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JPH11186331A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

半導体装置およびその製造方法

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Publication number
JPH11186331A
JPH11186331A JP35121197A JP35121197A JPH11186331A JP H11186331 A JPH11186331 A JP H11186331A JP 35121197 A JP35121197 A JP 35121197A JP 35121197 A JP35121197 A JP 35121197A JP H11186331 A JPH11186331 A JP H11186331A
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JP
Japan
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solder
insulating substrate
semiconductor device
metal
projection
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Application number
JP35121197A
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Kenichi Hayashi
建一 林
Goro Ideta
吾朗 出田
Hideo Matsumoto
秀雄 松本
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 絶縁基板と金属板との間のはんだ接合部の厚
さを均一にできるとともに、はんだ接合部において亀裂
の発生および進展を抑制でき、ボイドの発生も抑えるこ
とのできる放熱性に優れた信頼性の高い半導体装置およ
びその製造方法を提供する。 【解決手段】 はんだ１４に濡れない金属ワイヤ片から
なる突起１５ａを金属接合部１８によって絶縁基板１１
に固着する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明はパワーモジュール
に関し、特に絶縁基板と金属板とをはんだ接合した半導
体装置およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図９は従来の半導体装置のはんだ接合部
を示す断面図である。図において、１は半導体リードフ
レームのダイパッド、２は半導体ダイ、３ははんだ、４
は突起台である。また、図１０は従来の半導体リードフ
レームのダイパッドを示す斜視図である。図９および図
１０に示すように、ダイパッド１の表面に表面が平坦な
同一高さの突起台４を設け、ダイパッド１の突起台４を
含む全面にはんだ３を付着させて半導体ダイ２を載置す
る。これにより半導体ダイ２の下面は突起台４およびは
んだ３によって載置される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】一般に、半導体装置を
実際に使用する場合、電源をオン・オフするのである
が、これに伴って半導体装置に温度変化が生じる。半導
体装置の各構成部材の線膨張係数が異なることから半導
体装置の温度変化によって半導体装置のはんだ接合部に
歪みが生じ、はんだ接合部に亀裂が発生・進展して熱的
および電気的信頼性を著しく低下させるという問題点が
あった。
【０００４】この亀裂の発生・進展を抑制するものとし
てはんだ接合部を厚く形成することが一般に良く知られ
ている。しかし、半導体チップや基板等の比較的大きな
はんだ接合面積を有する部材では、はんだ接合部の厚さ
は均一にならず半導体チップや基板等に傾きが生じ、単
に供給するはんだ量を多くしてもはんだ厚さの薄い部分
がかならず発生し、亀裂発生に対する余裕度を高めるこ
とにはならないという問題点があった。
【０００５】これを解決するものとして従来の半導体装
置では図９，図１０に示すように、半導体ダイ２と接触
する部分に平坦な突起台４を設けた半導体リードフレー
ムのダイパッド１を使用することによりはんだ接合部の
厚さを均一に形成している。ところが、突起台とはんだ
との接触部近傍の拡大断面図である図１１に示すよう
に、突起台４とはんだ３との接触部界面において金属間
化合物層５が形成される。また、突起台４とはんだ３と
の接触部においてははんだ３の形状は角を持ち、いわゆ
るノッチ形状６となる。
【０００６】ここで、一般にノッチ形状６には応力集中
が生じ、突起台４とはんだ３との界面近傍部においては
んだ３に亀裂が発生しやすいという問題点があった。さ
らに、金属間化合物層５が一般に硬くて脆い性質を有し
ており、強度や伸び等の機械的物性がはんだ３に比べて
著しく劣るためにはんだ３に亀裂が発生しやすいという
問題点があった。以上のような問題点は、セラミックス
製絶縁基板と金属板とのはんだ接合のようにはんだ接合
面積の大きな場合により大きな問題となる。
【０００７】更に、セラミックス製絶縁基板と金属板と
のはんだ接合部において突起台を形成すると、はんだ溶
融状態においてセラミックス製絶縁基板が大きく左右に
傾くことがなく、発生したボイドを自然に排出する駆動
力に欠けることになる。そのために、冷却凝固後のはん
だ接合部にボイドが残存してしまい、放熱性が悪くなる
という問題点があった。
【０００８】この発明は上記のような問題点を解消する
ために成されたもので、絶縁基板と金属板との間のはん
だ接合部の厚さを均一にできるとともに、はんだ接合部
において亀裂の発生および進展を抑制でき、ボイドの発
生も抑えることのできる放熱性に優れた信頼性の高い半
導体装置およびその製造方法を提供することを目的とし
ている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項１に係
る半導体装置は、突起がはんだに濡れない材料からなる
ものである。
【００１０】この発明の請求項２に係る半導体装置は、
突起がはんだに濡れない金属ワイヤ片であって、上記金
属ワイヤ径によってはんだ接合部の厚さを規制するよう
にしたものである。
【００１１】この発明の請求項３に係る半導体装置は、
はんだに濡れない金属ワイヤ片が直径５０〜４００ミク
ロンのＡｌのボンディングワイヤであるものである。
【００１２】この発明の請求項４に係る半導体装置は、
突起がはんだ接合部の金属板側に金属接合によって固着
しているものである。
【００１３】この発明の請求項５に係る半導体装置は、
突起がはんだ接合部の絶縁基板側に金属接合によって固
着しているものである。
【００１４】この発明の請求項６に係る半導体装置の製
造方法は、はんだ接合する工程が、フラックスを含むは
んだペーストを供給した後、フラックスを含まない固形
はんだを供給することによってはんだ接合を行う工程か
らなるものである。
【００１５】この発明の請求項７に係る半導体装置の製
造方法は、はんだ接合する工程が、大気圧下ではんだを
溶融し溶融はんだを形成する工程と、上記溶融はんだを
減圧する工程と、上記溶融はんだを大気圧に戻す工程
と、上記溶融はんだを凝固する工程からなるものであ
る。
【００１６】
【発明の実施の形態】実施の形態１．図１はこの発明の
実施の形態１のパワーモジュールを示したもので、図１
（ａ）は斜視図であり、図１（ｂ）は断面図である。図
において、７はＳｉ製の半導体チップ（以下、チップと
称す）、８はセラミックスである窒化アルミ（以下、Ａ
ｌＮと称す）、９，１０はＡｌＮ８の両面に備えられた
導体層である銅製のパターン、１１はＡｌＮ８と銅製の
パターン９，１０とからなる絶縁基板、１２は金属板と
しての銅板、１３はチップ７と絶縁基板１１との固着に
用いたはんだ、１４は絶縁基板１１と銅板１２との固着
に用いたすず−鉛系のはんだ、１５は絶縁基板１１と銅
板１２とのはんだ１４接合部に複数個設置された突起で
あり、はんだ１４に濡れないＡｌ製でできている。更
に、１６は突起１５の周囲に生じるボイドである。
【００１７】図１に示すように、パワーモジュールはチ
ップ７をはんだ１３によって固着した絶縁基板１１を銅
板１２上に固着した構造をしており、通常はヒートシン
ク（図示なし）上に搭載されている。このとき、Ｓｉ，
ＡｌＮ，Ｃｕの線膨張係数はそれぞれ４ｐｐｍ／℃，５
ｐｐｍ／℃，１７ｐｐｍ／℃程度である。したがって、
Ｓｉからなるチップ７とＡｌＮからなる絶縁基板１１と
は線膨張係数が近くはんだ１３では亀裂発生・進展に対
する余裕度は大きいのであるが、絶縁基板１１と銅板１
２とでは線膨張係数の差が大きくはんだ１４では亀裂発
生・進展に対する余裕度が小さいことがわかる。
【００１８】また、はんだ１３よりもはんだ１４の方が
放熱性の関係から、はんだ接合部の面積が大きいのが一
般的であり、はんだ１４ははんだ１３に比べて更に亀裂
発生・進展が起こりやすくなっている。そこで、従来と
同様にして、はんだ１４接合部においては絶縁基板１１
と銅板１２との間に突起１５を設けることによりはんだ
１４の厚さを均一に形成し、局部的にはんだ１４が薄く
なるようなことがなく、はんだ厚さの不均一による亀裂
の発生・進展は防止することができる。
【００１９】更に、突起１５ははんだ１４に濡れないＡ
ｌ製であるので、突起１５の周囲にはボイド１６が突起
１５を取り囲むように生じてしまう。しかし、ボイド１
６の周囲では、はんだは滑らかなフィレット形状とな
り、従来のように突起台４とはんだ３との接触部界面に
おいて金属間化合物層５やノッチ形状６が形成されるこ
とがない。したがって、突起１５の部分が亀裂発生の起
点となることがない。
【００２０】また、図２（ａ）（ｂ）ははんだ端部から
亀裂が発生した場合のはんだ部分の拡大断面図であり、
図２（ａ）に示すように、亀裂１７がはんだ１４の端部
から発生したとき、亀裂１７の先端部の形状は先が細く
鋭く尖った形状となり、先端部に局部的な応力集中が生
じ亀裂１７の進展を促進させる。ところが、図２（ｂ）
に示すように、亀裂１７がボイド１６に達すると、亀裂
１７はボイド１６と一体化することにより先端部の応力
集中を解消する。その結果、たとえこのように、はんだ
端部から亀裂が発生したとしても、亀裂１７の進展を停
止させることができる。
【００２１】この様に、はんだ１４接合部において、は
んだ１４に濡れることのない材料で突起１５を形成した
ので、亀裂１７の発生・進展を抑制でき、熱的、電気的
に信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
【００２２】また、ここでは絶縁基板１１上にチップ７
が一個だけ実装されたパワーモジュールを例にとって説
明したが、一枚の絶縁基板１１上にチップ７が複数個実
装されている場合であっても良い。また、銅板１２上に
絶縁基板１１が一枚だけ実装されたパワーモジュールを
例にとって説明したが、一枚の銅板１２上に絶縁基板１
１が複数枚実装されていても良い。
【００２３】更に、突起１５がＡｌの場合について説明
をしたが、セラミックスやプラスチックなどはんだ１４
に濡れない材料であれば良い。また、絶縁基板１１の主
材としてのセラミックスとしてＡｌＮ８について説明を
したが、アルミナ，窒化珪素等でもよい。また、金属板
として銅板１２について説明をしたが、表面処理を施し
たＡｌ，Ｃｕを主体とする合金，表面処理を施したＡｌ
を主体とする合金でも良い。また、はんだ１４としてす
ず−鉛系のはんだを例に説明をしたが、Ｓｎ，Ｉｎ，Ｐ
ｂ，Ｚｎ，Ｂｉ，Ａｇを基とするはんだであればよい。
【００２４】実施の形態２．図３はこの発明の実施の形
態２のパワーモジュールの構成を示したもので、図３
（ａ）は断面図であり、図３（ｂ）は突起部分の拡大断
面図である。図において、１５ａははんだに濡れない金
属ワイヤ片を用いた突起であり、１８は突起１５ａと銅
板１２とが金属接合によって固着している金属接合部で
ある。
【００２５】突起１５ａを金属ワイヤ片とすると突起１
５ａの高さはワイヤ径できまるので突起１５ａの高さを
容易に揃えることができる。したがって、はんだ１４接
合部は平坦性に優れるとともに厚さを容易に制御するこ
とができ、亀裂に対する信頼性と放熱性とを考慮した所
望のはんだ１４厚さを有する半導体装置を容易に製造す
ることができる。
【００２６】更に、実施の形態１では突起の固着につい
ては特に言及しなかったが、ここでは、突起１５ａは金
属接合部１８で銅板１２に金属接合されており、突起１
５ａとそれに伴うボイド１６とを所望の位置に形成する
ことができる。したがって、放熱性に影響を及ぼすボイ
ド１６の位置を確実にコントロールすることができ、チ
ップ７直下におけるボイド１６の発生を防止することが
でき、半導体装置の放熱性を向上させることができる。
【００２７】また、突起１５ａをＡｌ製のボンディング
ワイヤを用いて形成し、金属接合手段として超音波ボン
ディング技術を用いることにより、突起材料を容易に入
手でき、突起１５ａの固着作業性に優れ、簡単に、短時
間に、低コストで突起１５ａを作成することができる。
更に、突起１５ａの高さを決めるボンディングワイヤの
直径は放熱性および信頼性を考慮して５０〜４００ミク
ロン程度が良い。
【００２８】図４は銅板上の突起を示した斜視図であ
る。図において、突起１５ａはＡｌ製のボンディングワ
イヤであり、銅板１２へは超音波ボンディング技術を用
いて金属接合部１８で固着させている。図に示すよう
に、、突起１５ａの金属接合部１８が２か所のものと１
か所のものが示されている。一般に、ワイヤ径の細いも
のは端部の変形を防ぐために両端の２か所で金属接合さ
れ、ワイヤ径の太いものは端部が変形することがないの
で中央の１か所で金属接合されることが多い。いずれの
接合方法でもワイヤ径が突起１５ａの高さとなり、はん
だ１４の厚さを制御する。
【００２９】図４では金属接合部１８が１か所または２
か所の突起１５ａが混在する場合について示したが、ど
ちらか一方のみでも良い。また、突起１５ａが４個の場
合について示したが、突起１５は３個以上でかつ一直線
に並ぶことがなければ幾つであっても良い。
【００３０】この様に、突起１５ａを金属ワイヤで形成
すれば、突起１５ａの高さを容易に揃えることができ、
はんだ１４接合部は平坦性に優れるとともに厚さを容易
に制御することができる。また、突起１５ａを銅板１２
上に金属接合すれば突起１５ａに伴うボイド１６がチッ
プ７直下に位置することを避けることができ、放熱性を
向上させることができる。また、突起１５ａをＡｌ製の
ボンディングワイヤで形成し超音波ボンディング技術で
金属接合すれば、突起１５ａを簡単に、短時間に、低コ
ストで作成することができる。
【００３１】実施の形態３．図５はこの発明の実施の形
態３のパワーモジュールの構成を示したもので、図５
（ａ）は断面図であり、図５（ｂ）は突起部分の拡大断
面図である。図に示すように、ここでは金属ワイヤ片か
らなる突起１５ａは絶縁基板１１に金属接合部１８を設
けている。
【００３２】ここで、一般に、絶縁基板１１と銅板１２
とのはんだ１４接合方法は、まず、所定の位置に開口部
を設けたはんだ印刷用スクリーンマスク（以下、印刷マ
スクと称す）を用いて、適量にフラックス（１０％ｗｔ
程度）を含有したはんだペーストを銅板１２の所定位置
に印刷、供給するはんだ印刷工程の後、この銅板１２上
のはんだ印刷位置に絶縁基板１１を載置する。その後、
はんだペーストを加熱溶融させ、はんだ接合を行う。
【００３３】したがって、突起１５ａを絶縁基板１１へ
固着しておけば、銅板１２上には突起１５ａがないの
で、銅板１２上へのはんだ印刷工程において銅板１２上
へのスムーズなはんだ印刷が可能となり、絶縁基板１１
と銅板１２とのはんだ１４接合をより簡単に行うことが
できる。
【００３４】また、一般に、絶縁基板１１の方が銅板１
２よりも小さく、軽く、薄いので、突起１５ａを金属接
合する場合にも銅板１２よりも絶縁基板１１のほうが取
り扱いやすく、突起１５ａの固着をスムーズに行える。
【００３５】更に、図６はこの発明の実施の形態３のパ
ワーモジュールの断面図である。図に示すように、一枚
の銅板１２上に２個の絶縁基板１１を搭載しているが、
突起１５ａは絶縁基板１１に固着されているので、通常
のはんだ印刷工程において銅板１２上の２か所の所定位
置に同時にはんだを供給することができ、はんだ１４接
合方法が複雑になることがない。
【００３６】実施の形態４．上記実施の形態１〜３では
パワーモジュールの構造について説明を行なってきた
が、ここではパワーモジュールの製造方法について説明
する。図７はこの発明の実施の形態４のパワーモジュー
ルのはんだ接合方法を示す工程断面図である。図に示す
ように、はんだ印刷工程において、銅板１２上にフラッ
クスを含むはんだペースト１９を印刷・供給後、フラッ
クスを含まない板はんだ２０を追加供給して所望のはん
だ量となるようにはんだ供給量を調節する。
【００３７】この様にすれば、はんだ量とフラックス量
との両方のコントロールが可能となり、フラックスの過
剰供給によるボイドの発生を抑えることができる。した
がって、はんだ１４の厚さが厚くても平坦性の良い、ボ
イドの少ない良好なはんだ１４接合部を形成することが
できる。なお、ここでは板はんだについて説明を行った
が、糸はんだや棒はんだなどフラックスを含有しない固
形のはんだであれば良い。
【００３８】実施の形態５．図８（ａ）〜（ｄ）はこの
発明の実施の形態５のパワーモジュールのはんだ接合方
法を示す工程断面図である。図にしたがって順次説明を
する。まず、図８（ａ）に示すように、パワーモジュー
ルをはんだ１４の溶融温度以上の温度で大気圧下にお
く。このとき、はんだ１４は溶融状態となり、溶融はん
だ１４ａを形成する。溶融はんだ１４ａ中には無数の小
径ボイド２１が発生している。
【００３９】次に、図８（ｂ）に示すように、その後、
減圧を行うと、ボイド２１中の圧力が外気圧に比べて高
くなるためボイド２１は膨張し、近辺のボイド２１と合
併するなどして大型化する。また、ボイド２１は大型化
することによって流動性を増し溶融はんだ１４ａ中を徐
々に移動して周囲の外気に散逸する。
【００４０】次に、図８（ｃ）に示すように、減圧状態
を暫く続けると、ボイド２１はほとんど周囲の外気に散
逸してしまい、突起１５の周囲のボイド１６とほんの僅
かのボイド２１とだけになる。
【００４１】次に、図８（ｄ）に示すように、圧力を大
気圧に戻す。溶融はんだ１４ａ内部の圧力が外気圧に比
べて小さくなるため突起１５の周囲に存在するボイド１
６も溶融はんだ１４ａ中に僅かに残ったボイド２１も収
縮し、小さくなる。その後、溶融はんだ１４ａを凝固さ
せることによって絶縁基板１１と銅板１２とのはんだ１
４接合を行う。
【００４２】以上のようにはんだ１４接合工程を行え
ば、突起１５を有するはんだ１４接合部においてボイド
１６，２１は充分小さくなり放熱性に悪影響を及ぼすこ
とがない。
【００４３】なお、上記実施の形態４と実施の形態５と
を併せて行えば各々の実施の形態の効果が相乗され、よ
り効果的にボイドの発生を抑制することができる。
【００４４】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、突起が
はんだに濡れない材料からなるので、突起の周囲のボイ
ドにより、はんだが滑らかなフィレット形状を作り、突
起とはんだとの接触界面において金属間化合物層やノッ
チを形成することがなく、突起の部分が亀裂発生の起点
となることがない。また、はんだ端部から亀裂が発生し
ても突起周囲のボイドで亀裂の進展を停止させることが
できる効果がある。
【００４５】また、突起がはんだに濡れない金属ワイヤ
片であって、上記金属ワイヤ径によってはんだ接合部の
厚さを規制するようにしたので、突起の周囲にボイドが
フィレット形状を作り、突起とはんだとの接触界面にお
いて金属間化合物層やノッチを形成することがなく、突
起の部分が亀裂発生の起点となることがない。また、は
んだ端部から亀裂が発生しても突起周囲のボイドで亀裂
の進展を停止させることができる。更に、突起の高さは
ワイヤ径できまるので突起の高さを容易に揃えることが
でき、はんだ接合部は平坦性に優れるとともに厚さを容
易に制御することができ、亀裂に対する信頼性をより高
めることができる効果がある。
【００４６】また、はんだに濡れない金属ワイヤ片が直
径５０〜４００ミクロンのＡｌのボンディングワイヤで
あるので、放熱性および信頼性に最適なはんだの厚さを
容易に決定することができるとともに、突起材料を容易
に入手でき、突起の固着作業性に優れ、簡単に、短時間
に、低コストで突起を作成することができる効果があ
る。
【００４７】また、突起がはんだ接合部の金属板側に金
属接合によって固着しているので、突起を任意の位置に
おくことができ、突起に伴うボイドが半導体チップ直下
に位置することを避けることができ、放熱性を向上させ
ることができる効果がある。
【００４８】また、突起がはんだ接合部の絶縁基板側に
金属接合によって固着しているので、金属板に突起が無
く、金属板上へのはんだ印刷工程がスムーズにでき、絶
縁基板と金属板とのはんだ接合をより簡単に行うことが
できるという効果がある。
【００４９】また、はんだ接合する工程が、フラックス
を含むはんだペーストを供給した後、フラックスを含ま
ない固形はんだを供給することによってはんだ接合を行
う工程からなるので、フラックスの過剰供給によるボイ
ドの発生を抑えることができ、はんだの厚さが厚くても
平坦性の良い、ボイドの少ない良好なはんだ接合部を形
成することができる効果がある。
【００５０】また、はんだ接合する工程が、大気圧下で
はんだを溶融し溶融はんだを形成する工程と、上記溶融
はんだを減圧する工程と、上記溶融はんだを大気圧に戻
す工程と、上記溶融はんだを凝固する工程からなるの
で、はんだ接合部において放熱性に悪影響を及ぼす可能
性のあるボイドの発生を極力抑えることができる効果が
ある。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明の実施の形態１のパワーモジュール
を示した斜視図および断面図である。
【図２】 はんだ部分の拡大断面図である。
【図３】 この発明の実施の形態２のパワーモジュール
の構成を示した断面図および拡大断面図である。
【図４】 銅板上の突起を示した斜視図である。
【図５】 この発明の実施の形態３のパワーモジュール
の構成を示した断面図および拡大断面図である。
【図６】 この発明の実施の形態３のパワーモジュール
の断面図である。
【図７】 この発明の実施の形態４のパワーモジュール
のはんだ接合方法を示す工程断面図である。
【図８】 この発明の実施の形態５のパワーモジュール
のはんだ接合方法を示す工程断面図である。
【図９】 従来の半導体装置のはんだ接合部を示す断面
図である。
【図１０】 従来の半導体リードフレームのダイパッド
を示す斜視図である。
【図１１】 従来の半導体装置の突起台とはんだとの接
触部近傍の拡大断面図である。
【符号の説明】
７ 半導体チップ、８ 窒化アルミ、９，１０ 銅製パ
ターン、１１ 絶縁基板、１２ 銅板、１３ はんだ、
１４ すず−鉛系のはんだ、１４ａ 溶融はんだ、１
５，１５ａ 突起、１６，２１ ボイド、１８ 金属接
合部、１９ フラックスを含むはんだペースト、２０
フラックスを含まない板はんだ。

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 金属板上に、セラミックスからなる主材
    の両面にはんだ接合可能な導体層を有する絶縁基板を備
    え、上記絶縁基板上に半導体チップを備え、上記絶縁基
    板と金属板とがはんだ接合部を介して接合されており、
    上記はんだ接合部に上記はんだ接合部の厚さを規制する
    複数個の突起が設けられている半導体装置において、 上記突起がはんだに濡れない材料からなることを特徴と
    する半導体装置。
  2. 【請求項２】 突起がはんだに濡れない金属ワイヤ片で
    あって、上記金属ワイヤ径によってはんだ接合部の厚さ
    を規制するようにしたことを特徴とする請求項１記載の
    半導体装置。
  3. 【請求項３】 はんだに濡れない金属ワイヤ片が直径５
    ０〜４００ミクロンのＡｌのボンディングワイヤである
    ことを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
  4. 【請求項４】 突起がはんだ接合部の金属板側に金属接
    合によって固着していることを特徴とする請求項１記載
    の半導体装置。
  5. 【請求項５】 突起がはんだ接合部の絶縁基板側に金属
    接合によって固着していることを特徴とする請求項１記
    載の半導体装置。
  6. 【請求項６】 金属板上に、セラミックスからなる主材
    の両面にはんだ接合可能な導体層を有する絶縁基板をは
    んだ接合する工程と、上記絶縁基板上に半導体チップを
    搭載する工程とを備えた半導体装置の製造方法におい
    て、 上記はんだ接合する工程が、フラックスを含むはんだペ
    ーストを供給した後、フラックスを含まない固形はんだ
    を供給することによってはんだ接合を行う工程からなる
    ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  7. 【請求項７】 金属板上に、セラミックスからなる主材
    の両面にはんだ接合可能な導体層を有する絶縁基板をは
    んだ接合する工程と、上記絶縁基板上に半導体チップを
    搭載する工程とを備えた半導体装置の製造方法におい
    て、 上記はんだ接合する工程が、大気圧下ではんだを溶融し
    溶融はんだを形成する工程と、上記溶融はんだを減圧す
    る工程と、上記溶融はんだを大気圧に戻す工程と、上記
    溶融はんだを凝固する工程からなることを特徴とする半
    導体装置の製造方法。
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Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6905063B2 (en) 2002-03-29 2005-06-14 Fuji Electric Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
JP2007318139A (ja) * 2006-05-22 2007-12-06 Valeo Vision 放熱素子、及びこの素子を装着したダイオード照明又は信号装置
JP2009530872A (ja) * 2006-03-20 2009-08-27 フェアチャイルド・セミコンダクター・コーポレーション 細いアルミニウムワイヤのためのアルミニウムバンプボンディング
JP2011228604A (ja) * 2010-04-23 2011-11-10 Honda Motor Co Ltd 回路基板の製造方法及び回路基板
US20140239467A1 (en) * 2013-02-22 2014-08-28 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Semiconductor device
US20150115478A1 (en) * 2013-10-31 2015-04-30 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor module
JP2016111031A (ja) * 2014-12-02 2016-06-20 三菱電機株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP6029756B2 (ja) * 2013-07-10 2016-11-24 三菱電機株式会社 半導体装置及びその製造方法
WO2017217369A1 (ja) * 2016-06-14 2017-12-21 三菱電機株式会社 電力用半導体装置
JP2018200918A (ja) * 2017-05-25 2018-12-20 三菱電機株式会社 パワーモジュール
JP6641524B1 (ja) * 2018-02-26 2020-02-05 新電元工業株式会社 半導体装置の製造方法
JP6885522B1 (ja) * 2020-09-03 2021-06-16 三菱電機株式会社 半導体装置、電力変換装置および半導体装置の製造方法
US11183479B2 (en) 2017-03-30 2021-11-23 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device, method for manufacturing the same, and power conversion device
WO2023214450A1 (ja) * 2022-05-02 2023-11-09 三菱電機株式会社 半導体装置及びその製造方法

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6905063B2 (en) 2002-03-29 2005-06-14 Fuji Electric Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
JP2009530872A (ja) * 2006-03-20 2009-08-27 フェアチャイルド・セミコンダクター・コーポレーション 細いアルミニウムワイヤのためのアルミニウムバンプボンディング
JP2007318139A (ja) * 2006-05-22 2007-12-06 Valeo Vision 放熱素子、及びこの素子を装着したダイオード照明又は信号装置
JP2011228604A (ja) * 2010-04-23 2011-11-10 Honda Motor Co Ltd 回路基板の製造方法及び回路基板
US20140239467A1 (en) * 2013-02-22 2014-08-28 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Semiconductor device
JP6029756B2 (ja) * 2013-07-10 2016-11-24 三菱電機株式会社 半導体装置及びその製造方法
US9536855B2 (en) 2013-07-10 2017-01-03 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device and method of fabricating same
US20150115478A1 (en) * 2013-10-31 2015-04-30 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor module
CN104600051A (zh) * 2013-10-31 2015-05-06 三菱电机株式会社 半导体模块
US9159676B2 (en) * 2013-10-31 2015-10-13 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor module
JP2016111031A (ja) * 2014-12-02 2016-06-20 三菱電機株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
JPWO2017217369A1 (ja) * 2016-06-14 2018-09-27 三菱電機株式会社 電力用半導体装置
WO2017217369A1 (ja) * 2016-06-14 2017-12-21 三菱電機株式会社 電力用半導体装置
CN109314063A (zh) * 2016-06-14 2019-02-05 三菱电机株式会社 电力用半导体装置
DE112017002961T5 (de) 2016-06-14 2019-02-28 Mitsubishi Electric Corporation Leistungs-halbleitereinheit
DE112017002961B4 (de) 2016-06-14 2022-06-09 Mitsubishi Electric Corporation Leistungs-halbleitereinheit
CN109314063B (zh) * 2016-06-14 2022-08-16 三菱电机株式会社 电力用半导体装置
CN115274465A (zh) * 2016-06-14 2022-11-01 三菱电机株式会社 电力用半导体装置
US11183479B2 (en) 2017-03-30 2021-11-23 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device, method for manufacturing the same, and power conversion device
JP2018200918A (ja) * 2017-05-25 2018-12-20 三菱電機株式会社 パワーモジュール
JP6641524B1 (ja) * 2018-02-26 2020-02-05 新電元工業株式会社 半導体装置の製造方法
JP6885522B1 (ja) * 2020-09-03 2021-06-16 三菱電機株式会社 半導体装置、電力変換装置および半導体装置の製造方法
WO2022049697A1 (ja) * 2020-09-03 2022-03-10 三菱電機株式会社 半導体装置、電力変換装置および半導体装置の製造方法
WO2023214450A1 (ja) * 2022-05-02 2023-11-09 三菱電機株式会社 半導体装置及びその製造方法

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