブリッド・イグナイタ− |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5599163U JPS5599163U (ja) | 1980-07-10 |
| JPS5831424Y2 true JPS5831424Y2 (ja) | 1983-07-12 |
Family
ID=29195009
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1978183344U Expired JPS5831424Y2 (ja) | 1978-12-27 | 1978-12-27 | ハイブリッド・イグナイタ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5831424Y2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2777464B2 (ja) * | 1990-07-18 | 1998-07-16 | 株式会社日立製作所 | 電子装置と、これを用いたエンジンの点火装置 |
| JP2590601B2 (ja) * | 1990-09-28 | 1997-03-12 | 松下電器産業株式会社 | 電子点火装置 |
| JP2539819Y2 (ja) * | 1991-03-12 | 1997-07-02 | 国産電機株式会社 | スロットル開度センサ付き点火装置ユニット |
-
1978
- 1978-12-27 JP JP1978183344U patent/JPS5831424Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5599163U (ja) | 1980-07-10 |
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