JPS5812336A - バキユ−ム・チヤツク - Google Patents
バキユ−ム・チヤツクInfo
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- JPS5812336A JPS5812336A JP11139981A JP11139981A JPS5812336A JP S5812336 A JPS5812336 A JP S5812336A JP 11139981 A JP11139981 A JP 11139981A JP 11139981 A JP11139981 A JP 11139981A JP S5812336 A JPS5812336 A JP S5812336A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal mask
- mask substrate
- resist
- chuck
- vacuum chuck
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 28
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 28
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、フォトマスクを製造するために使用されるレ
ジスト塗布装置等のマスクの固定用治具に関するもので
ある。
ジスト塗布装置等のマスクの固定用治具に関するもので
ある。
通常この固定用治具はパキ、−ムチャックと呼ばれてい
る。
る。
一般にトランジスター、ＩＣ等の半導体装置の製造工程
において半導体つ、−ハの表面に７オトレジスト等の感
光性樹脂を用いて所望の素子パターン形成し、該レジス
ト膜パター７にエツチングレジストとして選択的に蝕刻
する方法が行なわれ、通常この素子パターン形成のため
にフォトマスクが使用されている。
において半導体つ、−ハの表面に７オトレジスト等の感
光性樹脂を用いて所望の素子パターン形成し、該レジス
ト膜パター７にエツチングレジストとして選択的に蝕刻
する方法が行なわれ、通常この素子パターン形成のため
にフォトマスクが使用されている。
フォトマスクの好例としてガラス基板あるいは石英、低
膨張ガラス基板上に蒸着、スパックリンダ法により、金
属の薄膜を形成し鉄金属薄膜に所望のパターンを形成し
たメタルマスクが知られている。この種のメタルマスク
の製造方法は、メタルマスク基板上にムＺ−１３５０等
の７オトレジスト膜を形成し、このフォトレジスト膜に
所望の素子パターｙｔ形成し金属薄膜を選択的に工、チ
ングすることにより完成する。
膨張ガラス基板上に蒸着、スパックリンダ法により、金
属の薄膜を形成し鉄金属薄膜に所望のパターンを形成し
たメタルマスクが知られている。この種のメタルマスク
の製造方法は、メタルマスク基板上にムＺ−１３５０等
の７オトレジスト膜を形成し、このフォトレジスト膜に
所望の素子パターｙｔ形成し金属薄膜を選択的に工、チ
ングすることにより完成する。
通常フォトレジストをメタルマスク基板上に形成するた
めにレジスト塗布装置が用いられる。
めにレジスト塗布装置が用いられる。
従来より用いられているこの種のレジスト塗布装置ｔ−
嬉１図に示す、すなわち第１図においてモータｌのモー
メスピンドル２にパキ、−ム面３とパキ、−ムチャ、り
軸４とが一体化されたパ中。
嬉１図に示す、すなわち第１図においてモータｌのモー
メスピンドル２にパキ、−ム面３とパキ、−ムチャ、り
軸４とが一体化されたパ中。
−ムチャックを差し込み固定すると共にパキ、−入面３
に載置されるメタルマスク基板５をバキュームバイブロ
全通して真空吸着保持し得るようにさせ、かつメタルマ
スク基板５の上方にレジストノズル７ｔ−設け、さらに
レジスト飛散を受は止めるカップ８ｔ−バキューム面３
の周囲に設けたものである。
に載置されるメタルマスク基板５をバキュームバイブロ
全通して真空吸着保持し得るようにさせ、かつメタルマ
スク基板５の上方にレジストノズル７ｔ−設け、さらに
レジスト飛散を受は止めるカップ８ｔ−バキューム面３
の周囲に設けたものである。
以上の構成によるレジスト塗布装置において、メタルマ
スク基板５Ｆｉバキー−五面３上に載せられ真空吸着に
より固定される。その後、レジストノズル７より滴量の
レジストをメタルマスク基板５上に滴下し、モータ１の
駆動によりチャック軸４ｔ−所定の回転数で回転させ、
レジストラメタルマスク基板５上に塗布するのである。
スク基板５Ｆｉバキー−五面３上に載せられ真空吸着に
より固定される。その後、レジストノズル７より滴量の
レジストをメタルマスク基板５上に滴下し、モータ１の
駆動によりチャック軸４ｔ−所定の回転数で回転させ、
レジストラメタルマスク基板５上に塗布するのである。
しかしこの構造によるときは、メタルマスク基板５が正
方形をなしているということにより、メタルマスク基板
５の４隅が回転中に受ける空気の抵抗によ多レジストが
均一に塗布されず、メタマスク基板の中心部より、２倍
程度（通常レジスト膜厚は４０００〜６０００λ）厚い
レジスト膜が形成されてしまうと言う欠点を有していた
。
方形をなしているということにより、メタルマスク基板
５の４隅が回転中に受ける空気の抵抗によ多レジストが
均一に塗布されず、メタマスク基板の中心部より、２倍
程度（通常レジスト膜厚は４０００〜６０００λ）厚い
レジスト膜が形成されてしまうと言う欠点を有していた
。
このようにレジスト膜厚が大きく変っている場合、該レ
ジスト膜に所望するパターンが精度良く形成されずレジ
ストパターンの寸法が大きくバラライてしまうこととな
る。
ジスト膜に所望するパターンが精度良く形成されずレジ
ストパターンの寸法が大きくバラライてしまうこととな
る。
本発明はバキュームチャックのチャ、り面に（メタル）
マスク基板の表面が同一平面上となるようにチャック面
に（メタル）マスク基板が埋没する凹部を設けたバキュ
ームチャックを提供するものである。
マスク基板の表面が同一平面上となるようにチャック面
に（メタル）マスク基板が埋没する凹部を設けたバキュ
ームチャックを提供するものである。
以下に本発明の実施例を第２図によって説明する。尚第
１図と同一構成部分には同一番号を付して説明する。第
２図において本発明はチャ、り面３の平面を円形とし、
その中心部にメタルマスク基板５が埋没する凹部９ｔ−
設けたものである。
１図と同一構成部分には同一番号を付して説明する。第
２図において本発明はチャ、り面３の平面を円形とし、
その中心部にメタルマスク基板５が埋没する凹部９ｔ−
設けたものである。
本発明の構造によればチャック面３とメタルマスク基板
５の表面とが同一平面上に位置し、さらにチャ、り面３
が円形の構造のため、回転中における空気の抵抗を受け
ることなくレジストの塗布が行なえるものである。
５の表面とが同一平面上に位置し、さらにチャ、り面３
が円形の構造のため、回転中における空気の抵抗を受け
ることなくレジストの塗布が行なえるものである。
本発明によりメタルマスク基板外周部においても従来、
メタルマスク中心部の２倍程度厚くなっていたものが１
〜１５倍程度までにおさえることが可能となった。
メタルマスク中心部の２倍程度厚くなっていたものが１
〜１５倍程度までにおさえることが可能となった。
以上述べたようにバキューム面３に凹部９ｔ−設はバキ
ューム面３とメタルマスク基板５の表面を同一平面上に
位置することによりレジスト膜厚を均一とすることが可
能となプ従来の不都合を一挙に解消できるものである。
ューム面３とメタルマスク基板５の表面を同一平面上に
位置することによりレジスト膜厚を均一とすることが可
能となプ従来の不都合を一挙に解消できるものである。
第１図（８）は従来のバキュームチャックを用いたレジ
スト塗布装置の断面図であり、第１図（Ｂは第１図（、
Ａ）の上面図である。第２図（Ａ）は本発明の実施例の
断面図であり、第２図（均は第２図（Ａ）の上面図であ
る。 尚、図において、 １・・・・・−モータ、２・・・・・・モータスピンド
ル、３・・・・・・バキューム面、４・・・・・・バキ
ュームチャック軸、５・・・・・・メタルマスク基板、
６・・・・・・バキュームパイプ、７・・・・・・レジ
ストノズル、８・・・・・・カップ、９・・・・・・凹
部、である。
スト塗布装置の断面図であり、第１図（Ｂは第１図（、
Ａ）の上面図である。第２図（Ａ）は本発明の実施例の
断面図であり、第２図（均は第２図（Ａ）の上面図であ
る。 尚、図において、 １・・・・・−モータ、２・・・・・・モータスピンド
ル、３・・・・・・バキューム面、４・・・・・・バキ
ュームチャック軸、５・・・・・・メタルマスク基板、
６・・・・・・バキュームパイプ、７・・・・・・レジ
ストノズル、８・・・・・・カップ、９・・・・・・凹
部、である。
Claims (1)
- マスク基板を載置するバキュームチャックのチャ、り面
に、該マスク基板を置設させるととく凹部が設けられて
いること１４Ｉ黴とするパキ、−ムチャック・
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11139981A JPS5812336A (ja) | 1981-07-16 | 1981-07-16 | バキユ−ム・チヤツク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11139981A JPS5812336A (ja) | 1981-07-16 | 1981-07-16 | バキユ−ム・チヤツク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5812336A true JPS5812336A (ja) | 1983-01-24 |
Family
ID=14560160
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11139981A Pending JPS5812336A (ja) | 1981-07-16 | 1981-07-16 | バキユ−ム・チヤツク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5812336A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6353925A (ja) * | 1986-08-23 | 1988-03-08 | Shinetsu Sekiei Kk | レジストのマスク塗布方法 |
| EP0259961A2 (en) * | 1986-08-14 | 1988-03-16 | Millspin Limited | Ion beam dosimetry |
| JPH01135023A (ja) * | 1987-11-20 | 1989-05-26 | Hitachi Ltd | 有機物除去方法 |
-
1981
- 1981-07-16 JP JP11139981A patent/JPS5812336A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0259961A2 (en) * | 1986-08-14 | 1988-03-16 | Millspin Limited | Ion beam dosimetry |
| JPS6353925A (ja) * | 1986-08-23 | 1988-03-08 | Shinetsu Sekiei Kk | レジストのマスク塗布方法 |
| JPH01135023A (ja) * | 1987-11-20 | 1989-05-26 | Hitachi Ltd | 有機物除去方法 |
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