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JPH11195682A - 接着剤層の形成方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

接着剤層の形成方法及び半導体装置の製造方法

Info

Publication number
JPH11195682A
JPH11195682A JP36114297A JP36114297A JPH11195682A JP H11195682 A JPH11195682 A JP H11195682A JP 36114297 A JP36114297 A JP 36114297A JP 36114297 A JP36114297 A JP 36114297A JP H11195682 A JPH11195682 A JP H11195682A
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JP
Japan
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opening
frame member
mask member
outer peripheral
adhesive
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP36114297A
Other languages
English (en)
Inventor
Yukio Takigawa
幸雄 瀧川
Koji Hozumi
孝司 穂積
Shinya Nakaseko
進也 中世古
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP36114297A priority Critical patent/JPH11195682A/ja
Publication of JPH11195682A publication Critical patent/JPH11195682A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 接着剤層にボイドが発生しにくく、かつ高い
位置制度を得やすい接着剤層の形成方法を提供する。 【解決手段】 開口を有する板状の枠部材を準備する。
この開口内に第1のマスク部材を装填する。第1のマス
ク部材を開口内に装填した状態で、枠部材の一方の平坦
面上に接着剤を印刷する。第1のマスク部材を、開口内
から取り出す。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、接着剤層の形成方
法及び半導体装置の作製方法に関し、特に、配線基板上
に半導体チップを載せ、その半導体チップを樹脂で封止
した半導体装置の作製に適した接着剤層の形成方法及び
その半導体装置の作製方法に関する。
【0002】
【従来の技術】図3に、テープ基板を用いたテープ−ボ
ールグリッドアレイ(T−BGA)パッケージの一部破
断斜視図を示す。表面に複数の配線51が形成されたフ
レキシブル基板50の配線側の表面上に、枠部材(フレ
ーム)52が接着剤層53により接着されている。枠部
材52は、その中央に開口52Aを有する。フレキシブ
ル基板50の表面のうち開口52Aに内の領域上に、半
導体チップ54が接合されている。半導体チップ54の
上面に複数のボンディンフパッドが配置され、各ボンデ
ィングパッドは、フレキシブル基板50の表面上に形成
された対応する配線51に、金線55により接続されて
いる。
【0003】枠部材52の上にヒートプレート56が載
置され、フレキシブル基板50と枠部材52とヒートプ
レート56とにより、半導体チップ54を収容する空間
を画定している。枠部材52の上面には、その内周から
外周まで延在する溝52Bが形成されており、半導体チ
ップ54を収容する空間と外部とが、溝52Bを通して
連通している。溝52B及び半導体チップ54を収容す
る空間内には、封止樹脂58が充填されている。
【0004】フレキシブル基板50には、各配線51に
対応して貫通孔が形成され、この貫通孔を通して各配線
51が対応する半田ボール57に接続されている。
【0005】従来、枠部材52をフレキシブル基板50
に接着するための接着剤層53は、例えばシート状の接
着剤を枠部材52に貼り付けるか、または揮発性溶剤に
てペースト状にした接着剤を枠部材52の表面上にスク
リーン印刷することにより形成されていた。接着剤層5
3を形成した後、枠部材52をフレキシブル基板50に
熱圧着することにより、両者が接着される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】枠部材52にシート状
の接着剤を貼り付ける方法の場合には、接着剤のシート
を枠部材52の形状に切断加工する必要がある。このた
め、無駄な部分が多く発生してしまう。
【0007】スクリーン印刷を用いる方法の場合には、
枠部材52の開口52Aの領域をマスクするためにスク
リーンメッシュマスクを用いる必要がある。このメッシ
ュ部分を接着剤が通過するときに空気を巻き込み、接着
剤層53の内部に多数のボイドが発生してしまう。これ
らのボイドは、真空脱泡等により取り除くことが可能で
あるが、接着剤層53の表面にボイド痕が残ってしま
う。ボイド痕は、枠部材53とフレキシブル基板50と
の界面に隙間を発生させる要因になり、半導体装置の信
頼性を大きく低下させる。また、接着剤中の乳剤が揮発
性溶剤中に溶出し、乳剤の厚さが薄くなり、接着剤の特
性を劣化させる場合がある。さらに、マスクの寿命も短
くなる。
【0008】また、枠部材52をフレキシブル基板50
に接着したときに、接着剤が開口52A内にはみ出さな
いようにするために、枠部材52の開口52A側の縁に
は、接着剤を印刷しないようにすることが好ましい。従
って、スクリーン印刷時に高い位置制度が要求される。
【0009】本発明の目的は、接着剤層にボイドが発生
しにくく、かつ高い位置制度を得やすい接着剤層の形成
方法を提供することである。
【0010】本発明の他の目的は、上記接着剤層の形成
方法を適用した半導体装置の製造方法を提供することで
ある。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明の一観点による
と、開口を有する板状の枠部材を準備する工程と、前記
開口内に第1のマスク部材を装填する工程と、前記第1
のマスク部材を前記開口内に装填した状態で、前記枠部
材の一方の平坦面上に接着剤を印刷する工程と、前記第
1のマスク部材を、前記開口内から取り出す工程とを有
する接着剤層の形成方法が提供される。
【0012】接着剤層内におけるボイドの発生を抑制し
つつ、容易に接着剤層を形成することができる。
【0013】本発明の他の観点によると、開口を有する
板状の枠部材を準備する工程と、前記開口内に第1のマ
スク部材を装填する工程と、前記第1のマスク部材を前
記開口内に装填した状態で、前記枠部材の一方の平坦面
上に接着剤を印刷する工程と、前記第1のマスク部材
を、前記開口内から取り出す工程と、一方の表面に複数
の配線が形成された基板の該表面上に、前記枠部材を前
記接着剤で接着する工程と、複数のボンディングパッド
が形成された半導体チップを、前記基板の表面のうち前
記枠部材の開口内の領域上に接合する工程と、前記半導
体チップの複数のボンディングパッドと、前記基板の表
面上に形成された配線のうち対応する配線とを電気的に
接続する工程と、前記枠部材の上に、前記開口を塞ぐよ
うにヒートプレートを載置する工程と、前記基板の表
面、前記枠部材の開口、及び前記ヒートプレートの下面
により画定される空間内に、樹脂を充填する工程とを有
する半導体装置の製造方法が提供される。
【0014】接着剤層内におけるボイドの発生が抑制さ
れ、耐湿性の高い半導体装置を得ることができる。
【0015】
【発明の実施の形態】図1(A)〜図1(F)を参照し
て、本発明の実施例による接着剤層の形成方法について
説明する。
【0016】図1(A)に示すように、平坦な上面を有
する載置台1の上に、Cu、ステンレス、Al等の金属
製の枠部材52を載置する。枠部材52は、載置台1の
上に真空吸着される。枠部材52は板状の形状を有し、
その中央部に開口52Aが形成されている。枠部材52
の厚さは、例えば0.5〜1.2mmである。
【0017】枠部材52の開口52A内に、例えばステ
ンレス製の第1のマスク部材2を装填する。第1のマス
ク部材2は、第1の外周面2A、第2の外周面2C、及
び両者を接続する段差面2Bを有する。第1の外周面2
Aは、開口52Aの内周面に整合する。第1の外周面2
Aを有する部分を開口52A内に挿入したとき、段差面
2Bが枠部材52の開口52A側の縁に接触し、第1の
マスク部材2が枠部材52に対して支持される。第1の
外周面2Aを有する部分の厚さは、枠部材52の厚さと
等しいかまたはそれよりも薄い。第1のマスク部材2
も、枠部材52と同様に、載置台1の上面上に真空吸着
される。
【0018】第1のマスク部材2の第1の外周面2Aを
有する部分を開口52A内に装填したとき、第2の外周
面2Cを有する部分の上面(端面)が枠部材52の上側
の平坦面にほぼ平行になる。
【0019】図1(B)に示すように、板状の第2のマ
スク部材3を枠部材52の上側の平坦面とほぼ平行にな
るように配置して、枠部材52の外周側の縁に接触さ
せ、枠部材52の外周側の縁をマスクする。第2のマス
ク部材3の厚さは、第1のマスク部材2の第2の外周面
2Cを有する部分の厚さとほぼ等しいかまたはやや厚
い。例えば0.05〜0.4mmである。第2のマスク
部材3の厚さと、第1のマスク部材2の第2の外周面2
Cを有する部分の厚さとの差を50μm以下とすること
が好ましい。
【0020】第2のマスク部材3の上にペースト状の接
着剤5を載せ、スキージ6を第2のマスク部材3の上面
に沿って移動させる。
【0021】図1(C)に示すように、枠部材52の上
側の平坦面のうち、第1のマスク部材2及び第2のマス
ク部材3によりマスクされていない領域に、接着剤5が
印刷され、接着剤層53が形成される。第2のマスク部
材3の上面の高さが、第1のマスク部材2の上面の高さ
とほぼ等しいかまたはやや高いのみであるため、第1の
マスク部材2の上面には、接着剤5がほとんど印刷され
ない。
【0022】図1(D)に示すように、第2のマスク部
材3を枠部材52から離す。図1(E)に示すように、
押し出し治具10を用いて、第1のマスク部材2を枠部
材52の開口52A内から取り出す。図1(F)に示す
ように、開口52Aを有する板状の枠部材52の一方の
平坦面上に、接着剤層53を形成することができる。
【0023】枠部材52の接着剤層53が形成された平
坦面のうち開口52A側の縁は、図1(B)及び図1
(C)に示す印刷工程において第1のマスク部材2でマ
スクされている。このため、この内周側の縁部領域には
接着剤層53が形成されない。接着剤層53の形成され
ない内周側の縁部領域は、第1のマスク部材2の段差面
2Bの段差によって規定される。従って、高度な位置合
わせ制御を行うことなく、容易に接着剤層53の形成さ
れない領域を設けることができる。
【0024】また、枠部材52の外周側の縁は、印刷工
程において第2のマスク部材3でマスクされている。こ
のため、この領域にも接着剤層53が形成されない。
【0025】図1(B)及び図1(C)に示す印刷工程
において、接着剤層53を形成すべき領域がスクリーン
メッシュ等で被覆されないため、接着剤層53内への気
泡の混入を防止することができる。
【0026】印刷工程で用いるスキージ6として、金属
製のものを用いることが好ましい。ウレタンゴム等の樹
脂製のものを用いると、スキージ圧によってスキージ自
体が変形し、所望の厚さの接着剤層53が得られなくな
る。金属製のスキージを用いることにより、所望の厚さ
の接着剤層53を得ることができる。
【0027】次に、図2(A)〜図2(F)を参照し
て、図1(F)に示す接着剤層付きの枠部材を用いた半
導体装置の製造方法について説明する。
【0028】図2(A)は、図1(F)に示す枠部材5
2の上下を転倒させた断面図を示す。枠部材52の中央
に開口52Aが設けられ、下面に接着剤層53が形成さ
れている。
【0029】図2(B)に示すように、ガラスエポシキ
等からなるフレキシブル基板50の一方の表面にCu泊
等からなる複数の配線51が形成されている。フレキシ
ブル基板50の表面上には、複数の配線51が形成され
ているが、図2(A)〜図2(F)では、1つの層とし
て表している。また、フレキシブル基板50には、各配
線51に対応して貫通孔50Aが設けられている。
【0030】フレキシブル基板50の配線側の表面上
に、枠部材52を接着剤層53によって接着する。例え
ば、熱圧着により接着することができる。このとき、枠
部材52の開口52A側の縁に接着剤層53が形成され
ていない領域が確保されているため、接着剤の開口52
A内へのはみ出しを防止することができる。
【0031】はみ出しを防止するためには、接着剤層5
3の形成されていない領域の幅を、例えば0.05〜
0.1mmとすることが好ましい。すなわち、図1
(A)に示す第1のマスク部材2の段差面2Bの段差
を、0.05〜0.1mmとすることが好ましい。
【0032】図2(C)に示すように、フレキシブル基
板50の配線側表面のうち枠部材52の開口52Aに対
応する領域上に、半導体チップ54を接合する。半導体
チップ54は、例えば半田、金、樹脂等の接合剤により
接合される。半導体チップ54の上面には、複数のボン
ディングパッド(図示せず)が形成されている。
【0033】図2(D)に示すように、半導体チップ5
4の複数のボンディングパッドと、複数の配線51のう
ち対応する配線とを、金線55で電気的に接続する。
【0034】図2(E)は、図2(D)をフレキシブル
基板50の法線の回りに約45°回転させた断面図を示
す。枠部材52の上面に、その内周面から外周面まで延
在する溝52Bが形成されている。枠部材52の上に、
開口52Aにより画定される空間を塞ぐようにCuもし
くはAl製のヒートプレート56を載置する。溝52B
を通してこの空間内にエポキシ系の樹脂58を充填す
る。ヒートプレート56は、樹脂58により枠部材52
に固定される。
【0035】フレキシブル基板50に形成された複数の
貫通孔50Aの各々を埋め込むように、半田ボール57
を形成する。複数の配線51の各々が、対応する半田ボ
ール57に接続される。
【0036】図2(F)に示すように、半田ボール57
により、フレキシブル基板50を実装基板71上に接合
する。この接合は、各半田ボール57を実装基板71の
対応するパッド上に配置し、半田ボール57を一時的に
溶融することにより行う。
【0037】次に、上記実施例による方法で作製した半
導体装置の信頼性評価試験の結果について説明する。
【0038】図4は、評価用チップの概略平面図を示
す。一対のパッドA、A’間をジグザグの配線80が接
続している。同様に、一対のパッドB、B’間を、配線
80にほぼ並走するジグザグの配線81が接続してい
る。図2(F)に示す半導体チップ54として、図4に
示す評価用チップを用い、プレッシャクッカテストを行
った。テスト条件は、温度121℃、相対湿度85%、
圧力約2気圧、テスト時間1000時間とした。なお、
比較のために、図2(A)に示す接着剤層53をスクリ
ーン印刷により形成した半導体装置についても評価を行
った。表1は、プレッシャクッカテストの結果を示す。
図3の接着剤層53にボイドまたは隙間がある場合に
は、プレッシャクッカテストにより、ボイドまたは隙間
を通って半導体チップ54まで水分が侵入し、図4の配
線80と81間が導通してしまう。例えば、水分により
パッド部が腐蝕して絶縁不良が生ずると思われる。2本
の配線80、81間が短絡した場合を不良と判定した。
【0039】
【表1】 実施例による接着剤層の形成方法を用いることにより、
接着剤層表面の凹凸を少なくでき、ボイドの発生を防止
できることがわかる。また、プレッシャクッカテスト後
も不良は発生せず、高い耐湿性を有することがわかっ
た。
【0040】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
【0041】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
開口を有する板状の枠部材の一方の平坦面上に接着層を
形成する際に、ボイドの発生を防止することができる。
この枠部材を、樹脂封止の半導体装置のパッケージに適
用することにより、耐湿性の高い半導体装置を得ること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例による接着層の形成方法を説明
するための断面図である。
【図2】図1に示す方法で得られた枠部材を用いた半導
体装置の製造方法を説明するための半導体装置の断面図
である。
【図3】樹脂封止の半導体装置の部分破断斜視図であ
る。
【図4】実施例による半導体装置の評価に用いた評価用
チップの概略平面図である。
【符号の説明】
1 載置台 2 第1のマスク部材 2A 第1の外周面 2B 段差面 2C 第2の外周面 3 第2のマスク部材 5 接着剤 6 スキージ 10 押し出し治具 50 フレキシブル基板 50A 貫通孔 51 配線 52 枠部材 52A 開口 52B 溝 53 接着剤層 54 半導体チップ 55 金線 56 ヒートプレート 57 半田ボール 58 樹脂 80、81 配線

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 開口を有する板状の枠部材を準備する工
    程と、 前記開口内に第1のマスク部材を装填する工程と、 前記第1のマスク部材を前記開口内に装填した状態で、
    前記枠部材の一方の平坦面上に接着剤を印刷する工程
    と、 前記第1のマスク部材を、前記開口内から取り出す工程
    とを有する接着剤層の形成方法。
  2. 【請求項2】 前記第1のマスク部材が、前記開口の内
    周面に整合する第1の外周面、該第1の外周面を有する
    部分を前記開口内に挿入したとき、前記枠部材の前記開
    口側の縁に接触して前記第1のマスク部材を前記枠部材
    に対して支持する段差面、及び前記段差面に連続する第
    2の外周面を有し、 前記第1のマスク部材を装填する工程において、前記第
    1のマスク部材の前記第1の外周面を有する部分を、前
    記開口内に、前記一方の平坦面側から挿入し、前記第1
    のマスク部材を、前記段差面により前記枠部材に対して
    支持する請求項1に記載の接着剤層の形成方法。
  3. 【請求項3】 前記第1のマスク部材が、その第1の外
    周面を有する部分を前記開口内に装填したとき、前記第
    2の外周面を有する部分の端面が前記枠部材の前記一方
    の平坦面にほぼ平行になるような形状を有し、 前記接着剤を印刷する工程の前に、さらに、 前記枠部材を、平坦な上面を有する載置台の上に、前記
    一方の平坦面が上になるようにして載置する工程と、 前記第1のマスク部材の前記第2の外周面を有する部分
    の厚さとほぼ等しいかまたはやや厚い板状の第2のマス
    ク部材を、前記枠部材の前記一方の平坦面とほぼ平行に
    なるように配置して、前記枠部材の外周側の縁に接触さ
    せ、該外周側の縁をマスクする工程とを含み、 前記接着剤を印刷する工程において、前記第1のマスク
    部材と前記第2のマスク部材とをマスクとして用いて印
    刷を行う請求項1または2に記載の接着剤層の形成方
    法。
  4. 【請求項4】 前記第1のマスク部材の前記第2の外周
    面を有する部分の厚さと前記第2のマスク部材の厚さと
    の差が50μm以下である請求項1〜3のいずれかに記
    載の接着剤層の形成方法。
  5. 【請求項5】 前記接着剤を印刷する工程において、前
    記枠部材及び前記第1のマスク部材を、前記載置台の上
    に真空吸着した状態で印刷を行う請求項3または4に記
    載の接着剤層の形成方法。
  6. 【請求項6】 前記接着剤を印刷する工程において、金
    属製のスキージを用いてペースト状の接着剤を前記枠部
    材の前記一方の平坦面上に印刷する請求項1〜5のいず
    れかに記載の接着剤層の形成方法。
  7. 【請求項7】 開口を有する板状の枠部材を準備する工
    程と、 前記開口内に第1のマスク部材を装填する工程と、 前記第1のマスク部材を前記開口内に装填した状態で、
    前記枠部材の一方の平坦面上に接着剤を印刷する工程
    と、 前記第1のマスク部材を、前記開口内から取り出す工程
    と、 一方の表面に複数の配線が形成された基板の該表面上
    に、前記枠部材を前記接着剤で接着する工程と、 複数のボンディングパッドが形成された半導体チップ
    を、前記基板の表面のうち前記枠部材の開口内の領域上
    に接合する工程と、 前記半導体チップの複数のボンディングパッドと、前記
    基板の表面上に形成された配線のうち対応する配線とを
    電気的に接続する工程と、 前記枠部材の上に、前記開口を塞ぐようにヒートプレー
    トを載置する工程と、 前記基板の表面、前記枠部材の開口、及び前記ヒートプ
    レートの下面により画定される空間内に、樹脂を充填す
    る工程とを有する半導体装置の製造方法。
  8. 【請求項8】 前記第1のマスク部材が、前記開口の内
    周面に整合する第1の外周面、該第1の外周面を有する
    部分を前記開口内に挿入したとき、前記枠部材の前記開
    口側の縁に接触して前記第1のマスク部材を前記枠部材
    に対して支持する段差面、及び前記段差面に連続する第
    2の外周面を有し、 前記第1のマスク部材を装填する工程において、前記第
    1のマスク部材の前記第1の外周面を有する部分を、前
    記開口内に、前記一方の平坦面側から挿入し、前記第1
    のマスク部材を、前記段差面により前記枠部材に対して
    支持する請求項7に記載の半導体装置の製造方法。
  9. 【請求項9】 前記第1のマスク部材が、その第1の外
    周面を有する部分を前記開口内に装填したとき、前記第
    2の外周面を有する部分の端面が前記枠部材の前記一方
    の平坦面にほぼ平行になるような形状を有し、 前記接着剤を印刷する工程の前に、さらに、 前記枠部材を、平坦な上面を有する載置台の上に、前記
    一方の平坦面が上になるようにして載置する工程と、 前記第1のマスク部材の前記第2の外周面を有する部分
    の厚さとほぼ等しいかまたはやや厚い板状の第2のマス
    ク部材を、前記枠部材の前記一方の平坦面とほぼ平行に
    なるように配置して、前記枠部材の外周側の縁に接触さ
    せ、該外周側の縁をマスクする工程とを含み、 前記接着剤を印刷する工程において、前記第1のマスク
    部材と前記第2のマスク部材とをマスクとして用いて印
    刷を行う請求項7または8に記載の半導体装置の製造方
    法。
  10. 【請求項10】 前記第1のマスク部材の前記第2の外
    周面を有する部分の厚さと前記第2のマスク部材の厚さ
    との差が50μm以下である請求項7〜9のいずれかに
    記載の半導体装置の製造方法。
  11. 【請求項11】 前記接着剤を印刷する工程において、
    前記枠部材及び前記第1のマスク部材を、前記載置台の
    上に真空吸着した状態で印刷を行う請求項9または10
    に記載の半導体装置の製造方法。
  12. 【請求項12】 前記接着剤を印刷する工程において、
    金属製のスキージを用いてペースト状の接着剤を前記枠
    部材の前記一方の平坦面上に印刷する請求項7〜11の
    いずれかに記載の接着剤層の形成方法。
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JP2010165767A (ja) * 2009-01-14 2010-07-29 Toppan Printing Co Ltd 配線基板の製造方法
WO2015064642A1 (ja) * 2013-10-30 2015-05-07 京セラ株式会社 配線基板およびこれを用いた実装構造体

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