JPH113852A - 処理システム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 処理システム内の液処理装置と熱処理装置を
近接配置可能とすることで，処理システム全体のコンパ
クト化を図る。 【解決手段】 レジスト処理装置ＣＯＴ₁、ＣＯＴ₂内の
雰囲気を外部へ排気するための排気管８１を、ポストベ
ーキング装置ＰＯＢＡＫＥおよびプリベーキング装置Ｐ
ＲＥＢＡＫＥなどの熱処理装置側に設けることによっ
て、熱処理装置からレジスト処理装置への熱的影響を遮
断する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は，被処理基板に対し
て，液処理を施す液処理装置および熱処理を施す熱処理
装置を備えた処理システムに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】例えば半導体製造プロセスにおけるフォ
トレジスト処理工程においては，半導体ウエハ（以下，
「ウエハ」という）などの被処理基板の表面にレジスト
液を塗布してレジスト膜を形成し，所定のパターンで露
光した後に現像液で現像処理しているが，このような一
連の処理を行うにあたっては，従来から塗布現像処理シ
ステムが用いられている。

【０００３】通常，この塗布現像処理システムは，複数
の処理装置を備えている。これら処理装置は，例えば，
レジストの定着性を向上させるための疎水化処理（アド
ヒージョン処理），レジスト液の塗布を行うレジスト処
理，レジスト液塗布後の被処理基板を所定の温度雰囲気
に置いてレジスト膜を硬化させるための熱処理，露光後
の被処理基板を所定の温度雰囲気に置くための熱処理，
露光後の被処理基板に現像液を供給して現像する現像処
理などの各処理を個別に行うものであり，搬送アームな
どの搬送機構によって，被処理基板であるウエハは前記
各処理装置に対して搬入出され，各処理装置において相
応する処理が順次施される。

【０００４】前記レジスト処理装置における被処理基板
へのレジスト液塗布に際して，当該被処理基板に形成さ
れるレジスト膜の膜厚均一性を確保する必要がある。と
ころがレジスト膜の膜厚は温度に敏感であり，このため
前記レジスト処理装置内には，温度調整がなされた清浄
なダウンフローが形成されるとともに，レジスト液自体
の温度管理もなされている。

【０００５】ところで前記塗布現像処理システムには，
上述のように熱処理装置も内設されており，ともすれば
この熱処理装置はその装置外部に対して熱的な影響を及
ぼし，その結果，前記レジスト処理装置において被処理
基板に形成されるレジスト膜の膜厚に影響を与えるおそ
れがある。かかる点に鑑み，従来のレジスト処理装置は
熱処理装置と適宜の距離をおいて設置され，前記熱処理
装置からの熱の影響が及ばないように配慮されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら，上述の
ように液処理装置と熱処理装置との間に距離をおいて空
間を設けるようにすると，無用なスペースの増加によっ
て塗布現像処理システムが肥大化し，システムが設置さ
れるクリーンルームにおいて，より広いフロアスペース
が必要となってしまう。

【０００７】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり，液処理装置と熱処理装置を近接して配置できるよ
うにして，従来よりもコンパクトな塗布現像処理システ
ムを提供し，前記従来の課題の解決を図ることを目的と
している。

【０００８】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
請求項１によれば，被処理基板に対して所定の液を供給
して当該被処理基板に処理を施す液処理装置と、被処理
基板に対して熱処理を施す熱処理装置とを備えた処理シ
ステムにおいて、前記液処理装置内の雰囲気の排気ダク
トが、当該液処理装置における前記熱処理装置側に配置
されたことを特徴とする、処理システムが提供される。
かかる処理システムによれば，液処理装置内に設けられ
た排気ダクトによって，前記液処理装置内に対する前記
熱処理装置からの熱的な影響を遮断することが可能とな
る。したがって前記液処理装置と熱処理装置とを近接配
置して前記処理システムのコンパクト化を図ることがで
きる。なお前記排気ダクトは，パイプ状のものはもちろ
んのこと，前記液処理装置内の雰囲気を一定方向に導く
ための流路を成すものであればよい。

【０００９】請求項２によれば被処理基板に対して所定
の液を供給して当該被処理基板に処理を施す液処理装置
と、被処理基板に対して熱処理を施す熱処理装置と、こ
れら液処理装置および熱処理装置に対して被処理基板を
搬入出自在な搬送機構を備えた処理システムにおいて、
前記液処理装置内にはダウンフローが形成され、前記液
処理装置内の雰囲気を下方へと排気するための排気ダク
トが、当該液処理装置における前記熱処理装置側に配置
され、前記排気ダクトにおける前記液処理装置内に通ず
る排気導入口は、前記搬送機構によって被処理基板を前
記液処理装置に搬入出するための搬入出口よりも下方に
設けられたことを特徴とする、処理システムが提供され
る。かかる処理システムによれば，上記請求項１の場合
と同様，前記液処理装置内に設けられた排気ダクトが，
前記熱処理装置からの熱的な影響を遮断するために，前
記液処理装置と熱処理装置は近接配置が可能となる。し
たがって前記処理システムのコンパクト化が図れる。さ
らに上記のように排気導入口は被処理基板の搬入出口の
下方に設けられているために，装置内の雰囲気が前記搬
入出口から装置外部へ漏出することが抑えられる。ま
た，万一，前記搬入出口からパーティクル等が液処理装
置内に侵入しても，かかるパーティクルを装置内のダウ
ンフローによって，直ちに排気導入口から排気ダクトを
通じて排出することができる。

【００１０】これら請求項１，２の処理システムにおい
て，請求項３に記載のように，前記液処理装置が多段に
積み重ねられ，各液処理装置の排気ダクトは上下方向に
連通するように構成してもよい。かかる構成によれば前
記排気ダクトを一本化することができるために，単純な
構造の排気経路が実現できる。さらに前記液処理装置内
の雰囲気を円滑に排気することができる。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下，本発明の一実施形態を図に
基づいて説明すると，図１〜図３は本実施の形態にかか
る塗布現像処理システム１の全体構成の図であり，図１
は平面，図２は正面，図３は背面からみた様子を各々示
している。

【００１２】この塗布現像処理システム１は，被処理基
板としてのウエハＷが複数枚，例えば２５枚単位で収納
されているカセットＣをシステム内に搬入したり，ある
いはシステムから搬出したりするためのカセットステー
ション１０と，塗布現像処理工程の中で１枚ずつウエハ
Ｗに所定の処理を施す各種処理装置を所定位置に多段配
置してなる処理ステーション１１と，この処理ステーシ
ョン１１に隣接して設けられる露光処理装置（図示せ
ず）との間でウエハＷを受け渡しするためのインターフ
ェース部１２とを一体に接続した構成を有している。

【００１３】前記カセットステーション１０では，図１
に示すように，載置部となるカセット載置台２０上の位
置決め突起２０ａの位置に，複数個例えば４個のカセッ
トＣが，それぞれのウエハ出入口を処理ステーション１
１側に向けて一列に載置され，このカセット配列方向
（Ｘ方向）およびカセットＣ内に収納されたウエハＷの
ウエハ配列方向（Ｚ方向；垂直方向）に移動可能な，ウ
エハ搬送体２１が搬送路２１ａに沿って移動自在であ
り，各カセットＣに選択的にアクセスできるようになっ
ている。

【００１４】さらにこのウエハ搬送体２１は，θ方向に
回転自在であり，後述するように処理ステーション１１
側の第３の処理装置群Ｇ₃の多段ユニット部に属するア
ライメントユニットＡＬＩＭおよびイクステンションユ
ニットＥＸＴにもアクセスできるようになっている。

【００１５】前記処理ステーション１１には，図１に示
すように，その中心部に垂直搬送型の主ウエハ搬送手段
２２が設けられ，その周りに各種処理装置が１組または
複数の組にわたって多段集積配置されて処理装置群を構
成している。塗布現像処理システム１においては，５つ
の処理装置群Ｇ₁，Ｇ₂，Ｇ₃，Ｇ₄，Ｇ₅が配置可能な構
成であり，第１および第２の処理装置群Ｇ₁，Ｇ₂はシス
テム正面側に配置され，第３の処理装置群Ｇ₃はカセッ
トステーション１０に隣接して配置され，第４の処理装
置群Ｇ₄はインターフェース部１２に隣接して配置さ
れ，さらに破線で示した第５の処理装置群Ｇ₅は背面側
に配置可能となっている。

【００１６】図２に示すように第１の処理装置群Ｇ₁に
は，処理容器ＣＰ内でウエハＷに対して所定の液処理を
行うスピンナ型の処理装置，例えばレジスト処理装置Ｃ
ＯＴ₁，ＣＯＴ₂が上から順に２段に重ねられている。第
２の処理装置群Ｇ₂には現像処理装置ＤＥＶ₁，ＤＥＶ₂
が上から順に２段に重ねられている。

【００１７】図３に示すように，第３の処理装置群Ｇ₃
では，ウエハＷを載置台（図示せず）に載せて所定の処
理を行うオーブン型の処理装置，例えば冷却処理を行う
クーリング装置ＣＯＬ，疏水化処理を行うアドヒージョ
ン装置ＡＤ，位置合わせを行うアライメント装置ＡＬＩ
Ｍ，イクステンション装置ＥＸＴ，露光処理前の加熱処
理を行うプリベーキング装置ＰＲＥＢＡＫＥ，および露
光処理後の加熱処理を行うポストベーキング装置ＰＯＢ
ＡＫＥが，下から順に例えば８段に重ねられている。

【００１８】第４の処理装置群Ｇ₄においても，オーブ
ン型の処理装置，例えばクーリング装置ＣＯＬ，イクス
テンション・クーリング装置ＥＸＴＣＯＬ，イクステン
ション装置ＥＸＴ，クーリング装置ＣＯＬ，プリベーキ
ング装置ＰＲＥＢＡＫＥ，およびポストベーキング装置
ＰＯＢＡＫＥが下から順に，例えば８段に重ねられてい
る。

【００１９】図１，２に示すように，このインターフェ
ース部１２の正面部には，可搬型のピックアップカセッ
トＣＲと，定置型のバッファカセットＢＲが２段に配置
され，他方背面部には周辺露光装置２３が配設され，中
央部にはウエハ搬送体２４が設けられている。このウエ
ハ搬送体２４は，Ｘ方向，Ｚ方向（垂直方向）に移動し
て両カセットＣＲ，ＢＲおよび周辺露光装置２３にアク
セスできるようになっている。さらに前記ウエハ搬送体
２４は，θ方向への回転およびＹ方向への移動も自在と
なるように構成されており，処理ステーション１１側の
第４の処理装置群Ｇ₄に属するイクステンション装置Ｅ
ＸＴや隣接する露光処理装置（図示せず）のウエハ受渡
し台へもアクセスできるようになっている。

【００２０】当該塗布現像処理システム１においては，
前記したカセット載置台２０，ウエハ搬送体２１の搬送
路２１ａ，第１〜第５の処理装置群Ｇ₁〜Ｇ₅，インター
フェース部１２に対して，上方から清浄な空気のダウン
フローが形成されるよう，図２に示すように，システム
上部に例えばＵＬＰＡフィルタなどの高性能フィルタ３
１が，前記３つのゾーン（カセットステーション１０，
処理ステーション１１，インターフェース部１２）毎に
設けられている。そしてこの高性能フィルタ３１の上流
側から供給された空気は，該高性能フィルタ３１を通過
する際に清浄化され，図２の実線矢印や破線矢印に示し
たように，清浄なダウンフローが形成される。また特に
レジスト処理装置ＣＯＴ₁，ＣＯＴ₂に対しては，図４に
示すように，その内部に対しても清浄なダウンフローが
独立して形成されるように適宜ダクト配管されている。

【００２１】塗布現像処理システム１の周囲は，図４に
示すように，側板４１，４２等で囲まれており，さらに
上部には天板４３，下部には通気孔板４４との間に空間
Ｐを介して底板４５が設けられている。そしてシステム
の一側には壁ダクト４６が形成されており，天板４３下
面側に形成された天井チャンバ４７と通じている。

【００２２】底板４５には排気口４８が形成されてお
り，通気孔板４４を介して回収されるシステム内の下側
雰囲気は，この排気口４８に接続された排気管４９から
工場排気系へ排気される一方，前記排気管４９に接続さ
れている導入管５０によってその一部は，不純物除去装
置としてのフィルタ装置１０１へと導入されるようにな
っている。前記フィルタ装置１０１において清浄化され
た空気は，送出管５１を通じて前記壁ダクト４６へと送
出され，天井チャンバ４７の下方に設置された高性能フ
ィルタ３１を介してシステム内にダウンフローとして吹
き出されるようになっている。

【００２３】塗布現像処理システム１内部に設置された
第１の処理装置群Ｇ₁におけるレジスト処理装置ＣＯＴ₁
は，その外壁を構成するケーシング６１内の上部に，別
途サブチャンバ６２が形成されており，このサブチャン
バ６２はシステムの壁ダクト４６と連通されている。し
たがって壁ダクト４６内を流れる清浄化された後の空気
は，サブチャンバ６２の下方に設置された高性能フィル
タ６３を介して，ケーシング６１内にダウンフローとし
て吐出されるようになっている。なお前記サブチャンバ
６２を設けることなく，前記天井チャンバ４７からのダ
ウンフローをケーシング６１内へ導入するように構成し
てもよい。

【００２４】前記ケーシング６１の下部には気液分離手
段としてのセパレータ６４が設けられている。当該セパ
レータ６４は，図５に示すように，垂下壁６４ａと立設
壁６４ｂによって，いわばラビリンス構造を呈してお
り，慣性衝突による気液分離機能を有するものである。
ケーシング６１内の雰囲気は，前記セパレータ６４にお
いてレジスト液などの液体が取り除かれた後に，排気導
入口６８から別途設けた排気ダクトとしての排気管８１
へ送出され，前記導入管５０を経由して前記フィルタ装
置１０１へ導入されるようになっている。

【００２５】前記ケーシング６１内には処理容器ＣＰが
設置されており，この処理容器ＣＰ内にはウエハＷを保
持するスピンチャック６５が設けられている。処理に付
されるウエハＷは，主ウエハ搬送手段２２によって搬入
出口６９を介して装置内へ搬入されて，スピンチャック
６５に保持される。このウエハＷに対して，その上方へ
移動可能なノズル６６からレジスト液が供給され，所定
のレジスト液塗布処理がなされる。さらに処理容器ＣＰ
の底部には垂下壁６７ａと立設壁６７ｂを具有するセパ
レータ６７が設けられている。このセパレータ６７は，
上記セパレータ６４と同様に，慣性衝突による気液分離
機能を有しており，前記処理容器ＣＰ内の雰囲気は，当
該セパレータ６７においてレジスト液などの液体が取り
除かれた後に，上記の排気管８１へ送出されるようにな
っている。

【００２６】セパレータ６４，６７において，排気雰囲
気から分離されたレジスト液などの液体は，別途設けら
れた廃液管（図示せず）によって工場廃液系（図示せ
ず）へ導かれるように構成されている。

【００２７】レジスト処理装置ＣＯＴ₂の排気，廃液系
は図４に示すように，前記レジスト処理装置ＣＯＴ₁と
同様な構成となっている。すなわちケーシング７１内の
上部にはサブチャンバ７２が形成され，該サブチャンバ
７２は壁ダクト４６と連通されている。したがって壁ダ
クト４６内を流れる清浄化された後の空気は，前記サブ
チャンバ７２の下方に設置された高性能フィルタ７３を
介して，ケーシング７１内にダウンフローとして吐出さ
れる。なお前記サブチャンバ７２を設けることなく，前
記天井チャンバ４７からのダウンフローを当該ケーシン
グ７１内へ導入するように構成してもよい。

【００２８】前記ケーシング７１の下部には，前記レジ
スト処理装置ＣＯＴ₁におけるセパレータ６４と同様の
機能，すなわち慣性衝突による気液分離機能を有するセ
パレータ７４が設けられている。ケーシング７１内の雰
囲気は，当該セパレータ７４においてレジスト液などの
液体が取り除かれた後に，排気導入口７８から排気管８
１へ送出され，導入管５０を経由してフィルタ装置１０
１へ導入されるようになっている。

【００２９】前記ケーシング７１内には処理容器ＣＰが
設置されており，この処理容器ＣＰ内にはウエハＷを保
持するスピンチャック７５が設けられている。処理に付
されるウエハＷは，主ウエハ搬送手段２２によって搬入
出口７９を介して装置内へ搬入されて，スピンチャック
７５に保持される。このウエハＷに対して，その上方へ
移動可能なノズル７６からレジスト液が供給され，所定
のレジスト液塗布処理がなされる。さらに処理容器ＣＰ
の底部には，前記レジスト処理装置ＣＯＴ₁におけるセ
パレータ６７と同様の機能，すなわち慣性衝突による気
液分離機能を有するセパレータ７７が設けられており，
処理容器ＣＰ内の雰囲気は，当該セパレータ７７によっ
てレジスト液などの液体が取り除かれた後に，上記の排
気管８１へ送出されるようになっている。

【００３０】セパレータ７４，７７において分離された
例えばレジスト液などの液体は，別途設けられた廃液管
（図示せず）によって工場廃液系（図示せず）へ導かれ
るように構成されている。

【００３１】なお，上述した排気管８１は，図６に示す
ように，前記第３の処理装置群Ｇ₃側に設けられてお
り，しかも上下方向に連通された構造となっている。

【００３２】次にフィルタ装置１０１の構成について詳
述する。図７に示すようにフィルタ装置１０１は導入部
１１０，第１の不純物除去部１３０，第２の不純物除去
部１５０，送出部１７０，不純物除去液循環部１９０に
大別できる。

【００３３】上述のようにレジスト処理装置ＣＯＴ₁，
ＣＯＴ₂から回収された空気は，前記塗布現像処理シス
テム１内の空間Ｐの雰囲気と共に，導入管５０を経由し
て，導入部１１０に設けられた導入口１１１から空間Ｓ
へ導入される。導入部１１０の最下部には，第１の不純
物除去部１３０および第２の不純物除去部１５０で使用
された例えば純水などの不純物除去液の一部を貯留する
ためのドレインパン１１２が設けられている。なお以
下，不純物除去液として純水を用いた場合に即して説明
する。

【００３４】前記第１の不純物除去部１３０には気液接
触空間Ｍ₁に対して純水を微細なミスト状に噴霧するた
めの，噴霧ノズル１３１ａを有する噴霧装置１３１が設
けられている。また前記気液接触空間Ｍ₁の下側には，
前記噴霧ノズル１３１ａから噴霧された純水をトラップ
しつつ，分散させて均等に滴下させるための不織布等か
らなる充填部１３２が設けられている。

【００３５】充填部１３２の下側には，前記充填部１３
２から滴下する純水を集水するためのパン１３３が設け
られている。パン１３３には前記空間Ｓから上昇してく
る空気を充填部１３２および気液接触空間Ｍ₁へ導くた
めの通気管１３３ａが上下方向に貫設されており，該通
気管１３３ａはパン１３３をオーバーフローした純水を
前出のドレインパン１１２へ導くための機能もあわせ持
っている。

【００３６】前記の充填部１３２とパン１３３の間に
は，充填部１３２からの純水がドレインパン１１２へ直
接滴下しないように，例えば傘状に形成されたキャップ
１３４が設けられている。そして前記キャップ１３４は
純水の滴下防止のため通気管１３３ａの真上に設置され
ると共に，空気を通過させるための適宜の隙間が確保さ
れている。

【００３７】第１の不純物除去部１３０の最上部には気
液接触空間Ｍ₁を通過した空気中のミストを除去するた
めのデミスター１３５が設けられている。

【００３８】第２の不純物除去部１５０は，上述した第
１の不純物除去部１３０の上方に配置され，基本的に第
１の不純物除去部１３０と同様な構成となっている。す
なわち最下部には通気管１５３ａを具備したパン１５３
が設置され，前記通気管１５３ａの上方にはキャップ１
５４が設けられている。かかるキャップ１５４の上方の
気液接触空間Ｍ₂には充填部１５２と，噴霧ノズル１５
１ａを具備した噴霧装置１５１が設けられている。そし
て最上部にはデミスター１５５が設けられている。

【００３９】本実施の形態では，第１の不純物除去部１
３０と第２の不純物除去部１５０は，図７に示すように
上下２段に配置された構成となっている。かかる構成に
よれば，上側に配置された第２の不純物除去部１５０で
使用され，パン１５３に集水された純水のうち，オーバ
ーフローした分を下側に配置された第１の不純物除去部
１３０へ供給することができる。したがって下側に配置
された第１の不純物除去部１３０に対しては新たな純水
の供給が不要であり，結果的に純水の節約が図れる。

【００４０】前述の第１の不純物除去部１３０と第２の
不純物除去部１５０にて不純物が除去された空気は，送
出部１７０内に設置されている送風機１７１へ導かれ，
加熱機構１７２，および加湿機構１７３側へ送出され
る。前記加熱機構１７２は前記送風機１７１によって送
出された空気を所定温度にまで加熱する機構を有してお
り，加湿機構１７３は前記加熱機構１７２で所定温度に
なった空気を所定湿度にまで加湿する機構を有してい
る。これら加熱機構１７２，加湿機構１７３によって，
所望の温湿度，例えば温度２３℃，相対湿度４０％に調
整された空気は送出口１７４から送出される。なお加熱
機構１７２および加湿機構１７３の制御は別段の制御装
置（図示せず）によって制御され，任意に設定された温
湿度条件の空気を送出させることが自在である。

【００４１】なお当該フィルタ装置１０１へ導入される
空気量が不十分である場合，前記塗布現像処理システム
１へ戻される空気量は不足してしまう。そこで適宜の導
入管を設けて，例えば当該塗布現像処理システム１が設
置されているクリーンルームから比較的清浄な空気を前
記フィルタ装置１０１へ導入し，当該フィルタ装置１０
１で清浄化された空気と混合させた上，前記塗布現像処
理システム１へ送出させるようにしてもよい。

【００４２】不純物除去液循環部１９０には，前記第１
の不純物除去部１３０におけるパン１３３および第２の
不純物除去部１５０におけるパン１５３に集水された純
水をそれぞれ噴霧装置１３１および噴霧装置１５１へ循
環させるための循環系が設けられている。循環パイプ１
９１にはポンプ１９２が介設されており，かかるポンプ
１９２によって前記パン１３３に集水されている純水
は，噴霧装置１３１へ圧送され噴霧されるようになって
いる。一方，前記パン１５３内の純水は，循環パイプ１
９３に介設されたポンプ１９４によって，冷凍機１９５
の冷媒との間で熱交換するための熱交換器１９６を経由
して前記噴霧装置１５１へと圧送される。前記熱交換器
１９６においては，純水を適宜の温度に調整することが
できるようになっている。

【００４３】本実施の形態にかかる塗布現像処理システ
ム１は以上のように構成されており，まずカセットステ
ーション１０において，ウエハ搬送体２１がカセット載
置台２０上のカセットＣにアクセスして，そのカセット
Ｃから処理前のウエハＷを１枚取り出す。その後ウエハ
搬送体２１は，処理ステーンション１１側の第３の処理
装置群Ｇ₃の多段装置内に配置されているアライメント
装置ＡＬＩＭまで移動し，当該アライメント装置ＡＬＩ
Ｍ内にウエハＷを搬入する。

【００４４】そして当該アライメント装置ＡＬＩＭにお
いてウエハＷのオリフラ合わせおよびセンタリングが終
了すると，主ウエハ搬送手段２２は，アライメントが完
了したウエハＷを受け取り，前記アライメント装置ＡＬ
ＩＭの下段に位置するアドヒージョン装置ＡＤの前まで
移動して，装置に前記ウエハＷを搬入する。次いで第３
の処理装置群Ｇ₃または第４の処理装置群Ｇ₄の多段装置
に属するクーリング装置ＣＯＬへ搬入する。このクーリ
ング装置ＣＯＬ内で前記ウエハＷはレジスト塗布処理前
の設定温度，例えば２３℃まで冷却される。

【００４５】冷却処理が施されたウエハＷは，主ウエハ
搬送手段２２によってクーリング装置ＣＯＬから搬出さ
れ，第１の処理装置群Ｇ₁の多段装置に属するレジスト
処理装置ＣＯＴ₁へ搬入される。このレジスト処理装置
ＣＯＴ₁内で，ウエハＷはスピンコート法によって，そ
の表面に一様な膜厚のレジスト膜が形成される。

【００４６】レジスト塗布処理が施されたウエハＷは，
主ウエハ搬送手段２２によって前記レジスト処理装置Ｃ
ＯＴ₁から搬出され，以下各処理装置において所定の処
理が施されていく。このようにして所定の処理が終了し
たウエハＷは，ウエハ搬送体２１によって載置台２０上
の処理済みウエハ収容用のカセットＣ内に収納される。

【００４７】ところでウエハＷの表面に形成されるレジ
スト膜の膜厚は温度に敏感である。このため図４，５に
示すように，レジスト処理装置ＣＯＴ₁，ＣＯＴ₂の内部
には温度が調整されたダウンフローが形成されるととも
に，ノズル６６，７６から供給されるレジスト液そのも
のも温度管理がなされている。さらにレジスト処理装置
ＣＯＴ₁，ＣＯＴ₂においては，ポストベーキング装置Ｐ
ＯＢＡＫＥやプリベーキング装置ＰＲＥＢＡＫＥ側に，
排気管８１が設けられており，この排気管８１によっ
て，ポストベーキング装置ＰＯＢＡＫＥやプリベーキン
グ装置ＰＲＥＢＡＫＥからの熱を遮断することができ
る。したがって，図１，６に示すように，ポストベーキ
ング装置ＰＯＢＡＫＥやプリベーキング装置ＰＲＥＢＡ
ＫＥが属する第３の処理装置群Ｇ₃をレジスト処理装置
ＣＯＴ₁，ＣＯＴ₂が属する第１の処理装置群Ｇ₁に近接
配置しても，所定の膜厚のレジスト液塗布処理を施すこ
とが可能である。また，このように第１の処理装置群Ｇ
₁と第３の処理装置群Ｇ₃の近接配置が可能であるから，
塗布現像処理システム１全体のコンパクト化も実現され
ている。

【００４８】さらに，図４〜６に示すように，レジスト
処理装置ＣＯＴ₁内の雰囲気を排気管８１へ排気するた
めの排気導入口６８は，ウエハＷの搬入出口６９に対し
て下方に設けられているために，少なくとも前記搬入出
口６９の下方の雰囲気は前記搬入出口６９から装置外へ
漏出することなく，レジスト処理装置ＣＯＴ₁内に形成
されるダウンフローによって下方に導かれ，前記排気導
入口６８から排気される。したがってレジスト処理装置
ＣＯＴ₁内のレジスト液を含んだ雰囲気によって，塗布
現像処理システム１内の雰囲気が汚染されることはな
く，例えば前記主ウエハ搬送手段２２に保持されている
ウエハＷなどに影響を与えることはない。また逆に搬入
出口６９からパーティクル等が侵入しても，このパーテ
ィクルをレジスト処理装置ＣＯＴ₁内のダウンフローに
よって，直ちに排気導入口６８から排気管８１へ排出す
ることができる。また，上記のレジスト処理装置ＣＯＴ
₁の場合と同様に，レジスト処理装置ＣＯＴ₂における排
気導入口７８も搬入出口７９の下方に設けられているた
めに，レジスト処理装置ＣＯＴ₂内の雰囲気が前記ケー
シング７１外に漏出することも抑えられる。

【００４９】そして前記排気管８１は，図４，６に示す
ように，上下方向に連通されているために，レジスト処
理装置ＣＯＴ₁，ＣＯＴ₂の内部の雰囲気の排気経路は一
本化され，排気経路の単純化が図れる。また排気管８１
が直線状に形成されているために，前記レジスト処理装
置ＣＯＴ₁，ＣＯＴ₂の内部の雰囲気を淀みなく円滑に排
気することができる。

【００５０】上述したレジスト処理装置ＣＯＴ₁，ＣＯ
Ｔ₂の内部の雰囲気は排気管８１，導入管５０を経由し
て前記フィルタ装置１０１へ導入され，当該フィルタ装
置１０１において気液接触により清浄化されると共に，
温湿度が調整され，前記塗布現像処理システム１内の壁
ダクト４６へ送出される。当該壁ダクト４６へ送出され
た空気は天井チャンバ４７と高性能フィルタ３１を介し
て塗布現像処理システム１内にダウンフローとして吐出
されるとともに，壁ダクト４６に連通されたサブチャン
バ６２，７２と，それぞれの下方に設けられた高性能フ
ィルタ６３，７３を経由して，前記ケーシング６１，７
１内へダウンフローとして吐出される。このようにレジ
スト処理装置ＣＯＴ₁，ＣＯＴ₂内の雰囲気は工場排気系
へと排気されることなく循環再利用されるために，工場
排気系への負担を軽減できるため，排気回収にかかるコ
ストの削減が図れる。また前記塗布現像処理システム１
へ新たに供給する空気量を節約することができる。

【００５１】前記ケーシング６１内の下方にはセパレー
タ６４が，また当該ケーシング６１内の処理容器ＣＰの
底部にはセパレータ６７が設けられている。前記ケーシ
ング６１内の雰囲気中に，仮に大量のレジスト液が含ま
れていたとしても，当該セパレータ６４，６７によって
気体と液体に分離されるために，前記フィルタ装置１０
１へは，レジスト液などの液体成分がほとんど含まれて
いない空気を導入させることができる。

【００５２】同様に前記ケーシング７１内の下方にはセ
パレータ７４が，また当該ケーシング７１内の処理容器
ＣＰの底部にはセパレータ７７が設けられている。前記
ケーシング７１内の雰囲気中に，仮に大量のレジスト液
が含まれていたとしても，当該セパレータ７４，７７に
よって気体と液体に分離されるために，前記フィルタ装
置１０１へは，レジスト液などの液体成分がほとんど含
まれていない空気を導入させることができる。したがっ
て前記フィルタ装置１０１への負担は軽減されるため，
気液接触による不純物除去処理を効率よく施すことがで
きる。

【００５３】前記したレジスト処理装置ＣＯＴ₁，ＣＯ
Ｔ₂から排気された雰囲気は，排気管８１を経由して塗
布現像処理システム１の外部へダイレクトに送出される
ために，前記塗布現像処理システム１の内部に形成され
る清浄なダウンフローを乱すことはない。

【００５４】前記レジスト処理装置ＣＯＴ₁，ＣＯＴ₂か
ら排気された雰囲気は前記フィルタ装置１０１へ導入さ
れる前に，再度，気液分離が施されるようにしてもよ
い。すなわち図８に示すように，排気管８１と，フィル
タ装置１０１に接続されている導入管５０との間にプレ
フィルタ装置２０１が配置されるようにしてもよい。当
該プレフィルタ装置２０１は不織布などで構成してもよ
いし，慣性衝突させて液体成分を除去するための複数の
フィンを交互に配置する構成としてもよい。

【００５５】前記プレフィルタ装置２０１によれば，排
気管８１を経由して送出される前記レジスト処理装置Ｃ
ＯＴ₁，ＣＯＴ₂内の雰囲気に含まれるレジスト液などの
液体成分は十分に除去されるため，その後のフィルタ装
置１０１への負担はより一層軽減され，不純物除去効率
の更なる向上が図れる。したがって当該フィルタ装置１
０１のメンテナンスサイクルが長くなると共に，前記塗
布現像処理システム１の内部の雰囲気を，長期にわたり
清浄かつ好適な温湿度環境に維持できる。

【００５６】以上の実施の形態においては，第１の処理
装置群Ｇ₁を構成するレジスト処理装置ＣＯＴ₁，ＣＯＴ
₂の内部に排気管８１を設けた場合に即して説明してい
るが，第２の処理装置群Ｇ₂に属する現像処理装置ＤＥ
Ｖ₁，ＤＥＶ₂に排気管を設けて，ベーキング装置からの
熱の影響を遮断させるようにしてもよい。また現像処理
装置ＤＥＶ₁，ＤＥＶ₂内の雰囲気は，前記レジスト処理
装置ＣＯＴ₁，ＣＯＴ₂と同様に，前記フィルタ装置１０
１において清浄化するようにしてもよいし，工場排気系
（図示せず）へ排気させるようにしてもよい。さらに本
実施の形態においては，レジスト処理装置ＣＯＴ₁，Ｃ
ＯＴ₂および現像処理装置ＤＥＶ₁，ＤＥＶ₂はそれぞれ
２段に積み重ねらた構成となっているが，これに限ら
ず，レジスト処理装置と現像処理装置とを上下に組み合
わせて積み重ねるようにしてもよい。なお被処理基板は
上述の半導体ウエハに限らず，ＬＣＤ基板やＣＤ基板な
どであってもよい。

【００５７】

【発明の効果】請求項１〜３の処理システムによれば，
熱処理装置から液処理装置への熱的影響を排気ダクトに
よって遮断できるために，熱処理装置と液処理装置の近
接配置が可能となり，当該処理システム全体のコンパク
ト化が図れる。

【００５８】特に請求項２の処理システムによれば，液
処理装置内の雰囲気が，搬入出口から装置外へ漏出する
ことを抑えることが可能である。これによって当該液処
理装置内の雰囲気は，排気ダクトによって効率よく排気
されるとともに，仮に液処理装置内の雰囲気に不純物が
含まれていても，前記液処理装置外の雰囲気に影響を与
えることはない。また逆に，搬入出口からパーティクル
等が侵入しても，直ちに排気導入口から排出できる。し
たがってスループットが向上する。

【００５９】さらに請求項３の処理システムによれば，
当該液処理装置内の雰囲気の排気を円滑に行うことが可
能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態にかかる塗布現像処理シス
テムの平面から見た説明図である。

【図２】図１の塗布現像処理システムの正面から見た説
明図である。

【図３】図１の塗布現像処理システムの背面から見た説
明図である。

【図４】図１の塗布現像処理システムの内部を示す縦断
面の説明図である。

【図５】図１の塗布現像処理システムに内設されるレジ
スト処理装置の内部を示す縦断面の説明図である。

【図６】図１の塗布現像処理システムに内設される第１
の処理装置群と第３の処理装置群の斜視図である。

【図７】図５のレジスト処理装置に用いたフィルタ装置
の内部を示す縦断面の説明図である。

【図８】図５のレジスト処理装置に用いたプレフィルタ
装置の配管系の説明図である。

【符号の説明】

１ 塗布現像処理システム ２２ 主ウエハ搬送手段 ６８，７８ 排気導入口 ６９，７９ 搬入出口 ８１ 排気管 ＣＯＴ₁，ＣＯＴ₂ レジスト処理装置 ＤＥＶ₁，ＤＥＶ₂ 現像処理装置 ＰＯＢＡＫＥ ポストベーキング装置 ＰＲＥＢＡＫＥ プリベーキング装置 Ｗ ウエハ

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被処理基板に対して所定の液を供給して
   当該被処理基板に処理を施す液処理装置と、被処理基板
   に対して熱処理を施す熱処理装置とを備えた処理システ
   ムにおいて、 前記液処理装置内の雰囲気の排気ダクトが、当該液処理
   装置における前記熱処理装置側に配置されたことを特徴
   とする、処理システム。
2. 【請求項２】 被処理基板に対して所定の液を供給して
   当該被処理基板に処理を施す液処理装置と、被処理基板
   に対して熱処理を施す熱処理装置と、これら液処理装置
   および熱処理装置に対して被処理基板を搬入出自在な搬
   送機構を備えた処理システムにおいて、 前記液処理装置内にはダウンフローが形成され、 前記液処理装置内の雰囲気を下方へと排気するための排
   気ダクトが、当該液処理装置における前記熱処理装置側
   に配置され、 前記排気ダクトにおける前記液処理装置内に通ずる排気
   導入口は、前記搬送機構によって被処理基板を前記液処
   理装置に搬入出するための搬入出口よりも下方に設けら
   れたことを特徴とする、処理システム。
3. 【請求項３】 液処理装置は多段に積み重ねられ、各液
   処理装置の排気ダクトは上下方向に連通していることを
   特徴とする、請求項１または２に記載の処理システム。