JPH1140352A

JPH1140352A - 有機ｅｌ素子およびその製造方法

Info

Publication number: JPH1140352A
Application number: JP9202412A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Endo; 広行遠藤; Osamu Onizuka; 理鬼塚; Koji Yasukawa; 浩司安川; Akira Ebisawa; 晃海老沢; Hiroshi Someya; 拓染谷
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1997-07-11
Filing date: 1997-07-11
Publication date: 1999-02-12

Abstract

(57)【要約】【課題】長寿命、高輝度、高効率、高表示品質の有機
ＥＬ素子を実現する。【解決手段】ホール注入電極と、電子注入電極と、こ
れらの電極間に設けられた１種以上の有機層とを有し、
前記有機層成膜後に、この有機層の構成材料中最も低い
ガラス転移温度±２０℃の温度範囲で加熱処理された有
機ＥＬ素子とした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、有機化合物を用い
た有機ＥＬ素子に関し、さらに詳細には、発光層等を有
する有機層の改良に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、有機ＥＬ素子が盛んに研究されて
いる。これは、ホール注入電極上にトリフェニルジアミ
ン（ＴＰＤ）などのホール輸送材料を蒸着により薄膜と
し、さらにアルミキノリノール錯体（Ａｌｑ３）などの
蛍光物質を発光層として積層し、さらにＭｇなどの仕事
関数の小さな金属電極（電子注入電極）を形成した基本
構成を有する素子で、１０Ｖ前後の電圧で数１００から
数１０，０００cd/m²ときわめて高い輝度が得られるこ
とで注目されている。

【０００３】ところで、有機ＥＬ素子は初期特性として
優れた発光特性を発揮しても、時間の経過と共に素子が
劣化し、優れた発光特性を長期間に渡り維持することが
困難であった。このため、素子の劣化をいかに防止する
かが重要な課題であり、従来より種々の方向からの検討
がなされている。

【０００４】素子を劣化させる要因としては、反応性の
高い電子注入電極と大気や水分との反応による劣化や、
この電子注入電極と有機層との膜界面での劣化、あるい
はホール注入電極と有機層界面での劣化や有機層自体の
劣化等種々の原因が挙げられ、これらの総合的な物性の
改善が素子寿命や発光特性を改善する上で重要である。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、長寿
命、高輝度、高効率、高表示品質の有機ＥＬ素子を実現
することである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、有機ＥＬ
素子の物性の改善について研究を重ねた結果、有機層を
成膜した後に、有機層構成材料のガラス転移温度に近い
温度で加熱処理を行うことが、有機ＥＬ素子の長寿命化
を図る上で極めて有効であることを見出し本発明に至っ
た。

【０００７】なお、特開平５−１８２７６４号公報に
は、真空蒸着により有機化合物層を形成し、これを５０
℃以上、その有機化合物の融点以下の温度で加熱処理し
て発光層を形成し、この発光層が加熱処理により生じた
微結晶凝集構造を有している旨記載されている。しかし
ながら、同公報の実施例で検討されている加熱処理温度
は、１８０〜２００℃および１２０℃のみであり、これ
らの温度以外での加熱処理に対する検討はなされていな
い。また、５０℃以上で有機化合物の融点以下の温度で
加熱処理した場合の作用効果が不明瞭であり、この温度
帯域の全域で目的とする効果を奏するかは疑問である。
さらに、微結晶凝集構造に関する記述が曖昧であるた
め、いかなる条件で生じ、いかなるものか特定すること
は困難であるが、本発明者等の検討では有機物層が結晶
化しないアモルファス状態の方が良好な結果が得られて
いる。特に、融点近くまで加熱した場合、有機層のアモ
ルファス状態が崩れ、結晶化してしまうため必要な機能
を発揮することができなくなってしまう。

【０００８】すなわち、上記目的は、以下の（１）〜
（４）の構成により達成される。（１）ホール注入電極と、電子注入電極と、これらの
電極間に設けられた１種以上の有機層とを有し、前記有
機層成膜後に、この有機層の構成材料中最も低いガラス
転移温度Ｔｇに対し±２０℃の温度範囲で加熱処理され
た有機ＥＬ素子。（２）前記有機層構成材料の中で最も低いガラス転移
温度Ｔｇからこれより２０℃高い温度までの範囲で加熱
処理された上記（１）の有機ＥＬ素子。（３）少なくとも基板上にホール注入電極と有機層を
成膜した後、この有機層の構成材料中最も低いガラス転
移温度Ｔｇに対し±２０℃の温度範囲で、１０分〜５時
間加熱処理を行う有機ＥＬ素子の製造方法。（４）少なくとも基板上にホール注入電極と有機層を
成膜した後、この有機層の構成材料の中で最も低いガラ
ス転移温度Ｔｇからこれより２０℃高い温度までの範囲
で、１０分〜５時間加熱処理を行う上記（３）の有機Ｅ
Ｌ素子の製造方法。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的構成につい
て詳細に説明する。本発明の有機ＥＬ素子は、ホール注
入電極と、電子注入電極と、これらの電極間に設けられ
た１種以上の有機層とを有し、前記有機層成膜後に、こ
の有機層の構成材料のガラス転移温度±２０℃の温度範
囲で加熱処理されたものである。

【００１０】ガラス転移点Ｔｇに近い温度で処理するこ
とにより、有機層界面の物性が改善され、素子寿命が飛
躍的に延び、発光特性も改善される。ガラス転移点−２
０℃未満の温度であると加熱処理の効果が得られない。
また、ガラス転移点＋２０℃より高い温度で処理した場
合、有機層が軟化し、膜界面の物性が変質する。

【００１１】有機層は、ホール注入層、ホール輸送層、
発光層、電子輸送層、電子注入層、あるいはこれらの混
合層等から構成され、これらは必要に応じて種々の態様
をとることができる。すなわち、電子輸送層を省略した
り、ホール注入層とホール輸送層を、ホール注入・輸送
層とする等してもよい。そして、これら有機層を構成す
る各有機材料のガラス転移温度Ｔｇに対する加熱処理温
度は、各構成材料それぞれのガラス転移温度Ｔｇの内最
も低いガラス転移温度Ｔｇに、２０℃を加えた温度を超
えない温度であって、かつこの最も低いガラス転移温度
Ｔｇから、２０℃を減じた温度より低くない温度であ
る。また、好ましくは前記最も低いガラス転移温度から
これより２０℃高い温度までの範囲の温度である。

【００１２】また、輝度の半減時間等、有機ＥＬ素子の
長寿命化を図る上で、ホール輸送性材料、ホール注入材
料、あるいはこれらの材料を用いた有機層間や有機層と
ホール注入電極間の界面等の影響が大きく、有機ＥＬ素
子の構成や使用する有機材料によってはこれらの材料の
ガラス転移温度を基準としてもよい。

【００１３】加熱処理の時間としては、好ましくは１０
分〜５時間、より好ましくは２０分〜３時間、特に３０
分〜２時間の範囲が好ましい。加熱処理時の雰囲気とし
ては大気中が好ましく、蒸着装置等で有機層等を成膜し
た際に加熱処理を行うような場合には、所定の真空度に
減圧した成膜室の雰囲気中であってもよい。

【００１４】次に、前記有機層についてさらに詳細に説
明する。

【００１５】発光層は、ホール（正孔）および電子の注
入機能、それらの輸送機能、ホールと電子の再結合によ
り励起子を生成させる機能を有する。発光層には比較的
電子的にニュートラルな化合物を用いることが好まし
い。

【００１６】ホール注入輸送層は、陽電極からのホール
の注入を容易にする機能、ホールを安定に輸送する機能
および電子を妨げる機能を有し、電子注入輸送層は、陰
電極からの電子の注入を容易にする機能、電子を安定に
輸送する機能およびホールを妨げる機能を有するもので
あり、これらの層は、発光層に注入されるホールや電子
を増大・閉じこめさせ、再結合領域を最適化させ、発光
効率を改善する。

【００１７】発光層の厚さ、ホール注入輸送層の厚さお
よび電子注入輸送層の厚さは特に限定されず、形成方法
によっても異なるが、通常、５〜５００nm程度、特に１
０〜３００nmとすることが好ましい。

【００１８】ホール注入輸送層の厚さおよび電子注入輸
送層の厚さは、再結合・発光領域の設計によるが、発光
層の厚さと同程度もしくは１／１０〜１０倍程度とすれ
ばよい。ホールもしくは電子の、各々の注入層と輸送層
を分ける場合は、注入層は１nm以上、輸送層は１nm以上
とするのが好ましい。このときの注入層、輸送層の厚さ
の上限は、通常、注入層で５００nm程度、輸送層で５０
０nm程度である。このような膜厚については注入輸送層
を２層設けるときも同じである。

【００１９】本発明の有機ＥＬ素子の発光層には発光機
能を有する化合物である蛍光性物質を含有させる。この
ような蛍光性物質としては、例えば、特開昭６３−２６
４６９２号公報に開示されているような化合物、例えば
キナクリドン、ルブレン、スチリル系色素等の化合物か
ら選択される少なくとも１種が挙げられる。また、トリ
ス（８−キノリノラト）アルミニウム等の８−キノリノ
ールないしその誘導体を配位子とする金属錯体色素など
のキノリン誘導体、テトラフェニルブタジエン、アント
ラセン、ペリレン、コロネン、１２−フタロペリノン誘
導体等が挙げられる。さらには、特願平６−１１０５６
９号のフェニルアントラセン誘導体、特願平６−１１４
４５６号のテトラアリールエテン誘導体等を用いること
ができる。

【００２０】また、それ自体で発光が可能なホスト物質
と組み合わせて使用することが好ましく、ドーパントと
しての使用が好ましい。このような場合の発光層におけ
る化合物の含有量は０．０１〜１０wt% 、さらには０．
１〜５wt% であることが好ましい。ホスト物質と組み合
わせて使用することによって、ホスト物質の発光波長特
性を変化させることができ、長波長に移行した発光が可
能になるとともに、素子の発光効率や安定性が向上す
る。これらの蛍光性物質がドーパントとして使用され、
含有量が５wt％以下である場合には、熱処理の際におけ
るこの蛍光性物質に関するガラス転移温度Ｔｇは考慮し
なくてもよい。

【００２１】ホスト物質としては、キノリノラト錯体が
好ましく、さらには８−キノリノールないしその誘導体
を配位子とするアルミニウム錯体が好ましい。このよう
なアルミニウム錯体としては、特開昭６３−２６４６９
２号、特開平３−２５５１９０号、特開平５−７０７３
３号、特開平５−２５８８５９号、特開平６−２１５８
７４号等に開示されているものを挙げることができる。

【００２２】具体的には、まず、トリス（８−キノリノ
ラト）アルミニウム、ビス（８−キノリノラト）マグネ
シウム、ビス（ベンゾ｛ｆ｝−８−キノリノラト）亜
鉛、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）アルミニウ
ムオキシド、トリス（８−キノリノラト）インジウム、
トリス（５−メチル−８−キノリノラト）アルミニウ
ム、８−キノリノラトリチウム、トリス（５−クロロ−
８−キノリノラト）ガリウム、ビス（５−クロロ−８−
キノリノラト）カルシウム、５，７−ジクロル−８−キ
ノリノラトアルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−
８−ヒドロキシキノリノラト）アルミニウム、ポリ［亜
鉛（II）−ビス（８−ヒドロキシ−５−キノリニル）メ
タン］、等がある。

【００２３】また、８−キノリノールないしその誘導体
のほかに他の配位子を有するアルミニウム錯体であって
もよく、このようなものとしては、ビス（２−メチル−
８−キノリノラト）（フェノラト）アルミニウム(III)
、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（オルト−
クレゾラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−
８−キノリノラト）（メタークレゾラト）アルミニウム
(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（パラ
−クレゾラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル
−８−キノリノラト）（オルト−フェニルフェノラト）
アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノ
ラト）（メタ−フェニルフェノラト）アルミニウム(II
I) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（パラ−
フェニルフェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−
メチル−８−キノリノラト）（２，３−ジメチルフェノ
ラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キ
ノリノラト）（２，６−ジメチルフェノラト）アルミニ
ウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）
（３，４−ジメチルフェノラト）アルミニウム(III) 、
ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（３，５−ジメ
チルフェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチ
ル−８−キノリノラト）（３，５−ジ−tert−ブチルフ
ェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８
−キノリノラト）（２，６−ジフェニルフェノラト）ア
ルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラ
ト）（２，４，６−トリフェニルフェノラト）アルミニ
ウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）
（２，３，６−トリメチルフェノラト）アルミニウム(I
II) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（２，
３，５，６−テトラメチルフェノラト）アルミニウム(I
II) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（１−ナ
フトラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８
−キノリノラト）（２−ナフトラト）アルミニウム(II
I) 、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラト）
（オルト−フェニルフェノラト）アルミニウム(III) 、
ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラト）（パラ−
フェニルフェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２，
４−ジメチル−８−キノリノラト）（メタ−フェニルフ
ェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２，４−ジメチ
ル−８−キノリノラト）（３，５−ジメチルフェノラ
ト）アルミニウム(III) 、ビス（２，４−ジメチル−８
−キノリノラト）（３，５−ジ−tert−ブチルフェノラ
ト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−４−エチ
ル−８−キノリノラト）（パラ−クレゾラト）アルミニ
ウム(III) 、ビス（２−メチル−４−メトキシ−８−キ
ノリノラト）（パラ−フェニルフェノラト）アルミニウ
ム(III) 、ビス（２−メチル−５−シアノ−８−キノリ
ノラト）（オルト−クレゾラト）アルミニウム(III) 、
ビス（２−メチル−６−トリフルオロメチル−８−キノ
リノラト）（２−ナフトラト）アルミニウム(III) 等が
ある。

【００２４】このほか、ビス（２−メチル−８−キノリ
ノラト）アルミニウム(III) −μ−オキソ−ビス（２−
メチル−８−キノリノラト）アルミニウム(III) 、ビス
（２，４−ジメチル−８−キノリノラト）アルミニウム
(III) −μ−オキソ−ビス（２，４−ジメチル−８−キ
ノリノラト）アルミニウム(III) 、ビス（４−エチル−
２−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム(III) −
μ−オキソ−ビス（４−エチル−２−メチル−８−キノ
リノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−４
−メトキシキノリノラト）アルミニウム(III) −μ−オ
キソ−ビス（２−メチル−４−メトキシキノリノラト）
アルミニウム(III) 、ビス（５−シアノ−２−メチル−
８−キノリノラト）アルミニウム(III) −μ−オキソ−
ビス（５−シアノ−２−メチル−８−キノリノラト）ア
ルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−５−トリフルオ
ロメチル−８−キノリノラト）アルミニウム(III) −μ
−オキソ−ビス（２−メチル−５−トリフルオロメチル
−８−キノリノラト）アルミニウム(III) 等であっても
よい。これらの物質のガラス転移温度Ｔｇは、具体的に
特定することが困難である場合が多いが、好ましくは９
０〜１３０℃程度のものが好ましい。

【００２５】このほかのホスト物質としては、特願平６
−１１０５６９号に記載のフェニルアントラセン誘導体
や特願平６−１１４４５６号に記載のテトラアリールエ
テン誘導体なども好ましい。これらの物質のガラス転移
温度Ｔｇは６０〜１５０℃程度であり、好ましくは９０
〜１３０℃程度のものが好ましい。

【００２６】発光層は電子注入輸送層を兼ねたものであ
ってもよく、このような場合はトリス（８−キノリノラ
ト）アルミニウム等を使用することが好ましい。これら
の蛍光性物質を蒸着すればよい。これらの物質のガラス
転移温度Ｔｇは６０〜１５０℃程度であり、好ましくは
９０〜１３０℃程度のものが好ましい。但し、トリス
（８−キノリノラト）アルミニウムは、ガラス転移温度
Ｔｇが不明であるが、１００℃程度までは安定である
（以下、トリス（８−キノリノラト）アルミニウムに関
しては同じである）。

【００２７】また、必要に応じて発光層は、少なくとも
一種以上のホール注入輸送性化合物と少なくとも１種以
上の電子注入輸送性化合物との混合層とすることも好ま
しく、この混合層中にドーパントを含有させることが好
ましい。このような混合層における化合物の含有量は、
０．０１〜２０wt% 、さらには０．１〜１５wt% とする
ことが好ましい。

【００２８】混合層では、キャリアのホッピング伝導パ
スができるため、各キャリアは極性的に優勢な物質中を
移動し、逆の極性のキャリア注入は起こり難くなり、有
機化合物がダメージを受け難くなり、素子寿命がのびる
という利点があるが、前述のドーパントをこのような混
合層に含有させることにより、混合層自体のもつ発光波
長特性を変化させることができ、発光波長を長波長に移
行させることができるとともに、発光強度を高め、かつ
素子の安定性を向上させることができる。

【００２９】混合層に用いられるホール注入輸送性化合
物および電子注入輸送性化合物は、各々、後述のホール
注入輸送層用の化合物および電子注入輸送層用の化合物
の中から選択すればよい。なかでも、ホール注入輸送層
用の化合物としては、強い蛍光を持ったアミン誘導体、
例えばホール輸送材料であるトリフェニルジアミン誘導
体、さらにはスチリルアミン誘導体、芳香族縮合環を持
つアミン誘導体を用いるのが好ましい。これらの物質の
ガラス転移温度Ｔｇは６０〜１５０℃程度であり、好ま
しくは９０〜１３０℃程度のものが好ましい。

【００３０】電子注入輸送性の化合物としては、キノリ
ン誘導体、さらには８−キノリノールないしその誘導体
を配位子とする金属錯体、特にトリス（８−キノリノラ
ト）アルミニウム（Ａｌｑ３）を用いることが好まし
い。また、上記のフェニルアントラセン誘導体、テトラ
アリールエテン誘導体を用いるのも好ましい。これらの
物質のガラス転移温度Ｔｇは６０〜１５０℃程度であ
り、好ましくは９０〜１３０℃程度のものが好ましい。

【００３１】ホール注入輸送層用の化合物としては、強
い蛍光を持ったアミン誘導体、例えば上記のホール輸送
材料であるトリフェニルジアミン誘導体、さらにはスチ
リルアミン誘導体、芳香族縮合環を持つアミン誘導体を
用いるのが好ましい。これらの物質のガラス転移温度Ｔ
ｇは６０〜１５０℃程度であり、好ましくは９０〜１３
０℃程度のものが好ましい。

【００３２】この場合の混合比は、それぞれのキャリア
移動度とキャリア濃度を考慮する事で決定するが、一般
的には、ホール注入輸送性化合物の化合物／電子注入輸
送機能を有する化合物の重量比が、１／９９〜９９／
１、さらには１０／９０〜９０／１０、特には２０／８
０〜８０／２０程度となるようにすることが好ましい。

【００３３】また、混合層の厚さは、分子層一層に相当
する厚みから、有機化合物層の膜厚未満とすることが好
ましく、具体的には１〜８５nmとすることが好ましく、
さらには５〜６０nm、特には５〜５０nmとすることが好
ましい。

【００３４】また、混合層の形成方法としては、異なる
蒸着源より蒸発させる共蒸着が好ましいが、蒸気圧（蒸
発温度）が同程度あるいは非常に近い場合には、予め同
じ蒸着ボード内で混合させておき、蒸着することもでき
る。混合層は化合物同士が均一に混合している方が好ま
しいが、場合によっては、化合物が島状に存在するもの
であってもよい。発光層は、一般的には、有機蛍光物質
を蒸着するか、あるいは樹脂バインダー中に分散させて
コーティングすることにより、発光層を所定の厚さに形
成する。

【００３５】また、ホール注入輸送層には、例えば、特
開昭６３−２９５６９５号公報、特開平２−１９１６９
４号公報、特開平３−７９２号公報、特開平５−２３４
６８１号公報、特開平５−２３９４５５号公報、特開平
５−２９９１７４号公報、特開平７−１２６２２５号公
報、特開平７−１２６２２６号公報、特開平８−１００
１７２号公報、ＥＰ０６５０９５５Ａ１等に記載されて
いる各種有機化合物を用いることができる。例えば、テ
トラアリールベンジシン化合物（トリアリールジアミン
ないしトリフェニルジアミン：ＴＰＤ）、芳香族三級ア
ミン、ヒドラゾン誘導体、カルバゾール誘導体、トリア
ゾール誘導体、イミダゾール誘導体、アミノ基を有する
オキサジアゾール誘導体、ポリチオフェン等である。こ
れらの化合物は２種以上を併用してもよく、併用すると
きは別層にして積層したり、混合したりすればよい。こ
れらの物質のガラス転移温度Ｔｇは６０〜１５０℃程度
であり、好ましくは９０〜１３０℃程度のものが好まし
い。

【００３６】ホール注入輸送層をホール注入層とホール
輸送層とに分けて設層する場合は、ホール注入輸送層用
の化合物のなかから好ましい組合せを選択して用いるこ
とができる。このとき、陽電極（ＩＴＯ等）側からイオ
ン化ポテンシャルの小さい化合物の層の順に積層するこ
とが好ましい。また陽電極表面には薄膜性の良好な化合
物を用いることが好ましい。このような積層順について
は、ホール注入輸送層を２層以上設けるときも同様であ
る。このような積層順とすることによって、駆動電圧が
低下し、電流リークの発生やダークスポットの発生・成
長を防ぐことができる。また、素子化する場合、蒸着を
用いているので１〜１０nm程度の薄い膜も、均一かつピ
ンホールフリーとすることができるため、ホール注入層
にイオン化ポテンシャルが小さく、可視部に吸収をもつ
ような化合物を用いても、発光色の色調変化や再吸収に
よる効率の低下を防ぐことができる。ホール注入輸送層
は、発光層等と同様に上記の化合物を蒸着することによ
り形成することができる。

【００３７】また、必要に応じて設けられる電子注入輸
送層には、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム
（Ａｌｑ３）等の８−キノリノールなしいその誘導体を
配位子とする有機金属錯体などのキノリン誘導体、オキ
サジアゾール誘導体、ペリレン誘導体、ピリジン誘導
体、ピリミジン誘導体、キノキサリン誘導体、ジフェニ
ルキノン誘導体、ニトロ置換フルオレン誘導体等を用い
ることができる。電子注入輸送層は発光層を兼ねたもの
であってもよく、このような場合はトリス（８−キノリ
ノラト）アルミニウム等を使用することが好ましい。電
子注入輸送層の形成は発光層と同様に蒸着等によればよ
い。これらの物質のガラス転移温度Ｔｇは６０〜１５０
℃程度であり、好ましくは９０〜１３０℃程度のものが
好ましい。

【００３８】電子注入輸送層を電子注入層と電子輸送相
とに分けて積層する場合には、電子注入輸送層用の化合
物の中から好ましい組み合わせを選択して用いることが
できる。このとき、電子注入電極側から電子親和力の値
の大きい化合物の順に積層することが好ましい。このよ
うな積層順については電子注入輸送層を２層以上設ける
ときも同様である。

【００３９】ホール注入輸送層、発光層および電子注入
輸送層等の有機層の形成には、均質な薄膜が形成できる
ことから真空蒸着法を用いることが好ましい。真空蒸着
法を用いた場合、アモルファス状態または結晶粒径が
０．１μm 以下の均質な薄膜が得られる。結晶粒径が
０．１μm を超えていると、不均一な発光となり、素子
の駆動電圧を高くしなければならなくなり、電荷の注入
効率も著しく低下する。

【００４０】真空蒸着の条件は特に限定されないが、１
０^-4Pa以下の真空度とし、蒸着速度は０．０１〜１nm／
sec 程度とすることが好ましい。また、真空中で連続し
て各層を形成することが好ましい。真空中で連続して形
成すれば、各層の界面に不純物が吸着することを防げる
ため、高特性が得られる。また、素子の駆動電圧を低く
したり、ダークスポットの成長・発生を抑えたりするこ
とができる。

【００４１】これら各層の形成に真空蒸着法を用いる場
合において、１層に複数の化合物を含有させる場合、化
合物を入れた各ボートを個別に温度制御して共蒸着する
ことが好ましい。

【００４２】本発明の有機ＥＬ発光素子は、基板上にホ
ール注入電極と、その上に電子注入電極を有するこれら
の電極に挟まれて、それぞれ少なくとも１層の電荷輸送
層および発光層を有し、さらに最上層として保護電極を
有する。なお、電荷輸送層は省略可能である。そして、
電子注入電極は、蒸着、スパッタ法等、好ましくはスパ
ッタ法で成膜される仕事関数の小さい金属、化合物また
は合金で構成され、ホール注入電極は、好ましくは後述
のように透明あるいは半透明の電極とする。

【００４３】成膜される電子注入電極の構成材料として
は、電子注入を効果的に行う低仕事関数の物質が好まし
く、例えば、Ｋ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｃ
ａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ａｌ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｚ
ｒ、Ｃｓ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｇａ、Ｈｆ、Ｎｄ、Ｒｂ、Ｓ
ｃ、Ｓｍ、Ｔａ、Ｙ、Ｙｂ等の金属元素単体、あるい
は、ＢａＯ、ＢａＳ、ＣａＯ、ＨｆＣ、ＬａＢ₆、Ｍｇ
Ｏ、ＭｏＣ、ＮｂＣ、ＰｂＳ、ＳｒＯ、ＴａＣ、Ｔｈ
Ｃ、ＴｈＯ₂、ＴｈＳ、ＴｉＣ、ＴｉＮ、ＵＣ、ＵＮ、
ＵＯ₂、Ｗ₂Ｃ、Ｙ₂Ｏ₃、ＺｒＣ、ＺｒＮ、ＺｒＯ₂等の
化合物を用いると良い。または安定性を向上させるため
には、金属元素を含む２成分、３成分の合金系を用いる
ことが好ましい。合金系としては、例えばＡｌ・Ｃａ
（Ｃａ：５〜２０at％）、Ａｌ・Ｉｎ（Ｉｎ：１〜１０
at％）、Ａｌ・Ｌｉ（Ｌｉ：０．１〜２０at％未満）、
Ａｌ・Ｒ〔ＲはＹ，Ｓｃを含む希土類元素を表す〕等の
アルミニウム系合金やＩｎ・Ｍｇ（Ｍｇ：５０〜８０at
％）等が好ましい。これらの中でも、特にＡｌ単体やＡ
ｌ・Ｌｉ（Ｌｉ：０．４〜６．５（ただし６．５を含ま
ず）at％）または（Ｌｉ：６．５〜１４at％）、Ａｌ・
Ｒ（Ｒ：０．１〜２５、特に０．５〜２０at％）等のア
ルミニウム系合金が圧縮応力が発生しにくく好ましい。
したがって、スパッタターゲットとしては、通常このよ
うな電子注入電極の構成金属、合金を用いる。これらの
仕事関数は４．５以下であり、特に仕事関数が４．０以
下の金属、合金が好ましい。

【００４４】電子注入電極の成膜にスパッタ法を用いる
ことにより、成膜された電子注入電極膜は、蒸着の場合
と比較して、スパッタされる原子や原子団が比較的高い
運動エネルギーを有するため、表面マイグレーション効
果が働き、有機層界面での密着性が向上する。また、プ
レスパッタを行うことで、真空中で表面酸化物層を除去
したり、逆スパッタにより有機層界面に吸着した水分や
酸素を除去できるので、クリーンな電極−有機層界面や
電極を形成でき、その結果、高品位で安定した有機ＥＬ
素子ができる。ターゲットとしては前記組成範囲の合金
や、金属単独でも良く、これらに加えて添加成分のター
ゲットを用いても良い。さらに、蒸気圧の大きく異なる
材料の混合物をターゲットとして用いても、生成する膜
とターゲットとの組成のズレは少なく、蒸着法のように
蒸気圧等による使用材料の制限もない。また、蒸着法に
比較して材料を長時間供給する必要がなく、膜厚や膜質
の均一性に優れ、生産性の点で有利である。

【００４５】スパッタ法により形成された電子注入電極
は緻密な膜なので、粗な蒸着膜に比較して膜中への水分
の進入が非常に少なく、化学的安定性が高く、長寿命の
有機ＥＬ素子が得られる。

【００４６】スパッタ時のスパッタガスの圧力は、好ま
しくは０．１〜５Paの範囲が好ましく、この範囲でスパ
ッタガスの圧力を調節することにより、前記範囲のＬｉ
濃度のＡｌＬｉ合金を容易に得ることができる。また、
成膜中にスパッタガスの圧力を、前記範囲内で変化させ
ることにより、上記Ｌｉ濃度勾配を有する電子注入電極
を容易に得ることができる。また、成膜ガス圧力と基板
ターゲット間距離の積が２０〜６５Pa・cmを満たす成膜
条件にすることが好ましい。

【００４７】スパッタガスは、通常のスパッタ装置に使
用される不活性ガスや、反応性スパッタではこれに加え
てＮ₂、Ｈ₂、Ｏ₂、Ｃ₂Ｈ₄、ＮＨ₃等の反応性ガスが使用
可能である。

【００４８】スパッタ法としてはＲＦ電源を用いた高周
波スパッタ法等も可能であるが、成膜レートの制御が容
易であり、有機ＥＬ素子構造体へのダメージを少なくす
るためにはＤＣスパッタ法を用いることが好ましい。Ｄ
Ｃスパッタ装置の電力としては、好ましくは０．１〜１
０Ｗ／cm²、特に０．５〜７Ｗ／cm²の範囲である。ま
た、成膜レートは５〜１００nm／min 、特に１０〜５０
nm／min の範囲が好ましい。

【００４９】電子注入電極薄膜の厚さは、電子注入を十
分行える一定以上の厚さとすれば良く、１nm以上、好ま
しくは３nm以上とすればよい。また、その上限値には特
に制限はないが、通常膜厚は３〜５００nm程度とすれば
よい。

【００５０】本発明の有機ＥＬ素子は、電子注入電極
上、つまり有機層と反対側に保護電極を設けてもよい。
保護電極を設けることにより、電子注入電極が外気や水
分等から保護され、構成薄膜の劣化が防止され、電子注
入効率が安定し、素子寿命が飛躍的に向上する。また、
この保護電極は、非常に低抵抗であり、電子注入電極の
抵抗が高い場合には配線電極としての機能も有する。こ
の保護電極は、Ａｌ、Ａｌおよび遷移金属（ただしＴｉ
を除く）、Ｔｉまたは窒化チタン（ＴｉＮ）のいずれか
１種または２種以上を含有し、これらを単独で用いた場
合、それぞれ保護電極中に少なくとも、Ａｌ：９０〜１
００at％、Ｔｉ：９０〜１００at％、ＴｉＮ：９０〜１
００ mol％程度含有されていることが好ましい。また、
２種以上用いるときの混合比は任意であるが、ＡｌとＴ
ｉの混合では、Ｔｉの含有量は１０at％以下が好まし
い。また、これらを単独で含有する層を積層してもよ
い。特にＡｌ、Ａｌおよび遷移金属は、後述の配線電極
として用いた場合、良好な効果が得られ、ＴｉＮは耐腐
食性が高く、封止膜としての効果が大きい。ＴｉＮは、
その化学量論組成から１０％程度偏倚していてもよい。
さらに、Ａｌおよび遷移金属の合金は、遷移金属、特に
Ｍｇ，Ｓｃ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｄ，Ｔａ，Ｃｕ，Ｓ
ｉ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｗ等を、好
ましくはこれらの総計が１０at％以下、特に５at％以
下、特に２at％以下含有していてもよい。遷移金属の含
有量は少ないほど、配線材として機能させた場合の薄膜
抵抗は下げられる。

【００５１】保護電極の厚さは、電子注入効率を確保
し、水分や酸素あるいは有機溶媒の進入を防止するた
め、一定以上の厚さとすればよく、好ましくは５０nm以
上、さらに１００nm以上、特に１００〜１０００nmの範
囲が好ましい。保護電極層が薄すぎると、本発明の効果
が得られず、また、保護電極層の段差被覆性が低くなっ
てしまい、端子電極との接続が十分ではなくなる。一
方、保護電極層が厚すぎると、保護電極層の応力が大き
くなるため、ダークスポットの成長速度が高くなってし
まう。なお、配線電極として機能させる場合の厚さは、
電子注入電極の膜厚が薄いために膜抵抗が高く、これを
補う場合には、通常１００〜５００nm 程度、その他の
配線電極として機能される場合には１００〜３００nm程
度である。

【００５２】電子注入電極と保護電極とを併せた全体の
厚さとしては、特に制限はないが、通常１００〜１００
０nm程度とすればよい。

【００５３】ホール注入電極としては、通常、ホール注
入電極側から発光光を取り出す構成のため、錫ドープ酸
化インジウム（ＩＴＯ）、亜鉛ドープ酸化インジウム
（ＩＺＯ）、ＳｎＯ₂ 、Ｉｎ₂ Ｏ₃ 等を用いた透明電極
が好ましく、中でもＩＴＯ、ＩＺＯが好ましい。

【００５４】ＩＴＯでは、通常Ｉｎ₂Ｏ₃とＳｎＯとを
化学量論組成で含有するが、Ｏ量は多少これから偏倚し
ていてもよい。ＩｎＯ_X・ＳｎＯ_Yとすると、Ｘは１．
０〜２．０、Ｙは０．８〜１．２の範囲が好ましい。Ｉ
ｎ₂Ｏ₃に対しＳｎＯ₂の混合比は、モル％で１〜２０
％が好ましく、さらには５〜１２％が好ましい。

【００５５】このようなホール注入電極の厚さは、電荷
注入を十分行える一定以上の厚さを有すれば良く、好ま
しくは５０〜５００nm、さらには５０〜３００nmの範囲
が好ましい。また、その上限は特に制限はないが、あま
り厚いと剥離などの心配が生じる。厚さが薄すぎると、
製造時の膜強度や電子輸送能力の点で問題がある。

【００５６】ホール注入電極層は蒸着法等によっても形
成できるが、好ましくはスパッタ法により形成すること
が好ましい。ＩＴＯを用いた電極の形成にスパッタ法を
用いる場合、好ましくはＩｎ₂Ｏ₃にＳｎＯ₂をドープ
したターゲットを用いたＤＣスパッタ、あるいはＲＦス
パッタ法により形成することが好ましい。スパッタ法に
よりＩＴＯ透明電極を成膜した場合、蒸着により成膜し
たものより発光輝度の経時変化が少ない。その投入電力
としては、好ましくは０．１〜４Ｗ／cm² の範囲が好ま
しい。特にＤＣスパッタ装置の電力としては、好ましく
は０．１〜１０Ｗ／cm²、特に０．５〜７Ｗ／cm²の範囲
である。また、成膜レートは５〜１００nm／min 、特に
１０〜５０nm／min の範囲が好ましい。

【００５７】スパッタガスとしては特に限定するもので
はなく、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｋｒ、Ｘｅ等の不活性ガ
ス、あるいはこれらの混合ガスを用いればよい。このよ
うなスパッタガスのスパッタ時における圧力としては、
通常０．１〜２０Pa程度でよい。

【００５８】ホール注入電極、電子注入電極は前述のよ
うに成膜し、発光層等の有機物層は真空蒸着等により成
膜することができるが、これらの膜のそれぞれは、必要
に応じてマスク蒸着または膜形成後にエッチングなどの
方法によってパターニングでき、これによって、所望の
発光パターンを得ることができる。さらには、基板が薄
膜トランジスタ（ＴＦＴ）であって、そのパターンに応
じて各膜を形成することでそのまま表示および駆動パタ
ーンとすることもできる。

【００５９】電極成膜後に、前記保護電極に加えて、Ｓ
ｉＯ_X 等の無機材料、テフロン、塩素を含むフッ化炭素
重合体等の有機材料等を用いた保護膜を形成してもよ
い。保護膜は透明でも不透明であってもよく、保護膜の
厚さは５０〜１２００nm程度とする。保護膜は前記した
反応性スパッタ法の他に、一般的なスパッタ法、蒸着法
等により形成すればよい。

【００６０】さらに、素子の有機層や電極の酸化を防ぐ
ために素子上に封止層を形成することが好ましい。封止
層は、湿気の侵入を防ぐために市販の低吸湿性の光硬化
性接着剤、エポキシ系接着剤、シリコーン系接着剤、架
橋エチレン−酢酸ビニル共重合体接着剤シート等の接着
性樹脂層を用いて、ガラス板等の封止板を接着し密封す
る。ガラス板以外にも金属板、プラスチック板等を用い
ることもできる。

【００６１】基板材料としては、ガラスや石英、樹脂等
の透明ないし半透明材料を用いる。また、基板に色フィ
ルター膜や蛍光性物質を含む色変換膜、あるいは誘電体
反射膜を用いて発光色をコントロールしてもよい。

【００６２】色フィルター膜には、液晶ディスプレイ等
で用いられているカラーフィルターを用いれば良いが、
有機ＥＬの発光する光に合わせてカラーフィルターの特
性を調整し、取り出し効率・色純度を最適化すればよ
い。

【００６３】また、ＥＬ素子材料や蛍光変換層が光吸収
するような短波長の外光をカットできるカラーフィルタ
ーを用いれば、素子の耐光性・表示のコントラストも向
上する。

【００６４】また、誘電体多層膜のような光学薄膜を用
いてカラーフィルターの代わりにしても良い。

【００６５】蛍光変換フィルター膜は、ＥＬ発光の光を
吸収し、蛍光変換膜中の蛍光体から光を放出させること
で、発光色の色変換を行うものであるが、組成として
は、バインダー、蛍光材料、光吸収材料の三つから形成
される。

【００６６】蛍光材料は、基本的には蛍光量子収率が高
いものを用いれば良く、ＥＬ発光波長域に吸収が強いこ
とが望ましい。実際には、レーザー色素などが適してお
り、ローダミン系化合物・ペリレン系化合物・シアニン
系化合物・フタロシアニン系化合物（サブフタロ等も含
む）ナフタロイミド系化合物・縮合環炭化水素系化合物
・縮合複素環系化合物・スチリル系化合物・クマリン系
化合物等を用いればよい。

【００６７】バインダーは基本的に蛍光を消光しないよ
うな材料を選べば良く、フォトリソグラフィー・印刷等
で微細なパターニングが出来るようなものが好ましい。
また、ＩＴＯの成膜時にダメージを受けないような材料
が好ましい。

【００６８】光吸収材料は、蛍光材料の光吸収が足りな
い場合に用いるが、必要の無い場合は用いなくても良
い。また、光吸収材料は、蛍光性材料の蛍光を消光しな
いような材料を選べば良い。

【００６９】本発明により製造される有機ＥＬ発光素子
の構成例を図１に示す。図１に示されるＥＬ素子は、基
板２１上に、ホール注入電極２２、ホール注入層２３、
ホール輸送層２４、発光層２５、電子注入層２６、電子
注入電極２７、保護電極２８を順次有する。図示例に限
らず、種々の構成とすることができる。

【００７０】本発明の有機ＥＬ素子は、通常、直流駆動
型のＥＬ素子として用いられるが、交流駆動またはパル
ス駆動とすることもできる。印加電圧は、通常、２〜２
０V程度とされる。

【００７１】

【実施例】以下、本発明の具体的実施例を比較例ととも
に示し、本発明をさらに詳細に説明する。

【００７２】＜実施例１＞ガラス基板上に、スパッタ法
にてＩＴＯ透明電極（ホール注入電極）を１００nm製膜
した。得られたＩＴＯ透明電極をパターニングし、次い
で中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄
し、煮沸エタノール中から引き上げて乾燥した。次い
で、表面をＵＶ／Ｏ₃ 洗浄した後、真空蒸着装置の基板
ホルダーに固定して、槽内を１×１０^-4Pa以下まで減圧
した。４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフ
ェニルアミノ）フェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ：Ｔｇ＝
７６℃）を蒸着速度０.２nm／sec.で４０nmの厚さに蒸
着し、ホール注入層とし、次いで減圧状態を保ったま
ま、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（３−ビフェニ
ル）−４，４’−ジアミノ−１，１’−ビフェニル（Ｔ
ＰＤ：Ｔｇ＝９５℃）を蒸着速度０．２nm／sec.で１５
nmの厚さに蒸着し、ホール輸送層とした。さらに、減圧
を保ったまま、トリス（８−キノリノラト）アルミニウ
ム（Ａｌｑ3 ：Ｔｇ＝〜１００℃）〔注：Ａｌｑ3 は１
００℃まで安定で顕著なガラス転移点を示さない〕およ
び上記Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（３−ビフェニ
ル）−４，４’−ジアミノ−１，１’−ビフェニル（Ｔ
ＰＤ：Ｔｇ＝９５℃）をそれぞれ蒸着速度０．２nm／se
c.で１：１の共蒸着（２元蒸着）により混合層として４
０nm成膜し、発光層とした。さらに、トリス（８−キノ
リノラト）アルミニウム（Ａｌｑ3 ：Ｔｇ＝〜１００
℃）を蒸着速度０.２nm／sec.で３０nmの厚さに蒸着し
て、電子注入層とした。次いで減圧を保ったまま、この
ＥＬ素子構造体が成膜された基板を真空蒸着装置からス
パッタ装置に移し、ＭｇＡｇ合金ターゲットを用い、ス
パッタ圧力１．０PaにてＭｇＡｇ電子注入電極（Ａｇ濃
度：５at％）を２００nmの厚さに成膜した。その際スパ
ッタガスにはＡｒを用い、投入電力は１００Ｗ、ターゲ
ットの大きさは４インチ径、基板とターゲットの距離は
９０mmとした。さらに、減圧を保ったまま、このＥＬ素
子基板を他のスパッタ装置に移し、Ａｌターゲットを用
いたＤＣスパッタ法により、スパッタ圧力０．３Paにて
Ａｌ保護電極を２００nmの厚さに成膜した。この時スパ
ッタガスにはＡｒを用い、投入電力は５００Ｗ、ターゲ
ットの大きさは４インチ径、基板とターゲットの距離は
９０mmとした。最後に、接着剤を用いてガラス封止板を
接着し、密封した後、この有機ＥＬ素子に大気雰囲気中
にて８５℃で、１時間の加熱処理を施した（最低ガラス
転移温度：Ｔｇ＝７６℃）。

【００７３】得られた有機ＥＬ素子に、大気雰囲気中で
直流電圧を印加し、１０mA／cm² の定電流密度で連続駆
動させた。初期には、７．５Ｖ、５００cd／m² の緑色
（発光極大波長λmax ＝５３０nm）の発光が観測され
た。輝度の半減時間は５４００時間で、その間の駆動電
圧の上昇は２．９Ｖであった。この間、大きさが５０μ
m を超えるダークスポットの発生および成長は確認され
なかった。

【００７４】＜実施例２＞実施例１において、ホール注
入層として４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニ
ルフェニルアミノ）フェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）の
代わりにＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス〔Ｎ−
フェニル−Ｎ４−トリル（４−アミノフェニル）〕（Ｔ
ｇ＝１０７℃）を用いた他は実施例１と同様にして有機
ＥＬ素子を得た。さらに、この有機ＥＬ素子に大気雰囲
気中にて８５℃で、１時間の加熱処理を施した（最低ガ
ラス転移温度：Ｔｇ＝９５℃）。

【００７５】得られた有機ＥＬ素子に、大気雰囲気中で
直流電圧を印加し、１０mA／cm² の定電流密度で連続駆
動させた。初期には、６．６Ｖ、４７０cd／m² の緑色
（発光極大波長λmax ＝５３０nm）の発光が観測され
た。輝度の半減時間は７３００時間で、その間の駆動電
圧の上昇は２．５Ｖであった。この間、大きさが５０μ
m を超えるダークスポットの発生および成長は確認され
なかった。

【００７６】＜実施例３＞実施例２において、加熱処理
を１００℃で１時間行った他は実施例２と同様にして有
機ＥＬ素子を得た。

【００７７】得られた有機ＥＬ素子に、大気雰囲気中で
直流電圧を印加し、１０mA／cm² の定電流密度で連続駆
動させた。初期には、６．７Ｖ、４７０cd／m² の緑色
（発光極大波長λmax ＝５３０nm）の発光が観測され
た。輝度の半減時間は１００００時間で、その間の駆動
電圧の上昇は２．３Ｖであった。この間、大きさが５０
μm を超えるダークスポットの発生および成長は確認さ
れなかった。

【００７８】＜比較例１＞実施例１において、加熱処理
を行わない他は実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を得
た。

【００７９】得られた有機ＥＬ素子に、大気雰囲気中で
直流電圧を印加し、１０mA／cm² の定電流密度で連続駆
動させた。初期には、８．０Ｖ、４７０cd／m² の緑色
（発光極大波長λmax ＝５３０nm）の発光が観測され
た。輝度の半減時間は２５００時間で、その間の駆動電
圧の上昇は３．３Ｖであった。

【００８０】＜比較例２＞実施例１において、加熱処理
を１００℃で１時間行った他は実施例１と同様にして有
機ＥＬ素子を得た。

【００８１】得られた有機ＥＬ素子に、大気雰囲気中で
直流電圧を印加し、１０mA／cm² の定電流密度で連続駆
動させたところ、発光ムラが発生し、正確な輝度測定が
困難であった。

【００８２】＜比較例３＞実施例２において、加熱処理
を行わない他は実施例２と同様にして有機ＥＬ素子を得
た。

【００８３】得られた有機ＥＬ素子に、大気雰囲気中で
直流電圧を印加し、１０mA／cm² の定電流密度で連続駆
動させた。初期には、６．５Ｖ、４６０cd／m² の緑色
（発光極大波長λmax ＝５３０nm）の発光が観測され
た。輝度の半減時間は４８００時間で、その間の駆動電
圧の上昇は２．９Ｖであった。

【００８４】＜比較例４＞実施例２において、加熱処理
を１３０℃で１時間行った他は実施例２と同様にして有
機ＥＬ素子を得た。

【００８５】得られた有機ＥＬ素子に、大気雰囲気中で
直流電圧を印加し、１０mA／cm² の定電流密度で連続駆
動させたところ、発光ムラが発生し、正確な輝度測定が
困難であった。

【００８６】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、長寿命、
高輝度、高効率、高表示品質の有機ＥＬ素子を実現でき
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】有機ＥＬ素子の構成例を示す概念図である。

【符号の説明】

２１基板２２ホール注入電極２３ホール注入層２４ホール輸送層２５発光層２６電子注入層２７電子注入電極２８保護電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者海老沢晃東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティーディーケイ株式会社内 (72)発明者染谷拓東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティーディーケイ株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ホール注入電極と、電子注入電極と、こ
れらの電極間に設けられた１種以上の有機層とを有し、前記有機層成膜後に、この有機層の構成材料中最も低い
ガラス転移温度Ｔｇに対し±２０℃の温度範囲で加熱処
理された有機ＥＬ素子。
【請求項２】前記有機層構成材料の中で最も低いガラ
ス転移温度Ｔｇからこれより２０℃高い温度までの範囲
で加熱処理された請求項１の有機ＥＬ素子。
【請求項３】少なくとも基板上にホール注入電極と有
機層を成膜した後、この有機層の構成材料中最も低いガ
ラス転移温度Ｔｇに対し±２０℃の温度範囲で、１０分
〜５時間加熱処理を行う有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項４】少なくとも基板上にホール注入電極と有
機層を成膜した後、この有機層の構成材料の中で最も低
いガラス転移温度Ｔｇからこれより２０℃高い温度まで
の範囲で、１０分〜５時間加熱処理を行う請求項３の有
機ＥＬ素子の製造方法。