JPS58169980A - 光起電力素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は非晶質シリコンｃ以下＆−８ｉと略す）を用い
た光起電力素子の製造ノｊ法に関する。

この種の尤、Ｉｊ！電力素子の典型的構造は第１図に示
す通りである。１はガラス等の透明絶縁基板、２．３お
よび４はそれぞれ＋ｊｆｆ記基板表基板表面ｌ（４次積
層被着された酸化イノジクム・錫等の透明導電膜＆−８
１膜およびアルミニウム等の表面電極膜である。ａ−８
ｉ膜３は透明電極２に接するｐ型層５、！ＡＩ：而電極
面に接するｎ型層７およびこれら両層間のｉ　９　（ノ
ンドープ）層６とからなり、これらの層５．６．７は、
それぞれ適当な不純物を含むシランガス中でのプラズマ
反応により堆積形成される。ｉ型層とは不純物を入れな
い意味であるがａ−８ｉｉ型層８は少しｎ型になってい
るためほんとうの意味での１型層にするために微量の不
純物を入れる場合がある。

第２図は前記ａ　−Ｓ　ｉ膜３を形成するだめの従来の
プラズマ反応装置を示す。１０ａ〜−１００は□互いに
隔離さ）１て並設された第１〜第３反応室１１ａ〜１１
Ｑはそれぞれ上記各反応室に所定の反応ガスを導入する
ための第１〜第３バルブであり、第１バルブ１１１Ｌを
通してシランガスとジボランガスが第２パルプ１１ｂを
通してシランガスが、さらに第３バ・レプ１１０を通し
てシランガスとフォスフインガスがそれぞれ供給される
。１２ａ〜１２０は各反応室１ｏａ〜１ｏＣをυ１気す
るための第４〜第６パルブで、これら各バルブは４空排
気系に接続されている。１３および１４は１−記反応室
において、対向配置さねた第１および第２電極で、これ
ら電極には交流電源１５より交流電場が印加される。１
−゛は上記各反応室において第１　、第２電極１３．１
４間に配さコまたローラコンベアである。これは上記第
１から第３反応室への物品の移動に用いられる。第１〜
第３反応室１０ａ〜１０ｃの各垂直壁１８に同一高さに
て開「コされた第１〜第４通過窓１７Ｘ〜１７（１とＦ
記念の各々を開閉する第１〜第４シヤツタ１９１Ｌ〜１
９ｄを設ける。シャッタを開け、窓から反応室間の移動
をさせるようになっている。

次に第２図に示したａ−８ｉ堆積装置の従来からの製ｉ
ｉ−！ｉ　）ｊ法について述べる。

まず、透明導電膜２のみを堆積させた基板１を・第１通
錨窓１７ａから第１反応室１０１Ｌヘローラコンベア１
６に載せて入れる。このとき第１〜第４シヤツタ１９ａ
〜１９（ｉは全て閉位ｔｌ’ｒにあり。

また、すべてのローラコンベア１６は停止しており、さ
らに第１〜第６パルブ１１１Ｌ〜１１Ｃ。

１２Δ〜１２Ｃが閉じられ、かつすべての第１゜第２電
４１３．１４には電場印加がない。次に、第４〜第６バ
ルプ第１２ａ〜１２Ｃを通じて第１〜第３反応声、、”
？°〜゛０°を真空排気し７後・第１バルブ１１１Ｌを
介して第１反応室１０ＩＬ内にシランガスとジボランガ
スとを満たし、この状態で第１反応室１０ａの第１．第
２電極１３．１４に電場印加を行々いプラズマ反応を行
なう。このｌユ程によって透明導電膜２上のｐ　％１４
層５が形成される。

以りの工程を整理すると、予め第２図のプラズマ反応装
置は放電を停止トしており、反応室は１空に排気されて
いる。ｐ型層６を形成した後、ｆ反応室を山゛び排気し
、ｉ　＋９Ｊ層６を形成する。その後出−び反応室を排
気しｎ型層７を形成するというように、各導伝型層形成
毎に排気をくり返さねばならず、その都度放電を停止し
なければならない。従来例では以上のように無駄な時間
や原ト１ガスを多く必要とするという欠点があった。

本発明は、上記従来技術にもとづき、連続してかつ放電
を停止することなくａ−８ｉを堆積させなから光起電力
素子を製遇することにより、原卜１ガスの交換に必要な
時間を節約し、しかも導電＋ｔ、ｌｊ不純物の池に与え
る影響を少なくするものである。

以下本発明の一実施例について、従来例で示したプラズ
マ反応装置によって説明する。通常動作中は常時放電さ
せており、基板１を移動させる時以外はローラコンベア
１６は停止している。基板導入以前は、少なくとも第１
シヤツタ１９ａは閉じている。

予備室（図示せず）でａ　−Ｓ　ｉ堆積温度まで基板温
度を調節した後、第１反応室１ｏａと同種同圧の原料ガ
スを予備室に導入する。

次に第１シャッタ１９ｇ１を開は第１反応室１０ａに基
板１を導入する。基板導入後は第１シヤツタ１９１Ｌを
閉じ、上記混合ガスをパージした後１次の基板導入の準
備をする。第１反応室１０＆で９層６を堆積しようとす
る場合は原料ガスにはＳｉＨ４とＢ２Ｈ６が含まれてい
る。９層６を堆積後、放電を市めずにＢ２Ｈ６ガスの供
給のみを停止する。こうすることによって第１反応室１
ｏ＆中の原料ガスは第２反応室１０ｂのそれと同種にな
る。同圧になるよう調整した後、第２シヤツタ１９ｂを
開は第２反応室１ｏｂに基板１を導入する。基板導入後
は、第２シヤツタ１９ｂを閉じ、第１反応室１０ａには
再びＳｉＨ４とＢ２Ｈ６を含む原料ガスを導入しておき
１次の基板導入を待機する。第２反心室１０ｂで１層６
を堆積した後、第３シヤツタ１９０を開け、第３反応室
１０ｃへ基板１を導入する。このとき第３反応室１０　
ｃには第２反応室と同種同圧の原料ガスが導入されてい
るが、基板移動完了後、第３シヤツタ１９ｃを閉じてか
ら、９層７を堆積させる場合は、ＰＨ３を導入する。９
層７を堆積後、第４シヤツタ１９（１を開け、予備室（
図示せず）へ導入する。この予備室は［、稈説明の最初
に述べた前記第１反応室１０＆へ導入するため、に用い
た予備室でもよく、別の予備室でも良い。１層７堆積後
第３反応室１０ｃから予備室へ移動させるときは、予備
室中へ第３反応室１０Ｃと同圧の気体、例えば５ｉｎ４
と、またはｐＨ３を含んだ原料ガス、Ｈ２，ムｒ、）ｌ
ｅ等を満たし、移動後第４シヤ７・夕１９（１を閉じる
。上記予備室には原料ガスが存在するので、十分にパー
ジした後とり出す。とり出す前に裏面電極４を蒸着して
も良い。

以りのように本発明は、プラズマ放電を停止させること
なく、連続してａ−８ｉを堆積するための具体的製造方
法であり、従来例に比べて次に述べる利点がある。

■製造装置の放電をＩＬめることかないので、原理的に
は連続堆積が可能である。

■反応室間の移動の１際、室中の原料ガスをパージする
必要がない。すなわち原料ガスの無駄が少ない。壕だ原
料ガスを排気す；／、必要がないので時間の節約にもな
る。

■薄膜堆積時間は、ｐ型層６を１分間、１型層ｅを３０
分間、ｎ型層７を３分間とすると、従来の製造り法では
各反応室の大きさが同一である場合が装置の利用効率が
良いが、本発明の製造方法では例えばｐ型層６を１分間
堆積させた後、ｉ型層６を同一反応室で１分間堆積させ
、放電を市、めすに次の反応室で引き続きｉ型層６を堆
積させるためｐ層ｊＸ心室から、順次１層反応室へ基板
を導入することができ、各反応室の空時間が原理的にな
くなる。ｉ層反応室からｎ層反応室への基板移動も同様
な考え方による製造方法で行なえるため、従来例に比べ
飛躍的に利用効率が向上する。さらに従来例と同様１本
質的には、導伝型の鮒った層は、別々の反応室で堆積す
るため、同一反応室で作成する場合に比べて、残留不純
物によって受ける悪影響を軽減することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は典型的なａ−５ｉ太陽電池の１１１１断面図。 第２図は本発明の一実施例の製造方法を実狗するための
製造装置の略断面図である。 ６・・・・・・ｐ型層、６・・・・・・ｉ型層、７・・
・・・・ｎｊｑｊ層、１０ａ〜１０ｃ・・・・・・第１
〜第３反応室、１１ａ〜１１Ｑ・・・・・・第１〜第３
パルプ、１２ａ〜１２ｃ・・・・第４〜第６バルブ、１
３ａ〜１３Ｑ、１４４１〜１４Ｑ・・・・・・電極、１
６・・・・・・ローラ、１７ａ〜１７（１・・・・・・
通過窓、１９ａ〜１９ｄ・・・・・・第１〜第４シヤツ
タ。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　赦　男　ほか１名第１
図 手続補正書 昭和５８年６　月ｌｆ日 特許庁長官殿 ■事件の表示 昭和６７年特許願第　　４４９２２号 ２発明の名称 光起電力素子の製造方法 ３補正をする者 事Ｐ１との関（ｉ　　　　　　特　　許　　出　　願　
　人任　所　　大阪府門真市大字門真１Ｏ０６番地名　
杓・　（ｓＡ２）松下電器産業株式会社代表省　　　　
　　　山　　　下　　　俊　　　彦４代理人　〒５７１ 住　所　　大阪府門真市大字門真１００６番地松下電器
産業株式会社内 明　　　　細　　　　書 １、発明の名称 光起電力素子の製造方法 ２、特許請求の範囲 とする光起電力素子の製造方法。 （２）特定の反応室における原料ガスが、非晶質シリコ
ン層の導電型を定める不純物を与える原料ガスを含み、
次工程の反応室における原料ガスが、不純物を与える原
料ガスを含まない特、４′１請求の範囲第１項記載の光
起電力素子の製造方法。 （３）特定の反応室で原料ガスをプラズマ反応させて、
基板上に特定の導電型の非晶質シリコン層を形成する工
程と、次に前記基板を次工程の反応室に移動させ、前記
とは異なる原料ガスをプラズマ反応させて、前記基板上
に前記とは異なる導電型の非晶質シリコン層を形成する
工程とを有する光起電力素子の製造方法であって、前記
特定の反応室において、特定の導電型の非晶質シリコン
層を形成した後、次工程の反応室のガス雰囲気を前記特
定の反応室のガス雰囲気と同種同圧にしてから、前記特
定の反応室の基板を次工程の反応室へ移動させることを
特徴とする光起電力素子の製造方法。 （４）特定の反応室における原料ガスが、不純物を与え
る原料ガスを含まず、次工程の反応室における原料ガス
が、非晶質シリ１コン層の導電型を決定する不純物を与
える原料ガスを含む特許請求の範囲第３項記載の光起電
力素子の製造方法。 ３、発明の詳細な説明 産業上の利用分野 本発明は、シランガスあるいはジボラン、フォスフイン
などの導電型を定める不純物ガスを含むシランガスなど
をプラズマ反応させることによって、基板上に複数の導
電型の異なる非晶質シリコン層を順次堆積して光起電力
素子を製造する方法の改良に関する。 従来例の構成とその問題点 この種の非晶質シリコン（以下ａ−８ｉで表す）を用い
た光起電力素子の典型的構造を第１図に示す。１はガラ
ス等の透明絶縁基板、２・３および４はそれぞれ前記基
板表面に順次被着された酸化インジウム・錫等の透明導
電膜、ａ　−Ｓｉ膜およびアルミニウム等の裏面電極膜
である。ａ　−Ｓｉ膜３は透明電極２に接するｐ型層６
．裏面電極４に接するｎ型層子およびこれら両層間のｎ
型（ノンドープ）層６とからなり、これらの層５．６．
７は、それぞれ適当な不純物を含むシランガスのプラズ
マ反応により堆積形成される。ｉ型層とは不純物を入れ
ない意味であるが、ａ−８ｉよりなるｎ型層６は少しｎ
型になっているためほんとうの意味でのｉ型層にするた
めに微量の不純物を入れる場合がある。さらに、光源の
分光感度にあわせ、ｉ型層の光学的禁止帯幅を小さくす
るため、同期律表第４族冗素であるＧｅやａｎを入れる
こともある。 第２図は前記ａ　−Ｓｉ膜３を形成するだめの従来のプ
ラズマ反応装置を示す。１０１Ｌ〜１’ＯＯは互いに隔
離されて並設された第１〜第３反応室、１１ａ〜１１０
はそれぞれ上記各反応室に所定の反応ガスを導入するだ
めの第１〜第３ノ（ルブであり、第１バルブ１１ａを通
してシラン（ＳｉＨ４）ガスとジボラン（Ｂ２Ｈ６）ガ
スが、第２ノ（ルプ１１ｂを通してシランガスが、さら
に第３）（ルブ１１０を通し７てシランガスとフォスフ
イン（ＰＨｘ）ガスがソレソれ供給される。１２１Ｌ〜
１２（ｊは各反応室１０ａ〜１００を排気するだめの第
４〜第６）くルブで、これら各パルプは真空排気系に接
続されている。 １３１Ｌ　〜１３０および１４１Ｌ　〜１４０は上記反
応される。１６は上記各反応室において第１．第２電極
１３．１４間に配されたローラコンベアである。このコ
ンベアは上記第１から第３反応室への基板の移動に用い
られる。第１〜第３反応室１０１Ｌ〜１ｏＣの各垂直壁
１８には同一高さに開口された第１〜第４通過窓１７１
Ｌ〜１７ｄとこれらの窓の各々を開閉する第１〜第４シ
ヤ・ツタ１９１Ｌ〜１９ｄが設けてあり、シャッタを開
け、窓を通して基板の反応室間の移動をさせるようＶＣ
なっている。 次に第２図に示したａ−８ｉ堆積装置による従来の製造
方法について述べる。 まず、透明導電膜２のみを堆積させた基板１を第１通過
窓１７１Ｌから第１反応室１０ａヘロτラコンベア１６
に載せて入れる。このとき第１〜第４シヤツタ１９１Ｌ
〜１９１１はすべて閉位置にあり、また、すべてのロー
ラコンベア１６は停止しており、さらに第１〜第６バル
プ１１１１〜１１　Ｃ，１２ａ〜１２０は閉じられ、す
べての第１．第２電極１３゜１４には電場印加がない。 次に、第４〜第６・くルブＷ１２ａ〜１２Ｃを通じて第
１〜第３反応室ｉｏａ〜１０Ｃを真空排気した後、第１
パルプ１１ａを介して第１反応室１０ａ内にシランガス
とジボランガスとを満たし、この状態で第１反応室１０
ａの第１．第２電極１３ａ、１４１Ｌに電場印加を行い
プラズマ反応を行わせる。この工程によって透明導電膜
２上にｐ型層６が形成される。 ｐ型層６を形成後、第１反応室１０ａの放電を止め、第
１反応室１０ａ中のガスを排気した後、第２シヤツタ１
９ｂを開け、第２通過窓１７ｂを通して基板１を第１反
応室１０１Ｌから第２反応室１０ｂへ移動させる。第２
シヤツタ１９ｂを閉じ、第２反応室１０ｂ内にシランガ
スを満たし、この状態で第２反応室１？ｂの第１．第２
電極１３ｂ。 １４ｂに電場印加を行い放電させてｉ型層６を形成する
。その後、反応、、Ｉｓ　１０　ｂを排気してから基板
を第３反応室１００ぺ移動させ、反応室１００に原料ガ
スのシランガスとフォス−フィンガスを供給し、電極１
３０＋１４０に電場を印加してｎ型層７を形成する。 以上のように、従来の方法によって、基板上に導電型の
異なる複数のａ　−Ｓｉ層を形成する場合、特定の反応
室において特定の導電型のａ〜Ｓｉ層を形成した後、同
反応室を排気してから基板を次工よう 程の反応室へ移動させるというに、各導電型ａ−８ｉハ 層形成毎に排気を繰り返さねばならす、しかもその都度
放電を停止させる操作を必要としていた。 このため、排気に無駄々時間を要し、また原料ガスを多
く必要とするという欠点があった。 発明の目的 本発明は、以上のような不都合を解消し７、連続してａ
−Ｓｉ層を堆積させることができ、しかも各導電型への
影響の少ない光起電力素子の製造方法を提供することを
目的とする。 発明の構成 本発明は、特定の反応室で原料ガスをプラズマ反応させ
て基板上に特定の導電型の非晶質シリコン層を形成する
工程と、次に前記基板を次工程の反応室に移動させ、前
記とは異なる原料ガスをプラズマ反応させて前記！板上
に前記とは異なる導電型の非晶質シリコン層を形成する
工程とを有する光起電力素子の製造方法において、前記
特定の反応室において特定の導電型の非晶質シリコン層
を形成した後、この反応室を次工程の反応室と同ｆΦ、
同圧のガス雰囲気にするか、またけ次工程の反応室のガ
ス雰囲気を前記特定の反応室のガス雰囲気と同種、同圧
のガスシト囲気にしてから、前記特定の反応室の基板を
次工程の反応室へ移動させることを特徴とする。 ここで、前者の場合、すなわち特定の反応室を次子Ｖ程
の反応室と同種、同圧のガス雰囲気にしてから基板を次
工程の反応室へ移動させる方法は、特定の反応室におけ
る原料ガスとしてａ　−ｓｉ層の導電型を定める不純物
を与える原料ガスを含み、次工程の反応室における原料
ガスが不純物を与える原料ガスを含まない場合に適用さ
れる。 捷だ、後者の場合、すなわち次工程の反応室をの反応室
における原料ガスとして不純物を与える原料ガスを含ま
ず、次工程の反応室における原料ガスがａ　−Ｓｉ層の
導電型を決定する不純物を与える原料ガスを含む場合に
適用される。 実施例の説明 以下本発明に従って、基板上にｐ型層５．１型層６及び
ｎ型層７を順次形成する例を第２図によって説明する。 この例においては、各反応室の電極１３．１４間には常
時電場が印加されて放電しており、基板１を移動させる
時以外はローラコンベア１゛６は停止している。また、
基板導入以前は、少なくとも第１シヤツタ１９゛ａは閉
じている。 まず、第１反応室１０ａに隣接して設けた予備室（図示
せず）でａ−８ｉ堆堆積度まで基板温度を調節した後、
第１反応室１０ａと同種間Ｊ−ｉ−Ｅの坤料ガスを予備
室に導入する。 次に第１シヤツタ１９ａを開けて第１反応室１０ａに基
板１を導入する。基板導入後は第１シヤツタ１９＆を閉
じ、予備室の混合ガスをパージした後、次の基板導入の
準備をする。第１反応室１０１Ｌでｐ型層６を堆積しよ
うとする場合は、原料ガスにはＳｉＨ４とＢ２Ｈ６の混
合ガスが用いられる。 ｐ型層６を堆積後、放電を止めずにＢ、、Ｈ６ガスの供
給のみを停止する。こうすることによって、第１反応室
１０１Ｌ中の原料ガスは第２反応室１０ｂのそれと同種
になる。このガス圧が第２反応室のそれと同圧になるよ
う調整した後、第２シヤツタ１９ｂを開けて第２反応室
１０ｂに基板１を導入する。基板導入後は、第２シヤツ
タ１９ｂを閉じ、第１反応室１０亀には再び５ｉｎ４と
Ｂ２Ｈ６を含む原料ガスを導入しておき、次の基鈑導入
を待機する。 第２反応室１０ｂで１型層６を堆積した後、第３ンヤノ
タ１９０を開け、第３反応室１０Ｃｔへ基板１を導入す
る。このとき第３反応室１００には第２反応室と同種同
圧の原料ガスが導入され−ているが、基板移動完了後、
′第３シャッタ１９０を閉じてから、ｎ型層７を堆積さ
せ鼠場合は、ＰＨ３を導入する。ｎ型層７を堆積後、第
４シヤ・ツタ１９ｄを開け、予備室（図示せず）へ導入
する。この予備室は工程説明の最初に述べた前記第１反
応室１０＆へ導入するだめに用いた予備室でもよく、別
の予備室でも良い。ｎ型層７堆積後第３反応室１０（＋
か２ら予備室へ移動させるときは、予備室中へ第３反応
室１００と同圧の気体、例えばＳｉＨ４とＰＨ５を含ん
だ原料ガスを満たし、移動後第４シヤツタ１９（１を、
閉じる。上記予備室にｉ［原料ガスが存在するので、十
分にパージした後取り出す。 取り出す前に裏面電極４を蒸着してもよい。 々お、ＰＨ３を供給するには、キャリアガスとｔ〜てＨ
２，ムｒ　＋　Ｈｅ等を用い°る。 以−Ｆの方法によ□る効果を以下に詳しく詣、明する。 （１）製造装置の放電を止めることがないので、原理的
に゛は連続堆積が可能である。また、放電を止めないの
で、ｐ型層とｉ型層との界面およびｉ型層とｎ型層との
界面が水素濃度分布、すなわち非晶質の状態が不連続に
ならｋいので、光起電力素子の特性が捉莱例によるもの
に比べて向１する。次表は、上記の実施例によ−て得た
光起電素子ムと、基板の移動の際放電を市める従来法に
よる素子ＢＫついての光源１ｔｓｏｅｘＦでの特性の比
較を示す。 （２）反応室間の基板移動の際、家中の原料ガスをパー
ジする必要がない。すなわち原料ガスの無駄が少ない。 壕だ原料ガスを排気する必要がないので時間の節約にも
なる。゛ （３）薄膜堆積時間は、ｐ型層６を１分間、ｉ型層６を
３０分間、ｎ型層７を３分間とすると、従来の方法では
、ある１°つのロフトを第１反応室に導入し、ｐ型層を
堆積した後、第２反応室でｉ型層を堆積するが、その際
椰１反応室は放電せず、１つのロフトで素子を完成させ
た後でなければ次のロフトの生産が行えない。第１・第
３反応室のｐ型層、ｎ型層堆積の待ち時間が各排気時間
を考慮に入れなくてもそれぞれ３３分間と３１分間にな
り非常に長い。さらに従来の製造方法では、各反応室の
大きさが同一である場合が装置の利用効率が良い。すな
わち従来例では、各反応室でバッチ処理をするため、反
応室の大きさが違えば、最小の反応室によって処理する
能力が制限される。 本発明の製造方法では、例えばｐ型層を１分間堆積させ
た後ｉ型層を同一反応室で１分間堆積させ、放電を止め
ずに次の反応室で引き続き１型層を堆積させるだめ、ｐ
型層反応室から順次ｉ型層反応室へ基板を導入すること
ができ、各反応室の空時間が原理的になくなるｒＴ　’
型層反応室からｎ型層反応室への基板移動もガス導入方
法は異なるものの、同様な考え方による製造方法で行え
るため、従来例に比べ飛光的に利用効率が向上する。 さらに従来例と同様、本質的には導電型の違った層は別
々の反応室で堆積するため、同一反応室で作成する場合
に比べて、残留不純物によって受ける悪影響を軽減する
ことができる。 （４）さらに付加的な効果として次のような利点がある
１、すなわち第１反応室ではＢ２Ｈ６とＳｉＨ４でｐ型
層を堆積゛し、Ｂ２Ｈ６の供給を止めてＳｉＨ４のみで
ｎ型層を堆積させるが、第１反応室内で堆積させるｉ型
層中には残留ホウ素が入っている。 このホウ素によ−・てｉ型層中に傾斜型の電界を設ける
ことができる。第３反応室においては逆にＰＨ５による
傾斜型の電界が本発明の工程を実行することで自然に形
成できる。すなわち第３反応室でＳｉＨ４を初め流すが
ＰＨ３を徐々に増加させることによってｎ型層を堆積さ
すれば、リン濃度はｎ型層表面が最大となる。これらの
傾斜形電界によって製造された素子の特性は改善される
。 発明の効果 以上のように、本発明によれば、連続して非晶質シリコ
ン層を堆積で、：、、きるので、製造工程を合理化する
ことができ、しかも特性の優れた光起電力素子を得るこ
とができる。 ４、図面の簡単な説明 第１図は典型的々ａ　−Ｓｉ太陽電池の縦断面図、第２
図は本発明の一実施例の製造方法を実施するだめの製造
装置の縦断面略図である。 ６・・・・・・ｐ型層、６・・・・・・１型層、７・・
・・・・ｎ型層、１０１Ｌ〜１０Ｃ・・・・・・第１〜
第３反応室、１１ａ〜１１Ｃ・・・・・・第１〜第３バ
ルブ、１２１Ｌ〜１２Ｃ・・・・・・第４〜第６バルブ
、１３ａ〜１３Ｃ９１４ａ〜１４Ｃ・・・・・・電極、
１６・旧・・ローラ、１７１Ｌ〜１７ｄ・・・・・・通
過窓、１９１Ｌ〜１９ｄ・・・・・・第１〜第４シヤツ
タ。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名、　
　”５

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）複数の反応室をプラズマ反応を行いながら基板を
   順次移動させ複数の異種導電型非晶質シリコン層を形成
   するに際し、任意の特定工程を行う反応室の雰囲気およ
   び圧力を次工程を行う反応室の雰囲気および圧力と同一
   にしてから前記基板を移動させることを特徴とする光起
   電力素子の製造方法。
2. （２）前記特定工程で導伝型不純物を用い次−［稈に導
   伝型不純物を用いない場合は前記特牽■二程において導
   伝型不純物を用いた後、さらに前記導電型不純物を用い
   ずにプラズマ反応をさせなから次モ程のプラズマ反応室
   で前記導伝型不純物を用いないシリコン層を形成する特
   許請求の範囲第１項記載の光起電力素子の製造方法。
3. （３）前記特定工程において導伝型不純物を用いず次工
   程において導伝型不純物を用いる場合は次丁、程のプラ
   ズマ反応室で前記導伝型不純物を用いずにプラズマ反応
   させた後［）［ｆ記導伝型不純物を用いてプラズマ反応
   させる特許請求の範囲第１項または第２項に記載の光起
   電力素子の製造方法。