JPH11214788A - 窒化ガリウム系半導体レーザ素子 - Google Patents
窒化ガリウム系半導体レーザ素子Info
- Publication number
- JPH11214788A JPH11214788A JP10012238A JP1223898A JPH11214788A JP H11214788 A JPH11214788 A JP H11214788A JP 10012238 A JP10012238 A JP 10012238A JP 1223898 A JP1223898 A JP 1223898A JP H11214788 A JPH11214788 A JP H11214788A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- gallium nitride
- semiconductor laser
- based semiconductor
- laser device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/34333—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer based on Ga(In)N or Ga(In)P, e.g. blue laser
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/0601—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium comprising an absorbing region
- H01S5/0602—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium comprising an absorbing region which is an umpumped part of the active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/065—Mode locking; Mode suppression; Mode selection ; Self pulsating
- H01S5/0658—Self-pulsating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/2205—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers
- H01S5/2218—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers having special optical properties
- H01S5/2219—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers having special optical properties absorbing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/2205—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers
- H01S5/2222—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers having special electric properties
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2231—Buried stripe structure with inner confining structure only between the active layer and the upper electrode
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
光ディスクシステムの光源としての使用が可能な、良好
なレーザ発振特性を有する半導体レーザ素子を提供す
る。 【解決手段】 窒化物半導体からなるクラッド層及び/
又はガイド層に挟まれ、窒化物半導体からなる活性層を
有する半導体レーザにおいて、前記活性層の幅よりも狭
い幅のストライプ領域に電流が注入され、この電流注入
されるストライプ領域の幅が、0.2μm以上1.8μ
m以下である。
Description
ムの光源に用いられる窒化ガリウム系半導体レーザ素子
に関する。
有する半導体レーザ素子(LD)の半導体材料として、
窒化ガリウム系半導体(GaInAlN)が用いられて
いる。この窒化ガリウム系半導体を用いた半導体レーザ
素子は、例えば、MRS Internet J.Ni
tride Semicond.Res.2(199
7)5に記載されており、その断面図を図11に示す。
図11において、201はサファイア基板、202はG
aNバッファ層、203はn−GaNコンタクト層、2
04はn−In0.05Ga0.95N層、205はn−Al
0.08Ga0.92Nクラッド層、206はn−GaNガイド
層、207はIn0.15Ga0.85N量子井戸層とIn0.02
Ga0.98N障壁層とからなる多重量子井戸構造活性層、
208はp−Al0.2Ga0.8N層、209はp−GaN
ガイド層、210はp−Al0.08Ga0.92Nクラッド
層、211はp−GaNコンタクト層、212はp側電
極、213はn側電極である。ここで、多重量子井戸構
造活性層207は、3.5nm厚のIn0.15Ga0.85N
量子井戸層が4層、7nm厚のIn0.02Ga0.98N障壁
層が3層、の合計7層で構成され、量子井戸層と障壁層
が交互に形成されている。この従来例では注入電流を狭
窄するためにp−Al0.08Ga0.92Nクラッド層210
とp−GaNコンタクト層211はリッジストライプ状
に形成されており、このストライプの幅は4μmであ
る。この他、特開平9−232680号公報にも同様に
窒化ガリウム系半導体を用いた半導体レーザ素子が記載
されているが、この従来例においても注入電流を狭窄す
るためにリッジストライプ状構造が形成されており、ス
トライプの幅は5μmから10μmである。
体レーザ素子を光ディスクシステムの光源として用いる
場合、データの読み出し時における雑音によるデータの
読み出しエラーを防止するために、一定電流を注入して
も光出力が変調されている自励発振型の半導体レーザが
用いられており、このような半導体レーザ素子は特開平
9ー191160号公報に記載されている。その断面図
を図12に示す。図12において、221はn−SiC
基板、222はn−AlNバッファ層、223はn−A
l0.15Ga0.85Nクラッド層、224は厚さ50nmの
In0.15Ga0. 85N活性層、225はp−Al0.15Ga
0.85N第1p型クラッド層、226はp−In0.2Ga
0.8N可飽和吸収層、227はn−Al0.25Ga0.75N
電流ブロック層、228はp−Al0.15Ga0.85N第2
p型クラッド層、229はp−GaNキャップ層、23
0はp−GaNコンタクト層、231はp側電極、23
2はn側電極ある。この従来例においては、活性層22
4で発生した光の一部が可飽和吸収層226で吸収され
ることによって可飽和吸収層226の吸収係数が変化
し、それに伴って活性層224からのレーザ発振による
発光強度が周期的に変化する。その結果、レーザからの
出射光の干渉性が低下する。このように干渉性が低下し
た半導体レーザ素子を光ディスクシステムの光源として
用いると、ディスクでの反射光が半導体レーザに戻って
きても、レーザからの出射光と反射による戻り光が干渉
を起こさないため雑音の発生が抑えられ、データの読み
出しエラーを防止できる。この従来例においても注入電
流を狭窄するストライプ構造が用いられており、このス
トライプの幅は2μmで作製されていた。
化ガリウム系半導体を用いた半導体レーザ素子は以下の
ような問題点があった。まず、可飽和吸収層を付加した
自励発振型の半導体レーザ素子に関しては、この可飽和
吸収層で活性層から発生する光が吸収されるため、レー
ザ共振器内部での光の損失が増大してしまう。その結
果、半導体レーザ素子の発振閾値電流が増大するととも
に、発光効率が低下してしまうという問題があった。さ
らにこの従来の自励発振型半導体レーザ素子では、活性
層を挟むクラッド層の一方にのみ可飽和吸収層を付加し
ているか、あるいは、活性層を挟むガイド層の一方にの
み可飽和吸収層を付加しているため、レーザからの出射
光の遠視野像が対称でなくなり、レンズを用いて出射光
を集光する場合に、集光スポットサイズを十分に小さく
出来ない、という問題も生じていた。
来の窒化ガリウム系半導体を用いた半導体レーザ素子に
おいては、従来の自励発振型半導体レーザ素子に見られ
るような、発振閾値電流の増大、発光効率の低下、集光
スポットサイズを小さく出来ない、という問題は発生し
ないが、この半導体レーザ素子を光ディスクシステムの
光源として用いると、ディスクからの戻り光によって雑
音が発生し、データの読み出し時に読み出しエラーを生
じていた。従って、可飽和吸収層が付加されていない従
来の窒化ガリウム系半導体を用いた半導体レーザ素子は
光ディスクシステム用の光源として実用に供することが
出来ない、という問題があった。
たものであり、上記窒化ガリウム系半導体レーザ素子に
おける課題を解決して、光ディスクシステムの光源とし
ての使用が可能な、良好なレーザ発振特性を有する窒化
ガリウム系半導体レーザ素子を提供することを目的とす
る。
め、本発明に係る窒化ガリウム系半導体レーザ素子は、
以下の発明から構成される。
物半導体からなる少なくともクラッド層及び/またはガ
イド層に挟まれた窒化物半導体よりなる活性層を備え、
前記活性層の幅よりも狭い幅のストライプ領域に電流が
注入される窒化ガリウム系半導体レーザ素子において、
前記ストライプ領域の幅が、0.2μm以上1.8μm
以下であることを特徴とする窒化ガリウム系半導体レー
ザ素子である。
領域の外側に活性層が少なくとも3μm以上の幅で存在
することを特徴とする請求項1に記載の窒化ガリウム系
半導体レーザ素子である。
量子井戸層からなることを特徴とする請求項1ないし2
のいずれか1項に記載の窒化ガリウム系半導体レーザ素
子である。
井戸層と障壁層とを交互に積層してなる量子井戸構造活
性層からなり、量子井戸層の層数が2以上4以下である
ことを特徴とする請求項1ないし2のいずれか1項に記
載の窒化ガリウム系半導体レーザ素子である。
成する量子井戸層の厚さが、10nm以下であることを
特徴とする請求項3または4に記載の窒化ガリウム系半
導体レーザ素子である。
成する障壁層の厚さが、10nm以下であることを特徴
とする請求項4または5に記載の窒化ガリウム系半導体
レーザ素子である。
領域を有する窒化ガリウム系半導体レーザ素子の構造
は、少なくとも第1の導電型のクラッド層と、活性層
と、第2の導電型のクラッド層と、第2の導電型のコン
タクト層が順次積層され、前記第2の導電型のクラッド
層と第2の導電型のコンタクト層とは活性層の幅よりも
狭い幅のストライプが形成され、前記ストライプの外側
には電流阻止層が積層されたことからなることを特徴と
する請求項1ないし6のいずれかに記載の窒化ガリウム
系半導体レーザ素子である。
領域を有する窒化ガリウム系半導体レーザ素子の構造
は、少なくとも前記第1の導電型のクラッド層と、活性
層と、前記第2の導電型のガイド層またはクラッド層
と、電流阻止層が順次積層され、前記電流阻止層には活
性層の幅よりも狭い幅のストライプ状の溝が第2の導電
型のガイド層またはクラッド層にまで達するように形成
されており、前記ストライプ状の溝と電流阻止層の上に
は、少なくとも第2の導電型のクラッド層と、第2の導
電型のコンタクト層が順次積層されることを特徴とする
請求項1ないし6のいずれかに窒化ガリウム系半導体レ
ーザ素子である。
領域を有する窒化ガリウム系半導体レーザ素子の構造
は、少なくとも第1の導電型のコンタクト層またはクラ
ッド層と、電流阻止層が順次積層され、前記電流阻止層
にはストライプ状の溝が第1の導電型のコンタクト層ま
たはクラッド層にまで達するように形成されており、前
記ストライプ状の溝と電流阻止層の上には、少なくとも
第1の導電型のクラッド層と、活性層と、第2の導電型
のクラッド層と、第2の導電型のコンタクト層が順次積
層されることからなることを特徴とする請求項1ないし
6のいずれかに記載の窒化ガリウム系半導体レーザ素子
である。
層が、誘電体絶縁膜からなることを特徴とする請求項7
ないし9のいずれかに記載の窒化ガリウム系半導体レー
ザ素子である。
層が、活性層のエネルギーギャップ以下のエネルギーギ
ャップを有する半導体からなることを特徴とする請求項
7ないし9のいずれかに記載の窒化ガリウム系半導体レ
ーザ素子である。
層が、第2の導電型のクラッド層の屈折率以下の屈折率
を有する半導体からなることを特徴とする請求項7ない
し9のいずれかに記載の窒化ガリウム系半導体レーザ素
子である。
層が、窒化物半導体からなることを特徴とする請求項1
1または12のいずれかに記載の窒化ガリウム系半導体
レーザ素子である。
されるストライプ領域の外側の活性層と前記電流阻止層
とに挟まれた窒化ガリウム系半導体層の層厚が、0.0
1μm以上0.8μm以下であることを特徴とする請求
項7ないし13のいずれかに記載の窒化ガリウム系半導
体レーザ素子である。
って、本発明者は従来素子における前記課題解決のため
に詳細に検討を行い、その結果、従来の自励発振型の半
導体レーザ素子で用いられている可飽和吸収層を用いる
ことなく、簡単な構成で自励発振型の半導体レーザ素子
が得られることを見い出した。
導体レーザ素子は、窒化物半導体からなるクラッド層及
び/又はガイド層に挟まれた、窒化物半導体よりなる活
性層を備え、前記活性層の幅よりも狭い幅のストライプ
領域に電流が注入される窒化ガリウム系半導体レーザ素
子であって、電流注入されるストライプ領域の幅が、
0.2μm以上1.8μm以下である。このように電流
注入されるストライプ領域の幅を、従来の窒化ガリウム
系半導体レーザで用いられていたストライプ領域の幅よ
りも狭くした場合の半導体レーザ素子の断面図を図8に
示す。この場合、ストライプ領域の幅が狭いことによ
り、レーザ光の横モードは電流注入されるストライプ領
域の幅よりも広くなっている。この時、ストライプ領域
外でレーザ光が広がっている領域に存在する活性層はこ
のレーザ光を吸収することができる。従って電流注入さ
れるストライプ領域外の活性層が可飽和吸収層として働
くため自励発振特性が得られた。電流注入されるストラ
イプ領域の幅が従来の窒化ガリウム系半導体レーザのよ
うに広い場合は、ストライプ領域外でレーザ光が広がっ
ている領域が小さいため可飽和吸収層として働く活性層
の効果は小さく、自励発振特性は得られていなかった。
イプ領域外の活性層においてレーザ光が吸収されるため
発振閾値電流密度の若干の増大を引き起こしているが、
電流注入されるストライプ領域の幅を狭くしていること
により発振閾値電流値自体は増大することなく、良好な
レーザ発振特性を有する窒化ガリウム系半導体レーザ素
子が得られている。図9には、窒化ガリウム系半導体レ
ーザ素子において、電流注入されるストライプ領域の幅
を変化させたときの、発振閾値電流値の変化を表すグラ
フ図が示されている。この図中ではストライプ領域の幅
が2μm以上になると自励発振特性は得られておらず、
電流注入領域の増大により発振閾値電流値も増大してい
る。また、ストライプ領域の幅が0.2μm以下になる
と発振閾値電流密度の増大が大きくなるため発振閾値電
流値自体も増大している。従って、電流注入されるスト
ライプ領域の幅を、0.2μm以上1.8μm以下とす
ることによって、自励発振特性が得られ、かつ、発振閾
値電流値が低い良好なレーザ発振特性を有する窒化ガリ
ウム系半導体レーザ素子が得られることが分かる。
外の活性層が可飽和吸収層として働くためには、電流注
入されるストライプ領域の外側に活性層が少なくとも3
μm以上の幅で存在することが好ましい。ストライプ領
域の外側の活性層の幅が3μm未満の場合は、可飽和吸
収層として働く活性層の効果が小さく、自励発振特性は
得られない。
ライプ領域の幅を狭くする場合、砒素化ガリウム系半導
体材料(AlGaAs)や燐化インジウム系半導体材料
(InGaAsP)の場合は、注入された電流がストラ
イプ領域外へ広がってしまい、ストライプの幅よりも広
い領域に電流が注入されてしまうので閾値電流が増大す
ることが懸念されているが、窒化ガリウム系半導体材料
では電気抵抗値が大きいため、電流広がりはほとんど生
じていないので閾値電流が小さくなり、且つ、電流注入
の幅でレーザ光の横モードも安定することが判明した。
は、ストライプ幅を小さくしても電流広がりが少ないの
で電流注入されるストライプ領域の外側の活性層と電流
阻止層とに挟まれた窒化ガリウム系半導体層の層厚を比
較的厚くすることができるので、電流注入されるストラ
イプ領域の外側の活性層と電流阻止層とに挟まれた窒化
ガリウム系半導体層の層厚の精密な制御は必要なく、生
産歩留まりを向上させることができる。しかしながら、
電流注入されるストライプ領域の外側の活性層と電流阻
止層とに挟まれた窒化ガリウム系半導体層の層厚が厚過
ぎる場合は、電気抵抗値が大きい窒化ガリウム系半導体
材料でもストライプ領域外への電流広がりが増大し、自
励発振特性が得られなくなる。図10には、実施形態1
の窒化ガリウム系半導体レーザ素子において、電流注入
されるストライプ領域の外側の活性層と電流阻止層とに
挟まれた窒化ガリウム系半導体層の層厚を変化させたと
きの、発振閾値電流値の変化を表すグラフ図が示されて
いる。この図中では、電流注入されるストライプ領域の
幅が、1.5μmと0.5μmの場合について示されて
いるが、いずれも窒化ガリウム系半導体層厚(ここでは
p−GaNガイド層8とp−Al0.1Ga0.9Np型クラ
ッド層9の合計層厚)が0.8μmより厚いと電流広が
りが生じて発振閾値電流値が増大している。また、窒化
ガリウム系半導体層厚が0.01μmより薄いと電流阻
止層が機能しなくなってリーク電流が増大し、発振閾値
電流値が増大している。さらに、この活性層と電流阻止
層とに挟まれた窒化ガリウム系半導体層厚が0.01μ
m以上0.8μm以下では、自励発振することも確認さ
れた。つまり、この窒化ガリウム系半導体層の層厚を
0.8μm以下と薄くすることにより電流広がりは抑え
られ、安定して自励発振特性を有する窒化ガリウム系半
導体レーザ素子が得られた。またこの窒化ガリウム系半
導体層の層厚が0.01μm以上であれば、活性層と電
流阻止層とが空間的に離れているので、それぞれの本来
の機能をもたせることができ、自励発振特性を有する窒
化ガリウム系半導体レーザ素子が得られる。
ラッド層にAl0.1Ga0.9Nをそれぞれ用いた場合の例
を示したが、ガイド層はAlxGa1-xN(0≦x≦0.
2)、クラッド層はAlyGa1-yN(0≦y≦0.3)
の範囲で、x≦yとなるように、複数の素子(例えば、
x=y=0.1や、x=0、y=0.3や、x=0.0
5、y=0.2)を作製したが、いずれも、図10に示
す関係とほぼ同等の特性を示し、これらの材料の範囲内
であれば、活性層と電流阻止層に挟まれた窒化ガリウム
系半導体層厚を0.01μm〜0.8μmの範囲内にす
ることにより、発振閾値電流値を低減でき、かつ自励発
振による低雑音特性を満足させられることが分かった。
さらに、ガイド層やクラッド層にInをIII族原子の
組成比として10%程度以下の範囲で添加した場合で
も、同様の層厚の範囲で低発振閾値電流が実現されるこ
とも確認した。
レーザを得るためには、活性層内に存在する電子と正孔
の密度が高速で変調される必要があるが、活性層として
用いられる窒化ガリウム系半導体材料は、電子・正孔と
もにその有効質量が大きいことと多数の結晶欠陥が存在
していることにより電子や正孔の移動度が大幅に低下し
ている。従って、発光再結合によって電子・正孔が消滅
しても、拡散により新たに電子と正孔が注入されず、電
子と正孔の密度が変調されにくくなっている。そこで、
本発明のように、窒化ガリウム系半導体レーザ素子の活
性層を、単一量子井戸層、あるいは、量子井戸層と障壁
層とを交互に積層してなる量子井戸構造活性層からなり
量子井戸層の層数が2以上4以下である多重量子井戸構
造で構成し、さらには、活性層を形成する量子井戸層の
厚さを10nm以下とすることにより、活性層全体で電
子と正孔を拡散しやすくして、電子と正孔の密度が変調
されやすくなった。この結果、安定して自励発振特性を
有する窒化ガリウム系半導体レーザ素子が得られた。ま
た、多重量子井戸構造で構成された活性層の場合、活性
層を形成する障壁層の厚さが厚すぎると、電子と正孔が
活性層の全体にわたって、均一に分布することが阻害さ
れるために、電子と正孔とが再結合しにくくなってしま
う。この結果、自励発振特性のレーザ特性が悪化してし
まうことになるが、障壁層の厚さを10nm以下とすれ
ば正孔と電子とは活性層内で均一に分布することにな
り、良好な自励発振特性を有する窒化ガリウム系半導体
レーザが得られた。
砒素化ガリウム系半導体材料(AlGaAs)や燐化イ
ンジウム系半導体材料(InGaAsP)を用いた場合
の半導体レーザと違って、電流注入されるストライプ領
域内に多数の欠陥が存在しているが、本発明のようにス
トライプ領域の幅を狭くしたことによりこの領域内に存
在する欠陥の個数が低減されて、レーザ特性の劣化が生
じず、素子の信頼性が向上するという利点も得られた。
る。 (第1の実施例)図1は本発明の第1の実施例に係る窒
化ガリウム系半導体レーザ素子を示す断面図である。こ
の図において、1はc面を表面として有するサファイア
基板、2はGaNバッファ層、3はn−GaNn型コン
タクト層、4はn−Al0.1Ga0.9Nn型クラッド層、
5はn−GaNガイド層、6は2層のIn0.2Ga0.8N
量子井戸層と1層のIn0.05Ga0.95N障壁層とからな
る多重量子井戸構造活性層、7はAl0.2Ga0.8N蒸発
防止層、8はp−GaNガイド層、9はp−Al0.1G
a0.9Np型クラッド層、10はp−GaNp型コンタ
クト層、11はp側電極、12はn側電極、13はSi
O2絶縁膜である。
はa面、r面、m面等の他の面方位であっても構わな
い。また、サファイア基板に限らずGaN基板、SiC
基板、スピネル基板、MgO基板、Si基板、GaAs
基板も用いることが出来る。特にGaN基板とSiC基
板の場合はサファイア基板に比べて基板上に積層した窒
化ガリウム系半導体材料との格子定数差が小さく良好な
結晶性の膜が得られ、さらに劈開しやすいため、劈開に
よるレーザ共振器端面の形成が容易であるという利点が
ある。バッファ層2はその上に窒化ガリウム系半導体を
エピタキシャル成長させることが出来るものであればG
aNにこだわらず他の材料、例えばAlNやAlGaN
3元混晶を用いてもよい。
は、Al0.1Ga0.9N以外のAl組成を持つAlGaN
3元混晶でもよい。この場合Al組成を大きくすると活
性層とクラッド層とのエネルギーギャップ差及び屈折率
差が大きくなり、キャリアや光が活性層に有効に閉じ込
められてさらに発振閾値電流の低減及び、温度特性の向
上が図れる。またキャリアや光の閉じ込めが保持される
程度でAl組成を小さくしていくと、クラッド層におけ
るキャリアの移動度が大きくなるため、半導体レーザ素
子の素子抵抗を小さくできる利点がある。さらにこれら
のクラッド層は微量に他の元素を含んだ4元以上の混晶
半導体でもよく、n型クラッド層4とp型クラッド層9
とで混晶の組成が同一でなくても構わない。
プが、多重量子井戸構造活性層6を構成する量子井戸層
のエネルギーギャップとクラッド層4、9のエネルギー
ギャップの間の値を持つような材料であればGaNにこ
だわらず他の材料、例えばInGaN、AlGaN3元
混晶やInGaAlN4元混晶等を用いてもよい。また
ガイド層全体にわたってドナー又はアクセプターをドー
ピングする必要はなく、多重量子井戸構造活性層6側の
一部のみをノンドープとしてもよく、さらにはガイド層
全体をノンドープとしてもよい。この場合、ガイド層に
存在するキャリアが少なくなり、自由キャリアによる光
の吸収が低減されて、さらに発振閾値電流が低減できる
という利点がある。また、必ずしもガイド層を必要とす
る訳ではなく、ガイド層を有しないような窒化ガリウム
系半導体レーザであっても半導体レーザ素子として機能
する。
のIn0.2Ga0.8N量子井戸層と1層のIn0.05Ga
0.95N障壁層は、必要なレーザ発振波長に応じてその組
成を設定すればよく、発振波長を長くしたい場合は量子
井戸層のIn組成を大きくし、短くしたい場合は量子井
戸層のIn組成を小さくする。また量子井戸層と障壁層
は、InGaN3元混晶に微量に他の元素を含んだ4元
以上の混晶半導体でもよい。さらに障壁層は単にGaN
を用いてもよい。
層6に接するようにAl0.2Ga0.8N蒸発防止層7を形
成しているが、これは量子井戸層が成長温度を上昇して
いる間に蒸発してしまうことを防ぐためである。従っ
て、量子井戸層を保護するものであれば蒸発防止層7と
して用いることができ、他のAl組成を有するAlGa
N3元混晶やGaNを用いてもよい。また、この蒸発防
止層7にMgをドーピングしてもよく、この場合はp−
GaNガイド層8やp−Al0.1Ga0.9Np型クラッド
層9から正孔が注入され易くなるという利点がある。さ
らに、量子井戸層のIn組成が小さい場合は蒸発防止層
7を形成しなくても量子井戸層は蒸発しないため、特に
蒸発防止層7を形成しなくても、本実施例の窒化ガリウ
ム系半導体レーザ素子の特性は損なわれない。
半導体レーザの作製方法を説明する。以下の説明ではM
OCVD法(有機金属気相成長法)を用いた場合を示し
ているが、GaNをエピタキシャル成長できる成長法で
あればよく、MBE法(分子線エピタキシャル成長法)
やHVPE(ハイドライド気相成長法)等の他の気相成
長法を用いることもできる。
表面として有するサファイア基板1上に、トリメチルガ
リウム(TMG)とアンモニア(NH3)を原料に用い
て、成長温度550℃でGaNバッファ層2を35nm
成長させる。
て、TMGとNH3、及びシランガス(SiH4)を原料
に用いて、厚さ3μmのSiドープn−GaNn型コン
タクト層3を成長する。さらに続けてトリメチルアルミ
ニウム(TMA)を原料に加え、成長温度は1050℃
のままで厚さ0.7μmのSiドープn−Al0.1Ga
0.9Nn型クラッド層4を成長する。続けて、TMAを
原料から除いて、成長温度は1050℃のままで厚さ
0.05μmのSiドープn−GaNガイド層5を成長
する。
とNH3、及びトリメチルインジウム(TMI)を原料
に用いて、In0.2Ga0.8N量子井戸層(厚さ5n
m)、In0.05Ga0.95N障壁層(厚さ5nm)、In
0.2Ga0.8N量子井戸層(厚さ5nm)を順次成長する
ことにより多重量子井戸構造活性層(トータルの厚さ1
5nm)6を作成する。さらに続けてTMGとTMAと
NH3を原料に用いて、成長温度は750℃のままで厚
さ10nmのAl0.2Ga0.8N蒸発防止層7を成長す
る。
て、TMGとNH3、及びシクロペンタジエニルマグネ
シウム(Cp2Mg)を原料に用いて、厚さ0.05μ
mのMgドープp−GaNガイド層8を成長する。さら
に続けてTMAを原料に加え、成長温度は1050℃の
ままで厚さ0.7μmのMgドープp−Al0.1Ga0.9
Np型クラッド層9を成長する。続けて、TMAを原料
から除いて、成長温度は1050℃のままで厚さ0.2
μmのMgドープp−GaNp型コンタクト層10を成
長して、窒化ガリウム系エピタキシャルウエハーを完成
する。
ス雰囲気中でアニールして、Mgドープのp型層を低抵
抗化する。
イエッチング技術を用いて、200μm幅のストライプ
状にp−GaNp型コンタクト層10の最表面から、n
−GaNn型コンタクト層3が露出するまでエッチング
を行いメサ構造を作製する。次に、上記と同様のフォト
リソグラフィーとドライエッチング技術を用いて、残っ
たp−GaNp型コンタクト層10の最表面に、1.5
μm幅のストライプ状にリッジ構造を形成するようにp
−GaNp型コンタクト層10、p−Al0.1Ga0.9N
p型クラッド層9をエッチングする。この時、ストライ
プ状のリッジ構造は、200μm幅のメサ構造の両端よ
り3μm以上離しておけばよく、本実施例ではn側電極
12を形成する側のメサ構造の端より10μm離れたと
ころにストライプ状のリッジ構造を形成した。このよう
にn側電極12に近付けるようにストライプ状のリッジ
構造を配置すれば、素子の電気抵抗が小さくなり、動作
電圧が低減される。また、このドライエッチングの際に
は、多重量子井戸構造活性層6に達しないようにエッチ
ングを停止しているので、活性層へのエッチングダメー
ジが抑えられており、信頼性の低下や、発振閾値電流値
の増大が防がれている。またストライプ領域外でエッチ
ングされずに残ったp−Al0.1Ga0.9Np型クラッド
層9の層厚は、本実施例では0.3μmとしており、p
−GaNガイド層8とあわせても0.8μmよりも薄い
ので電流広がりも抑えられている。
層表面に厚さ200nmのSiO2絶縁膜13を電流阻
止層として形成する。このSiO2絶縁膜13とp−G
aNp型コンタクト層10の表面にニッケルと金からな
るp側電極11を形成し、エッチングにより露出したn
−GaNn型コンタクト層3の表面にチタンとアルミニ
ウムからなるn側電極12を形成して、窒化ガリウム系
LDウエハーを完成する。
と垂直な方向に劈開してレーザの共振器端面を形成し、
さらに個々のチップに分割する。そして、各チップをス
テムにマウントし、ワイヤーボンディングにより各電極
とリード端子とを接続して、窒化ガリウム系半導体レー
ザ素子を完成する。
素子は、発振波長410nm、発振閾値電流20mAと
いう良好なレーザ特性が得られ、これらの特性の劣化も
みられず、自励発振することも確認された。この結果、
光ディスクシステム用として本実施例の窒化ガリウム系
半導体レーザ素子を用いると、データの読み出しエラー
を防止することができ、実用に供する窒化ガリウム系半
導体レーザ素子が実現できた。
領域の幅を1.5μmとしたが、0.2μm以上1.8
μm以下であれば、本実施例にこだわらず他のストライ
プ領域の幅でも同等の効果が得られる。
性層6を構成する量子井戸層と障壁層の層厚をともに5
nmとしたが、これらの層厚が同一である必要はなく、
異なっていても構わない。また量子井戸層と障壁層の各
層厚を10nm以下とすれば、本実施例にこだわらず、
他の層厚でも同等の効果が得られる。また、多重量子井
戸構造活性層6の量子井戸層数は3層や4層でもよく、
単一量子井戸構造活性層でも構わない。
端面を形成しているが、サファイア基板は硬くて劈開し
にくい場合があるので、ドライエッチングにより共振器
端面を形成することもできる。
アを基板として用いたため、エッチングにより露出した
n−GaNn型コンタクト層3の表面にn側電極12を
形成しているが、n型導電性を有するGaN、SiC、
Si、GaAs等を基板に用いれば、この基板の裏面に
n側電極12を形成してもよい。この場合、200μm
幅のストライプ状のメサ構造を作製するエッチングを行
う必要はなく、電流注入されるストライプ状のリッジ構
造は、半導体レーザ素子チップの両端より3μm以上離
しておけばよい。また、p型とn型の構成を逆にしても
構わない。
施例に係る窒化ガリウム系半導体レーザ素子を示す断面
図である。この図において、21はc面を表面として有
するサファイア基板、22はGaNバッファ層、23は
n−GaNn型コンタクト層、24はn−Al0.1Ga
0.9Nn型クラッド層、25はn−GaNガイド層、2
6は2層のIn0. 2Ga0.8N量子井戸層と3層のIn
0.05Ga0.95N障壁層とからなる多重量子井戸構造活性
層、27はp−GaNガイド層、28はp−In0.05G
a0.95Nエッチング停止層、29はp−Al0.1Ga0.9
Np型クラッド層、30はp−GaNp型コンタクト
層、31はp側電極、32はn側電極、33はSiO2
絶縁膜である。
6の最上面にIn組成の少ないIn0.05Ga0.95N障壁
層を形成しているためAl0.2Ga0.8N蒸発防止層が積
層されていない点と、p−GaNガイド層27の上にp
−In0.05Ga0.95Nエッチング停止層28が積層され
ている点以外は、第1の実施例と同様にして窒化ガリウ
ム系半導体レーザ素子を作製している。
半導体レーザの作製方法を説明する。以下の説明ではM
OCVD法(有機金属気相成長法)を用いた場合を示し
ているが、GaNをエピタキシャル成長できる成長法で
あればよく、MBE法(分子線エピタキシャル成長法)
やHVPE(ハイドライド気相成長法)等の他の気相成
長法を用いることもできる。
表面として有するサファイア基板21上に、TMGとN
H3を原料に用いて、成長温度550℃でGaNバッフ
ァ層22を35nm成長させる。
て、TMGとNH3、及びSiH4を原料に用いて、厚さ
3μmのSiドープn−GaNn型コンタクト層23を
成長する。さらに続けてTMAを原料に加え、成長温度
は1050℃のままで厚さ0.7μmのSiドープn−
Al0.1Ga0.9Nn型クラッド層24を成長する。続け
て、TMAを原料から除いて、成長温度は1050℃の
ままで厚さ0.05μmのSiドープn−GaNガイド
層25を成長する。
とNH3、及びTMIを原料に用いて、In0.05Ga
0.95N障壁層(厚さ5nm)、In0.2Ga0.8N量子井
戸層(厚さ5nm)、In0.05Ga0.95N障壁層(厚さ
5nm)、In0.2Ga0.8N量子井戸層(厚さ5n
m)、In0.05Ga0.95N障壁層(厚さ5nm)を順次
成長することにより多重量子井戸構造活性層(トータル
の厚さ25nm)26を作成する。
て、TMGとNH3、及びCp2Mgを原料に用いて、厚
さ0.05μmのMgドープp−GaNガイド層27を
成長する。次に、成長温度を750℃に下げ、TMGと
NH3、Cp2Mg、及びTMIを原料に用いて、厚さ
0.02μmのMgドープp−In0.05Ga0.95Nエッ
チング停止層(厚さ10nm)28を作成する。
て、TMGとNH3、Cp2Mg、及びTMAを原料に用
いて、厚さ0.7μmのMgドープp−Al0.1Ga0.9
Np型クラッド層29を成長する。続けて、TMAを原
料から除いて、成長温度は1050℃のままで厚さ0.
2μmのMgドープp−GaNp型コンタクト層30を
成長して、窒化ガリウム系エピタキシャルウエハーを完
成する。
ス雰囲気中でアニールして、Mgドープのp型層を低抵
抗化する。
イエッチング技術を用いて、200μm幅のストライプ
状にp−GaNp型コンタクト層30の最表面から、n
−GaNn型コンタクト層23が露出するまでエッチン
グを行いメサ構造を作製する。次に、上記と同様のフォ
トリソグラフィーとドライエッチング技術を用いて、残
ったp−GaNp型コンタクト層30の最表面に、1.
5μm幅のストライプ状にリッジ構造を形成するように
p−GaNp型コンタクト層30、p−Al0. 1Ga0.9
Np型クラッド層29をエッチングする。この時、エッ
チングの深さがp−In0.05Ga0.95Nエッチング停止
層28に達すると、エッチング表面にIn原子が現れる
ため、このIn原子を元素分析により検出した時点でエ
ッチングを停止するようにして、エッチングする深さを
正確に制御できた。またストライプ状のリッジ構造は、
n側電極32を形成する側のメサ構造の端より10μm
離れたところに形成した。
層表面に厚さ200nmのSiO2絶縁膜33を電流阻
止層として形成する。このSiO2絶縁膜33とp−G
aNp型コンタクト層30の表面にニッケルと金からな
るp側電極31を形成し、エッチングにより露出したn
−GaNn型コンタクト層23の表面にチタンとアルミ
ニウムからなるn側電極32を形成して、窒化ガリウム
系LDウエハーを完成する。
と垂直な方向に劈開してレーザの共振器端面を形成し、
さらに個々のチップに分割する。そして、各チップをス
テムにマウントし、ワイヤーボンディングにより各電極
とリード端子とを接続して、窒化ガリウム系半導体レー
ザ素子を完成する。
素子は、第1の実施例と同様に、発振波長410nm、
発振閾値電流20mAという良好なレーザ特性が得ら
れ、これらの特性の劣化もみられず、自励発振すること
も確認された。この結果、光ディスクシステム用として
本実施例の窒化ガリウム系半導体レーザ素子を用いる
と、データの読み出しエラーを防止することができ、実
用に供する窒化ガリウム系半導体レーザ素子が実現でき
た。また、エッチング停止層を用いたことによりエッチ
ング深さの制御性が向上し、作製ロット間での特性のば
らつきが低減された。
領域の幅を1.5μmとしたが、0.2μm以上1.8
μm以下であれば、本実施例にこだわらず他のストライ
プ領域の幅でも同等の効果が得られる。
性層26を構成する量子井戸層と障壁層の層厚をともに
5nmとしたが、これらの層厚が同一である必要はな
く、異なっていても構わない。また量子井戸層と障壁層
の各層厚を10nm以下とすれば、本実施例にこだわら
ず、他の層厚でも同等の効果が得られる。また、多重量
子井戸構造活性層26の量子井戸層数は3層や4層でも
よく、単一量子井戸構造活性層でも構わない。
端面を形成しているが、サファイア基板は硬くて劈開し
にくい場合があるので、ドライエッチングにより共振器
端面を形成することもできる。
アを基板として用いたため、エッチングにより露出した
n−GaNn型コンタクト層23の表面にn側電極32
を形成しているが、n型導電性を有するGaN、Si
C、Si、GaAs等を基板に用いれば、この基板の裏
面にn側電極32を形成してもよい。この場合、200
μm幅のストライプ状のメサ構造を作製するエッチング
を行う必要はなく、電流注入されるストライプ状のリッ
ジ構造は、半導体レーザ素子チップの両端より3μm以
上離しておけばよい。また、p型とn型の構成を逆にし
ても構わない。
27の上にp−In0.05Ga0.95Nエッチング停止層2
8を積層したが、p−GaNガイド層27の内部やp−
Al0.1Ga0.9Np型クラッド層29の内部にp−In
0.05Ga0.95Nエッチング停止層28を形成しても構わ
ない。さらに、p−In0.05Ga0.95Nエッチング停止
層28のIn組成も本実施例にこだわらず、エッチング
の深さを判断できるものであれば他の半導体材料でも構
わない。
プ状のリッジ構造の側面とリッジ以外のp型層表面に形
成する電流阻止層として、厚さ0.5μmのSiドープ
n−In0.25Ga0.75N層を用いたこと以外は、第2の
実施例と同様にして窒化ガリウム系半導体レーザ素子を
作製した。
子は、発振波長410nm、発振閾値電流23mAとい
う良好なレーザ特性が得られ、これらの特性の劣化もみ
られず、自励発振することも確認された。本実施例で
は、電流注入されるストライプ領域外に形成されたSi
ドープn−In0.25Ga0.75N電流阻止層において活性
層で発生した光を吸収していることにより、レーザ光の
横モードの広がりがこの電流阻止層での光の吸収によっ
て安定化され、単一横モードのレーザ光が再現性良く得
られるようになった。
n型としたが、この電流阻止層での光の吸収によって発
生された少数キャリアである正孔は、拡散長が短いため
すぐに消滅してしまい、電流阻止層を流れてp型クラッ
ド層に流入することはない。従って、電流阻止層として
光を吸収する半導体材料を用いる場合は、その導電型は
n型になるようにすることが好ましい。
iドープn−In0.25Ga0.75N層(2.9eV)を用
いたが、活性層のエネルギーギャップ(3.1eV)以
下のエネルギーギャップを有する半導体であればよく、
他のIn組成を有するInGaN3元混晶窒化物半導体
やAlGaInN4元混晶窒化物半導体、及び、窒化物
半導体以外の砒化ガリウム系半導体、燐化インジウム系
半導体、II−VI族半導体、IV族半導体等でも構わ
ない。電流阻止層として窒化ガリウム系半導体を用いた
場合は、活性層やクラッド層を構成する他の窒化ガリウ
ム系半導体と熱膨張係数や格子定数、及び、結晶構造が
似ているため、結晶性の良い電流阻止層が形成でき、レ
ーザ素子の信頼性が向上するという利点がある。
プ状のリッジ構造の側面とリッジ以外のp型層表面に形
成する電流阻止層として、厚さ0.5μmのSiドープ
n−Al0.25Ga0.75N層を用いたこと以外は、第2の
実施例と同様にして窒化ガリウム系半導体レーザ素子を
作製した。
子は、発振波長410nm、発振閾値電流18mAとい
う良好なレーザ特性が得られ、これらの特性の劣化もみ
られず、自励発振することも確認された。本実施例で
は、電流注入されるストライプ領域外に形成されたSi
ドープn−Al0.25Ga0.75N電流阻止層の屈折率
(2.43)が、Mgドープp−Al0.1Ga0.9Np型
クラッド層の屈折率(2.49)よりも小さいため、ス
トライプ領域の内部では外部に比べて実効屈折率が大き
くなり、この屈折率差によってレーザ光の横モードの広
がりが安定化され、単一横モードのレーザ光が再現性良
く得られるようになった。また、Siドープn−Al
0.25Ga0.75N電流阻止層では活性層で発生した光を吸
収しないので、さらに発振閾値電流値を低減できた。
iドープn−Al0.25Ga0.75N層を用いたが、Mgド
ープp−Al0.1Ga0.9Np型クラッド層の屈折率以下
の屈折率を有する半導体であればよく、他のAl組成を
有するAlGaN3元混晶窒化物半導体やAlGaIn
N4元混晶窒化物半導体、及び、窒化物半導体以外の半
導体材料でも構わない。電流阻止層として窒化ガリウム
系半導体を用いた場合は、活性層やクラッド層を構成す
る他の窒化ガリウム系半導体と熱膨張係数や格子定数、
及び、結晶構造が似ているため、結晶性の良い電流阻止
層が形成でき、レーザ素子の信頼性が向上するという利
点がある。
施例に係る窒化ガリウム系半導体レーザ素子を示す断面
図である。この図において、41はc面を表面として有
するサファイア基板、42はGaNバッファ層、43は
n−GaNn型コンタクト層、44はn−Al0.1Ga
0.9Nn型クラッド層、45はn−GaNガイド層、4
6は3層のIn0.2Ga0.8N量子井戸層と2層のIn
0.05Ga0.95N障壁層とからなる多重量子井戸構造活性
層、47はAl0.2Ga0.8N蒸発防止層、48はp−G
aNガイド層、49はp−Al0.1Ga0.9Np型クラッ
ド層、50はp−GaNp型コンタクト層、51はp側
電極、52はn側電極、53はSiO2絶縁膜である。
面はa面、r面、m面等の他の面方位であっても構わな
い。また、サファイア基板に限らずGaN基板、SiC
基板、スピネル基板、MgO基板、Si基板、GaAs
基板も用いることが出来る。特にGaN基板とSiC基
板の場合はサファイア基板に比べて基板上に積層した窒
化ガリウム系半導体材料との格子定数差が小さく良好な
結晶性の膜が得られ、さらに劈開しやすいため、劈開に
よるレーザ共振器端面の形成が容易であるという利点が
ある。バッファ層42はその上に窒化ガリウム系半導体
をエピタキシャル成長させることが出来るものであれば
GaNにこだわらず他の材料、例えばAlNやAlGa
N3元混晶を用いてもよい。
9は、Al0.1Ga0.9N以外のAl組成を持つAlGa
N3元混晶でもよい。この場合Al組成を大きくすると
活性層とクラッド層とのエネルギーギャップ差及び屈折
率差が大きくなり、キャリアや光が活性層に有効に閉じ
込められてさらに発振閾値電流の低減及び、温度特性の
向上が図れる。またキャリアや光の閉じ込めが保持され
る程度でAl組成を小さくしていくと、クラッド層にお
けるキャリアの移動度が大きくなるため、半導体レーザ
素子の素子抵抗を小さくできる利点がある。さらにこれ
らのクラッド層は微量に他の元素を含んだ4元以上の混
晶半導体でもよく、n型クラッド層44とp型クラッド
層49とで混晶の組成が同一でなくても構わない。
ャップが、多重量子井戸構造活性層46を構成する量子
井戸層のエネルギーギャップとクラッド層44、49の
エネルギーギャップの間の値を持つような材料であれば
GaNにこだわらず他の材料、例えばInGaN・Al
GaN3元混晶やInGaAlN4元混晶等を用いても
よい。またガイド層全体にわたってドナー又はアクセプ
ターをドーピングする必要はなく、多重量子井戸構造活
性層46側の一部のみをノンドープとしてもよく、さら
にはガイド層全体をノンドープとしてもよい。この場
合、ガイド層に存在するキャリアが少なくなり、自由キ
ャリアによる光の吸収が低減されて、さらに発振閾値電
流が低減できるという利点がある。
層のIn0.2Ga0.8N量子井戸層と2層のIn0.05Ga
0.95N障壁層は、必要なレーザ発振波長に応じてその組
成を設定すればよく、発振波長を長くしたい場合は量子
井戸層のIn組成を大きくし、短くしたい場合は量子井
戸層のIn組成を小さくする。また量子井戸層と障壁層
は、InGaN3元混晶に微量に他の元素を含んだ4元
以上の混晶半導体でもよい。さらに障壁層は単にGaN
を用いてもよい。
層46に接するようにAl0.2Ga0.8N蒸発防止層47
を形成しているが、これは量子井戸層が成長温度を上昇
している間に蒸発してしまうことを防ぐためである。従
って、量子井戸層を保護するものであれば蒸発防止層4
7として用いることができ、他のAl組成を有するAl
GaN3元混晶やGaNを用いてもよい。また、この蒸
発防止層47にMgをドーピングしてもよく、この場合
はp−GaNガイド層48やp−Al0.1Ga0.9Np型
クラッド層49から正孔が注入され易くなるという利点
がある。さらに、量子井戸層のIn組成が小さい場合は
蒸発防止層47を形成しなくても量子井戸層は蒸発しな
いため、特に蒸発防止層47を形成しなくても、本実施
例の窒化ガリウム系半導体レーザ素子の特性は損なわれ
ない。
半導体レーザの作製方法を説明する。以下の説明ではM
OCVD法(有機金属気相成長法)を用いた場合を示し
ているが、GaNをエピタキシャル成長できる成長法で
あればよく、MBE法(分子線エピタキシャル成長法)
やHVPE(ハイドライド気相成長法)等の他の気相成
長法を用いることもできる。
表面として有するサファイア基板41上に、TMGとN
H3を原料に用いて、成長温度550℃でGaNバッフ
ァ層42を35nm成長させる。
て、TMGとNH3、及びSiH4を原料に用いて、厚さ
3μmのSiドープn−GaNn型コンタクト層43を
成長する。さらに続けてTMAを原料に加え、成長温度
は1050℃のままで厚さ0.7μmのSiドープn−
Al0.1Ga0.9Nn型クラッド層44を成長する。続け
て、TMAを原料から除いて、成長温度は1050℃の
ままで厚さ0.05μmのSiドープn−GaNガイド
層45を成長する。
とNH3、及びTMIを原料に用いて、In0.2Ga0.8
N量子井戸層(厚さ5nm)、In0.05Ga0.95N障壁
層(厚さ5nm)、In0.2Ga0.8N量子井戸層(厚さ
5nm)、In0.05Ga0.95N障壁層(厚さ5nm)、
In0.2Ga0.8N量子井戸層(厚さ5nm)を順次成長
することにより多重量子井戸構造活性層(トータルの厚
さ25nm)46を作成する。さらに続けてTMGとT
MAとNH3を原料に用いて、成長温度は750℃のま
まで厚さ10nmのAl0.2Ga0.8N蒸発防止層47を
成長する。次に、再び成長温度を1050℃に上昇し
て、TMGとNH3、及びCp2Mgを原料に用いて、厚
さ0.05μmのMgドープp−GaNガイド層48を
成長する。
を一旦成長炉から取り出し、Mgドープp−GaNガイ
ド層48表面に厚さ200nmのSiO2絶縁膜53を
電流阻止層として形成する。さらに通常のフォトリソグ
ラフィーとウェットエッチング技術を用いて、1.0μ
m幅のストライプ状の溝を形成するように、SiO2絶
縁膜53をフッ酸によりウェットエッチングする。
置して、TMGとTMA、NH3、及びCp2Mgを原料
に用いて、成長温度を1050℃として厚さ0.7μm
のMgドープp−Al0.1Ga0.9Np型クラッド層49
を成長する。続けて、TMAを原料から除いて、成長温
度は1050℃のままで厚さ0.2μmのMgドープp
−GaNp型コンタクト層50を成長して、窒化ガリウ
ム系エピタキシャルウエハーを完成する。この時、p−
Al0.1Ga0.9Np型クラッド層49とp−GaNp型
コンタクト層50は、上記1.0μm幅のストライプ状
の溝を中心にして、リッジ構造状に形成される。
ス雰囲気中でアニールして、Mgドープのp型層を低抵
抗化する。
イエッチング技術を用いて、p−Al0.1Ga0.9Np型
クラッド層49とp−GaNp型コンタクト層50から
なるストライプ状のリッジ構造を含むように200μm
幅のストライプ状のメサ構造を形成するために、p−A
l0.1Ga0.9Np型クラッド層49とp−GaNp型コ
ンタクト層50が積層されていないSiO2絶縁膜53
の最表面から、n−GaNn型コンタクト層43が露出
するまでエッチングを行いメサ構造を作製する。この
時、p−Al0.1Ga0.9Np型クラッド層49とp−G
aNp型コンタクト層50からなるストライプ状のリッ
ジ構造は、200μm幅のメサ構造の両端より3μm以
上離しておけばよく、本実施例ではn側電極52を形成
する側のメサ構造の端より5μm離れたところにストラ
イプ状のリッジ構造を配置した。このようにn側電極5
2に近付けるようにストライプ状のリッジ構造を配置す
れば、素子の電気抵抗が小さくなり、動作電圧が低減さ
れる。
p型コンタクト層50の表面にニッケルと金からなるp
側電極51を形成し、エッチングにより露出したn−G
aNn型コンタクト層43の表面にチタンとアルミニウ
ムからなるn側電極52を形成して、窒化ガリウム系L
Dウエハーを完成する。
と垂直な方向に劈開してレーザの共振器端面を形成し、
さらに個々のチップに分割する。そして、各チップをス
テムにマウントし、ワイヤーボンディングにより各電極
とリード端子とを接続して、窒化ガリウム系半導体レー
ザ素子を完成する。
素子は、発振波長410nm、発振閾値電流15mAと
いう良好なレーザ特性が得られ、これらの特性の劣化も
みられず、自励発振することも確認された。この結果、
光ディスクシステム用として本実施例の窒化ガリウム系
半導体レーザ素子を用いると、データの読み出しエラー
を防止することができ、実用に供する窒化ガリウム系半
導体レーザ素子が実現できた。
領域の幅を1.0μmとしたが、0.2μm以上1.8
μm以下であれば、本実施例にこだわらず他のストライ
プ領域の幅でも同等の効果が得られる。
性層46を構成する量子井戸層と障壁層の層厚をともに
5nmとしたが、これらの層厚が同一である必要はな
く、異なっていても構わない。また量子井戸層と障壁層
の各層厚を10nm以下とすれば、本実施例にこだわら
ず、他の層厚でも同等の効果が得られる。また、多重量
子井戸構造活性層46の量子井戸層数は2層や4層でも
よく、単一量子井戸構造活性層でも構わない。
端面を形成しているが、サファイア基板は硬くて劈開し
にくい場合があるので、ドライエッチングにより共振器
端面を形成することもできる。
アを基板として用いたため、エッチングにより露出した
n−GaNn型コンタクト層43の表面にn側電極52
を形成しているが、n型導電性を有するGaN、Si
C、Si、GaAs等を基板に用いれば、この基板の裏
面にn側電極52を形成してもよい。この場合、200
μm幅のストライプ状のメサ構造を作製するエッチング
を行う必要はなく、電流注入されるストライプ状のリッ
ジ構造は、半導体レーザ素子チップの両端より3μm以
上離しておけばよい。また、p型とn型の構成を逆にし
ても構わない。
施例に係る窒化ガリウム系半導体レーザ素子を示す断面
図である。この図において、61はc面を表面として有
する絶縁性GaN基板、62はn−GaNn型コンタク
ト層、63はn−Al0.1Ga0.9Nn型クラッド層、6
4はn−GaNガイド層、65は3層のIn0.2Ga0.8
N量子井戸層と4層のIn0.05Ga0.95N障壁層とから
なる多重量子井戸構造活性層、66はp−GaNガイド
層、67はp−Al0.1Ga0.9Np型第1クラッド層、
68はp−Al0.1Ga0.9Np型第2クラッド層、69
はp−GaNp型コンタクト層、70はp側電極、71
はn側電極、72はSiドープn−Al0.25Ga0.75N
電流阻止層である。
プn−Al0.25Ga0.75N層を用いたが、Mgドープp
−Al0.1Ga0.9Np型クラッド層の屈折率以下の屈折
率を有する半導体であればよく、他のAl組成を有する
AlGaN3元混晶窒化物半導体やAlGaInN4元
混晶窒化物半導体、及び、窒化物半導体以外の半導体材
料でも構わない。電流阻止層として窒化ガリウム系半導
体を用いた場合は、活性層やクラッド層を構成する他の
窒化ガリウム系半導体と熱膨張係数や格子定数、及び、
結晶構造が似ているため、結晶性の良い電流阻止層が形
成でき、レーザ素子の信頼性が向上するという利点があ
る。
を用いたことにより、積層する窒化ガリウム系半導体材
料との格子定数差が小さく良好な結晶性の膜が得られ、
さらに劈開しやすいため、劈開によるレーザ共振器端面
の形成が容易になっている。しかしながら、基板はGa
N基板に限らず、サファイア基板、SiC基板、スピネ
ル基板、MgO基板、Si基板、GaAs基板も用いる
ことが出来る。特にサファイア基板を用いた場合は、窒
化物半導体とサファイア基板との格子定数の違いを緩和
するために、サファイア基板上に窒化ガリウム系半導体
バッファ層を形成して、半導体レーザ素子の多層構造を
積層すれば良い。
7と68は、Al0.1Ga0.9N以外のAl組成を持つA
lGaN3元混晶でもよい。この場合Al組成を大きく
すると活性層とクラッド層とのエネルギーギャップ差及
び屈折率差が大きくなり、キャリアや光が活性層に有効
に閉じ込められてさらに発振閾値電流の低減及び、温度
特性の向上が図れる。またキャリアや光の閉じ込めが保
持される程度でAl組成を小さくしていくと、クラッド
層におけるキャリアの移動度が大きくなるため、半導体
レーザ素子の素子抵抗を小さくできる利点がある。さら
にこれらのクラッド層は微量に他の元素を含んだ4元以
上の混晶半導体でもよく、n型クラッド層63とp型ク
ラッド層67と68とで混晶の組成が同一でなくても構
わない。
半導体レーザの作製方法を説明する。以下の説明ではM
OCVD法(有機金属気相成長法)を用いた場合を示し
ているが、GaNをエピタキシャル成長できる成長法で
あればよく、MBE法(分子線エピタキシャル成長法)
やHVPE(ハイドライド気相成長法)等の他の気相成
長法を用いることもできる。
表面として有する絶縁性GaN基板61上に、成長温度
1050℃で、TMGとNH3、及びSiH4を原料に用
いて、厚さ3μmのSiドープn−GaNn型コンタク
ト層62を成長する。さらに続けてTMAを原料に加
え、成長温度は1050℃のままで厚さ0.7μmのS
iドープn−Al0.1Ga0.9Nn型クラッド層63を成
長する。続けて、TMAを原料から除いて、成長温度は
1050℃のままで厚さ0.05μmのSiドープn−
GaNガイド層64を成長する。
とNH3、及びTMIを原料に用いて、In0.05Ga
0.95N障壁層(厚さ5nm)、In0.2Ga0.8N量子井
戸層(厚さ5nm)、In0.05Ga0.95N障壁層(厚さ
5nm)、In0.2Ga0.8N量子井戸層(厚さ5n
m)、In0.05Ga0.95N障壁層(厚さ5nm)、In
0.2Ga0.8N量子井戸層(厚さ5nm)、In0.05Ga
0.95N障壁層(厚さ5nm)を順次成長することにより
多重量子井戸構造活性層(トータルの厚さ35nm)6
5を作成する。
て、TMGとNH3、及びCp2Mgを原料に用いて、厚
さ0.05μmのMgドープp−GaNガイド層66を
成長する。さらに続けてTMAを原料に加え、成長温度
は1050℃のままで厚さ0.2μmのMgドープp−
Al0.1Ga0.9Np型第1クラッド層67を成長する。
続けて、TMGとNH3、TMA、及びSiH4を原料に
用いて、成長温度は1050℃のままで厚さ0.3μm
のSiドープn−Al0.25Ga0.75N電流阻止層72を
成長する。
を一旦成長炉から取り出し、通常のフォトリソグラフィ
ーとドライエッチング技術を用いて、p−Al0.1Ga
0.9Np型第1クラッド層67に達するまで1.0μm
幅のストライプ状の溝を形成するように、n−Al0.25
Ga0.75N電流阻止層72をドライエッチングする。こ
のドライエッチングの際には、多重量子井戸構造活性層
65に達しないようにエッチングを停止しているので、
活性層へのエッチングダメージが抑えられており、信頼
性の低下や、発振閾値電流値の増大が防がれている。
置して、1.0μm幅のストライプ状の溝とn−Al
0.25Ga0.75N電流阻止層72の表面全体にわたり、T
MGとTMA、NH3、及びCp2Mgを原料に用いて、
成長温度を1050℃として厚さ0.5μmのMgドー
プp−Al0.1Ga0.9Np型第2クラッド層68を成長
する。続けて、TMAを原料から除いて、成長温度は1
050℃のままで厚さ0.2μmのMgドープp−Ga
Np型コンタクト層69を成長して、窒化ガリウム系エ
ピタキシャルウエハーを完成する。
ス雰囲気中でアニールして、Mgドープのp型層を低抵
抗化する。
イエッチング技術を用いて、1.0μm幅のストライプ
状の溝部を含むように200μm幅のストライプ状のメ
サ構造を形成するために、1.0μm幅のストライプ状
の溝部が形成されていない領域のp−GaNp型コンタ
クト層69の最表面から、n−GaNn型コンタクト層
62が露出するまでエッチングを行いメサ構造を作製す
る。この時、1.0μm幅のストライプ状の溝部は、2
00μm幅のメサ構造の両端より3μm以上離しておけ
ばよく、本実施例ではn側電極71を形成する側のメサ
構造の端より5μm離れたところにストライプ状の溝を
配置した。
にあるp−GaNp型コンタクト層69の表面にニッケ
ルと金からなるp側電極70を形成し、エッチングによ
り露出したn−GaNn型コンタクト層62の表面にチ
タンとアルミニウムからなるn側電極71を形成して、
窒化ガリウム系LDウエハーを完成する。
部と垂直な方向に劈開してレーザの共振器端面を形成
し、さらに個々のチップに分割する。そして、各チップ
をステムにマウントし、ワイヤーボンディングにより各
電極とリード端子とを接続して、窒化ガリウム系半導体
レーザ素子を完成する。
素子は、発振波長410nm、発振閾値電流15mAと
いう良好なレーザ特性が得られ、これらの特性の劣化も
みられず、自励発振することも確認された。この結果、
光ディスクシステム用として本実施例の窒化ガリウム系
半導体レーザ素子を用いると、データの読み出しエラー
を防止することができ、実用に供する窒化ガリウム系半
導体レーザ素子が実現できた。
状の溝部の幅を1.0μmとしたが、0.2μm以上
1.8μm以下であれば、本実施例にこだわらず他のス
トライプ領域の幅でも同等の効果が得られる。
性層65を構成する量子井戸層と障壁層の層厚をともに
5nmとしたが、これらの層厚が同一である必要はな
く、異なっていても構わない。また量子井戸層と障壁層
の各層厚を10nm以下とすれば、本実施例にこだわら
ず、他の層厚でも同等の効果が得られる。また、多重量
子井戸構造活性層65の量子井戸層数は2層や4層でも
よく、単一量子井戸構造活性層でも構わない。
端面を形成しているが、ドライエッチングにより共振器
端面を形成することもできる。
め、エッチングにより露出したn−GaNn型コンタク
ト層62の表面にn側電極71を形成しているが、n型
導電性を有するGaN、SiC、Si、GaAs等を基
板に用いれば、この基板の裏面にn側電極71を形成し
てもよい。この場合、200μm幅のストライプ状のメ
サ構造を作製するエッチングを行う必要はなく、電流注
入されるストライプ状の溝部は、半導体レーザ素子チッ
プの両端より3μm以上離しておけばよい。また、p型
とn型の構成を逆にしても構わない。
p型第1クラッド層67とp−Al0.1Ga0.9Np型第
2クラッド層68とを同一組成にしている。従ってn−
Al0.25Ga0.75N電流阻止層72をドライエッチング
してストライプ状の溝部を作製する際、p−Al0.1G
a0.9Np型第1クラッド層67のエッチングの残し膜
厚がいくらであっても、ストライプ状の溝部に配置され
たp型クラッド層を構成する窒化ガリウム系半導体材料
は同一組成であるため、横モード等のレーザ特性には全
く影響しない。これにより、p−Al0.1Ga0.9Np型
第1クラッド層67のエッチングの残し膜厚にばらつき
が生じても、このばらつきに影響されずに良好なレーザ
特性が得られることになる。また、p−Al0.1Ga0.9
Np型第1クラッド層67のエッチングの残し膜厚をエ
ッチングレートにより正確に制御できるのであれば、p
−Al0.1Ga0.9Np型第1クラッド層67とp−Al
0. 1Ga0.9Np型第2クラッド層68とを同一組成にし
なくても、ばらつきの無い良好なレーザ特性が得られる
ので、違う組成で作成しても構わない。
施例に係る窒化ガリウム系半導体レーザ素子を示す断面
図である。この図において、81はc面を表面として有
する絶縁性GaN基板、82はn−GaNn型コンタク
ト層、83はn−Al0.1Ga0.9Nn型クラッド層、8
4はn−GaNガイド層、85は2層のIn0.2Ga0.8
N量子井戸層と3層のIn0.05Ga0.95N障壁層とから
なる多重量子井戸構造活性層、86はp−GaNガイド
層、87はp−Al0.1Ga0.9Np型エッチング停止
層、88はp−Al0.1Ga0.9Np型クラッド層、89
はp−GaNp型コンタクト層、90はp側電極、91
はn側電極、92はSiドープn−In0.25Ga0.75N
電流阻止層である。
プn−In0.25Ga0.75N層を用いたが、活性層のエネ
ルギーギャップ以下のエネルギーギャップを有する半導
体であればよく、他のIn組成を有するInGaN3元
混晶窒化物半導体やAlGaInN4元混晶窒化物半導
体、及び、窒化物半導体以外の砒化ガリウム系半導体、
燐化インジウム系半導体、II−VI族半導体、IV族
半導体等でも構わない。電流阻止層として窒化ガリウム
系半導体を用いた場合は、活性層やクラッド層を構成す
る他の窒化ガリウム系半導体と熱膨張係数や格子定数、
及び、結晶構造が似ているため、結晶性の良い電流阻止
層が形成でき、レーザ素子の信頼性が向上するという利
点がある。
半導体レーザの作製方法を説明する。以下の説明ではM
OCVD法(有機金属気相成長法)を用いた場合を示し
ているが、GaNをエピタキシャル成長できる成長法で
あればよく、MBE法(分子線エピタキシャル成長法)
やHVPE(ハイドライド気相成長法)等の他の気相成
長法を用いることもできる。
表面として有する絶縁性GaN基板81上に、成長温度
1050℃で、TMGとNH3、及びSiH4を原料に用
いて、厚さ3μmのSiドープn−GaNn型コンタク
ト層82を成長する。さらに続けてTMAを原料に加
え、成長温度は1050℃のままで厚さ0.7μmのS
iドープn−Al0.1Ga0.9Nn型クラッド層83を成
長する。続けて、TMAを原料から除いて、成長温度は
1050℃のままで厚さ0.05μmのSiドープn−
GaNガイド層84を成長する。
とNH3、及びTMIを原料に用いて、In0.05Ga
0.95N障壁層(厚さ5nm)、In0.2Ga0.8N量子井
戸層(厚さ5nm)、In0.05Ga0.95N障壁層(厚さ
5nm)、In0.2Ga0.8N量子井戸層(厚さ5n
m)、In0.05Ga0.95N障壁層(厚さ5nm)を順次
成長することにより多重量子井戸構造活性層(トータル
の厚さ25nm)85を作成する。
て、TMGとNH3、及びCp2Mgを原料に用いて、厚
さ0.05μmのMgドープp−GaNガイド層86を
成長する。さらに続けてTMAを原料に加え、成長温度
は1050℃のままで厚さ0.05μmのMgドープp
−Al0.1Ga0.9Np型エッチング停止層87を成長す
る。続けて成長温度を750℃に下げ、TMGとN
H3、TMI、及びSiH4を原料に用いて、厚さ0.3
μmのSiドープn−In0.25Ga0.75N電流阻止層9
2を成長する。
を一旦成長炉から取り出し、通常のフォトリソグラフィ
ーとドライエッチング技術を用いて、p−Al0.1Ga
0.9Np型エッチング停止層87に達するまで1.0μ
m幅のストライプ状の溝を形成するように、n−In
0.25Ga0.75N電流阻止層92をドライエッチングす
る。この時、エッチングの深さがp−Al0.1Ga0.9N
p型エッチング停止層87に達すると、エッチング表面
にAl原子が現れるため、このAl原子を元素分析によ
り検出した時点でエッチングを停止するようにして、エ
ッチングする深さを正確に制御できた。
置して、1.0μm幅のストライプ状の溝とn−In
0.25Ga0.75N電流阻止層92の表面全体にわたり、T
MGとTMA、NH3、及びCp2Mgを原料に用いて、
成長温度を1050℃として厚さ0.7μmのMgドー
プp−Al0.1Ga0.9Np型クラッド層88を成長す
る。続けて、TMAを原料から除いて、成長温度は10
50℃のままで厚さ0.2μmのMgドープp−GaN
p型コンタクト層89を成長して、窒化ガリウム系エピ
タキシャルウエハーを完成する。
ス雰囲気中でアニールして、Mgドープのp型層を低抵
抗化する。
イエッチング技術を用いて、1.0μm幅のストライプ
状の溝部を含むように200μm幅のストライプ状のメ
サ構造を形成するために、1.0μm幅のストライプ状
の溝部が形成されていない領域のp−GaNp型コンタ
クト層89の最表面から、n−GaNn型コンタクト層
82が露出するまでエッチングを行いメサ構造を作製す
る。この時、1.0μm幅のストライプ状の溝部は、2
00μm幅のメサ構造の両端より3μm以上離しておけ
ばよく、本実施例ではn側電極91を形成する側のメサ
構造の端より5μm離れたところにストライプ状の溝を
配置した。
にあるp−GaNp型コンタクト層89の表面にニッケ
ルと金からなるp側電極90を形成し、エッチングによ
り露出したn−GaNn型コンタクト層82の表面にチ
タンとアルミニウムからなるn側電極91を形成して、
窒化ガリウム系LDウエハーを完成する。
部と垂直な方向に劈開してレーザの共振器端面を形成
し、さらに個々のチップに分割する。そして、各チップ
をステムにマウントし、ワイヤーボンディングにより各
電極とリード端子とを接続して、窒化ガリウム系半導体
レーザ素子を完成する。
素子は、発振波長410nm、発振閾値電流18mAと
いう良好なレーザ特性が得られ、これらの特性の劣化も
みられず、自励発振することも確認された。この結果、
光ディスクシステム用として本実施例の窒化ガリウム系
半導体レーザ素子を用いると、データの読み出しエラー
を防止することができ、実用に供する窒化ガリウム系半
導体レーザ素子が実現できた。
状の溝部の幅を1.0μmとしたが、0.2μm以上
1.8μm以下であれば、本実施例にこだわらず他のス
トライプ領域の幅でも同等の効果が得られる。
p型エッチング停止層87とp−Al0.1Ga0.9Np型
クラッド層88とを同一組成にしているが、これは異な
っていても構わず、p−Al0.1Ga0.9Np型エッチン
グ停止層87のAl組成も本実施例にこだわらず、エッ
チングの深さを判断できるものであれば他の半導体材料
でも構わない。Al組成をp型クラッド層88よりも少
なくし、p−GaNガイド層86よりも大きくすると、
p型エッチング停止層87のエネルギーギャップはp型
クラッド層88とp−GaNガイド層86の間のエネル
ギーギャップとなり、正孔をp型クラッド層88からp
−GaNガイド層86へ注入する際にエネルギーの勾配
が出来て、注入しやすくなるという利点がある。
86の上にp−Al0.1Ga0.9Np型エッチング停止層
87を積層したが、p−GaNガイド層86の内部にp
−Al0.1Ga0.9Np型エッチング停止層87を形成し
ても構わない。
施例に係る窒化ガリウム系半導体レーザ素子を示す断面
図である。この図において、101はc面を表面として
有するサファイア基板、102はGaNバッファ層、1
03はn−GaNn型コンタクト層、104はn−Al
0.1Ga0.9Nn型クラッド層、105はn−GaNガイ
ド層、106は2層のIn0.2Ga0.8N量子井戸層と1
層のIn0.05Ga0.95N障壁層とからなる多重量子井戸
構造活性層、107はAl0.2Ga0.8N蒸発防止層、1
08はp−GaNガイド層、109はp−Al0.1Ga
0.9Np型クラッド層、110はp−GaNp型コンタ
クト層、111はp側電極、112はn側電極、113
はSiO2絶縁膜である。
半導体レーザの作製方法を説明する。以下の説明ではM
OCVD法(有機金属気相成長法)を用いた場合を示し
ているが、GaNをエピタキシャル成長できる成長法で
あればよく、MBE法(分子線エピタキシャル成長法)
やHVPE(ハイドライド気相成長法)等の他の気相成
長法を用いることもできる。
表面として有するサファイア基板101上に、TMGと
NH3を原料に用いて、成長温度550℃でGaNバッ
ファ層102を35nm成長させる。
て、TMGとNH3、及びSiH4を原料に用いて、厚さ
3μmのSiドープn−GaNn型コンタクト層103
を成長する。
を一旦成長炉から取り出し、Siドープn−GaNn型
コンタクト層103表面に厚さ200nmのSiO2絶
縁膜113を電流阻止層として形成する。さらに通常の
フォトリソグラフィーとウェットエッチング技術を用い
て、1.0μm幅のストライプ状の溝を形成するよう
に、SiO2絶縁膜113をフッ酸によりウェットエッ
チングする。
置して、TMGとTMA、NH3、及びSiH4を原料に
用いて、成長温度を1050℃として厚さ0.7μmの
Siドープn−Al0.1Ga0.9Nn型クラッド層104
を成長する。続けて、TMAを原料から除いて、成長温
度は1050℃のままで厚さ0.05μmのSiドープ
n−GaNガイド層105を成長する。
とNH3、及びTMIを原料に用いて、In0.2Ga0.8
N量子井戸層(厚さ5nm)、In0.05Ga0.95N障壁
層(厚さ5nm)、In0.2Ga0.8N量子井戸層(厚さ
5nm)を順次成長することにより多重量子井戸構造活
性層(トータルの厚さ15nm)106を作成する。さ
らに続けてTMGとTMAとNH3を原料に用いて、成
長温度は750℃のままで厚さ10nmのAl0.2Ga
0.8N蒸発防止層107を成長する。次に、再び成長温
度を1050℃に上昇して、TMGとNH3、及びCp2
Mgを原料に用いて、厚さ0.05μmのMgドープp
−GaNガイド層108を成長する。さらに続けて、T
MAを原料に加え、成長温度は1050℃のままで厚さ
0.7μmのMgドープp−Al0.1Ga0.9Np型クラ
ッド層109を成長する。続けて、TMAを原料から除
いて、成長温度は1050℃のままで厚さ0.2μmの
Mgドープp−GaNp型コンタクト層110を成長し
て、窒化ガリウム系エピタキシャルウエハーを完成す
る。この時、n−Al0.1Ga0.9Nn型クラッド層10
4、n−GaNガイド層105、多重量子井戸構造活性
層106、Al0.2Ga0.8N蒸発防止層107、p−G
aNガイド層108、p−Al0.1Ga0.9Np型クラッ
ド層109、p−GaNp型コンタクト層110は、上
記1.0μm幅のストライプ状の溝を中心にして、リッ
ジ構造状に形成される。
ス雰囲気中でアニールして、Mgドープのp型層を低抵
抗化する。
ットエッチング技術を用いて、上記リッジ構造が形成さ
れていないSiO2絶縁膜113の一部を100μm幅
のストライプ状に、n−GaNn型コンタクト層103
が露出するまでエッチングを行う。
0の表面にニッケルと金からなるp側電極111を形成
し、エッチングにより露出したn−GaNn型コンタク
ト層103の表面にチタンとアルミニウムからなるn側
電極112を形成して、窒化ガリウム系LDウエハーを
完成する。
と垂直な方向に劈開してレーザの共振器端面を形成し、
さらに個々のチップに分割する。そして、各チップをス
テムにマウントし、ワイヤーボンディングにより各電極
とリード端子とを接続して、窒化ガリウム系半導体レー
ザ素子を完成する。
素子は、発振波長410nm、発振閾値電流18mAと
いう良好なレーザ特性が得られ、これらの特性の劣化も
みられず、自励発振することも確認された。この結果、
光ディスクシステム用として本実施例の窒化ガリウム系
半導体レーザ素子を用いると、データの読み出しエラー
を防止することができ、実用に供する窒化ガリウム系半
導体レーザ素子が実現できた。
領域の幅を1.0μmとしたが、0.2μm以上1.8
μm以下であれば、本実施例にこだわらず他のストライ
プ領域の幅でも同等の効果が得られる。
上にまずn型の導電性を有する窒化ガリウム系半導体を
形成した後に、p型の導電性を有する窒化ガリウム系半
導体を形成したが、p型とn型の構成を逆にしても構わ
ない。逆にした場合、電流阻止層を形成後に積層される
Al0.1Ga0.9Nクラッド層はp型であるため、電気抵
抗が大きくなり、電流阻止層で狭窄された電流がp−A
l0.1Ga0.9Np型クラッド層で広がってしまうことを
抑えられ、発振閾値電流値が低減できる。
施例に係る窒化ガリウム系半導体レーザ素子を示す断面
図である。この図において、121はc面を表面として
有するサファイア基板、122はGaNバッファ層、1
23はp−GaNp型コンタクト層、124はp−In
0.05Ga0.95Nエッチング停止層、125はp−Al
0.1Ga0.9Np型クラッド層、126はp−GaNガイ
ド層、127は2層のIn0.2Ga0.8N量子井戸層と3
層のIn0.05Ga0.95N障壁層とからなる多重量子井戸
構造活性層、128はn−GaNガイド層、129はn
−Al0.1Ga0.9Nn型クラッド層、130はn−Ga
Nn型コンタクト層、131はp側電極、132はn側
電極、133はSiドープn−Al0.25Ga0.75N電流
阻止層である。
プn−Al0.25Ga0.75N層を用いたが、Mgドープp
−Al0.1Ga0.9Np型クラッド層の屈折率以下の屈折
率を有する半導体であればよく、他のAl組成を有する
AlGaN3元混晶窒化物半導体やAlGaInN4元
混晶窒化物半導体、及び、窒化物半導体以外の半導体材
料でも構わない。電流阻止層として窒化ガリウム系半導
体を用いた場合は、活性層やクラッド層を構成する他の
窒化ガリウム系半導体と熱膨張係数や格子定数、及び、
結晶構造が似ているため、結晶性の良い電流阻止層が形
成でき、レーザ素子の信頼性が向上するという利点があ
る。
半導体レーザの作製方法を説明する。以下の説明ではM
OCVD法(有機金属気相成長法)を用いた場合を示し
ているが、GaNをエピタキシャル成長できる成長法で
あればよく、MBE法(分子線エピタキシャル成長法)
やHVPE(ハイドライド気相成長法)等の他の気相成
長法を用いることもできる。
表面として有するサファイア基板121上に、TMGと
NH3を原料に用いて、成長温度550℃でGaNバッ
ファ層122を35nm成長させる。
て、TMGとNH3、及びCp2Mgを原料に用いて、厚
さ3μmのMgドープp−GaNp型コンタクト層12
3を成長する。次に、成長温度を750℃に下げ、TM
Iを原料に加え、厚さ0.02μmのMgドープp−I
n0.05Ga0.95Nエッチング停止層124を成長する。
次に、再び成長温度を1050℃に上昇して、TMG、
TMAとNH3、及びSiH4を原料に用いて、厚さ0.
2μmのSiドープn−Al0.25Ga0.75N電流阻止層
133を成長する。
を一旦成長炉から取り出し、通常のフォトリソグラフィ
ーとドライエッチング技術を用いて、1.0μm幅のス
トライプ状の溝を形成するように、Siドープn−Al
0.25Ga0.75N電流阻止層133をエッチングする。こ
の時、エッチングの深さがp−In0.05Ga0.95Nエッ
チング停止層124に達すると、エッチング表面にIn
原子が現れるため、このIn原子を元素分析により検出
した時点でエッチングを停止するようにして、エッチン
グする深さを正確に制御できた。
置して、1.0μm幅のストライプ状の溝とn−Al
0.25Ga0.75N電流阻止層133の表面全体にわたり、
TMGとTMA、NH3、及びCp2Mgを原料に用い
て、成長温度を1050℃として厚さ0.7μmのMg
ドープp−Al0.1Ga0.9Np型クラッド層125を成
長する。続けて、TMAを原料から除いて、成長温度は
1050℃のままで厚さ0.05μmのMgドープp−
GaNガイド層126を成長する。
とNH3、及びTMIを原料に用いて、In0.05Ga
0.95N障壁層(厚さ5nm)、In0.2Ga0.8N量子井
戸層(厚さ5nm)、In0.05Ga0.95N障壁層(厚さ
5nm)、In0.2Ga0.8N量子井戸層(厚さ5n
m)、In0.05Ga0.95N障壁層(厚さ5nm)を順次
成長することにより多重量子井戸構造活性層(トータル
の厚さ25nm)127を作成する。次に、再び成長温
度を1050℃に上昇して、TMGとNH3、及びSi
H4を原料に用いて、厚さ0.05μmのSiドープn
−GaNガイド層128を成長する。さらに続けて、T
MAを原料に加え、成長温度は1050℃のままで厚さ
0.7μmのSiドープn−Al0.1Ga0.9Nn型クラ
ッド層129を成長する。続けて、TMAを原料から除
いて、成長温度は1050℃のままで厚さ0.2μmの
Siドープn−GaNn型コンタクト層130を成長し
て、窒化ガリウム系エピタキシャルウエハーを完成す
る。
ス雰囲気中でアニールして、Mgドープのp型層を低抵
抗化する。
イエッチング技術を用いて、1.0μm幅のストライプ
状の溝部を含むように200μm幅のストライプ状のメ
サ構造を形成するために、1.0μm幅のストライプ状
の溝部が形成されていない領域のn−GaNp型コンタ
クト層130の最表面から、p−GaNp型コンタクト
層123が露出するまでエッチングを行いメサ構造を作
製する。この時、1.0μm幅のストライプ状の溝部
は、200μm幅のメサ構造の両端より3μm以上離し
ておけばよく、本実施例ではp側電極131を形成する
側のメサ構造の端より5μm離れたところにストライプ
状の溝を配置した。
にあるn−GaNn型コンタクト層130の表面にチタ
ンとアルミニウムからなるn側電極132を形成し、エ
ッチングにより露出したp−GaNp型コンタクト層1
23の表面にニッケルと金からなるp側電極131を形
成して、窒化ガリウム系LDウエハーを完成する。
と垂直な方向に劈開してレーザの共振器端面を形成し、
さらに個々のチップに分割する。そして、各チップをス
テムにマウントし、ワイヤーボンディングにより各電極
とリード端子とを接続して、窒化ガリウム系半導体レー
ザ素子を完成する。
素子は、発振波長410nm、発振閾値電流15mAと
いう良好なレーザ特性が得られ、これらの特性の劣化も
みられず、自励発振することも確認された。この結果、
光ディスクシステム用として本実施例の窒化ガリウム系
半導体レーザ素子を用いると、データの読み出しエラー
を防止することができ、実用に供する窒化ガリウム系半
導体レーザ素子が実現できた。
領域の幅を1.0μmとしたが、0.2μm以上1.8
μm以下であれば、本実施例にこだわらず他のストライ
プ領域の幅でも同等の効果が得られる。
タクト層123とp−Al0.1Ga0.9Np型クラッド層
125の間にp−In0.05Ga0.95Nエッチング停止層
124を積層したが、p−Al0.1Ga0.9Np型クラッ
ド層125の内部にp−In0.05Ga0.95Nエッチング
停止層124を形成しても構わない。
上にまずp型の導電性を有する窒化ガリウム系半導体を
形成した後に、n型の導電性を有する窒化ガリウム系半
導体を形成したが、p型とn型の構成を逆にしても構わ
ない。逆にした場合、p型の導電性を有する窒化ガリウ
ム系半導体よりも良質のn型の導電性を有する窒化ガリ
ウム系半導体の上に活性層を形成するため、信頼性が向
上するという利点がある。
て厚さ0.02μmのMgドープp−Al0.1Ga0.9N
層を用い、電流阻止層として厚さ0.2μmのSiドー
プn−In0.25Ga0.75N層を用いたこと、以外は、第
9の実施例と同様にして窒化ガリウム系半導体レーザ素
子を作製した。この場合、1.0μm幅のストライプ状
の溝を形成するように、Siドープn−In0.25Ga
0.75N電流阻止層をエッチングする際、エッチングの深
さがp−Al0.1Ga0.9Nエッチング停止層に達する
と、エッチング表面にAl原子が現れるため、このAl
原子を元素分析により検出した時点でエッチングを停止
するようにして、エッチングする深さを正確に制御でき
た。
子は、発振波長410nm、発振閾値電流18mAとい
う良好なレーザ特性が得られ、これらの特性の劣化もみ
られず、自励発振することも確認された。本実施例で
は、電流注入されるストライプ領域外に形成されるSi
ドープn−In0.25Ga0.75N電流阻止層において活性
層で発生した光を吸収していることにより、レーザ光の
横モードの広がりがこの電流阻止層での光の吸収によっ
て安定化され、単一横モードのレーザ光が再現性良く得
られるようになった。
iドープn−In0.25Ga0.75N層を用いたが、活性層
のエネルギーギャップ以下のエネルギーギャップを有す
る半導体であればよく、他のIn組成を有するInGa
N3元混晶窒化物半導体やAlGaInN4元混晶窒化
物半導体、及び、窒化物半導体以外の砒化ガリウム系半
導体、燐化インジウム系半導体、II−VI族半導体、
IV族半導体等でも構わない。電流阻止層として窒化ガ
リウム系半導体を用いた場合は、活性層やクラッド層を
構成する他の窒化ガリウム系半導体と熱膨張係数や格子
定数、及び、結晶構造が似ているため、結晶性の良い電
流阻止層が形成でき、レーザ素子の信頼性が向上すると
いう利点がある。
ム系半導体レーザ素子では、活性層の幅よりも狭い幅の
ストライプ領域に電流が注入される窒化ガリウム系半導
体レーザ素子において電流注入されるストライプ領域の
幅を0.2μm以上1.8μm以下とした。この結果、
ストライプ領域外でレーザ光が広がっている領域に存在
する活性層はこのレーザ光を吸収することができ、電流
注入されるストライプ領域外の活性層が可飽和吸収層と
して働くため自励発振特性が得られた。また、本発明の
ようにストライプ領域の幅を狭くしても、窒化ガリウム
系半導体材料では電気抵抗値が大きいことにより、電流
広がりはほとんど生じていないため、発振閾値電流値が
低い良好なレーザ発振特性を有する窒化ガリウム系半導
体レーザ素子が得られた。さらに、本発明のようにスト
ライプ領域の幅を狭くしたことによりこの領域内に存在
する欠陥の個数が低減されて、レーザ特性の劣化が生じ
ず、素子の信頼性が向上するという利点も得られた。こ
れにより、良好なレーザ発振特性を有し、光ディスク用
として使用可能な、データの読み出し時にエラーを発生
しない窒化ガリウム系半導体レーザ素子が実現できた。
を示す断面図である。
を示す断面図である。
を示す断面図である。
を示す断面図である。
を示す断面図である。
を示す断面図である。
を示す断面図である。
幅よりも狭くした、本発明に係る半導体レーザ素子の断
面図である。
流注入されるストライプ領域の幅を変化させた時の発振
閾値電流値の変化を表すグラフ図である。
電流注入されるストライプ領域の外側の活性層と電流素
子層とにはさまれた半導体層の層厚を変化させた時の発
振閾値電流値の変化を表すグラフ図である。
レーザ素子の断面図である。
振型の半導体レーザ素子の断面図である。
aNn型コンタクト層 4、24、44、63、83、104、129 n−A
l0.1Ga0.9Nn型クラッド層 5、25、45、64、84、105、128 n−G
aNガイド層 6、26、46、65、85、106、127 多重量
子井戸構造活性層 7、47、107 Al0.2Ga0.8N蒸発防止層 8、27、48、66、86、108、126 p−G
aNガイド層 9、29、49、88、109、125 p−Al0.1
Ga0.9Np型クラッド層 10、30、50、69、89、110、123 p−
GaNp型コンタクト層 11、31、51、70、90、111、131 p側
電極 12、32、52、71、91、112、132 n側
電極 13、33、53、113 SiO2絶縁膜 28、124 p−In0.05Ga0.95Nエッチング停止
層 67 p−Al0.1Ga0.9N第1クラッド層 68 p−Al0.1Ga0.9N第2クラッド層 72、133 Siドープn−Al0.25Ga0.75N電流
阻止層 61、81 絶縁性GaN基板 87 p−Al0.1Ga0.9Nエッチングストップ層 92 SiドープIn0.25Ga0.75N電流阻止層
Claims (14)
- 【請求項1】 基板上に、窒化物半導体からなる少なく
ともクラッド層及び/またはガイド層に挟まれた窒化物
半導体よりなる活性層を備え、前記活性層の幅よりも狭
い幅のストライプ領域に電流が注入される窒化ガリウム
系半導体レーザ素子において、前記ストライプ領域の幅
が、0.2μm以上1.8μm以下であることを特徴と
する窒化ガリウム系半導体レーザ素子。 - 【請求項2】 前記ストライプ領域の外側に活性層が少
なくとも3μm以上の幅で存在することを特徴とする請
求項1に記載の窒化ガリウム系半導体レーザ素子。 - 【請求項3】 前記活性層が、単一量子井戸層からなる
ことを特徴とする請求項1ないし2のいずれかに記載の
窒化ガリウム系半導体レーザ素子。 - 【請求項4】 前記活性層が、量子井戸層と障壁層とを
交互に積層してなる量子井戸構造活性層からなり、量子
井戸層の層数が2以上4以下であることを特徴とする請
求項1ないし2のいずれかに記載の窒化ガリウム系半導
体レーザ素子。 - 【請求項5】 前記活性層を形成する量子井戸層の厚さ
が、10nm以下であることを特徴とする請求項3また
は4に記載の窒化ガリウム系半導体レーザ素子。 - 【請求項6】 前記活性層を形成する障壁層の厚さが、
10nm以下であることを特徴とする請求項4または5
に記載の窒化ガリウム系半導体レーザ素子。 - 【請求項7】 前記ストライプ領域を有する窒化ガリウ
ム系半導体レーザ素子の構造は、少なくとも第1の導電
型のクラッド層と、活性層と、第2の導電型のクラッド
層と、第2の導電型のコンタクト層が順次積層され、前
記第2の導電型のクラッド層と第2の導電型のコンタク
ト層とは活性層の幅よりも狭い幅のストライプが形成さ
れ、前記ストライプの外側には電流阻止層が積層された
ことからなることを特徴とする請求項1ないし6のいず
れかに記載の窒化ガリウム系半導体レーザ素子。 - 【請求項8】 前記ストライプ領域を有する窒化ガリウ
ム系半導体レーザ素子の構造は、少なくとも前記第1の
導電型のクラッド層と、活性層と、前記第2の導電型の
ガイド層またはクラッド層と、電流阻止層が順次積層さ
れ、前記電流阻止層には活性層の幅よりも狭い幅のスト
ライプ状の溝が第2の導電型のガイド層またはクラッド
層にまで達するように形成されており、前記ストライプ
状の溝と電流阻止層の上には、少なくとも第2の導電型
のクラッド層と、第2の導電型のコンタクト層が順次積
層されることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか
に窒化ガリウム系半導体レーザ素子。 - 【請求項9】 前記ストライプ領域を有する窒化ガリウ
ム系半導体レーザ素子の構造は、少なくとも第1の導電
型のコンタクト層またはクラッド層と、電流阻止層が順
次積層され、前記電流阻止層にはストライプ状の溝が第
1の導電型のコンタクト層またはクラッド層にまで達す
るように形成されており、前記ストライプ状の溝と電流
阻止層の上には、少なくとも第1の導電型のクラッド層
と、活性層と、第2の導電型のクラッド層と、第2の導
電型のコンタクト層が順次積層されることからなること
を特徴とする請求項1ないし6のいずれかに記載の窒化
ガリウム系半導体レーザ素子。 - 【請求項10】 前記電流阻止層が、誘電体絶縁膜から
なることを特徴とする請求項7ないし9のいずれかに記
載の窒化ガリウム系半導体レーザ素子。 - 【請求項11】 前記電流阻止層が、活性層のエネルギ
ーギャップ以下のエネルギーギャップを有する半導体か
らなることを特徴とする請求項7ないし9のいずれかに
記載の窒化ガリウム系半導体レーザ素子。 - 【請求項12】 前記電流阻止層が、第2の導電型のク
ラッド層の屈折率以下の屈折率を有する半導体からなる
ことを特徴とする請求項7ないし9のいずれかに記載の
窒化ガリウム系半導体レーザ素子。 - 【請求項13】 前記電流阻止層が、窒化物半導体から
なることを特徴とする請求項11または12に記載の窒
化ガリウム系半導体レーザ素子。 - 【請求項14】 前記電流注入されるストライプ領域の
外側の活性層と前記電流阻止層とに挟まれた窒化ガリウ
ム系半導体層の層厚が、0.01μm以上0.8μm以
下であることを特徴とする請求項7ないし13のいずれ
かに記載の窒化ガリウム系半導体レーザ素子。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP01223898A JP3653169B2 (ja) | 1998-01-26 | 1998-01-26 | 窒化ガリウム系半導体レーザ素子 |
US09/235,145 US6456640B1 (en) | 1998-01-26 | 1999-01-21 | Gallium nitride type semiconductor laser device |
US10/219,165 US6764870B2 (en) | 1998-01-26 | 2002-08-13 | Method for manufacturing a gallium nitride type semiconductor laser device |
US10/856,184 US7015565B2 (en) | 1998-01-26 | 2004-05-27 | Gallium nitride type semiconductor laser device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP01223898A JP3653169B2 (ja) | 1998-01-26 | 1998-01-26 | 窒化ガリウム系半導体レーザ素子 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002001932A Division JP2002280671A (ja) | 2002-01-09 | 2002-01-09 | 窒化ガリウム系半導体レーザ素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11214788A true JPH11214788A (ja) | 1999-08-06 |
JP3653169B2 JP3653169B2 (ja) | 2005-05-25 |
Family
ID=11799799
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP01223898A Expired - Lifetime JP3653169B2 (ja) | 1998-01-26 | 1998-01-26 | 窒化ガリウム系半導体レーザ素子 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US6456640B1 (ja) |
JP (1) | JP3653169B2 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001274514A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-10-05 | Sony Corp | 半導体レーザ発光装置 |
JP2002094189A (ja) * | 2000-09-14 | 2002-03-29 | Sharp Corp | 窒化物半導体レーザ素子およびそれを用いた光学装置 |
US6518082B1 (en) | 1998-09-17 | 2003-02-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for fabricating nitride semiconductor device |
US6617607B2 (en) | 2000-04-27 | 2003-09-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nitride semiconductor laser device and optical pickup apparatus therewith |
JP2005039140A (ja) * | 2003-07-18 | 2005-02-10 | Sharp Corp | 酸化物半導体レーザ素子 |
US7358522B2 (en) | 2001-11-05 | 2008-04-15 | Nichia Corporation | Semiconductor device |
WO2009078482A1 (ja) | 2007-12-19 | 2009-06-25 | Rohm Co., Ltd. | 半導体発光素子 |
WO2010103586A1 (ja) * | 2009-03-11 | 2010-09-16 | パナソニック株式会社 | 窒化物半導体レーザ素子 |
Families Citing this family (110)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3653169B2 (ja) * | 1998-01-26 | 2005-05-25 | シャープ株式会社 | 窒化ガリウム系半導体レーザ素子 |
JP3642386B2 (ja) * | 1998-09-30 | 2005-04-27 | 株式会社リコー | 半導体レーザ素子および光ディスク装置 |
JP3459588B2 (ja) * | 1999-03-24 | 2003-10-20 | 三洋電機株式会社 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
US6592663B1 (en) * | 1999-06-09 | 2003-07-15 | Ricoh Company Ltd. | Production of a GaN bulk crystal substrate and a semiconductor device formed on a GaN bulk crystal substrate |
US6674098B1 (en) * | 1999-07-26 | 2004-01-06 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | ZnO compound semiconductor light emitting element |
DE19955747A1 (de) * | 1999-11-19 | 2001-05-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optische Halbleitervorrichtung mit Mehrfach-Quantentopf-Struktur |
US6646292B2 (en) * | 1999-12-22 | 2003-11-11 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Semiconductor light emitting device and method |
JP3623713B2 (ja) * | 2000-03-24 | 2005-02-23 | 日本電気株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
JP2002094181A (ja) * | 2000-09-14 | 2002-03-29 | Sony Corp | 半導体レーザ素子及びその作製方法 |
JP2002151786A (ja) * | 2000-11-10 | 2002-05-24 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子 |
JP2002299765A (ja) * | 2001-04-03 | 2002-10-11 | Sony Corp | 半導体レーザ素子及びその作製方法 |
US6954477B2 (en) * | 2001-04-03 | 2005-10-11 | Sony Corporation | Semiconductor laser device and fabrication method thereof |
JP3849758B2 (ja) * | 2001-04-12 | 2006-11-22 | ソニー株式会社 | 半導体レーザ素子 |
US6977953B2 (en) * | 2001-07-27 | 2005-12-20 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Nitride-based semiconductor light-emitting device and method of fabricating the same |
CN1729600B (zh) * | 2002-12-20 | 2010-05-26 | 克里公司 | 具有自对准半导体平台和接触层的半导体器件和相关器件的制造方法 |
US20070290230A1 (en) * | 2003-09-25 | 2007-12-20 | Yasutoshi Kawaguchi | Nitride Semiconductor Device And Production Method Thereof |
GB2407700A (en) * | 2003-10-28 | 2005-05-04 | Sharp Kk | MBE growth of nitride semiconductor lasers |
JP2005302784A (ja) * | 2004-04-06 | 2005-10-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光素子及びその製造方法 |
US7217947B2 (en) * | 2004-08-06 | 2007-05-15 | Northrop Grumman Corporation | Semiconductor light source and method of making |
US7751455B2 (en) * | 2004-12-14 | 2010-07-06 | Palo Alto Research Center Incorporated | Blue and green laser diodes with gallium nitride or indium gallium nitride cladding laser structure |
US7720124B2 (en) * | 2005-03-03 | 2010-05-18 | Panasonic Corporation | Semiconductor device and fabrication method thereof |
WO2006103643A1 (en) * | 2005-03-30 | 2006-10-05 | The Provost, Fellows And Scholars Of The College Of The Holy And Undivided Trinity Of Queen Elizabeth Near Dublin | A semiconductor laser device and a method for fabricating a semiconductor laser device |
US7547925B2 (en) | 2005-11-14 | 2009-06-16 | Palo Alto Research Center Incorporated | Superlattice strain relief layer for semiconductor devices |
US20090053845A1 (en) * | 2005-11-14 | 2009-02-26 | Palo Alto Research Center Incorporated | Method For Controlling The Structure And Surface Qualities Of A Thin Film And Product Produced Thereby |
US7501299B2 (en) * | 2005-11-14 | 2009-03-10 | Palo Alto Research Center Incorporated | Method for controlling the structure and surface qualities of a thin film and product produced thereby |
US20080054248A1 (en) * | 2006-09-06 | 2008-03-06 | Chua Christopher L | Variable period variable composition supperlattice and devices including same |
US8513643B2 (en) | 2006-09-06 | 2013-08-20 | Palo Alto Research Center Incorporated | Mixed alloy defect redirection region and devices including same |
DE102006046297A1 (de) * | 2006-09-29 | 2008-04-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterlaser |
US20110180781A1 (en) * | 2008-06-05 | 2011-07-28 | Soraa, Inc | Highly Polarized White Light Source By Combining Blue LED on Semipolar or Nonpolar GaN with Yellow LED on Semipolar or Nonpolar GaN |
US8847249B2 (en) * | 2008-06-16 | 2014-09-30 | Soraa, Inc. | Solid-state optical device having enhanced indium content in active regions |
US8259769B1 (en) | 2008-07-14 | 2012-09-04 | Soraa, Inc. | Integrated total internal reflectors for high-gain laser diodes with high quality cleaved facets on nonpolar/semipolar GaN substrates |
US8143148B1 (en) | 2008-07-14 | 2012-03-27 | Soraa, Inc. | Self-aligned multi-dielectric-layer lift off process for laser diode stripes |
US8805134B1 (en) | 2012-02-17 | 2014-08-12 | Soraa Laser Diode, Inc. | Methods and apparatus for photonic integration in non-polar and semi-polar oriented wave-guided optical devices |
US8284810B1 (en) | 2008-08-04 | 2012-10-09 | Soraa, Inc. | Solid state laser device using a selected crystal orientation in non-polar or semi-polar GaN containing materials and methods |
WO2010017148A1 (en) | 2008-08-04 | 2010-02-11 | Soraa, Inc. | White light devices using non-polar or semipolar gallium containing materials and phosphors |
KR20100073757A (ko) * | 2008-12-23 | 2010-07-01 | 삼성전자주식회사 | 마이크로 로드를 이용한 발광소자 및 그 제조방법 |
US8422525B1 (en) | 2009-03-28 | 2013-04-16 | Soraa, Inc. | Optical device structure using miscut GaN substrates for laser applications |
DE112010001615T5 (de) | 2009-04-13 | 2012-08-02 | Soraa, Inc. | Stuktur eines optischen Elements unter Verwendung von GaN-Substraten für Laseranwendungen |
US8294179B1 (en) | 2009-04-17 | 2012-10-23 | Soraa, Inc. | Optical device structure using GaN substrates and growth structures for laser applications |
US8634442B1 (en) | 2009-04-13 | 2014-01-21 | Soraa Laser Diode, Inc. | Optical device structure using GaN substrates for laser applications |
US8837545B2 (en) | 2009-04-13 | 2014-09-16 | Soraa Laser Diode, Inc. | Optical device structure using GaN substrates and growth structures for laser applications |
US8242522B1 (en) * | 2009-05-12 | 2012-08-14 | Soraa, Inc. | Optical device structure using non-polar GaN substrates and growth structures for laser applications in 481 nm |
US8254425B1 (en) | 2009-04-17 | 2012-08-28 | Soraa, Inc. | Optical device structure using GaN substrates and growth structures for laser applications |
US8416825B1 (en) | 2009-04-17 | 2013-04-09 | Soraa, Inc. | Optical device structure using GaN substrates and growth structure for laser applications |
US9800017B1 (en) | 2009-05-29 | 2017-10-24 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser device and method for a vehicle |
US8427590B2 (en) | 2009-05-29 | 2013-04-23 | Soraa, Inc. | Laser based display method and system |
US8247887B1 (en) | 2009-05-29 | 2012-08-21 | Soraa, Inc. | Method and surface morphology of non-polar gallium nitride containing substrates |
US8509275B1 (en) | 2009-05-29 | 2013-08-13 | Soraa, Inc. | Gallium nitride based laser dazzling device and method |
US9250044B1 (en) | 2009-05-29 | 2016-02-02 | Soraa Laser Diode, Inc. | Gallium and nitrogen containing laser diode dazzling devices and methods of use |
US10108079B2 (en) | 2009-05-29 | 2018-10-23 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser light source for a vehicle |
US9829780B2 (en) | 2009-05-29 | 2017-11-28 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser light source for a vehicle |
US20110056429A1 (en) * | 2009-08-21 | 2011-03-10 | Soraa, Inc. | Rapid Growth Method and Structures for Gallium and Nitrogen Containing Ultra-Thin Epitaxial Structures for Devices |
US8314429B1 (en) | 2009-09-14 | 2012-11-20 | Soraa, Inc. | Multi color active regions for white light emitting diode |
US8750342B1 (en) | 2011-09-09 | 2014-06-10 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser diodes with scribe structures |
US8355418B2 (en) * | 2009-09-17 | 2013-01-15 | Soraa, Inc. | Growth structures and method for forming laser diodes on {20-21} or off cut gallium and nitrogen containing substrates |
US8933644B2 (en) | 2009-09-18 | 2015-01-13 | Soraa, Inc. | LED lamps with improved quality of light |
WO2011035265A1 (en) | 2009-09-18 | 2011-03-24 | Soraa, Inc. | Power light emitting diode and method with current density operation |
US9583678B2 (en) | 2009-09-18 | 2017-02-28 | Soraa, Inc. | High-performance LED fabrication |
US9293644B2 (en) | 2009-09-18 | 2016-03-22 | Soraa, Inc. | Power light emitting diode and method with uniform current density operation |
US8905588B2 (en) | 2010-02-03 | 2014-12-09 | Sorra, Inc. | System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures |
US20110182056A1 (en) * | 2010-06-23 | 2011-07-28 | Soraa, Inc. | Quantum Dot Wavelength Conversion for Optical Devices Using Nonpolar or Semipolar Gallium Containing Materials |
US10147850B1 (en) | 2010-02-03 | 2018-12-04 | Soraa, Inc. | System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures |
US9927611B2 (en) | 2010-03-29 | 2018-03-27 | Soraa Laser Diode, Inc. | Wearable laser based display method and system |
US8451876B1 (en) | 2010-05-17 | 2013-05-28 | Soraa, Inc. | Method and system for providing bidirectional light sources with broad spectrum |
US20120085987A1 (en) * | 2010-10-12 | 2012-04-12 | Industrial Technology Research Institute | Light emitting device |
US8816319B1 (en) | 2010-11-05 | 2014-08-26 | Soraa Laser Diode, Inc. | Method of strain engineering and related optical device using a gallium and nitrogen containing active region |
US9048170B2 (en) | 2010-11-09 | 2015-06-02 | Soraa Laser Diode, Inc. | Method of fabricating optical devices using laser treatment |
US8975615B2 (en) | 2010-11-09 | 2015-03-10 | Soraa Laser Diode, Inc. | Method of fabricating optical devices using laser treatment of contact regions of gallium and nitrogen containing material |
US9025635B2 (en) | 2011-01-24 | 2015-05-05 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser package having multiple emitters configured on a support member |
US9595813B2 (en) | 2011-01-24 | 2017-03-14 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser package having multiple emitters configured on a substrate member |
US9318875B1 (en) | 2011-01-24 | 2016-04-19 | Soraa Laser Diode, Inc. | Color converting element for laser diode |
US9093820B1 (en) | 2011-01-25 | 2015-07-28 | Soraa Laser Diode, Inc. | Method and structure for laser devices using optical blocking regions |
US9236530B2 (en) | 2011-04-01 | 2016-01-12 | Soraa, Inc. | Miscut bulk substrates |
US9287684B2 (en) | 2011-04-04 | 2016-03-15 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser package having multiple emitters with color wheel |
US9646827B1 (en) | 2011-08-23 | 2017-05-09 | Soraa, Inc. | Method for smoothing surface of a substrate containing gallium and nitrogen |
US8971370B1 (en) | 2011-10-13 | 2015-03-03 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser devices using a semipolar plane |
US9020003B1 (en) | 2012-03-14 | 2015-04-28 | Soraa Laser Diode, Inc. | Group III-nitride laser diode grown on a semi-polar orientation of gallium and nitrogen containing substrates |
US10559939B1 (en) | 2012-04-05 | 2020-02-11 | Soraa Laser Diode, Inc. | Facet on a gallium and nitrogen containing laser diode |
US9800016B1 (en) | 2012-04-05 | 2017-10-24 | Soraa Laser Diode, Inc. | Facet on a gallium and nitrogen containing laser diode |
US9343871B1 (en) | 2012-04-05 | 2016-05-17 | Soraa Laser Diode, Inc. | Facet on a gallium and nitrogen containing laser diode |
US9099843B1 (en) | 2012-07-19 | 2015-08-04 | Soraa Laser Diode, Inc. | High operating temperature laser diodes |
KR102007402B1 (ko) * | 2012-08-06 | 2019-08-05 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
US8971368B1 (en) | 2012-08-16 | 2015-03-03 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser devices having a gallium and nitrogen containing semipolar surface orientation |
US9166372B1 (en) | 2013-06-28 | 2015-10-20 | Soraa Laser Diode, Inc. | Gallium nitride containing laser device configured on a patterned substrate |
US9368939B2 (en) | 2013-10-18 | 2016-06-14 | Soraa Laser Diode, Inc. | Manufacturable laser diode formed on C-plane gallium and nitrogen material |
US9379525B2 (en) | 2014-02-10 | 2016-06-28 | Soraa Laser Diode, Inc. | Manufacturable laser diode |
US9362715B2 (en) | 2014-02-10 | 2016-06-07 | Soraa Laser Diode, Inc | Method for manufacturing gallium and nitrogen bearing laser devices with improved usage of substrate material |
US9520695B2 (en) | 2013-10-18 | 2016-12-13 | Soraa Laser Diode, Inc. | Gallium and nitrogen containing laser device having confinement region |
US9209596B1 (en) | 2014-02-07 | 2015-12-08 | Soraa Laser Diode, Inc. | Manufacturing a laser diode device from a plurality of gallium and nitrogen containing substrates |
US9871350B2 (en) | 2014-02-10 | 2018-01-16 | Soraa Laser Diode, Inc. | Manufacturable RGB laser diode source |
US9520697B2 (en) | 2014-02-10 | 2016-12-13 | Soraa Laser Diode, Inc. | Manufacturable multi-emitter laser diode |
US9564736B1 (en) | 2014-06-26 | 2017-02-07 | Soraa Laser Diode, Inc. | Epitaxial growth of p-type cladding regions using nitrogen gas for a gallium and nitrogen containing laser diode |
US12126143B2 (en) | 2014-11-06 | 2024-10-22 | Kyocera Sld Laser, Inc. | Method of manufacture for an ultraviolet emitting optoelectronic device |
US9246311B1 (en) | 2014-11-06 | 2016-01-26 | Soraa Laser Diode, Inc. | Method of manufacture for an ultraviolet laser diode |
US9666677B1 (en) | 2014-12-23 | 2017-05-30 | Soraa Laser Diode, Inc. | Manufacturable thin film gallium and nitrogen containing devices |
US9653642B1 (en) | 2014-12-23 | 2017-05-16 | Soraa Laser Diode, Inc. | Manufacturable RGB display based on thin film gallium and nitrogen containing light emitting diodes |
US10938182B2 (en) | 2015-08-19 | 2021-03-02 | Soraa Laser Diode, Inc. | Specialized integrated light source using a laser diode |
US11437775B2 (en) | 2015-08-19 | 2022-09-06 | Kyocera Sld Laser, Inc. | Integrated light source using a laser diode |
US11437774B2 (en) | 2015-08-19 | 2022-09-06 | Kyocera Sld Laser, Inc. | High-luminous flux laser-based white light source |
US10879673B2 (en) | 2015-08-19 | 2020-12-29 | Soraa Laser Diode, Inc. | Integrated white light source using a laser diode and a phosphor in a surface mount device package |
US9787963B2 (en) | 2015-10-08 | 2017-10-10 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser lighting having selective resolution |
US10771155B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-09-08 | Soraa Laser Diode, Inc. | Intelligent visible light with a gallium and nitrogen containing laser source |
US10222474B1 (en) | 2017-12-13 | 2019-03-05 | Soraa Laser Diode, Inc. | Lidar systems including a gallium and nitrogen containing laser light source |
US10551728B1 (en) | 2018-04-10 | 2020-02-04 | Soraa Laser Diode, Inc. | Structured phosphors for dynamic lighting |
US11239637B2 (en) | 2018-12-21 | 2022-02-01 | Kyocera Sld Laser, Inc. | Fiber delivered laser induced white light system |
US11421843B2 (en) | 2018-12-21 | 2022-08-23 | Kyocera Sld Laser, Inc. | Fiber-delivered laser-induced dynamic light system |
US12000552B2 (en) | 2019-01-18 | 2024-06-04 | Kyocera Sld Laser, Inc. | Laser-based fiber-coupled white light system for a vehicle |
US11884202B2 (en) | 2019-01-18 | 2024-01-30 | Kyocera Sld Laser, Inc. | Laser-based fiber-coupled white light system |
US11228158B2 (en) | 2019-05-14 | 2022-01-18 | Kyocera Sld Laser, Inc. | Manufacturable laser diodes on a large area gallium and nitrogen containing substrate |
US10903623B2 (en) | 2019-05-14 | 2021-01-26 | Soraa Laser Diode, Inc. | Method and structure for manufacturable large area gallium and nitrogen containing substrate |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2877063B2 (ja) | 1995-11-06 | 1999-03-31 | 松下電器産業株式会社 | 半導体発光素子 |
JPH09232680A (ja) | 1996-02-22 | 1997-09-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光素子及びその製造方法 |
US5970080A (en) * | 1996-03-07 | 1999-10-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Gallium nitride compound semiconductor light emitting element and method for fabricating the same |
US6072818A (en) * | 1996-03-28 | 2000-06-06 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Semiconductor light emission device |
JPH09266352A (ja) * | 1996-03-28 | 1997-10-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | 半導体発光素子 |
JP3713100B2 (ja) * | 1996-05-23 | 2005-11-02 | ローム株式会社 | 半導体発光素子の製法 |
US5987048A (en) * | 1996-07-26 | 1999-11-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Gallium nitride-based compound semiconductor laser and method of manufacturing the same |
KR100272155B1 (ko) * | 1996-07-26 | 2000-12-01 | 니시무로 타이죠 | 질화갈륨계화합물반도체레이저및그제조방법 |
US6031858A (en) * | 1996-09-09 | 2000-02-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor laser and method of fabricating same |
JP3314641B2 (ja) | 1996-11-29 | 2002-08-12 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体レーザ素子 |
US6144683A (en) * | 1998-01-07 | 2000-11-07 | Xerox Corporation | Red, infrared, and blue stacked laser diode array by wafer fusion |
JP3653169B2 (ja) | 1998-01-26 | 2005-05-25 | シャープ株式会社 | 窒化ガリウム系半導体レーザ素子 |
-
1998
- 1998-01-26 JP JP01223898A patent/JP3653169B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-01-21 US US09/235,145 patent/US6456640B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-08-13 US US10/219,165 patent/US6764870B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-05-27 US US10/856,184 patent/US7015565B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6518082B1 (en) | 1998-09-17 | 2003-02-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for fabricating nitride semiconductor device |
JP2001274514A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-10-05 | Sony Corp | 半導体レーザ発光装置 |
US6617607B2 (en) | 2000-04-27 | 2003-09-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nitride semiconductor laser device and optical pickup apparatus therewith |
US6891189B2 (en) | 2000-04-27 | 2005-05-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nitride semiconductor laser device and optical pickup apparatus therewith |
JP2002094189A (ja) * | 2000-09-14 | 2002-03-29 | Sharp Corp | 窒化物半導体レーザ素子およびそれを用いた光学装置 |
US6614824B2 (en) | 2000-09-14 | 2003-09-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nitride semiconductor laser device and optical device using the same |
US7358522B2 (en) | 2001-11-05 | 2008-04-15 | Nichia Corporation | Semiconductor device |
JP2005039140A (ja) * | 2003-07-18 | 2005-02-10 | Sharp Corp | 酸化物半導体レーザ素子 |
WO2009078482A1 (ja) | 2007-12-19 | 2009-06-25 | Rohm Co., Ltd. | 半導体発光素子 |
US8411718B2 (en) | 2007-12-19 | 2013-04-02 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device |
WO2010103586A1 (ja) * | 2009-03-11 | 2010-09-16 | パナソニック株式会社 | 窒化物半導体レーザ素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3653169B2 (ja) | 2005-05-25 |
US20030012243A1 (en) | 2003-01-16 |
US6456640B1 (en) | 2002-09-24 |
US7015565B2 (en) | 2006-03-21 |
US20040217371A1 (en) | 2004-11-04 |
US6764870B2 (en) | 2004-07-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3653169B2 (ja) | 窒化ガリウム系半導体レーザ素子 | |
EP1022825B1 (en) | Gallium nitride semiconductor light emitting element with active layer having multiplex quantum well structure and semiconductor laser light source device | |
US6741623B2 (en) | Semiconductor device, semiconductor laser, their manufacturing methods and etching methods | |
US20090078944A1 (en) | Light emitting device and method of manufacturing the same | |
KR20060036488A (ko) | 반도체 레이저 소자 및 그 제조방법 | |
JPH10126010A (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法 | |
US7622749B2 (en) | Semiconductor light-emitting element and method for fabricating the same | |
JP4822608B2 (ja) | 窒化物系半導体発光素子およびその製造方法 | |
JPH10261838A (ja) | 窒化ガリウム系半導体発光素子及び半導体レーザ光源装置 | |
US20110058586A1 (en) | Nitride semiconductor laser | |
JP3933637B2 (ja) | 窒化ガリウム系半導体レーザ素子 | |
JP5507792B2 (ja) | Iii族窒化物半導体光素子 | |
JP3880683B2 (ja) | 窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方法 | |
JPH11340573A (ja) | 窒化ガリウム系半導体レーザ素子 | |
JP4365898B2 (ja) | 窒化ガリウム系半導体レーザ素子、及び半導体レーザ光源装置 | |
JPH10303505A (ja) | 窒化ガリウム系半導体発光素子およびその製造方法 | |
JP2002280671A (ja) | 窒化ガリウム系半導体レーザ素子 | |
JP3644446B2 (ja) | 窒化物半導体素子 | |
JP4415440B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
JP3963632B2 (ja) | 半導体光デバイス装置 | |
JP2000252589A (ja) | 窒化ガリウム系半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
JP3849876B2 (ja) | 半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
JP2011124253A (ja) | 半導体レーザの製造方法、半導体レーザ、光ディスク装置、半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
JPH11274641A (ja) | 半導体素子およびその製造方法 | |
JP2000332359A (ja) | 半導体発光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040217 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040412 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20040412 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040817 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040901 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050208 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050225 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080304 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090304 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100304 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100304 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110304 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120304 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120304 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130304 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130304 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140304 Year of fee payment: 9 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |