JPS58198893A - Ｅｌ表示素子の製造方法 - Google Patents
Ｅｌ表示素子の製造方法Info
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- JPS58198893A JPS58198893A JP57082908A JP8290882A JPS58198893A JP S58198893 A JPS58198893 A JP S58198893A JP 57082908 A JP57082908 A JP 57082908A JP 8290882 A JP8290882 A JP 8290882A JP S58198893 A JPS58198893 A JP S58198893A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、一対の電極間に螢光体層を挾持し、両電極間
に直流電圧を印加して螢光体を発光させるエレクトロル
ミネッセンス表示素子（以下ＥＬ表示索予という）の製
造方法に関する。
に直流電圧を印加して螢光体を発光させるエレクトロル
ミネッセンス表示素子（以下ＥＬ表示索予という）の製
造方法に関する。
硫化亜鉛（Ｚｎ８ ）等を基体として活性剤や付活性剤
の不純物を注入した螢光体に電圧を印加丁れば発光する
現象はエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）として周知で
あり、この現象を利用したＥＬ発光Ｐ３ 索子が開発されている。ＥＬ発光素子は消費電力量や発
熱量が少なく、また非常に薄く作成できるので近年省エ
ネルギー光源として注目されている。
の不純物を注入した螢光体に電圧を印加丁れば発光する
現象はエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）として周知で
あり、この現象を利用したＥＬ発光Ｐ３ 索子が開発されている。ＥＬ発光素子は消費電力量や発
熱量が少なく、また非常に薄く作成できるので近年省エ
ネルギー光源として注目されている。
又、電子機器の急速なデジタル化が進み表示形態が多様
化している中でＰＬ発光索索子表示用として実用化が試
みられている。ところが、ＥＬ発光素子は、内部に水分
が存在すれば、硫化亜鉛等の螢光体の分解が進み輝度劣
化が非常に激しくなり、ＥＬ表示素子として使用に耐え
られなくなる。このためＥＬ表示素子製造にあたっては
、素子内部に水分が存在しないように十分注意しなけれ
ばならない。
化している中でＰＬ発光索索子表示用として実用化が試
みられている。ところが、ＥＬ発光素子は、内部に水分
が存在すれば、硫化亜鉛等の螢光体の分解が進み輝度劣
化が非常に激しくなり、ＥＬ表示素子として使用に耐え
られなくなる。このためＥＬ表示素子製造にあたっては
、素子内部に水分が存在しないように十分注意しなけれ
ばならない。
第１図は、一般的なＥＬ表示索索子構成を示し、ｆｌｌ
は三フッ化塩化エナレン等からなる有機透明絶縁フィル
ム、（２）は、メツシュ状に形成した金やアルミニウム
又はＩＴＯ（Ｉｎ とＳｎの酸化物）等を透明絶縁フ
ィルム上に蒸着して形成したＥＬ光の透過可能な透明電
極で、（３１４に硫化亜鉛やセレン化亜鉛 ″など
に銅、マンガン、アルミニウム、塩素臭素等の活性剤や
付活性剤を注入した螢光体粉末を、シアノエナル化セル
ロースやフッソ樹脂等の有機質バインダー中に分散させ
てなる螢光体層、（４）はアルミニュウムや金の箔又は
板を用い対向電極、（５）は三フッ化塩化エナレンフイ
ルム単体か又は三フッ化塩化エナレンフイルムとポリエ
テレンフィルムとをラミネート接着した防湿用保護フィ
ルムである。組上の構成のＥＬ表示素子の透明電極（２
）と対向電極（４）間に直流電圧を 、印加すると螢
光体層（３）が発光し表示が行われる、次に従来のＢＬ
表示索索子製造方法を説明する。
は三フッ化塩化エナレン等からなる有機透明絶縁フィル
ム、（２）は、メツシュ状に形成した金やアルミニウム
又はＩＴＯ（Ｉｎ とＳｎの酸化物）等を透明絶縁フ
ィルム上に蒸着して形成したＥＬ光の透過可能な透明電
極で、（３１４に硫化亜鉛やセレン化亜鉛 ″など
に銅、マンガン、アルミニウム、塩素臭素等の活性剤や
付活性剤を注入した螢光体粉末を、シアノエナル化セル
ロースやフッソ樹脂等の有機質バインダー中に分散させ
てなる螢光体層、（４）はアルミニュウムや金の箔又は
板を用い対向電極、（５）は三フッ化塩化エナレンフイ
ルム単体か又は三フッ化塩化エナレンフイルムとポリエ
テレンフィルムとをラミネート接着した防湿用保護フィ
ルムである。組上の構成のＥＬ表示素子の透明電極（２
）と対向電極（４）間に直流電圧を 、印加すると螢
光体層（３）が発光し表示が行われる、次に従来のＢＬ
表示索索子製造方法を説明する。
まず、アルミニウム等の金属箔又は金属板からなる対向
電極（４）上に、シアノエナル化セルロースと螢光体粉
末とを混合した螢光体層形成用ペーストご塗布乾燥して
螢光体層（３）ヲ形成する。さらに透明絶縁フィルムｆ
ｉｌ上に形成された透明電極（２）を前記螢光体層（３
）上に載置して加熱加圧して接着し、ＥＬ表示素子基体
を製造する。
電極（４）上に、シアノエナル化セルロースと螢光体粉
末とを混合した螢光体層形成用ペーストご塗布乾燥して
螢光体層（３）ヲ形成する。さらに透明絶縁フィルムｆ
ｉｌ上に形成された透明電極（２）を前記螢光体層（３
）上に載置して加熱加圧して接着し、ＥＬ表示素子基体
を製造する。
さらに、ＥＬ表示１棄子基体を、三フッ化塩化エチレン
フィルム単体か又は三フッ化塩化エナレンフイルムとポ
リエテレンフィルムとをラミネート接着した防湿用保護
フィルムでサンドウィッチ状に挾み込み加熱ロール間を
通過させ接着封止してＥＬ表示素子を作製していた。
フィルム単体か又は三フッ化塩化エナレンフイルムとポ
リエテレンフィルムとをラミネート接着した防湿用保護
フィルムでサンドウィッチ状に挾み込み加熱ロール間を
通過させ接着封止してＥＬ表示素子を作製していた。
第２図（５）、（Ｂ）は、組上の従来の方法で作製した
ＥＬ表示素子を示したもので、それぞれ正面図及び断側
面図である。従来の製法で作製したＥＬ表示素子は、第
２図（５）に示した如く、防湿効果を上げるため保護フ
ィルム（５）の両辺（非表示部）を、ＥＬ表示素子基板
より３〜５閣大きく作製しなければならなかった。又、
第２図（１３）に示した如く、ＥＬ表示索子基体（６）
を保護フィルム（５）で接着封止する際、ＥＬ表示素子
基体（６）の端部付近に空隙（力が生じ易く該空隙（７
）に水分を含み易く、完成したＥＬ表示索子の信頼性２
低下させていｔ：。
ＥＬ表示素子を示したもので、それぞれ正面図及び断側
面図である。従来の製法で作製したＥＬ表示素子は、第
２図（５）に示した如く、防湿効果を上げるため保護フ
ィルム（５）の両辺（非表示部）を、ＥＬ表示素子基板
より３〜５閣大きく作製しなければならなかった。又、
第２図（１３）に示した如く、ＥＬ表示索子基体（６）
を保護フィルム（５）で接着封止する際、ＥＬ表示素子
基体（６）の端部付近に空隙（力が生じ易く該空隙（７
）に水分を含み易く、完成したＥＬ表示索子の信頼性２
低下させていｔ：。
第３図は従来方法で作製した表示部の中間部が開孔して
いるＥＬ表示素子を示したもので、（８）は開孔部であ
る。この種ＢＬ表示索子の従来の作製方法は次のとおり
である。まず開孔部にあるＥＬ表示素子基体を作成し、
該ＥＬ表示素子基体を保護フィルムでサンドウィッチ状
に挾み込み加熱ロール間を通過させ接着封止する。次に
タト同部及び開孔部の保護フィルム（５）のうち余分な
部分を切断してＨＬ表示索子を完成する。
いるＥＬ表示素子を示したもので、（８）は開孔部であ
る。この種ＢＬ表示索子の従来の作製方法は次のとおり
である。まず開孔部にあるＥＬ表示素子基体を作成し、
該ＥＬ表示素子基体を保護フィルムでサンドウィッチ状
に挾み込み加熱ロール間を通過させ接着封止する。次に
タト同部及び開孔部の保護フィルム（５）のうち余分な
部分を切断してＨＬ表示索子を完成する。
従来法で作製したこの種ＥＬ表示素子は、第３図に示し
たように、外周部と開口部（８）周辺（非表示部）は防
湿のため保護フィルムがＥＬ表示素子基体（６）よりも
３〜５１−大きく、それだけ形状に制限があり、小型化
には１米界があつｔ；。艮、従来方法はＥＬ表示索子基
体を防湿封止前に切断したり開孔部を設けたりして複雑
な形状とするため連続製造して大量生産するには不向き
であった。
たように、外周部と開口部（８）周辺（非表示部）は防
湿のため保護フィルムがＥＬ表示素子基体（６）よりも
３〜５１−大きく、それだけ形状に制限があり、小型化
には１米界があつｔ；。艮、従来方法はＥＬ表示索子基
体を防湿封止前に切断したり開孔部を設けたりして複雑
な形状とするため連続製造して大量生産するには不向き
であった。
本発明は、組上の欠点を解消するためなされたもので、
開孔部がなく連続的−゛ツー１状に形成したＢＬ表示索
子基体フィルムを任意の形状に打ち抜いてからその端部
を防湿処理し封止することによＱＥＬ表示表示索子上体
ぼ同一のタト形寸法を持ち、さらに容易に大量生産が可
能で信頼性の高いＥＬ表示索子の製造方法を提供するも
のである。
開孔部がなく連続的−゛ツー１状に形成したＢＬ表示索
子基体フィルムを任意の形状に打ち抜いてからその端部
を防湿処理し封止することによＱＥＬ表示表示索子上体
ぼ同一のタト形寸法を持ち、さらに容易に大量生産が可
能で信頼性の高いＥＬ表示索子の製造方法を提供するも
のである。
以後実施例に従って本発明を更に詳しく説明する。
景−□Ｌ□□
実施例１゜
厚さ０．１晒のポリエステルシートから成るフープ状透
明絶縁フィルム上に、スパッタリング法や蒸着法により
酸化インジュームと酸化錫とからなる透明電極を形成す
る。次に、シアノエナル化セルロースと、アセトン、メ
ナルエナルケトン、アセト酢酸エナル等の溶媒とを、重
量比が１：１〜１０となる様に混合しビヒクルを作製し
、硫化亜鉛中に銅やアルミニウムを注入した螢光体粉末
をシアノエナル化セルロースとの重量比が１：１〜１０
になる様にビヒクル中にＸｇして螢光体ペーストを作製
する。該螢光体ペーストを前記透明電極上に、乾燥後膜
厚が１０〜５０μ毒となるようにロールコータ−法、印
刷法又はスプレー法により連続的に埜布乾燥し螢光体層
を形成し、フープ状螢光体フィルムを作製する。前記螢
光体フィルムと厚さ１０〜５０１１ｆｎのフープ状アル
ミ箔からなる対向電極とを重ね合せ８０〜１７０℃に加
熱しながら１０〜８０ Ｋｆ ／ ｃｒｔｌの圧力でロ
ールを通過させ圧着させ、フープ状発光フィルムを作製
する。
明絶縁フィルム上に、スパッタリング法や蒸着法により
酸化インジュームと酸化錫とからなる透明電極を形成す
る。次に、シアノエナル化セルロースと、アセトン、メ
ナルエナルケトン、アセト酢酸エナル等の溶媒とを、重
量比が１：１〜１０となる様に混合しビヒクルを作製し
、硫化亜鉛中に銅やアルミニウムを注入した螢光体粉末
をシアノエナル化セルロースとの重量比が１：１〜１０
になる様にビヒクル中にＸｇして螢光体ペーストを作製
する。該螢光体ペーストを前記透明電極上に、乾燥後膜
厚が１０〜５０μ毒となるようにロールコータ−法、印
刷法又はスプレー法により連続的に埜布乾燥し螢光体層
を形成し、フープ状螢光体フィルムを作製する。前記螢
光体フィルムと厚さ１０〜５０１１ｆｎのフープ状アル
ミ箔からなる対向電極とを重ね合せ８０〜１７０℃に加
熱しながら１０〜８０ Ｋｆ ／ ｃｒｔｌの圧力でロ
ールを通過させ圧着させ、フープ状発光フィルムを作製
する。
特開昭５８−１９８８９３（≧Ｖ
なお、圧着する場合のロールには、対向電極の背面に厚
さ３〜１０咽のシリコンゴムを使用し、螢光体層の表面
凹凸による圧着時のひずみ等の幣害を防止することが望
ましい。次に、フープ状発光フィルムより巾が広く、三
フッ化塩化エナレンとポリエチレンがラミネート接着さ
れた２枚のフープ状防湿保護フィルムのポリエナレン側
を対向させ、間に発光フィルムを挾み込み９０〜１５０
℃に加熱したロール企通過させ圧着封止ｆ：′ｆ：ｒつ
て、連続したフープ状ＥＬ表示素子基体フィルムを作製
する。さらに該フープ状ＥＬ表示素子基体フィルムを所
定形状に、アレス等により打ち抜きｓｉｌ々に切断して
ＥＬ表示素子基体を作製する。
さ３〜１０咽のシリコンゴムを使用し、螢光体層の表面
凹凸による圧着時のひずみ等の幣害を防止することが望
ましい。次に、フープ状発光フィルムより巾が広く、三
フッ化塩化エナレンとポリエチレンがラミネート接着さ
れた２枚のフープ状防湿保護フィルムのポリエナレン側
を対向させ、間に発光フィルムを挾み込み９０〜１５０
℃に加熱したロール企通過させ圧着封止ｆ：′ｆ：ｒつ
て、連続したフープ状ＥＬ表示素子基体フィルムを作製
する。さらに該フープ状ＥＬ表示素子基体フィルムを所
定形状に、アレス等により打ち抜きｓｉｌ々に切断して
ＥＬ表示素子基体を作製する。
最後に、該ＥＬ表示素子基体を２５０〜３５０℃に加熱
したホットメルトガンから溶融された液状の三フッ化塩
化エナレンを切断部周辺に全血後冷却し、ＥＬ発行素子
を完成する。
したホットメルトガンから溶融された液状の三フッ化塩
化エナレンを切断部周辺に全血後冷却し、ＥＬ発行素子
を完成する。
第４図（Ａ）、（Ｂ）は□、それぞれこのようにして作
製し、たＥＬ表示索索子正面図及び断側面図であり、同
図（Ａ）に示すとおりＥＬ表示索子基体（６）周辺部及
び開孔部（８）周辺部（非表示部）も極めて小さくて丁
み、又同図（Ｂ）に示した如く、ＥＬ表示素子基体（６
）端部付近にも、空隙は発生しない。従って、小型化が
可能で信頼性の高いＥＬ表示索索子作製できる。
製し、たＥＬ表示索索子正面図及び断側面図であり、同
図（Ａ）に示すとおりＥＬ表示索子基体（６）周辺部及
び開孔部（８）周辺部（非表示部）も極めて小さくて丁
み、又同図（Ｂ）に示した如く、ＥＬ表示素子基体（６
）端部付近にも、空隙は発生しない。従って、小型化が
可能で信頼性の高いＥＬ表示索索子作製できる。
なお、（１）は透明絶縁フィルム、（２）は透明電極、
（３）は螢光体層、（４）は対向電極、（５）は保護フ
ィルムである。
（３）は螢光体層、（４）は対向電極、（５）は保護フ
ィルムである。
実施例２゜
第５図は、本実施例による製造過程上のＥＬ表示素子の
断側面図である。実施例１と同様にしてＥＬ表示索索子
体ご作製し、第５図に示した如くＥＬ表示素子基体外周
部に三フッ化這町ナレンからなるコの字形状の封止材（
９）で挾み、開孔部（８）には、三フッ化塩化エナレン
からなる傘状の封止材叫をあてる。次に外周部及び開孔
部周辺に、２５０〜３５０℃に熱したヒーターコテ又は
熱風を吹き付けて封止材ｔ９）、ＱＯ）を溶融封止して
ＥＬ表示素子ご完成する。本実施例においても、完成さ
れたＥＬ表示素子は、周辺部も完全に密封され、小型で
信頼性高いものである。
断側面図である。実施例１と同様にしてＥＬ表示索索子
体ご作製し、第５図に示した如くＥＬ表示素子基体外周
部に三フッ化這町ナレンからなるコの字形状の封止材（
９）で挾み、開孔部（８）には、三フッ化塩化エナレン
からなる傘状の封止材叫をあてる。次に外周部及び開孔
部周辺に、２５０〜３５０℃に熱したヒーターコテ又は
熱風を吹き付けて封止材ｔ９）、ＱＯ）を溶融封止して
ＥＬ表示素子ご完成する。本実施例においても、完成さ
れたＥＬ表示素子は、周辺部も完全に密封され、小型で
信頼性高いものである。
なお、（１）は透明絶縁フィルム、（２）は透明電極、
（３）は螢光体層、（４）は対向電極、（５）は保護フ
ィルムである。
（３）は螢光体層、（４）は対向電極、（５）は保護フ
ィルムである。
実施例３゜
実施例１と同様にしてＥＬ表示素子基体の開孔部を含め
た周辺部をレーザービーム木は赤タト線ビーム等の加熱
用ビームで上下から２５０〜３５０℃に加熱すると上下
の防湿保護フィルムは、溶融流動して切断面上を覆う、
この後加熱用ビームを取り除けば周辺部が冷却され三フ
ッ化塩化エナレンからなる強固な防湿膜が形成される。
た周辺部をレーザービーム木は赤タト線ビーム等の加熱
用ビームで上下から２５０〜３５０℃に加熱すると上下
の防湿保護フィルムは、溶融流動して切断面上を覆う、
この後加熱用ビームを取り除けば周辺部が冷却され三フ
ッ化塩化エナレンからなる強固な防湿膜が形成される。
組上の説明でわかるように、本発明においては、フープ
状ＥＬ表示素子基体フィルム作製後に、所定形状に切断
し、次に、切断部の防湿処理を行うことにより、量産性
が高く、さらに非表示部を極めて小さくすることができ
るため形状設計の自由度も大きく、又ＥＬ表示索索子体
端部に空隙ができることなく信頼性の高いＢＬ表示素子
基体を提供できる大きな利点がある。
状ＥＬ表示素子基体フィルム作製後に、所定形状に切断
し、次に、切断部の防湿処理を行うことにより、量産性
が高く、さらに非表示部を極めて小さくすることができ
るため形状設計の自由度も大きく、又ＥＬ表示索索子体
端部に空隙ができることなく信頼性の高いＢＬ表示素子
基体を提供できる大きな利点がある。
第１図はＥＬ表示素子の要部拡大断側面図、第２図（５
）、（Ｂ）は従来例でそれぞれＥＬ表示索索子正面図及
び端部断側面図、第３図は従来例で開孔部を有するＢＬ
表示素子の正面図であり、第４図は本発明の実施例で、
同図内はＥＬ表示素子の正面図、同図（Ｂ）は端部断側
面図、第５図は本発明の他の実施例である。 （１１透明絶縁フィルム （２） 透明電極 （３） 螢光体層 （４） 対向電極 （５） 保護フィルム （６ｊ ＥＬ表示索子基体 （７） 空隙 （８） 開孔部 （９）、（１０） 封止材 第２図 （Ａ） （Ｂ） ！ 第３図
）、（Ｂ）は従来例でそれぞれＥＬ表示索索子正面図及
び端部断側面図、第３図は従来例で開孔部を有するＢＬ
表示素子の正面図であり、第４図は本発明の実施例で、
同図内はＥＬ表示素子の正面図、同図（Ｂ）は端部断側
面図、第５図は本発明の他の実施例である。 （１１透明絶縁フィルム （２） 透明電極 （３） 螢光体層 （４） 対向電極 （５） 保護フィルム （６ｊ ＥＬ表示索子基体 （７） 空隙 （８） 開孔部 （９）、（１０） 封止材 第２図 （Ａ） （Ｂ） ！ 第３図
Claims (3)
- （１） 所定形状の透明電極を連続して表面に形成し
たフープ状透明絶縁フィルム上に螢光体層を連続形成し
、フープ状発光フィルムを作製する工程と、前記螢光体
フィルムとフープ状金属箔とを圧着し、連続したフープ
状発光フィルムを作製する工程と、前記発光体フィルム
を、２枚のフープ状保護フィルムで上下より挟み込み加
熱圧着封止して連続したフープ状ＢＬ表示素子基体フィ
ルムを作製する工程と、前記Ｅ ’Ｌ表示索子基体フィ
ルムを任意の形状に打ち抜き切断してＢＬ表示素子基体
を作製する工程と、前記ＥＬ表示索子基体の切断部周辺
を封止する工程とより一′ることを特徴とするＥＬ表示
素子の製造方法。 - （２）前記保護フィルムとして三フッ化塩化エナレンか
らなるフィルムを用い、同材質の樹脂を、２ 前記ＥＬ表示素子基体の切断部周辺に加熱溶融塗布して
封止することを特徴とする特許請求の範囲第１項のＥＬ
表示素子の製造方法。 - （３）前記ＥＬ表示素子基体の切断部周辺にホットメル
ト材を加熱溶融塗布して封止することを特徴とする特許
請求の範囲第１項のＥＬ表示素子の製造方法。 することを特徴とする特許請求の範囲第１項のＢＬ表示
素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57082908A JPS58198893A (ja) | 1982-05-17 | 1982-05-17 | Ｅｌ表示素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57082908A JPS58198893A (ja) | 1982-05-17 | 1982-05-17 | Ｅｌ表示素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58198893A true JPS58198893A (ja) | 1983-11-18 |
| JPS6235236B2 JPS6235236B2 (ja) | 1987-07-31 |
Family
ID=13787349
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57082908A Granted JPS58198893A (ja) | 1982-05-17 | 1982-05-17 | Ｅｌ表示素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58198893A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002343558A (ja) * | 2001-05-16 | 2002-11-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｅｌ素子及びこれを用いた照光ユニット |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5031789A (ja) * | 1973-07-23 | 1975-03-28 |
-
1982
- 1982-05-17 JP JP57082908A patent/JPS58198893A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5031789A (ja) * | 1973-07-23 | 1975-03-28 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6235236B2 (ja) | 1987-07-31 |
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