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JPH1158066A - はんだ合金 - Google Patents

はんだ合金

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JPH1158066A
JPH1158066A JP9212969A JP21296997A JPH1158066A JP H1158066 A JPH1158066 A JP H1158066A JP 9212969 A JP9212969 A JP 9212969A JP 21296997 A JP21296997 A JP 21296997A JP H1158066 A JPH1158066 A JP H1158066A
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tin
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Mitsuo Yamashita
満男 山下
Shinji Tada
慎司 多田
Kunio Shiokawa
国夫 塩川
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Fuji Electric Co Ltd
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Fuji Electric Co Ltd
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    • H01L24/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
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    • H01L2924/157Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2924/15738Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950 C and less than 1550 C
    • H01L2924/15747Copper [Cu] as principal constituent

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Abstract

(57)【要約】 【課題】スズ‐アンチモンSn-Sb 系合金を改良して、優
れた強度を有するとともに熱的に安定であり、接合性も
良好なスズ‐アンチモンSn-Sb 系「はんだ合金」を提供
する。 【解決手段】「はんだ合金」はSnが主成分で、Sbが3.0
重量%以下、Agが3.5 重量%以下、CuもしくはNiまたは
CuとNiの両者でCuが1.0 重量%以下、Niが1.0 重量%以
下含有し、さらに0.2 重量%以下のP もしくは0.1 重量
%以下のGeを含有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は電子機器における
金属接合において使用される「はんだ合金」に係り、特
に鉛を含有しないで公害のない「はんだ合金」に関す
る。
【0002】
【従来の技術】はんだ接合を行う際には「はんだ合金」
の接合性,耐食性が良好であることが必要であり、さら
に「はんだ合金」はその熱疲労強度が高い上に所望の接
合温度を有し、また環境上の配慮から鉛を含有しないこ
とが望まれる。半導体装置のチップはパワー通電時に熱
が発生すること、チップの金属導体を接合する「はんだ
接合部」は面接合であることのためにチップのはんだ接
合部には大きな熱ひずが発生し、はんだ接合部を構成す
る「はんだ合金」は過酷な使用環境下に置かれるので、
「はんだ合金」は熱疲労強度の高いことが必要である。
さらに半導体装置の構成から半導体装置製造の過程で複
数回の「はんだ接合」を行う場合に接合温度の異なる複
数種類の「はんだ合金」が用いられるので「はんだ合
金」としては後工程の温度プロファイルの影響を受けに
くい溶融温度の高い合金であることが望ましい。
【0003】従来の「はんだ合金」としては、スズ‐鉛
Sn-Pb 合金、スズ‐銀Sn-Ag 合金,スズ‐アンチモンSn
-Sb 合金があげられる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】スズ‐鉛Sn-Pb 合金
は、引張り強度が低く、延性に富むため、発生ひずみ量
が大きく疲労強度が低い。そのために下記に記述するよ
うに耐熱性が低い点と合わせ熱疲労強度が低い。スズ‐
鉛Sn-Pb 合金は183 ℃を共晶温度とする合金であり、Pb
の増加により溶融温度を183 ℃から300 ℃付近まで上げ
ることはできるが、液相温度と固相温度(183 ℃)間の
固液共存領域が広くなる上に、共晶温度が183 ℃である
ので、耐熱性が低く比較的低温域で材質劣化が生じやす
いという問題がある。さらに「はんだ合金」として、Pb
を含有するので対環境性の点で望ましくない。スズ‐鉛
Sn-Pb 合金に代わる「はんだ合金」でPbを含有せず且つ
耐熱性の高い「はんだ合金」としては、溶融温度232-24
5 ℃を有するスズ‐アンチモンSn-Sb 合金、あるいは共
晶温度221 ℃を有するスズ‐銀Sn-Ag 合金が広く知られ
ている。
【0005】スズ‐銀Sn-Ag 合金は、共晶温度221 ℃を
有し、熱疲労特性が良好であるが、実用的観点からさら
に熱疲労特性の改善が望まれる上に、高い溶融点を有す
ることが望まれる場合がある。スズ‐アンチモンSn-Sb
合金は、スズ‐鉛Sn-Pb 合金より強度が比較的高く優れ
ている。Sn-Sb 合金は、Sb 8.5重量%、温度245 ℃に包
晶点を有しており、Sbは通常8 重量%以下で使用され
る。溶融はSnの溶融温度232 ℃と包晶温度245 ℃の間で
生じるので固液共存領域が狭く、耐熱性も良好であり、
Sb量を増加することにより強度的に優れたものが得られ
る。しかしながらSn-Sb 合金は、Sb量を多くすると加工
性が悪くなり、さらに「はんだ接合」時のぬれ性が低く
なるという問題がある。そこでSb量を抑制してスズ‐ア
ンチモンSn-Sb 合金の熱疲労強度とぬれ性を改善するも
のとして、スズ‐アンチモンSn-Sb 合金に銀,銅,ニッ
ケルを添加したものが知られているが、このような合金
はスズを主成分とするために「はんだ合金」の溶融時に
表面に酸化膜を形成し、ぬれ性や接合性が充分でないと
いう問題がある。
【0006】この発明は上述の点に鑑みてなされその目
的は、銀,銅,ニッケルを含むスズ‐アンチモンSn-Sb
合金を改良して、優れた強度を有するとともに熱的に安
定であり、接合性も良好なスズ‐アンチモンSn-Sb 系
「はんだ合金」を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】上述の目的は第一の発明
によればスズを主成分とし、アンチモンを3.0重量%
以下、銀を3.5重量%以下、銅を1.0重量%以下、
リンを0.2重量%以下含有することにより達成され
る。第二の発明によればスズを主成分とし、アンチモン
を3.0重量%以下、銀を3.5重量%以下、銅を1.
0重量%以下、ゲルマニウムを0.1重量%以下含有す
ることにより達成される。
【0008】第三の発明によればスズを主成分とし、ア
ンチモンを3.0重量%以下、銀を3.5重量%以下、
ニッケルを1.0重量%以下、リンを0.2重量%以下
含有することにより達成される。第四の発明によればス
ズを主成分とし、アンチモンを3.0重量%以下、銀を
3.5重量%以下、ニッケルを1.0重量%以下、ゲル
マニウムを0.1重量%以下含有することにより達成さ
れる。
【0009】第五の発明によればスズを主成分とし、ア
ンチモンを3.0重量%以下、銀を3.5重量%以下、
銅を1.0重量%以下、ニッケルを1.0重量%以下、
リン0.2重量%以下含有することにより達成される。
第六の発明によればスズを主成分とし、アンチモンを
3.0重量%以下、銀を3.5重量%以下、銅を1.0
重量%以下、ニッケルを1.0重量%以下、ゲルマニウ
ムを0.1重量%以下含有することにより達成される。
【0010】SnにSbを添加すると合金の耐熱性が向上す
る。さらにSbはSn中に固溶して強度を高めるために合金
の熱疲労強度が向上する。Sbは他の添加元素とともにぬ
れ性と機械的強度の向上をもたらす。SnにAgを添加する
と合金の耐熱性,疲労強度,ぬれ性が向上する。Agは結
晶粒界に高濃度に存在し、結晶粒界の移動を抑えるため
合金の疲労強度が向上する。さらにAgは溶融温度が980
℃であるため合金の耐熱性が良くなるため熱疲労強度が
向上する。Sn-Ag 合金は、Ag 3.5重量%、温度221 ℃に
共晶点を有する。Agの添加量が3.5 重量%を越えると液
相温度が高くなり、接合温度をぬれ性確保のためにも高
くする必要があり、さらに固液共存領域が大きくなる。
Ag 添加量が3重量%と、6 重量%含有する合金では強
度は同レベルである。
【0011】Cuを添加すると、CuはSn中に固溶し、ぬれ
性を損なうことなく合金の強度と耐熱性が向上する。接
合金属がCuの場合には、接合金属からCuが「はんだ合
金」へ溶出することを抑制する。Cuを3 重量%以上添加
すると、溶融温度(液相温度)が急激に上昇する。また
特開平5-50286 号公報にはこの場合に金属間化合物(Cu3
Sn) の形成量が多くなり、熱疲労特性が損なわれること
が指摘されている。本発明では金属間化合物の過多形成
による疲労強度低下を防ぐために1.0 重量%以下で実施
した。
【0012】Niを添加するとNiの溶融温度が高い(1450
℃)ために合金の熱的安定性が増す。またNiを添加する
と結晶組織が微細化し、あるいはNi-Sn 化合物が生成し
て強度や熱疲労特性が向上する。またCu基板を接合する
際には、接合強度を低下させる要因となる金属間化合物
(Cu3Sn)の生成を抑制する。Ni量が5 重量%以上になる
と、合金溶製が困難となり、またはんだ接合時に粘度が
大きくなり広がり性が低下する。圧延加工性を良くする
ためNi量を1.0 重量%以下にして実施した。
【0013】P およびGeを添加するとはんだ溶融時に薄
い酸化皮膜を形成し、Snなどのはんだ成分の酸化が抑制
される。添加量が過多であると、P,Geによる酸化皮膜が
厚くなりすぎて接合性に悪影響を及ぼす。本発明では、
0.05-0.20 重量%の添加量で実施した。Sn- Sb合金に、
Ag,Cu,Niを添加しさらに P,Ge を添加すると強度や接合
性の良好な「はんだ合金」が得られる。
【0014】
【発明の実施の形態】「はんだ合金」は、Sn,Ag,Cu,Ni,
Ge,Sn-P 母合金の各原料を電気炉中で溶解して調製する
ことができる。Sn-P母合金はSnとP を予め溶製したもの
が用いられる。各原料は純度99.99 重量%以上のものが
使用される。Snは主成分である。Sbが3.0 重量%以下、
Agが3.5 重量%以下、CuもしくはNiまたはCuとNiの両者
でCuが1.0 重量%以下、Niが1.0 重量%以下添加され
る。Agの添加量を増加すると強度が向上する。Agを3.5
重量%添加することにより強度は増加するが6.0 重量%
に増加してもほぼ同レベルである。Agは溶融温度を大き
く低下しないで、ぬれ性を改善するのに有効な添加元素
であるが、3.5 重量%を越えると、溶融温度が上昇し作
業温度を高くする必要が生じ、固液共存温度域が広くな
る。従って強度を向上させ、ぬれ性を改善させる適切な
Agの添加量は3.5 重量%以下である。Sb,Ag,Cu,Ni の他
にP もしくはGeまたはP とGeの両者が添加される。P の
添加量は0.20重量%以下であり、Geの添加量は0.10重量
%以下である。
【0015】
【実施例】
実施例1 Sb3.0 重量%、Ag1.0 重量%、Cu0.5 重量%、Ge0.05重
量%で残部がSnの組成を有するスズ‐アンチモンSn-Sb
系合金を調製した。 実施例2 Sb3.0 重量%、Ag1.0 重量%、Cu0.5 重量%、P0.05 重
量%で残部がSnの組成を有するスズ‐アンチモンSn-Sb
系合金を調製した。 実施例3 Sb3.0 重量%、Ag1.0 重量%、Cu0.5 重量%、Ni0.5 重
量%、Ge0.05重量%で残部がSnの組成を有するスズ‐ア
ンチモンSn-Sb 系合金を調製した。 実施例4 Sb3.0 重量%、Ag1.0 重量%、Cu0.5 重量%、Ni0.5 重
量%、Ge0.10重量%で残部がSnの組成を有するスズ‐ア
ンチモンSn-Sb 系合金を調製した。 実施例5 Sb3.0 重量%、Ag1.0 重量%、Cu0.5 重量%、Ni0.5 重
量%、P0.05 重量%で残部がSnの組成を有するスズ‐ア
ンチモンSn-Sb 系合金を調製した。 実施例6 Sb3.0 重量%、Ag1.0 重量%、Cu0.5 重量%、Ni0.5 重
量%、P0.20 重量%で残部がSnの組成を有するスズ‐ア
ンチモンSn-Sb 系合金を調製した。 比較例1〜比較例5 従来のスズ‐アンチモンSn-Sb 合金でSnとSbからなる。 比較例6〜比較例21 スズ‐アンチモンSn-Sb 合金にAg,Cu,Niを添加した従
来のスズ‐アンチモンSn-Sb 系合金である。
【0016】得られた「はんだ合金」の引張試験を室温
で行った。ぬれ性はメニスコグラフ法でフラックス(R
MAタイプ)を使用して測定した。この発明の実施例に
係る「はんだ合金」の引っ張り強さ,破断伸び,濡れ
力,はんだ溶解時の酸化膜形成の大小が、従来のSn-Sb
合金および銀、銅、ニッケルを添加した従来のSn-Sb 系
合金の特性とともに表1に示される。表1において△は
酸化膜の形成が顕著であること、○は酸化膜の形成が少
ないこと、◎は酸化膜の形成が極少であることを示す。
【0017】
【表1】
【0018】従来のSn-Sb 合金は、Sb量が増えると強度
は増大するが濡れ性が悪くなることが示される。しかし
従来のスズ‐アンチモンSn-Sb 合金の酸化膜の形成は顕
著である。従来のSn-Sb 系合金は、例えばスズ‐アンチ
モンSn-Sb 合金(3.0重量%Sb) にCu,Ni を添加すると強
度が増している。スズ‐アンチモンSn-Sb 系合金(3.0重
量%Sb+1.0重量%Ag+1.0重量%Cu) にNiを0.5 重量%ま
たは1.0 重量%添加すると濡れ性が最も良くなってお
り、複合添加により強度と濡れ性が向上している。しか
し従来のスズ‐アンチモンSn-Sb 系合金の酸化膜の形成
は顕著である。
【0019】従来のSn-Sb 系合金にP やGeを添加した本
発明の「はんだ合金」は、酸化膜の形成が極小になりあ
るいは少なくなる。P を0.05- 0.20重量%添加すること
により、はんだ溶融時に液面上に形成される酸化膜は極
めてわずかである。Cu,Ni の添加効果もあり、ぬれ性も
安定した良好な結果が得られている。P の添加は、はん
だ付けなどの場合に酸化皮膜の形成が抑えられて良好な
接合性が得られる。
【0020】Geを0.05- 0.10重量%添加することによ
り、はんだ溶融時に液面上に酸化膜の形成は明瞭に低減
し、さらに引張り強度の向上が得られた。良好なぬれ性
も得られている。Geの添加は強度の向上も図れる。また
GeはP に比べて酸化による消費速度が小さいので、安定
したSn酸化抑制効果が得られる。P に比較し、Geは酸化
速度が安定しており、低い添加量でも効果を持続する。
【0021】P,Geの添加は、Snの酸化を抑制するので、
「はんだ接合」時ばかりでなく、「はんだ合金」を作製
する時にも表面酸化の少ない良質な「はんだ合金」をも
たらす。例えば「はんだ合金」粉末をクリームハンダ用
に作製する際に球形に作製することが望ましいが、球形
を得るためには表面の酸化を極力抑え、表面張力のみで
形状を支配することが必要である。P,Geの添加は球形粒
を作製する上でも効果がある。
【0022】このようにしてSn- Sb合金にAgとCuとNiさ
らにP もしくはGeまたはP とGeの両者を添加することに
より、強度に優れ、耐熱性を有し、ぬれ性が向上すると
ともに接合性の良好な「はんだ合金」が得られる。
【0023】
【発明の効果】この発明によれば「はんだ合金」はSnが
主成分で、Sbが3.0 重量%以下、Agが3.5 重量%以下、
CuもしくはNiまたはCuとNiの両者でCuが1.0 重量%以
下、Niが1.0 重量%以下含有し、さらに0.2 重量%以下
のP もしくは0.1 重量%以下のGeを含有するので、熱疲
労強度と接合性の良好な「はんだ合金」が得られる。ま
たこの「はんだ合金」はPbを含まないので公害のない
「はんだ合金」が得られる。

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】スズを主成分とし、アンチモンを3.0重
    量%以下、銀を3.5重量%以下、銅を1.0重量%以
    下、リンを0.2重量%以下含有することを特徴とする
    「はんだ合金」。
  2. 【請求項2】スズを主成分とし、アンチモンを3.0重
    量%以下、銀を3.5重量%以下、銅を1.0重量%以
    下、ゲルマニウムを0.1重量%以下含有することを特
    徴とする「はんだ合金」。
  3. 【請求項3】スズを主成分とし、アンチモンを3.0重
    量%以下、銀を3.5重量%以下、ニッケルを1.0重
    量%以下、リンを0.2重量%以下含有することを特徴
    とする「はんだ合金」。
  4. 【請求項4】スズを主成分とし、アンチモンを3.0重
    量%以下、銀を3.5重量%以下、ニッケルを1.0重
    量%以下、ゲルマニウムを0.1重量%以下含有するこ
    とを特徴とする「はんだ合金」。
  5. 【請求項5】スズを主成分とし、アンチモンを3.0重
    量%以下、銀を3.5重量%以下、銅を1.0重量%以
    下、ニッケルを1.0重量%以下、リン0.2重量%以
    下含有することを特徴とする「はんだ合金」。
  6. 【請求項6】スズを主成分とし、アンチモンを3.0重
    量%以下、銀を3.5重量%以下、銅を1.0重量%以
    下、ニッケルを1.0重量%以下、ゲルマニウムを0.
    1重量%以下含有することを特徴とする「はんだ合
    金」。
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Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004261863A (ja) * 2003-01-07 2004-09-24 Senju Metal Ind Co Ltd 鉛フリーはんだ
JPWO2003020468A1 (ja) * 2001-08-30 2004-12-16 スミダコーポレーション株式会社 無鉛半田合金およびそれを用いた電子部品
WO2005119755A1 (ja) * 2004-06-01 2005-12-15 Senju Metal Industry Co., Ltd はんだ付け方法、ダイボンディング用はんだペレット、ダイボンディングはんだペレットの製造方法および電子部品
JP2008221330A (ja) * 2007-03-16 2008-09-25 Fuji Electric Holdings Co Ltd はんだ合金
JP2009071315A (ja) * 2008-10-20 2009-04-02 Sumida Corporation コイル部品
KR100898896B1 (ko) 2004-06-01 2009-05-21 센주긴조쿠고교 가부시키가이샤 납땜 방법, 다이 본딩용 땜납 펠릿, 다이 본딩 땜납 펠릿의제조 방법 및 전자 부품
US7816249B2 (en) 2005-05-20 2010-10-19 Fuji Electric Systems Co., Ltd. Method for producing a semiconductor device using a solder alloy
JP2012125783A (ja) * 2010-12-14 2012-07-05 Nihon Superior Co Ltd 鉛フリーはんだ合金
DE102006005271B4 (de) * 2005-05-20 2012-12-06 Fuji Electric Co., Ltd Halbleitervorrichtung unter Verwendung einer Lötlegierung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
JP2016047555A (ja) * 2015-09-10 2016-04-07 千住金属工業株式会社 鉛フリーはんだ合金と車載電子回路
JPWO2014181883A1 (ja) * 2013-05-10 2017-02-23 富士電機株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
JPWO2015125855A1 (ja) * 2014-02-24 2017-03-30 株式会社弘輝 鉛フリーはんだ合金、はんだ材料及び接合構造体
JP2018171656A (ja) * 2018-05-28 2018-11-08 千住金属工業株式会社 鉛フリーはんだ合金と車載電子回路
JP2019072770A (ja) * 2018-12-05 2019-05-16 千住金属工業株式会社 鉛フリーはんだ合金と車載電子回路
US11285569B2 (en) 2003-04-25 2022-03-29 Henkel Ag & Co. Kgaa Soldering material based on Sn Ag and Cu
US11850685B2 (en) 2017-03-17 2023-12-26 Fuji Electric Co., Ltd. Solder material

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6731034B2 (ja) 2018-12-25 2020-07-29 株式会社タムラ製作所 鉛フリーはんだ合金、はんだ接合用材料、電子回路実装基板及び電子制御装置

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2003020468A1 (ja) * 2001-08-30 2004-12-16 スミダコーポレーション株式会社 無鉛半田合金およびそれを用いた電子部品
JP2004261863A (ja) * 2003-01-07 2004-09-24 Senju Metal Ind Co Ltd 鉛フリーはんだ
US11285569B2 (en) 2003-04-25 2022-03-29 Henkel Ag & Co. Kgaa Soldering material based on Sn Ag and Cu
WO2005119755A1 (ja) * 2004-06-01 2005-12-15 Senju Metal Industry Co., Ltd はんだ付け方法、ダイボンディング用はんだペレット、ダイボンディングはんだペレットの製造方法および電子部品
JPWO2005119755A1 (ja) * 2004-06-01 2008-04-03 千住金属工業株式会社 ダイボンディング用ペレットおよび電子部品
KR100898896B1 (ko) 2004-06-01 2009-05-21 센주긴조쿠고교 가부시키가이샤 납땜 방법, 다이 본딩용 땜납 펠릿, 다이 본딩 땜납 펠릿의제조 방법 및 전자 부품
JP4844393B2 (ja) * 2004-06-01 2011-12-28 千住金属工業株式会社 ダイボンディング接合方法と電子部品
DE102006005271B4 (de) * 2005-05-20 2012-12-06 Fuji Electric Co., Ltd Halbleitervorrichtung unter Verwendung einer Lötlegierung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
US7816249B2 (en) 2005-05-20 2010-10-19 Fuji Electric Systems Co., Ltd. Method for producing a semiconductor device using a solder alloy
JP2008221330A (ja) * 2007-03-16 2008-09-25 Fuji Electric Holdings Co Ltd はんだ合金
JP2009071315A (ja) * 2008-10-20 2009-04-02 Sumida Corporation コイル部品
JP2012125783A (ja) * 2010-12-14 2012-07-05 Nihon Superior Co Ltd 鉛フリーはんだ合金
JPWO2014181883A1 (ja) * 2013-05-10 2017-02-23 富士電機株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
JPWO2015125855A1 (ja) * 2014-02-24 2017-03-30 株式会社弘輝 鉛フリーはんだ合金、はんだ材料及び接合構造体
JP2016047555A (ja) * 2015-09-10 2016-04-07 千住金属工業株式会社 鉛フリーはんだ合金と車載電子回路
US11850685B2 (en) 2017-03-17 2023-12-26 Fuji Electric Co., Ltd. Solder material
JP2018171656A (ja) * 2018-05-28 2018-11-08 千住金属工業株式会社 鉛フリーはんだ合金と車載電子回路
JP2019072770A (ja) * 2018-12-05 2019-05-16 千住金属工業株式会社 鉛フリーはんだ合金と車載電子回路

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