JPH11224970A

JPH11224970A - 光電子装置コンポーネントの電気的分離

Info

Publication number: JPH11224970A
Application number: JP10318842A
Authority: JP
Inventors: Joseph Alan Dr Barnard; ジョセフ・アラン・バーナード
Original assignee: Hewlett Packard Co
Current assignee: HP Inc
Priority date: 1997-11-11
Filing date: 1998-11-10
Publication date: 1999-08-17
Anticipated expiration: 2018-11-10
Also published as: DE69721272T2; JP4763867B2; DE69721272D1; CA2247560A1; EP0917260B1; US6191464B1; EP0917260A1

Abstract

(57)【要約】【課題】集積光電子部品を電気的に分離する便利で経済
的な手段を提供する。【解決手段】集積光電子装置(101)は、同じ基板(106)上
に製作された分布帰還型レーサ゛ータ゛イオート゛(102)と電子吸収
変調器(104)から構成される。レーサ゛ータ゛イオート゛と変調器
は、電気的分離領域(118)によって分離され、導波路(11
4)によってこの分離領域を横切って光学的に結合され、
コンホ゜ーネント(102、104)を動作させるようにオーム接点(124、12
8;126、130)が形成される3元キャッフ゜層(116)によって覆わ
れている。このキャッフ゜層(116)は、分離領域(118)内のキャッ
フ゜層(116)を接地させ、これによって、レーサ゛ータ゛イオート゛(10
2)と変調器(104)とを互いに電気的に分離するために、
接地接触(140、142、146)がなされる分離領域(118)まで延
びている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、一般に、２つ以上
の活性領域が、例えば、導波路によって光学的に結合さ
れている、集積光電子装置内におけるコンポーネントの
電気的分離に関するものである。本発明は、とりわけ、
光ファイバ遠隔通信リンクのためのモノリシック集積光
電子送信装置における分布帰還形（ＤＦＢ）レーザーダ
イオードと電子吸収（electro-absorption（ＥＡ））変
調器の分離に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】光電子集積化によって、低コストで、信
頼できる、コンパクトなコンポーネント、温度及び機械
的安定性の改善、及び、コンポーネント間の確実なアラ
イメントが可能になる。光ファイバ通信用の送信装置の
分野において、例えば、埋め込みヘテロ構造またはリッ
ジストライプ（ridge stripe）をなす、変調器を備えた
レーザーダイオードの集積化は、何年も前に実現され
た。例えば、ＧａＡｓから製作された装置に関連した、
Appl. Phys. Lett., vol. 22, pp242-243, 1986におけ
るS.Tarucha及びH.Okamotoによる論文を参照されたい。
今日では、１．５５μｍにおける動作を実現するため、
こうした集積光電子送信装置は、通常、ｐ⁺⁺のＧａＩｎ
Ａｓ三元層（ternary layer）すなわちキャップ層がか
ぶせられたｐ⁺のＩｎＰ活性層を含むいくつかの層が成
長させられる、ｎ⁺⁺のＩｎＰ基板から成長したウェーハ
上に製作される。キャップ層は、比較的抵抗が小さく、
従って、電気接触を行うことが可能な接触層の働きをす
る。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】理想的には、レーザー
ダイオードから出力される光は、安定した波長及び強度
を備えているべきである。しかし、こうした構造の集積
化された性質及びコンポーネントの物理的近接性のた
め、レーザーダイオードと変調器間における電気抵抗
（本明細書では、分離抵抗と呼ぶ）は、ｐ接触材料の導
電率及び接触部の分離距離に応じて、約１〜１０ｋΩに
なる。従って、変調器の変調に用いられる電気信号がレ
ーザーダイオードに悪影響を及ぼして、波長及び／また
は強度のシフトを生じさせる可能性がある。従って、分
離抵抗は、少なくとも数１００ｋΩ、できれば、数ＭΩ
まで増大させる必要がある。

【０００４】この電気的分離の問題を取り扱うため、い
くつかのアプローチが提案されている。アプローチの１
つは、三元キャップ層にエッチングを施すことである。
これによって、分離抵抗だけが約１０〜２０ｋΩに増大
する。こうしたエッチングは、レーザーダイオードと変
調器間の光導波路の妨げにはならないが、これは、不十
分な分離である。

【０００５】十分な分離を実現する方法の１つが、Jour
nal of Lightwave Technology,vol.6,pp.779-785におけ
るM.Suzukiらによる論文に開示されている。エッチング
によってキャップ層と活性層の両方を除去することによ
り、分離領域が、ＤＦＢレーザーダイオードとＥＡ変調
器の間にストライプ状に形成される。次に、活性層のギ
ャップに、ＳｉＮパッシベーション薄膜（passivating
SiN film）及びポリイミドが充填される。２．５ＭΩの
比較的大きい分離抵抗が得られるが、このアプローチ
は、レーザーダイオードと変調器の間の光導波路に食い
込んで、装置の光学効率に悪影響を及ぼしたり、あるい
は、望ましくない内部反射により、コンポーネント間の
結合を弱めたりする可能性が生じるという欠点がある。

【０００６】キャップ層及び活性層をエッチングで除去
することなく、また、装置の光学性能に悪影響を及ぼす
ことなく、高度の電気的分離を実現するもう１つの方法
は、レーザーダイオードと変調器の間の領域への深いプ
ロトン注入を利用することである。M.Aoki及びH.Sano
が、「OFC' 95 Optical Fiber Communication, Summari
es of Papers Presented at the Conference on Optica
l Fiber Communication,vol. 8,pp25-26, pub. Optical
Society of America 1995」において、この技法によっ
て、１ＭΩを超える電気的分離を実現することが可能で
あると報告している。このアプローチは、１０ＭΩまで
の分離抵抗を実現することが可能であると信じられてい
る。しかし、こうした集積光電子装置の製作に関連した
他のプロセスステップには、こうしたプロトンまたはイ
オンの注入を必要とするものがなく、従って、このアプ
ローチでは、追加品目となる極めて高価な生産装置に投
資する必要が生じる。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、同じ基
板に製作された少なくとも２つの光電子コンポーネント
からなる集積光電子装置が得られる。コンポーネントの
２つは、電気的分離（絶縁）領域によって分離され、導
波路によって分離領域を横切って光学的に結合され、こ
れらのコンポーネントを動作させるためにオーム接点
（ohmic contact）が形成される接触層によって被われ
ているが、この接触層が、分離領域の接触層を接地（ア
ース）させ、これによって、２つのコンポーネントを電
気的に互いに分離するための、接地接触（grounding cn
tact）がなされる分離領域まで延びていることが特徴で
ある。

【０００８】こうして、接地接触によって、前記２つの
コンポーネントの一方から、前記コンポーネントのもう
一方の性能に悪影響を及ぼす可能性のある漂遊電流を排
出することが可能になる。コンポーネントの一方がレー
ザーダイオードであり、もう一方のコンポーネントが、
例えば、ＥＡ変調器のような、レーザーダイオードの出
力を変調するための変調器である場合、別の方法で絶え
ずバイアスをかけられているレーザーダイオードの波長
または強度のチャーピング（chirping）を阻止するた
め、変調周波数における漂遊変調電流を接地接触部に排
出することが可能である。

【０００９】一方のコンポーネントからもう一方のコン
ポーネントに電流が流れないようするのを容易にするた
め、接触層を少なくとも部分的に破壊または切断するこ
とが可能である。しかし、接触層は、前記２つのコンポ
ーネント間の分離領域において連続して延びていること
が望ましい。

【００１０】本発明の望ましい実施態様の場合、装置の
環境保護を施すため、パッシベーション層によって、キ
ャップ層が被覆される。パッシベーション層には、それ
を介して接触を行う接触ウィンドウを設けることが可能
である。

【００１１】一般に、集積装置は、例えば、基板、また
は、基板上に成長させられた層といった、接地面を備え
ている。多くの場合、装置は、基板が接地面になるよう
に製作される。これにより、キャップ層からの接地接触
を接地面に対して行うことが可能になる。基板に対して
接触ウィンドウが設けられる場合、好都合なことに、こ
のウィンドウを介して、接地面への接地接触を行うこと
が可能になる。しかし、例えば、ワイヤまたは、他の適
合する何らかの接地点（grounding point）によって、
接地接触を行うことも可能である。接地面は、必ずし
も、大地に対してゼロボルトである必要はなく、１つ以
上のコンポーネントから漂遊電流を排出するのに適し
た、コンポーネントに対する電位になる。しかし、少な
くとも１つのコンポーネントが、接地面によって接地さ
れる場合もあり得る。

【００１２】パッシベーション層が装置をおおって延び
る場合も多く、本発明の望ましい実施態様の場合、この
装置のパッシベーション層は、キャップパッシベーショ
ン層と連続している。さらに、基板に対するウィンドウ
は、接地面への便利な経路を設けるため、装置のパッシ
ベーション層を貫いて延びることも可能である。

【００１３】ワイヤを利用せずに、導電層を被着させる
ことによって、１つ以上の接触部を製作するのが好都合
な場合もあり得る。さらに、この被着された導電層は、
１つ以上のウィンドウをおおうことが可能である。接触
部が接触ウィンドウの全てを完全におおうように、接触
部を被着させるのが望ましい。従って、被着された導電
層は、そうでなければ前述のパッシベーション層によっ
ては保護されないウィンドウ領域において、ある種のパ
ッシベーション層の働きをすることが可能である。

【００１４】例えば、抵抗損による過熱を防止するた
め、あるいは、コンポーネントの電圧降下を回避するた
め、接地接触によって排出される漂遊電流を制限するの
が望ましい場合もある。従って、接地への電流経路に沿
って抵抗を設けることが可能である。この抵抗の少なく
とも一部は、キャップ層によってうまい具合に得られる
ようにすることができ、このキャップ層は、コンポーネ
ントと接地接触部の間に少なくとも１ｋΩを生じさせ
る、キャップ層の材料によって決まる寸法を備えるよう
に製作することが可能である。

【００１５】次に、１例をあげて、添付の図面を参照し
つつ本発明について説明する。

【００１６】

【発明の実施の形態】図１には、２つのコンポーネン
ト、すなわち、１．５５μｍで動作する高速光ファイバ
リンクにおける送信器として用いるのに適した、ＤＦＢ
レーザーダイオード２及びＥＡ変調器４からなる従来技
術による集積光電子装置１が、一律の縮尺に従わずに示
されている。現在では、高速リンクは、２．５〜１０ギ
ガビット／秒で動作し、実験室では、４０ギガビット／
秒までのビット転送速度が実証されている。

【００１７】装置１は、約１０¹⁸／ｃｃまでドーピング
された、厚さ２μｍのｎ⁺のＩｎＰバッファ層８がその
上に成長させられた、約１０¹⁹／ｃｃまでドーピングさ
れたｎ⁺⁺のＩｎＰ基板６から、ウェーハの形をなすよう
に成長させられる。レーザーダイオードは、厚さが約１
００ｎｍ〜３００ｎｍのＩｎ_xＧａ_1-xＡｓ_1-yＰ_y活性層
１０を備えており、これに、ｐ⁺のＩｎＰから形成され
る、本明細書で「クラッディング」層と呼ぶ、もう１つ
のバッファ層１２がかぶせられる。ｎ⁺のＩｎＰバッフ
ァ層またはｐ⁺のＩｎＰキャップ層に、レーザーダイオ
ード用のＤＦＢグレーティングを含めることも可能であ
る。ＤＦＢレーザー及びＥＡ変調器の活性領域は、通
常、多重量子井戸（ＭＱＷ）構造から構成される。ＭＱ
Ｗ構造は、電界の印加によって、変調器の吸収端をより
長い波長に向かってシフトさせることが可能な（量子閉
じ込めによるシュタルク効果）、変調器セクションにお
いてとりわけ有利である。

【００１８】変調器の出力ファセット９は、ファセット
の良好な透過のため、反射防止コーティングを施されて
おり、レーザーダイオードの背面側ファセット１１は、
反射コーティングを施すか、または、コーティングを施
さないままとすることが可能である。

【００１９】クラッディング層すなわち上方バッファ層
１２が、約２μｍの厚さまで成長させられ、その上に、
１００ｎｍ〜２００ｎｍの厚さのキャップ層が被着させ
られる。キャップ層は、レーザーダイオード２に対する
電気接続に関して良好な低抵抗のオーム接点を形成する
ために、約１０¹⁹／ｃｃまで多量にドーピングしたｐ⁺⁺
のＧａＩｎＡｓから形成される。次に、ウェーハには、
周知の製作技法を利用して、酸化層のコーティング、こ
の場合、プラズマ促進化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）プロセス
によって被着させられるＳｉＯ2のコーティング（不図
示）が施される。この酸化層には、フォトリソグラフィ
（写真平版）によるパターン形成、及び、ドライエッチ
ングが施されて、キャップ層１６、及び、３μｍ幅のリ
ッジストライプ１４に沿った部分を除く、２００ｎｍの
バッファ層以外の全てが除去される。従って、リッジス
トライプ１４は、まわりの表面から約２μｍほど上に隆
起する。最後に、ＰＥＣＶＤ酸化層が、リッジストライ
プから除去され、再び、キャップ層１６が露出する。

【００２０】リッジストライプ１４には、リッジストラ
イプ（以下では、ストライプとも記載）１４の下の活性
領域１７に沿って光学モード１５をガイドする効果があ
る。

【００２１】リッジストライプ１４は、レーザーダイオ
ード２から、分離領域１８を通り、ＥＡ変調器４に向か
って延びる。ＥＡ変調器は、バイアスのかけられていな
い変調器の吸収端が、レーザーダイオードの利得極大及
び発光波長よりも短い波長（一般に、３０ｎｍ〜１００
ｎｍ短い）にあるということを除けば、レーザーダイオ
ードについて説明した構造と同様の構造を備えている。

【００２２】分離領域１８には、キャップ層１６、及
び、必要があれば、上方ｐ⁺のＩｎＰバッファ層１２の
上部を完全に除去するため、上述のプロセスと同様のプ
ロセスでエッチングを施されたギャップ２０が設けられ
ている。このギャップ２０のエッチングは、ストライプ
１４の下を延びる活性領域１７によってガイドされる光
を反射して妨害する深さには至らない。リッジ導波路の
光学特性に悪影響を及ぼすことなく、分離抵抗を最大に
する必要があるため、また、コンポーネント２、４間に
おいてフォトリソグラフィックパターンとリッジ１４の
アライメントをとる必要もあるため、ギャップの位置決
め及びエッチングは、極めてクリティカルなプロセスで
ある。生産環境において、このアライメントを実現する
のは非常に困難である。こうして形成される分離領域１
８によって、レーザーダイオード２及び変調器４の間の
分離抵抗はほぼ２倍になる。プロトン注入を利用して、
この分離抵抗をさらに１〜１０ＭΩまで増大させること
も可能である。

【００２３】次に、キャップ層１６、リッジストライプ
１４の側部、及び、周囲の上方バッファ層１０には、Ｐ
ＥＣＶＤ酸化層２２、この場合、ＳｉＯ2層のコーティ
ングが施される。これに上述のプロセスと同様のプロセ
スでパターン形成及びエッチングを施すことによって、
リッジストライプ１４に２つの接触ウィンドウ、すなわ
ち、レーザーダイオードの上方のウィンドウ２４、及
び、変調器の上方のウィンドウ２６が開けられる。

【００２４】２段階式の周知の技法を用いて、装置１に
金属が真空蒸着される。まず、リフトオフプロセス（li
ft-off process）を用いてＴｉＰｔ層にパターン形成を
し、次に、ＴｉＡｕ層に最終被着を施し、その後に、フ
ォトリソグラフィによって形成された領域に金属ウェッ
トエッチング（metal wet etch）を施す。残ったＴｉＡ
ｕ層によって、接触ウィンドウ２４、２６を被覆する２
つの接触部２８、３０を形成して、キャップ層を介して
レーザーダイオード２及び変調器４とに良好にオーム接
点が形成される。電気的には接続しないが、リッジスト
ライプ１４を物理的に保護するために、パッド（不図
示）にメッキを施すことが可能な他の６つの金属被覆領
域３１〜３６も形成される。

【００２５】例示されていないが、基板６は、従来のや
り方でヒートシンクにハンダ付けされる。

【００２６】従来技術による装置１は、長さが（すなわ
ち、リッジ１４の方向において）約７００μｍであり、
幅が約３００μｍである。レーザーダイオード２、ギャ
ップ分離領域１８、及び変調器の長さは、それぞれ、約
４５０μｍ、５０μｍ、及び、２００μｍである。

【００２７】図２及び３には、本発明による集積光電子
装置１０１が一律の縮尺に従わずにに示されている。こ
の装置１０１は、上述の従来技術による装置１と類似し
ており、従って、同様な機能部には１００を加えた参照
番号をつけて示している。

【００２８】装置１０１は、長さが約７０μｍの分離領
域１１８を備えており、従って、従来技術による分離領
域１８よりもわずかに長い。これによって、２つのコン
ポーネント（ここでは、レーザーダイオード１０２と変
調器１０４）の間に延びる連続した接触層（ここでは、
キャップ層）１１６に対して分離接触ウィンドウ１４０
を形成するのに十分なスペースが得られる。分離接触ウ
ィンドウ１４０は、コンポーネント１０２、１０４のた
めの接触ウィンドウ１２４、１２６と同じやり方で、同
時に形成される。これは、上述の分離ギャップの形成よ
りもはるかに便利であり、接触ウィンドウのアライメン
トとは別個のプロセスステップで、分離領域のアライメ
ントをとる必要がなくなる。

【００２９】接触ウィンドウ及び分離ウィンドウのエッ
チングに先行する、独立したプロセスステップにおい
て、基板に対する接地接触ウィンドウ１４２が装置に形
成され、バッファ層１０８、１１２、活性層１１０を貫
いて、厚さ１００μｍの基板１０６に約２μｍだけ食い
込む。この段階で、基板は、コンポーネント１０２、１
０４にとって有効な接地平面になる。さらに、キャップ
層及びリッジの両側表面に対するＰＥＶＣＤ酸化層１２
２の被着中に、接地接触ウィンドウ１４２の側部１４４
及びベース（不図示）も、この酸化層によって被覆され
る。次に、接地接触ウィンドウ１４２のベースを被覆す
る酸化物が、接触ウィンドウ１２４、１２６、及び、分
離接触ウィンドウ１４０を開けるのと同じプロセスステ
ップによって除去される。

【００３０】製作のある段階において、ＴｉＰｔ／Ｔｉ
Ａｕ導体１４６は、コンポーネント導体１２８、１３０
の被着と同時に、分離接触ウィンドウ１４０と接地接触
ウィンドウ１４２の間に被着させられる。１０μｍのギ
ャップによって、導体１２８、１３０が接地導体１４６
から分離される。この方法は、追加プロセスステップを
必要としないので、極めて好都合である。しかし、特定
の処理条件下でつくられた装置の場合、ＴｉＰｔとｎ⁺⁺
の基板の間の接合は、ショットキーダイオードのように
作用するということが観測されている。従って、リッジ
ストライプから離れた導体１４６の一部を、ＡｕＧｅＮ
ｉまたはＡｕＳｎ合金の単一層とは別個のプロセスステ
ップで形成すれば、それが望ましい。

【００３１】分離接触ウィンドウ１４０から接地接触ウ
ィンドウ１４２まで、導体１４６を被着させる以外に、
例えば、分離接触ウィンドウに結合された自立型接地ワ
イヤを用いて、接地経路を設けることが可能であるが、
上述の集積構造は、変調によって誘発される極めて周波
数の高い（１〜１０ＧＨｚのオーダの、あるいは、それ
を超える場合さえある）漂遊電流の伝導を容易にするの
で、とりわけ有利であると考えられる。

【００３２】上述の装置は、比較的集積密度が低い。リ
ッジの左側の領域によって与えられる十分なスペース
（図示のように）のため、接地接触ウィンドウ１４２
は、接触ウィンドウ１２４、１２６、及び、分離接触ウ
ィンドウ１４０に比べて比較的大きくすることが可能で
ある。この例の場合、接地接触ウィンドウは、（リッジ
１４の方向において）幅が５０μｍで、長さが１００μ
ｍである。従って、他の機能部に対する接地接触ウィン
ドウのアライメントは、従来技術による装置のキャップ
層のギャップ２０のアライメントほどクリティカルでは
ない。さらに、接地接触ウィンドウの深さは、基板（以
下では、接地面となる基板の意味で基板アースとも記
載）１０６における良好な接地経路を得るためには、ク
リティカルではない。この実施態様の装置は、従って、
生産環境に極めてうまく適合する。

【００３３】次に図３を参照すると、Ａｕ接触パッド１
５８が、金属被覆領域１２８にメッキされ、金属保護パ
ッド１６２、１６３、１６５、１６６が、金属被覆領域
１３２、１３３、１３５、１３６にメッキされる。接触
パッド１５８は、レーザーダイオードの初期テストを容
易にするためだけに設けられている。テスト後、装置
は、単一モード光ファイバを球面レンズと共に変調器１
０４の出力ファセットに結合し、金の結合ワイヤを金属
被覆領域１２８及び１３０にハンダ付けして、工業規格
パッケージ（不図示）に実装することが可能である。

【００３４】便宜上、図４では、同等の回路構成要素を
一般的に表すため、上記で用いられているのと同じ参照
番号を使用している。図４には、分離領域１１８が、変
調器１０４による電気的妨害から安定したレーザーダイ
オード１０２を分離するのにどのように役立っているか
が電気的に示されている。

【００３５】レーザーダイオードには、約１．６ＶのＶ
_LDによる順バイアスがかけられ、変調器には、１０ギガ
ビット／秒まで、または、それ以上で、−０．５Ｖ（透
過性）と−２．０Ｖ（吸収性）の間で変調される、変調
Ｖ_Mによる逆バイアスがかけられる。分離機能がなけれ
ば、約０．５ｍＡ〜０．９ｍＡの間で変動する、レーザ
ーダイオード１０２から変調器１０４への漂遊電流によ
って、レーザーの波長または強度のチャーピングが生じ
るだろう。

【００３６】レーザーダイオード１０２と変調器１０４
の間の連続したキャップ層１１６によって、分離ウィン
ドウへ、さらに、導体１４６を介して基板アース１０６
に至る比較的抵抗の小さい経路Ｒ_iが形成される。抵抗
率が５×１０^-4（キャップ層よりも約１０倍高い）のク
ラッディング層すなわち上方バッファ層１１２における
漂遊電流が、やはり、コンポーネント１０２、１０４間
のキャップ層１１６に向かって引き出され、そこから基
板アース１０６に排出される。本例の場合、Ｒi値は約
２〜３ｋΩが望ましい。約１ｋΩ未満のＲi値は、レー
ザーダイオードの過度の加熱を起こし、レーザーダイオ
ードの波長シフトにつながる可能性がある。

【００３７】本発明の説明は、特に、ＥＡ変調器と直線
的に配列したＤＦＢレーザーダイオードの例に関して行
ってきたが、本発明は、１つのコンポーネントからの漂
遊電流をもう１つのコンポーネントから分離する必要の
ある、基板にモノリシックに集積された、任意の対をな
す、または、任意の数の光電子コンポーネントに適用可
能である。例えば、光増幅器または光変調器の場合、例
えば、Ｙ字形接合部において２つの導波路に分割される
光導波路が、「Ｙ」字形をなす２つまたは３つのアーム
部において電気的に駆動または変調される光学的活性領
域を備えている可能性がある。従って、３つのアームの
接合部に、２つまたは３つの光学的活性領域を電気的に
分離する分離領域を設けることが望ましい場合があり得
る。

【００３８】光学的に結合されたコンポーネント間を電
気的に分離する必要のある光電子装置のもう１つの例
が、同調可能なＤＦＢレーザーダイオードである。これ
らは、同調可能ブラッグ回折格子セクション（Bragg gr
ating section）が定常状態増幅セクションに隣接して
いる、２つまたは３つのインラインセクションから形成
することが可能である。

【００３９】以下においては、本発明の種々の構成要件
の組み合わせからなる例示的な実施態様を示す。

【００４０】１．同じ基板（１０６）上に製作された少
なくとも２つの光電子コンポーネント（１０２、１０
４）からなる集積光電子装置（１０１）であって、前記
コンポーネントの２つ（１０２、１０４）が、電気的分
離領域（１１８）によって分離され、導波路（１１４）
によって前記分離領域を横切って光学的に結合され、前
記コンポーネント（１０２、１０４）を動作させるため
に、オーム接点（１２４、１２８；１２６、１３０）が
形成される接触層（１１６）によって被われていること
からなり、前記分離領域（１１８）の該接触層（１１
６）を接地させて、これによって、前記２つのコンポー
ネント（１０２、１０４）を電気的に互いに分離するた
めに、前記接触層（１１６）が、接地接触（１４０、１
４２、１４６）がなされる前記分離領域（１１８）まで
延びていることを特徴とする集積光電子装置。

【００４１】２．前記接触層（１１６）が、前記２つの
コンポーネント（１０２、１０４）の間を連続して延び
ていることからなる上項１の集積光電子装置（１０
１）。

【００４２】３．前記２つのコンポーネントの一方（１
０２）がレーザーダイオードであり、前記２つのコンポ
ーネントのもう一方（１０４）が前記レーザーダイオー
ド（１０２）の出力を変調する変調器であることからな
る上項１または２の集積光電子装置（１０１）。

【００４３】４．前記接触層（１１６）が、パッシベー
ション層（１２２）によって被覆されており、このパッ
シベーション層が、接触が行なわれる接触ウィンドウ
（１２４、１２６、１４０）を備えることからなる上項
１〜３のいずれかの集積光電子装置（１０１）。

【００４４】５．集積光電子装置（１０１）であって、
該装置が接地面（１０６）を備えており、前記接触層
（１１６）からの接地接触（１４０、１４２、１４６）
が前記接地面に対してなされることからなる上項１〜４
のいずれかの集積光電子装置（１０１）。

【００４５】６．集積光電子装置（１０１）であって、
前記接地面（１０６）への前記接地接触のため、該装置
に接触ウィンドウ（１４２）が設けられていることから
なる上項５の集積光電子装置（１０１）。

【００４６】７．集積光電子装置（１０１）であって、
パッシベーション層（１２２）が、該装置上を延び、前
記ウィンドウが、前記パッシベーション層（１２２）を
貫いて該装置内へ延びることからなる上項６の集積光電
子装置（１０１）。

【００４７】８．前記コンポーネント（１０２、１０
４）の少なくとも一方が、前記接地面（１０６）によっ
て接地されることからなる上項５〜７のいずれか１つの
集積光電子装置（１０１）。

【００４８】９．前記接触（１２４、１２８；１２６、
１３０；１４０、１４６）が、それぞれ、被着された導
電層（１２８、１３０、１４６）によってなされること
からなる上項１〜８のいずれかの集積光電子装置（１０
１）。

【００４９】１０．前記被着された導電層（１２８、１
３０、１４６）が、１つ以上のウィンドウ（１２４、１
２６、１４０）を被覆していることからなる上項６また
は７に従属する場合の、上項９の集積光電子装置（１０
１）。

【００５０】１１．前記接触層（１１６）によって、コ
ンポーネント（１０２、１０４）と前記接地接触部（１
４０、１４２、１４６）との間に少なくとも１ｋΩの抵
抗が生じることからなる上項１〜１０のいずれかの集積
光電子装置（１０１）。

【００５１】１２．前記接触層（１１６）が三元キャッ
プ層であることからなる上項１〜１１のいずれかの集積
光電子装置（１０１）。

【００５２】

【発明の効果】本発明による光電子装置によれば、集積
光電子コンポーネントを電気的に分離する便利で経済的
な手段が得られる。必要なプロセスステップは、こうし
た装置の製作に利用される他の標準的なステップと同様
なものとすることが可能である。イオンビーム注入装置
のような、他のステップで用いられない高価な処理装置
を追加する必要がない。分離領域と接地接触部またはウ
ィンドウのアライメント許容差は、従来技術による分離
領域の場合に比べて緩和することが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】ＥＡ変調器と直線的な配列をなすＤＦＢレーザ
ーダイオードから構成される従来技術による集積光電子
装置の斜視図である。

【図２】接地面に対する接地接触が行われる分離領域に
よって隔てられた、ＥＡ変調器と直線的配列をなすＤＦ
Ｂレーザーダイオードから構成される本発明による集積
光電子装置の斜視図である。

【図３】装置に取り付けられたメッキパッドを示した、
図２の装置の斜視図である。

【図４】接地接触が２つのコンポーネントをいかに分離
するかを示す、図２及び３の装置の回路図である。

【符号の説明】

１０１集積光電子装置１０２レーザーダイオード１０４変調器１０６基板１１０活性層１１２バッファ層１１６接触層１１８分離領域１２４接触ウィンドウ１２６接触ウィンドウ１２８コンポーネント導体１３０コンポーネント導体１４０分離接触ウィンドウ１４２接地接触ウィンドウ１４６接地導体

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】同じ基板（１０６）上に製作された少なく
とも２つの光電子コンポーネント（１０２、１０４）か
らなる集積光電子装置（１０１）であって、前記コンポ
ーネントの２つ（１０２、１０４）が、電気的分離領域
（１１８）によって分離され、導波路（１１４）によっ
て前記分離領域を横切って光学的に結合され、前記コン
ポーネント（１０２、１０４）を動作させるために、オ
ーム接点（１２４、１２８；１２６、１３０）が形成さ
れる接触層（１１６）によって被われていることからな
り、前記分離領域（１１８）の該接触層（１１６）を接
地させて、これによって、前記２つのコンポーネント
（１０２、１０４）を電気的に互いに分離するために、
前記接触層（１１６）が、接地接触（１４０、１４２、
１４６）がなされる前記分離領域（１１８）まで延びて
いることを特徴とする集積光電子装置。