JPH1137974A - 粒子組成分析装置 - Google Patents
粒子組成分析装置Info
- Publication number
- JPH1137974A JPH1137974A JP9192458A JP19245897A JPH1137974A JP H1137974 A JPH1137974 A JP H1137974A JP 9192458 A JP9192458 A JP 9192458A JP 19245897 A JP19245897 A JP 19245897A JP H1137974 A JPH1137974 A JP H1137974A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- particles
- particle
- composition
- analysis
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 222
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 79
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 59
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims abstract description 18
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 10
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 abstract description 47
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 6
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 5
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 238000000816 matrix-assisted laser desorption--ionisation Methods 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Spectrometry And Color Measurement (AREA)
- Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
ン分析を行うことができる粒子組成分析装置を提供す
る。 【解決手段】 チャンバー4内での粒子の組成分析を行
うために、粒子発生源2と連通したチャンバー4と、チ
ャンバー内の粒子を検出する検出手段(光検出器1
6’)と、検出手段で検出した検出粒子にプローブビー
ムを照射するプローブ(励起用パルスレーザー光源1
4’)と、プローブビームの照射により放出される信号
粒子を検出する組成検出手段(質量分析装置17’)と
を備えた構成とし、検出粒子から得られる信号粒子を組
成分析することによって、粒子発生源の粒子の組成分析
を行う。これによって、組成分析機構を備えたチャンバ
ーを粒子発生源に設け、このチャンバー内の粒子を組成
分析する構成とし、粒子のインライン分析を行う。
Description
に関し、特に粒子の発生源に組み込み、インラインで粒
子の組成分析を行う粒子組成分析装置に関する。
合があり、特に、半導体製造装置内では例えば、0.1
μm以下の微粒子が問題となる。半導体製造中に発生す
る粒子はダストとなり、半導体の精度や生産性に影響を
与えることになる。粒子の発生を防止し、プロセスの歩
留まりを向上させるためには、発生した粒子の存在を検
出するだけでなく、粒子の組成を知り、粒子の発生源を
求めることが必要となる。
であるため、従来では粒子の存在を検出するか、あるい
はサンプリングした粒子を他の場所に設置した分析装置
で組成分析を行うという、いわゆるオフライン分析を行
っている。
では、組成分析装置は粒子の発生源となっている装置と
分離しているため、サンプリングした粒子を組成分析装
置に移動させてセットする必要があり、組成分析ための
操作が煩雑となるという問題があり、また、粒子のサン
プリングと組成分析との間に時間的ずれが発生し、迅速
な対応が困難であるという問題がある。
分析装置の持つ問題点を解決し、発生した粒子を直接に
組成分析するインライン分析を行うことができる組成分
析装置を提供することを目的とする。
置は、組成分析機構を備えたチャンバーを粒子発生源に
設け、このチャンバー内の粒子を組成分析する構成であ
り、これによって粒子のインライン分析を行うものであ
る。
内での粒子の組成分析を行うために、粒子発生源と連通
したチャンバーと、チャンバー内の粒子を検出する検出
手段と、検出手段で検出した検出粒子にプローブビーム
を照射するプローブと、プローブビームの照射により放
出される信号粒子を検出する組成検出手段とを備えた構
成とし、検出粒子から得られる信号粒子を組成分析する
ことによって、粒子発生源の粒子の組成分析を行う。
の粒子発生源と連通して接続され、粒子発生源で発生し
た粒子を、粒子発生源が駆動した状態でチャンバー内部
に導入することができる。粒子発生源からチャンバーへ
の粒子の導入は、排気系や集塵系を介して行うことがで
きる。チャンバーは、粒子発生源と排気ポンプとの間に
配置した配管、あるいは粒子発生源と連結する密閉室を
用いて構成することができる。
における粒子の位置、あるいは特定位置に粒子が到達し
たことを検出し、この検出に基づいて検出粒子にプロー
ブ照射を行わせる手段であり、チャンバー内にレーザー
光を照射するレーザー光源、および粒子による散乱光を
検出する光検出器を備えた構成とすることができ、光検
出器として、2次元CCDあるいは1次元CCD等のイ
メージセンサーを用いることができる。
にプローブビームを照射し、検出粒子から信号粒子を放
出させる手段であり、レーザー光、あるいは電子やイオ
ンや中性粒子等の粒子ビームを用いることができる。レ
ーザー光を照射された粒子はイオン化され、粒子の組成
に基づくイオンが信号粒子として放出され、組成検出手
段によって検出され組成分析が行われる。
粒子を入射して、その組成を検出する手段であり、質量
分析装置や光スペクトル検出器を用いることができ、質
量分析装置として飛行時間分解型質量分析装置を用いる
ことができる。
発生源で発生した粒子を連通するチャンバー内に導き、
検出手段によって粒子を検出し、その位置を求める。求
めた検出粒子に対してプローブを照射して、粒子から信
号粒子を放出させる。この信号粒子を組成検出手段で検
出し、信号粒子の組成を分析する。この信号粒子の組成
分析によって、粒子発生源で発生した粒子の組成を分析
することができる。なお、粒子を検出する検出手段によ
って、チャンバー内における粒子位置の他に、粒子径や
個数を求めることもできる。
て、粒子を検出する検出手段による粒子の位置検出を省
略し、プローブビームを照射するプローブと、プローブ
ビームの照射により放出される信号粒子を検出する組成
検出手段とによって構成することもできる。この場合に
は、プローブビームによって照射される粒子が存在する
時のみ粒子の組成分析を行うことができる。
発生源と組成分析装置が近接しているため、サンプリン
グした粒子を組成分析装置に移動させてセットする必要
がなく、組成分析ための操作が容易となる。また、粒子
の検出と組成分析との間に時間的ずれが実質的に無いた
め、迅速な対応が可能となる。
参照しながら詳細に説明する。本発明の実施の形態の構
成例について、図1,2の本発明の粒子組成分析装置の
実施形態を説明する概略ブロック線図を用いて説明す
る。なお、図1は、粒子発生源として半導体製造装置の
場合について、検出粒子をレーザー光でイオン化して質
量分析系で分析検出する構成を示している。
子発生源2と粒子の導入ができるように連結される。粒
子発生源2は、例えば半導体製造装置21およびその排
気系21又は集塵系22であり、半導体製造装置21で
発生した粒子は排気系21又は集塵系22で集められ
て、粒子組成分析装置1に導入される。粒子組成分析装
置1は、導入した粒子を検出し位置を同定する粒子検出
系11と、検出した粒子の組成分析を行うための粒子分
析系12を備え、排気ポンプ3で外部に排気される。
13から散乱用レーザー光が照射され、粒子で散乱され
た散乱光は散乱光検出系15および位置検出系16で検
出される。散乱光検出系15は粒子の個数やサイズを検
出するための検出手段を備え、位置検出系16は粒子の
位置を同定するための検出手段を備える。
ザー光源14からイオン化励起用レーザー光が照射さ
れ、イオン化されたイオン等の信号粒子は質量分析系1
7等の組成検出手段で検出される。イオン化励起用レー
ザー光の照射は、位置検出系16の検出信号に基づいて
行う。これによって、移動中の粒子に対してイオン化励
起用レーザー光を照射することができる。
代えて、電子やイオンや中性粒子等の粒子ビームを照射
するプローブ源を用いることもでき、また、組成検出手
段として質量分析系に代えて光スペクトル検出器を用い
ることもできる。上記構成により、半導体製造装置21
中で発生した粒子は、排気系又は集塵系22,粒子検出
系11,粒子分析系12,および排気ポンプ3で形成さ
れる流路を通過する間に、位置が同定され、該同定され
た粒子の組成検出を行うことができる。
構成図である。また、図1と同様に、検出粒子をレーザ
ー光でイオン化して質量分析系で分析検出する構成を示
している。図2において、粒子組成分析装置1は、粒子
発生源2と連通するとともに、図示しない排気ポンプで
排気が行われる配管4を接続している。配管4におい
て、上流側に粒子検出系11を設け、下流側に粒子分析
系12を設ける。
射する散乱用レーザー光源13と、照射されたレーザー
光を配管内で往復させるミラー18と、粒子の個数およ
びサイズを検出するための散乱光系15の光検出器1
5’と、粒子5aの位置を同定するための位置検出系1
6の光検出器16’を備える。散乱光系15の光検出器
は、配管を通過する粒子の総数およびサイズを検出する
フォトマルチプライヤーであるのに対して、位置検出系
16の光検出器16’は視野が限定された粒子位置同定
用のフォトマルチプライヤーである。フォトマルチプラ
イヤーとして、2次元CCDあるいは1次元CCD等の
イメージセンサーを用いることもできる。
検出器15’,16’は必ずしも同一粒子を検出する必
要はない。また、散乱光系15と位置検出系16を一つ
の光検出器で検出する構成とすることもできる。なお、
位置検出系16の光検出器16’によって粒子位置を同
定し、イオン化のためのレーザー光を検出粒子に照射す
るためには、2個所以上で位置検出を行って速度ベクト
ルを求める必要があるが、図示するような配管によっ
て、排気ガスの流れに直線部分を形成して、排気ガス流
の速度を実質的に一定することによって、1個所のみの
測定で粒子位置の同定を行うことができる。また、ミラ
ー18は粒子の検出確率を高めるための構成であり、粒
子の密度によっては省略した構成とすることもできる。
化するためのパルスレーザー光を照射する励起用パルス
レーザー光源14’と、イオン化された信号粒子を検出
して質量検出を行う質量分析装置17’と、信号粒子を
質量分析装置17’に導くための引き出し電極19を備
える。励起用パルスレーザー光源14’が発するパルス
レーザー光のパワー密度は、例えば、1011J/cm2
・sec程度以上の、粒子をイオン化するの十分なエネル
ギーとする。
出粒子に応じて任意位置とすることができるが、位置検
出系16の光検出器16’の検出信号によってパルスレ
ーザー光の照射位置を制御することは装置を複雑化する
ため、特定位置に固定することが望ましい。従って、位
置検出系16の光検出器16’によって粒子位置を同定
し、位置信号(図中の破線)を下流側の励起用パルスレ
ーザー光源14’に送信し、検出粒子が特定の照射位置
に到達する時刻にパルスレーザー光を照射して、検出粒
子をイオン化し組成検出を行う。
気ガスとの間で多数回の衝突を起こすような条件では、
粒子の移動速度は排気ガスの流速との間に大きな相関関
係がある。例えば、直径20mmの配管を300リット
ル/分の速度で排気する場合には、排気ガスの流速は毎
秒16mm程度の速度となる。したがって、粒子位置を
同定した後、1msec程度の間隔でイオン化用のレー
ザー光を照射すると、16mm程度移動した位置に照射
することになる。このとき、流れと直角方向の成分が排
気ガスの流速の100分の1程度であるとすると、直線
移動したとして求めた推定位置から0.3mm径の円内
に粒子は存在することになる。したがって、照射するイ
オン用のレーザー光を0.2から0.3mmに絞れば、
粒子全体又は一部を容易にイオン化することができる。
なお、レーザー光による物質のイオン化技術は、レーザ
ースパッタ装置やMALDI質量分析装置等で既知の技
術である。
量分析装置を用いることができる。この組成分析では、
分析対象が粒子であり、連続的にイオン化されないこ
と、平均組成だけでなく粒子毎の組成分析が可能である
こと等から、同時分析が可能な質量分析装置が求めら
れ、比較的小型で簡易な構成の飛行時間分解型質量分析
装置はこのような質量分析装置として適合するものであ
る。
9によって、飛行時間分解型質量分析装置17’のフラ
イトチューブに導かれ、飛行時間から質量が決定され
る。なお、フライトチューブとしては初期のエネルギー
分布を吸収ためにリフレクトロンが望ましいが、これに
限定されるものではない。また、セクターマグネットと
位置検出センサを組み合わせた質量分析装置を用いるこ
ともできる。
分析系との関係を説明する。なお、図3は排気ガスの流
速が一定と仮定した場合の説明図であり、図4は排気ガ
スの流速を検出する場合の説明図である。また、図3,
4において、粒子は図中の左方から右方に向かって流
れ、粒子検出系の検出器と粒子分析系のレーザー照射位
置との距離はLとする。
と、検出器は時刻aにおいて粒子5aの通過を検出する
と、検出器とレーザー照射位置との距離Lを流速sで除
したL/sの時間が経過した時刻bに、検出器で検出し
た同じ粒子5bがレーザー照射位置に到達する。この時
点でパルスレーザー光を照射することにより、検出器で
検出した同じ粒子5bをイオン化することができる。
明であるとし、径Dを持つ散乱用レーザー光を照射する
ものとする。この場合には、粒子5aは時刻aにレーザ
ー光の照射領域に入り、時刻a’にレーザー光の照射領
域から出て通過する(図4中の粒子5a’)。検出器
は、各検出時刻a,a’を検出し、径Dと時刻aおよび
a’の時間間隔dtとから粒子の流速(D/dt)を求
め、検出器とレーザー照射位置との距離Lを求めた流速
(D/dt)で除したL/(D/dt)の時間が経過し
た時刻bにパルスレーザー光を照射する。このとき、検
出器で検出した同じ粒子5bはレーザー照射位置に到達
しており、照射されたパルスレーザー光によってイオン
化される。
12を設け、粒子の位置検出とイオン化の2段階で行う
場合であるが、粒子の位置検出を省略し、パルス照射を
粒子の飛来に無関係に行って、パルス照射時にその位置
に飛来した粒子の分析を行う構成とすることもできる。
分析装置のブロック構成図である。図5の粒子組成分析
装置は、前記図2に示した粒子検出系11を備えず、粒
子分析系12のみを備えた構成である。この構成におい
て、励起用パルスレーザー光源14からは、パルスレー
ザー光が粒子の存在と関係なく連続的に照射され、パル
ス照射時にその位置に存在する粒子をイオン化し分析を
行う。また、図6,7は、粒子発生源から導く粒子を実
質的に閉鎖された空間内で組成分析を行う場合の構成例
である。
生源2に連通させて接続し、密閉チャンバー6内に粒子
検出系11と粒子分析系12を設ける。図2に示した構
成例と同様に、粒子検出系11は散乱用レーザー光源1
3と検出器16を備え、粒子分析系12は励起用パルス
レーザー光源14’と質量分析装置17’を備える。ま
た、図6の構成では、粒子の速度ベクトルを一定方向に
向かわせるために、電極20を配置する。密閉チャンバ
ー6内の粒子は、この電極20によって一定方向の速度
ベクトルを持つことになり、前記構成同様に組成分析を
行うことができる。
を備える粒子組成分析装置を密閉チャンバーに適用した
例である。図7において、密閉チャンバー6を粒子発生
源2に連通させて接続し、密閉チャンバー6内に粒子分
析系12のみ設ける。図5に示した構成例と同様に、粒
子分析系12は励起用パルスレーザー光源14’と質量
分析装置17’を備え、図6で示した構成例と同様に、
粒子の移動を制限する電極20を配置する。密閉チャン
バー6内の粒子は、この電極20によって、所定位置で
の停止、あるいは一定方向の速度ベクトルのよる移動や
往復運動を行う。これによって、前記構成同様に組成分
析を行うことができる。
光を共通のレーザー光とすることも可能であるが、散乱
用レーザー光は連続使用であり、励起用レーザー光はパ
ルス使用であるため、別個のレーザー光の使用が適当で
ある。また、励起用レーザー光による強い発光から粒子
位置検出用の検出器を保護するために、粒子位置検出用
の検出器にシャッタ機構を設け、励起用レーザー光の照
射と同期してシャッタ機構を閉じる構成とすることがで
きる。
分析装置によれば、発生した粒子を直接に組成分析する
インライン分析を行うことができる。
る概略ブロック線図である。
る。
一定と仮定した場合の説明図である。
検出する場合の説明図である。
備える構成のブロック構成図である。
た空間内で組成分析を行う場合の構成のブロック構成図
である。
た空間内で組成分析を行う場合の構成のブロック構成図
である。
プ、4…配管、5…粒子、6…閉鎖チャンバー、11…
粒子検出系、12…粒子分析系、13…散乱用レーザー
光源、14…イオン化励起用レーザー光源、14’…励
起用パルスレーザー光源、15…散乱光検出系、15’
…光検出器、16…位置検出系、16’…光検出器、1
7…質量分析系、17’…質量分析装置、18…ミラ
ー、19…引き出し電極、20…電極。
Claims (1)
- 【請求項1】 粒子発生源と連通したチャンバーと、チ
ャンバー内の粒子を検出する検出手段と、前記検出粒子
にプローブビームを照射するプローブと、前記プローブ
ビームの照射により放出される信号粒子を検出する組成
検出手段とを備え、検出粒子から得られる信号粒子を組
成分析することによって、粒子発生源の粒子の組成分析
を行うことを特徴とする粒子組成分析装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9192458A JPH1137974A (ja) | 1997-07-17 | 1997-07-17 | 粒子組成分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9192458A JPH1137974A (ja) | 1997-07-17 | 1997-07-17 | 粒子組成分析装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1137974A true JPH1137974A (ja) | 1999-02-12 |
Family
ID=16291643
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9192458A Pending JPH1137974A (ja) | 1997-07-17 | 1997-07-17 | 粒子組成分析装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1137974A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007309895A (ja) * | 2006-05-22 | 2007-11-29 | Univ Nagoya | 粒子分析装置 |
KR20090024624A (ko) * | 2007-09-04 | 2009-03-09 | 소니 가부시끼가이샤 | 광조사 장치, 미립자 해석 장치 및 광조사 방법 |
WO2014141994A1 (ja) * | 2013-03-15 | 2014-09-18 | 国立大学法人 東京大学 | 粒子分析方法及び粒子分析装置 |
JP2019052982A (ja) * | 2017-09-15 | 2019-04-04 | 株式会社島津製作所 | 菌体量測定装置、分析装置および菌体量測定方法 |
KR20190120124A (ko) * | 2019-10-15 | 2019-10-23 | 광주과학기술원 | 초미세입자의 크기-성분 측정 장치 및 크기-성분 측정 방법 |
-
1997
- 1997-07-17 JP JP9192458A patent/JPH1137974A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007309895A (ja) * | 2006-05-22 | 2007-11-29 | Univ Nagoya | 粒子分析装置 |
KR20090024624A (ko) * | 2007-09-04 | 2009-03-09 | 소니 가부시끼가이샤 | 광조사 장치, 미립자 해석 장치 및 광조사 방법 |
JP2009063305A (ja) * | 2007-09-04 | 2009-03-26 | Sony Corp | 光照射装置、微粒子解析装置及び光照射方法 |
US7782512B2 (en) | 2007-09-04 | 2010-08-24 | Sony Corporation | Light irradiation device, fine particle analyzing apparatus, and light irradiation method |
WO2014141994A1 (ja) * | 2013-03-15 | 2014-09-18 | 国立大学法人 東京大学 | 粒子分析方法及び粒子分析装置 |
JP2019052982A (ja) * | 2017-09-15 | 2019-04-04 | 株式会社島津製作所 | 菌体量測定装置、分析装置および菌体量測定方法 |
KR20190120124A (ko) * | 2019-10-15 | 2019-10-23 | 광주과학기술원 | 초미세입자의 크기-성분 측정 장치 및 크기-성분 측정 방법 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4145651B2 (ja) | 空気中のバイオエアロゾル粒子を検出して同定する方法および装置 | |
Carson et al. | On-line chemical analysis of aerosols by rapid single-particle mass spectrometry | |
US4733073A (en) | Method and apparatus for surface diagnostics | |
JP5531219B2 (ja) | エアロゾル粒子のサイズおよび化学組成のリアルタイム測定システムおよび方法 | |
US4383171A (en) | Particle analyzing method and apparatus | |
US6040574A (en) | Atmospheric-particle analyzer | |
US5545304A (en) | Ion current detector for high pressure ion sources for monitoring separations | |
US5164592A (en) | Method and apparatus for mass spectrometric analysis | |
JPH06186157A (ja) | 微粒子分析装置および微粒子分析方法 | |
US5631462A (en) | Laser-assisted particle analysis | |
JPH1137974A (ja) | 粒子組成分析装置 | |
JPS6355846A (ja) | 二次中性粒子質量分析装置 | |
JPH0830695B2 (ja) | 液体クロマトグラフ・質量分析装置 | |
JP3384063B2 (ja) | 質量分析方法および質量分析装置 | |
JP2640935B2 (ja) | 表面の検査方法および装置 | |
JP2007309895A (ja) | 粒子分析装置 | |
WO1996031900A1 (en) | A method and device for the analysis of the chemical composition of particles | |
JPH1114571A (ja) | 光イオン化質量分析装置 | |
US6847035B2 (en) | Devices and methods for the detection of particles | |
NL2027583B1 (en) | A time-of-flight mass spectrometer device | |
CN116403883A (zh) | 一种单个细胞的质谱检测装置和方法 | |
JPH0589823A (ja) | 質量分析計 | |
JPH03291559A (ja) | レーザイオン化中性粒子質量分析装置 | |
JPH1040858A (ja) | レーザー脱離イオン化質量分析装置 | |
Sinha | Laser-induced volatilization and ionization of aerosol particles for their mass spectral analysis in real time |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040405 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050916 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051110 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060529 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20061017 |