JPH1048618A - 光学変調装置及びそれを用いたカラー画像表示装置 - Google Patents
光学変調装置及びそれを用いたカラー画像表示装置Info
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- JPH1048618A JPH1048618A JP8200284A JP20028496A JPH1048618A JP H1048618 A JPH1048618 A JP H1048618A JP 8200284 A JP8200284 A JP 8200284A JP 20028496 A JP20028496 A JP 20028496A JP H1048618 A JPH1048618 A JP H1048618A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光利用効率の高い光学変調装置を提供するこ
と。 【解決手段】 色分解素子6によって所定の波長帯域毎
に分散された光束を、光学変調素子1の異なる画素(T
−2〜T+2)に入射させ、入射光の変調を行う光学変
調装置であって、色分解素子6が、入射光を所定波長毎
に分解する色分解領域(S0)と、入射光をそのまま透
過する非色分解領域(S−1、S+1)を交互に有す
る。
と。 【解決手段】 色分解素子6によって所定の波長帯域毎
に分散された光束を、光学変調素子1の異なる画素(T
−2〜T+2)に入射させ、入射光の変調を行う光学変
調装置であって、色分解素子6が、入射光を所定波長毎
に分解する色分解領域(S0)と、入射光をそのまま透
過する非色分解領域(S−1、S+1)を交互に有す
る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光学変調装置及び
その光学変調装置を用いたカラー画像表示装置に関する
ものである。
その光学変調装置を用いたカラー画像表示装置に関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】従来、液晶光学変調素子を用いた単板カ
ラー光学変調装置は、液晶光学変調素子周辺部にある光
学変調被制御部の配線を遮光するブラックマトリクス面
積が液晶光学変調素子に占める割合が高く、装置全体の
光利用効率を低下させる要因となっていた。
ラー光学変調装置は、液晶光学変調素子周辺部にある光
学変調被制御部の配線を遮光するブラックマトリクス面
積が液晶光学変調素子に占める割合が高く、装置全体の
光利用効率を低下させる要因となっていた。
【0003】この問題を解決するためには、図14に示
したような、集光素子群2をカラーフィルター51R、
51G、51Bの前面に配置し、白色光源からの照明光
を光学変調素子201の各画素に集光させていることに
より、光学変調装置200の光利用効率を向上させる方
法が知られている。ここで、図14における3は透明基
板、5はブラックマトリクスである。
したような、集光素子群2をカラーフィルター51R、
51G、51Bの前面に配置し、白色光源からの照明光
を光学変調素子201の各画素に集光させていることに
より、光学変調装置200の光利用効率を向上させる方
法が知られている。ここで、図14における3は透明基
板、5はブラックマトリクスである。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】前述の従来例では、白
色光から各光学変調素子に応じた色光を取り出す部材と
してカラーフィルターを用いている。しかしながら、カ
ラーフィルターは各画素へ入射する白色光のうち、ある
波長成分の光のみを透過するため、それ以外の波長成分
の光に関しては無駄になっており、光利用効率が非常に
低かった。
色光から各光学変調素子に応じた色光を取り出す部材と
してカラーフィルターを用いている。しかしながら、カ
ラーフィルターは各画素へ入射する白色光のうち、ある
波長成分の光のみを透過するため、それ以外の波長成分
の光に関しては無駄になっており、光利用効率が非常に
低かった。
【0005】本発明は、上記従来例を鑑みなされたもの
であり、光量損失が少なく画質のよい光学変調装置を提
供することを目的とする。
であり、光量損失が少なく画質のよい光学変調装置を提
供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の光学変調装置は、入射光を各画素毎に変調
して出射する光学変調素子と、広波長帯域の光束を所定
の波長帯域毎に分解する色分解素子とを有し、色分解素
子によって所定の波長帯域毎に分解された光束を光学変
調素子の異なる画素に入射させ、入射光の変調を行う光
学変調装置であって、色分解素子が、入射光を所定波長
毎に分解する色分解領域と、入射光をそのまま透過する
非色分解領域を交互に有することを特徴としている。
め、本発明の光学変調装置は、入射光を各画素毎に変調
して出射する光学変調素子と、広波長帯域の光束を所定
の波長帯域毎に分解する色分解素子とを有し、色分解素
子によって所定の波長帯域毎に分解された光束を光学変
調素子の異なる画素に入射させ、入射光の変調を行う光
学変調装置であって、色分解素子が、入射光を所定波長
毎に分解する色分解領域と、入射光をそのまま透過する
非色分解領域を交互に有することを特徴としている。
【0007】本発明の光学変調装置において、広波長帯
域の光束、または色分解素子を通過した光束を集光して
光学変調素子の各画素に収歛光を入射させるレンズアレ
イを有することが好ましい。
域の光束、または色分解素子を通過した光束を集光して
光学変調素子の各画素に収歛光を入射させるレンズアレ
イを有することが好ましい。
【0008】また、本発明の光学変調装置は、レンズア
レイを構成するレンズ一つおきに色分解素子の色分解領
域を有することが好ましい。
レイを構成するレンズ一つおきに色分解素子の色分解領
域を有することが好ましい。
【0009】本発明の光学変調装置において、色分解素
子には、バイナリーオプティクス、ホログラム等が用い
られる。
子には、バイナリーオプティクス、ホログラム等が用い
られる。
【0010】また、色分解素子と光学変調素子との間に
カラーフィルターを配した形態も考えられる。このと
き、色非分解領域を通過した白色光束の光路上にのみカ
ラーフィルターを設ける形態が考えられる。
カラーフィルターを配した形態も考えられる。このと
き、色非分解領域を通過した白色光束の光路上にのみカ
ラーフィルターを設ける形態が考えられる。
【0011】本発明の光学変調装置に用いられる光学変
調素子には、高分子分散型液晶、TN型液晶、ゲストホ
スト型液晶等が好適に用いられる。特に、光学変調素子
に高分子分散型液晶を用いた際には、画素間に遮光壁を
設けることが好ましい。
調素子には、高分子分散型液晶、TN型液晶、ゲストホ
スト型液晶等が好適に用いられる。特に、光学変調素子
に高分子分散型液晶を用いた際には、画素間に遮光壁を
設けることが好ましい。
【0012】本発明の光学変調装置には、反射型、透過
型双方の形態が考えられるが、詳細は発明の実施の形態
にて説明する。
型双方の形態が考えられるが、詳細は発明の実施の形態
にて説明する。
【0013】本発明の光学変調装置を、カラー画像表示
装置に用いることにより高画質の表示が可能になる。
装置に用いることにより高画質の表示が可能になる。
【0014】
【発明の実施の形態】図1は本発明の特徴を最もよく表
す光学変調装置の一部の断面図(装置光軸に対して平行
な断面)である。
す光学変調装置の一部の断面図(装置光軸に対して平行
な断面)である。
【0015】同図において、1は光学変調制御部(不図
示)及び光学変調被制御部からなる光学変調素子であ
る。本実施の形態においては光学変調被制御部は高分子
分散型液晶を用いる。2は入射光を集光する集光素子
群、3は光学変調素子1を挟持する透明基板、4は画像
表示に不要な光を遮光する遮光膜である。6は集光素子
群2によって集光された光を複数の色光に分解して出射
する領域が各集光素子に対して二対一で設けられた色分
解素子である。7は光学変調素子1と透明基板3の間に
設けられた反射板である。
示)及び光学変調被制御部からなる光学変調素子であ
る。本実施の形態においては光学変調被制御部は高分子
分散型液晶を用いる。2は入射光を集光する集光素子
群、3は光学変調素子1を挟持する透明基板、4は画像
表示に不要な光を遮光する遮光膜である。6は集光素子
群2によって集光された光を複数の色光に分解して出射
する領域が各集光素子に対して二対一で設けられた色分
解素子である。7は光学変調素子1と透明基板3の間に
設けられた反射板である。
【0016】図中、光学変調素子群1のR(赤)、G
(緑)、B(青)の符号は、それぞれの光学変調素子1
の各画素が入射及び反射する光の波長帯域を表してい
る。W(白)と記された画素には白色光が入射及び反射
する。
(緑)、B(青)の符号は、それぞれの光学変調素子1
の各画素が入射及び反射する光の波長帯域を表してい
る。W(白)と記された画素には白色光が入射及び反射
する。
【0017】図1において、任意の集光素子をA0、A
0に隣接した集光素子をA+1、A−1、A0の光軸
(集光光束の中心線)を含む光学変調素子の画素をT
0、T0に隣接した光学変調素子の画素をT+1、T−
1、A0の光軸を含む色分解素子の領域を(色分解領
域)をS0、S0に隣接した色分解素子の領域(非色分
解領域)をS+1、S−1とする。A0で集光された白
色光束は色分解領域S0を通過後、RGB帯域の3つの
色光に色分解され、画素T0、T+1、T−1に入射
し、反射板7で反射される。それぞれの波長帯域の光束
は、画素T0、T+1、T−1を出射するまでの間に光
学変調を受ける。反射板7によって反射され画素T0に
よって変調を受けたGの波長帯域の光は、集光素子A0
において略平行光とされ出射する。同様に画素T−1、
T+1によって変調を受けたB及びRの波長帯域の光
は、それぞれ集光素子A−1、A+1において略平行光
とされ出射する。
0に隣接した集光素子をA+1、A−1、A0の光軸
(集光光束の中心線)を含む光学変調素子の画素をT
0、T0に隣接した光学変調素子の画素をT+1、T−
1、A0の光軸を含む色分解素子の領域を(色分解領
域)をS0、S0に隣接した色分解素子の領域(非色分
解領域)をS+1、S−1とする。A0で集光された白
色光束は色分解領域S0を通過後、RGB帯域の3つの
色光に色分解され、画素T0、T+1、T−1に入射
し、反射板7で反射される。それぞれの波長帯域の光束
は、画素T0、T+1、T−1を出射するまでの間に光
学変調を受ける。反射板7によって反射され画素T0に
よって変調を受けたGの波長帯域の光は、集光素子A0
において略平行光とされ出射する。同様に画素T−1、
T+1によって変調を受けたB及びRの波長帯域の光
は、それぞれ集光素子A−1、A+1において略平行光
とされ出射する。
【0018】非色分解領域S+1、S−1は入射光をそ
のまま透過する領域である。したがって、画素T+2、
T−2には白色光が入射し、変調を受けた後、集光素子
をA+1、A−1で略平行光とされて出射する。
のまま透過する領域である。したがって、画素T+2、
T−2には白色光が入射し、変調を受けた後、集光素子
をA+1、A−1で略平行光とされて出射する。
【0019】すなわち、図1に示すように、S0のよう
な色分解領域に対応したA0のような集光素子からは、
Gの波長帯域の光が出射し、それと隣り合った、S+1
やS−1のような入射光をそのまま透過する非色分解領
域に対応したA+1やA−1のような集光素子からは、
その集光素子自身に入射した白色光と、両隣の集光素子
に入射し色分解領域によって分解されたRとBの波長帯
域の光とが出射する。1つおきに存在するA+1やA−
1のような集光素子から出射する白色光は、輝度を与え
る画像情報として働く。
な色分解領域に対応したA0のような集光素子からは、
Gの波長帯域の光が出射し、それと隣り合った、S+1
やS−1のような入射光をそのまま透過する非色分解領
域に対応したA+1やA−1のような集光素子からは、
その集光素子自身に入射した白色光と、両隣の集光素子
に入射し色分解領域によって分解されたRとBの波長帯
域の光とが出射する。1つおきに存在するA+1やA−
1のような集光素子から出射する白色光は、輝度を与え
る画像情報として働く。
【0020】ところで、図1においては異なる媒質間の
光の屈折は記載されていないが、実際に設計する際に
は、この屈折率の差を考慮する必要がある。これは以後
の光線が描かれた図においても同様である。
光の屈折は記載されていないが、実際に設計する際に
は、この屈折率の差を考慮する必要がある。これは以後
の光線が描かれた図においても同様である。
【0021】高分子分散型液晶による光学変調原理につ
いては一般的には知られているため説明は省略する。
いては一般的には知られているため説明は省略する。
【0022】次に、本実施形態における液晶パネル内の
画像信号駆動方法の一例を簡単に説明する。
画像信号駆動方法の一例を簡単に説明する。
【0023】入力画像がビデオ信号の場合、表示する画
像の1フレーム分の画像信号をメモリに一時的に蓄積し
た後、パネルの画素配列と対応するように順次順番を入
れ替えサンプリングを行う。また、パソコン等のデータ
信号のようにすでにメモリ保管されている入力画像の場
合には、サンプリング方法を変えることで対応できる。
ただし本実施例においては、各ライン中各色のパネル画
素が異なることから、画素数の少ない色光に対応する画
像信号は、元の画像信号の2画素分を1画素分に平均化
する等の画像処理をサンプリングの前の時点で行う必要
がある。
像の1フレーム分の画像信号をメモリに一時的に蓄積し
た後、パネルの画素配列と対応するように順次順番を入
れ替えサンプリングを行う。また、パソコン等のデータ
信号のようにすでにメモリ保管されている入力画像の場
合には、サンプリング方法を変えることで対応できる。
ただし本実施例においては、各ライン中各色のパネル画
素が異なることから、画素数の少ない色光に対応する画
像信号は、元の画像信号の2画素分を1画素分に平均化
する等の画像処理をサンプリングの前の時点で行う必要
がある。
【0024】次に、色分解素子6について、図2の断面
拡大図を用いて説明する。
拡大図を用いて説明する。
【0025】本実施の形態において色分解素子6は、バ
イナリーオプティックス(以下BO)と呼ばれる位相型
回析格子を各集光素子に対応した領域1つおきに樹脂で
成形したものである。BOとは、図2に示すように階段
形状をした回析格子であり、特に本実施形態に示したも
のは、回析格子の格子ピッチ、位相変化量を特定するこ
とにより各回析格子の0次と±1次の回析光にエネルギ
ーの大半を集中させ、かつ0次、±1次回折光それぞれ
の最もエネルギーの高い波長帯域(以下、主波長帯域)
がRGBのいずれかに対応するように構成したものであ
る。本実施の形態では、格子ピッチP内にステップ幅L
1、L2、L3の3段形状としている。なお、段階数は
3段階以上であれば4段でも5段でも同様の効果が得ら
れるように構成することができる。本実施形態に示すよ
うな透過型のBOは、Applied Optics誌
17巻15号2273〜2279(1978.8.1
号)に開示されているように、BOに入射した入射光束
が透過回析されて主に3方向に分離される。このBOに
おいて、例えばブレーズド波長λ0としたとき、ブレー
ズド波長をλ0としたとき、ブレーズド波長λ0に対し
必要な格子厚Dtは、 Dt=m・λ0/(nλ0−1) となる。ここで、nλ0は媒質の屈折率である。m,λ
0をm=2、λ0=530nmとし、屈折率nλ0=
1.5程度として算出した場合、格子厚はDt=212
0nm程度となる。
イナリーオプティックス(以下BO)と呼ばれる位相型
回析格子を各集光素子に対応した領域1つおきに樹脂で
成形したものである。BOとは、図2に示すように階段
形状をした回析格子であり、特に本実施形態に示したも
のは、回析格子の格子ピッチ、位相変化量を特定するこ
とにより各回析格子の0次と±1次の回析光にエネルギ
ーの大半を集中させ、かつ0次、±1次回折光それぞれ
の最もエネルギーの高い波長帯域(以下、主波長帯域)
がRGBのいずれかに対応するように構成したものであ
る。本実施の形態では、格子ピッチP内にステップ幅L
1、L2、L3の3段形状としている。なお、段階数は
3段階以上であれば4段でも5段でも同様の効果が得ら
れるように構成することができる。本実施形態に示すよ
うな透過型のBOは、Applied Optics誌
17巻15号2273〜2279(1978.8.1
号)に開示されているように、BOに入射した入射光束
が透過回析されて主に3方向に分離される。このBOに
おいて、例えばブレーズド波長λ0としたとき、ブレー
ズド波長をλ0としたとき、ブレーズド波長λ0に対し
必要な格子厚Dtは、 Dt=m・λ0/(nλ0−1) となる。ここで、nλ0は媒質の屈折率である。m,λ
0をm=2、λ0=530nmとし、屈折率nλ0=
1.5程度として算出した場合、格子厚はDt=212
0nm程度となる。
【0026】次に、光学変調装置10を用いた反射型の
カラー画像表示装置の概略図を図3に示す。
カラー画像表示装置の概略図を図3に示す。
【0027】図3中、10は本発明の光学変調装置、1
1は放物鏡12の焦点位置に置かれた白色光源、13は
コンデンサレンズ、14は投射レンズ、15は投射レン
ズ絞り、16は投射スクリーン、17は集光レンズ、1
8は投写レンズ絞り15の白色光源11側に設けられた
ミラーである。
1は放物鏡12の焦点位置に置かれた白色光源、13は
コンデンサレンズ、14は投射レンズ、15は投射レン
ズ絞り、16は投射スクリーン、17は集光レンズ、1
8は投写レンズ絞り15の白色光源11側に設けられた
ミラーである。
【0028】白色光源11から出射した光は放物鏡12
により略平行光にされ、集光レンズ17、ミラー18、
コンデンサレンズ13を介して光学変調装置10に入射
する。光学変調装置10によりRGBの色光ごとの画像
情報を与えられた光は、コンデンサレンズ13、投射レ
ンズ14を介して投射スクリーン16上に画像表示を行
う。
により略平行光にされ、集光レンズ17、ミラー18、
コンデンサレンズ13を介して光学変調装置10に入射
する。光学変調装置10によりRGBの色光ごとの画像
情報を与えられた光は、コンデンサレンズ13、投射レ
ンズ14を介して投射スクリーン16上に画像表示を行
う。
【0029】RGBの各色光の画像情報は光学変調装置
10による光束の拡散度に依存している。図3のように
光軸上に開口を有するような絞りを用いる場合では、拡
散度の低い光束が投射レンズ絞り15を通過して投射ス
クリーン16に到達し、拡散度の高い光束は投射レンズ
絞り15に遮光され、投射スクリーン16に到達しな
い。すなわち、光学変調装置10の各画素の光束の拡散
性を変えることで、投射スクリーン16に到達する光量
を変えることができ、画像の階調様示が可能となる。ま
た、図3のような構成とは逆に、光軸近傍の光束を遮光
するような絞り形状である場合も、同様な画像の階調表
示が可能となる。
10による光束の拡散度に依存している。図3のように
光軸上に開口を有するような絞りを用いる場合では、拡
散度の低い光束が投射レンズ絞り15を通過して投射ス
クリーン16に到達し、拡散度の高い光束は投射レンズ
絞り15に遮光され、投射スクリーン16に到達しな
い。すなわち、光学変調装置10の各画素の光束の拡散
性を変えることで、投射スクリーン16に到達する光量
を変えることができ、画像の階調様示が可能となる。ま
た、図3のような構成とは逆に、光軸近傍の光束を遮光
するような絞り形状である場合も、同様な画像の階調表
示が可能となる。
【0030】このように構成することで、入射光に対す
る出射光の光利用効率を大幅に向上させることができ
る。また同時に、本発明の光学変調装置10をカラー画
像表示装置に用いることにより明るい装置の提供が装置
サイズを大型化することなしに可能となる。また、スク
リーン上に光学変調装置のブラックマトリクスガ見えな
くなるため、スクリーンに近づいた時にも、高画質の画
像を鑑賞することが可能となる。また、1画素に対して
入射光束を集光していることから開口率の低い画素を採
用できるため、光学変調素子の製造上の歩留まりを上げ
ることが可能となるなどの多くのメリットが存在する。
る出射光の光利用効率を大幅に向上させることができ
る。また同時に、本発明の光学変調装置10をカラー画
像表示装置に用いることにより明るい装置の提供が装置
サイズを大型化することなしに可能となる。また、スク
リーン上に光学変調装置のブラックマトリクスガ見えな
くなるため、スクリーンに近づいた時にも、高画質の画
像を鑑賞することが可能となる。また、1画素に対して
入射光束を集光していることから開口率の低い画素を採
用できるため、光学変調素子の製造上の歩留まりを上げ
ることが可能となるなどの多くのメリットが存在する。
【0031】本実施の形態においては、色分解素子とし
てBOを用いたが、ホログラム等のその他の色分解素子
を用いてもかまわない。また、図4に示すように集光素
子を平板マイクロレンズ41として構わない。図4に示
した構成は平板マイクロレンズ41を色分解素子6と一
体で形成したものに、透明基板3と接着したものであ
る。このように構成することで装置のコンパクト化が可
能となる。更に集光素子と色分解素子の配置の順序を逆
にした構成も考えられる。
てBOを用いたが、ホログラム等のその他の色分解素子
を用いてもかまわない。また、図4に示すように集光素
子を平板マイクロレンズ41として構わない。図4に示
した構成は平板マイクロレンズ41を色分解素子6と一
体で形成したものに、透明基板3と接着したものであ
る。このように構成することで装置のコンパクト化が可
能となる。更に集光素子と色分解素子の配置の順序を逆
にした構成も考えられる。
【0032】本実施の形態において、BOの1集光素子
内のピッチ数は図2に示すように2ピッチとしたが、光
学変調装置の仕様によって変える必要がある。また、1
ピッチ内の格子厚を各段ごとに若干変えること、及び1
ピッチ内の格子幅が不等間隔になるようにBO形状を設
計することで±1次回析光内側帯成分低減ができること
から理想的な色分解が更に可能となる。また、反射板7
は光学変調素子1の配線部を形成する金属層で同時に形
成しても構わない。
内のピッチ数は図2に示すように2ピッチとしたが、光
学変調装置の仕様によって変える必要がある。また、1
ピッチ内の格子厚を各段ごとに若干変えること、及び1
ピッチ内の格子幅が不等間隔になるようにBO形状を設
計することで±1次回析光内側帯成分低減ができること
から理想的な色分解が更に可能となる。また、反射板7
は光学変調素子1の配線部を形成する金属層で同時に形
成しても構わない。
【0033】また図5に示すように、各色光が分離した
箇所に色補正用カラーフィルター51を設けた形態も考
えられる。この構成では、色分解素子6で分解された各
色光の分光特性が画像信号のもつ分光特性と異なる場
合、各色光を色補正用カラーフィルター51に入射さ
せ、理想的色情報を得ることによって忠実な画像色再現
が可能になる。この場合、各色光に分解した後にカラー
フィルター51を透過させるので、それほど光利用効率
の低下も生じない。
箇所に色補正用カラーフィルター51を設けた形態も考
えられる。この構成では、色分解素子6で分解された各
色光の分光特性が画像信号のもつ分光特性と異なる場
合、各色光を色補正用カラーフィルター51に入射さ
せ、理想的色情報を得ることによって忠実な画像色再現
が可能になる。この場合、各色光に分解した後にカラー
フィルター51を透過させるので、それほど光利用効率
の低下も生じない。
【0034】また、T+2、T−2のような白色光が入
射する画素に対応するフィルターをGの波長帯域の光が
透過するフィルターとしてもよい。この時、白色光が入
射する画素は、当然G色の信号に基づいて駆動されねば
ならない。更に白色光が入射する画素に対応するフィル
ターを任意の波長帯域の光が透過するフィルターにし
て、RGBの各色光が入射する画素に対してはフィルタ
ーを設けないような形態も考えられる。
射する画素に対応するフィルターをGの波長帯域の光が
透過するフィルターとしてもよい。この時、白色光が入
射する画素は、当然G色の信号に基づいて駆動されねば
ならない。更に白色光が入射する画素に対応するフィル
ターを任意の波長帯域の光が透過するフィルターにし
て、RGBの各色光が入射する画素に対してはフィルタ
ーを設けないような形態も考えられる。
【0035】白色光の光路中にカラーフィルターを設け
た場合、多少の光量損失は生ずるが、従来の全画素にカ
ラーフィルターを設けた装置に比べれば遥かに光利用効
率が高い。
た場合、多少の光量損失は生ずるが、従来の全画素にカ
ラーフィルターを設けた装置に比べれば遥かに光利用効
率が高い。
【0036】また図6に示すように、高分子分散型液晶
で拡散された光が隣接画素に入射し、クロストークの原
因となることを防止するために各画素間に遮光壁61を
設ける形態も考えられる。この構成により、更に高い画
質のカラー画像表示装置の提供が可能となる。
で拡散された光が隣接画素に入射し、クロストークの原
因となることを防止するために各画素間に遮光壁61を
設ける形態も考えられる。この構成により、更に高い画
質のカラー画像表示装置の提供が可能となる。
【0037】また、図5に示したカラーフィルター5
1、図6に示した遮光壁61を同時に有するような形態
も考えられるのは説明するまでもない。
1、図6に示した遮光壁61を同時に有するような形態
も考えられるのは説明するまでもない。
【0038】本実施形態では、光学変調被制御部として
高分子分散型液晶を用いているが、TN型液晶、ゲスト
ホスト液晶等のその他の光学変調被制御部を用いても構
わない。
高分子分散型液晶を用いているが、TN型液晶、ゲスト
ホスト液晶等のその他の光学変調被制御部を用いても構
わない。
【0039】図7から図11は、本発明の光学変調装置
を入射側から見た平面図であり、集光素子と光学変調素
子の各画素の配置の関係を示すものである。
を入射側から見た平面図であり、集光素子と光学変調素
子の各画素の配置の関係を示すものである。
【0040】図7は、本発明の光学変調装置において、
色分解素子6の色分解領域の中心軸を含む画素への入射
光(図7中アンダーバーの添えられた英字)をG色とし
たものである。また、集光素子2は画素の2辺に平行な
方向のレンズの屈折力が各々異なる形状をしており集光
素子A0に入射した光束は色分解素子S0に集光するも
のとする。図7の場合、色分解素子の分解効率を(回析
格子を色分解素子に用いる場合、回析効率)をG色で最
も高くすることによって、光学変調装置出射時にはRG
B光量のバランスが均等になり、ホワイトバランスの調
整の容易な装置の提供が可能となる。ここでは、光学変
調素子の画素形状が正方形としたが、長方形であっても
構わない。
色分解素子6の色分解領域の中心軸を含む画素への入射
光(図7中アンダーバーの添えられた英字)をG色とし
たものである。また、集光素子2は画素の2辺に平行な
方向のレンズの屈折力が各々異なる形状をしており集光
素子A0に入射した光束は色分解素子S0に集光するも
のとする。図7の場合、色分解素子の分解効率を(回析
格子を色分解素子に用いる場合、回析効率)をG色で最
も高くすることによって、光学変調装置出射時にはRG
B光量のバランスが均等になり、ホワイトバランスの調
整の容易な装置の提供が可能となる。ここでは、光学変
調素子の画素形状が正方形としたが、長方形であっても
構わない。
【0041】図8は、本発明の光学変調装置において、
任意の1次元方向(図中横方向)に並んだ集光素子例の
各色分解領域の中心軸を含む画素への入射光(図8中ア
ンダーバーの添えられた英字)を同一にし、その入射光
をB色とした場合、この集光素子列に隣接した集光素子
列の各色分解領域の中心軸を含む画素への入射光を各々
R色、G色としたものである。このように集光素子と光
学変調素子の画素を配列しても、図7の配列と同様の効
果が得られる。
任意の1次元方向(図中横方向)に並んだ集光素子例の
各色分解領域の中心軸を含む画素への入射光(図8中ア
ンダーバーの添えられた英字)を同一にし、その入射光
をB色とした場合、この集光素子列に隣接した集光素子
列の各色分解領域の中心軸を含む画素への入射光を各々
R色、G色としたものである。このように集光素子と光
学変調素子の画素を配列しても、図7の配列と同様の効
果が得られる。
【0042】図7、図8におい光学変調素子の各画素の
2次元配列は、格子状に配列されているが、図9に示す
ような千鳥配列であっても同様の効果が得られる。
2次元配列は、格子状に配列されているが、図9に示す
ような千鳥配列であっても同様の効果が得られる。
【0043】図10は、図7に示したものと同様に各色
分解領域の中心軸を含む画素への入射光を全てG色とし
たものであり、同時に任意の色分解領域の色分解方向と
は垂直な方向の隣接色分解領域もG色とした物である。
このように集光素子と光学変調素子の画素を配列するこ
とで、BOが、ある1次元方向に連続的な形状になるこ
とから形成が容易であり、低コスト化が可能となる。ま
た、図11に示すように集光素子をレンチキュラーレン
ズとすることも可能である。この場合、レンチキュラー
レンズのパワーを持たない方向のブラックマトリクス構
造は除去できずに残されることになるが、開口率を一定
にしたままブラックマトリクスの構成を変えることで、
図10に示した例とほぼ同様の効果が得られる。
分解領域の中心軸を含む画素への入射光を全てG色とし
たものであり、同時に任意の色分解領域の色分解方向と
は垂直な方向の隣接色分解領域もG色とした物である。
このように集光素子と光学変調素子の画素を配列するこ
とで、BOが、ある1次元方向に連続的な形状になるこ
とから形成が容易であり、低コスト化が可能となる。ま
た、図11に示すように集光素子をレンチキュラーレン
ズとすることも可能である。この場合、レンチキュラー
レンズのパワーを持たない方向のブラックマトリクス構
造は除去できずに残されることになるが、開口率を一定
にしたままブラックマトリクスの構成を変えることで、
図10に示した例とほぼ同様の効果が得られる。
【0044】図12は、透過型の光学変調装置20を表
す図である。反射型の光学変調装置10と同符号の構成
要素のものは同様の機能を有しているので説明を省略す
る。
す図である。反射型の光学変調装置10と同符号の構成
要素のものは同様の機能を有しているので説明を省略す
る。
【0045】反射型の光学変調装置10と異なる点は、
集光素子群2が入射側と出射側に1対で設けられている
点である。したがって、出射側の集光素子群2はコリメ
ート素子として働く。
集光素子群2が入射側と出射側に1対で設けられている
点である。したがって、出射側の集光素子群2はコリメ
ート素子として働く。
【0046】次に光学変調装置20の画像形成の動作に
ついて説明する。図1の場合と同様に、任意の集光素子
をA0、A0に隣接した集光素子A+1、A−1、A0
の光軸(集光光束の中心線)を含む光学変調素子の画素
をT0、T0に隣接した光学変調素子の画素をT+1、
T−1、A0の光軸を含む入射側の色分解素子の一領域
(色分解領域)をS0、S0に隣接した色分解素子の領
域(非色分解領域)をS+1、S−1、A0の光軸を含
む出射側の集光素子をC0、C0に隣接した集光素子を
C+1、C−1とする。A0で集光された白色光束は色
分解領域S0を通過後、RGB帯域の3つの色光に色分
解され、画素T0、T+1、T−1に入射し光学変調を
受ける。画素T0によって変調を受けたGの波長帯域の
光は、集光素子C0によって略平行光とされ出射する。
ついて説明する。図1の場合と同様に、任意の集光素子
をA0、A0に隣接した集光素子A+1、A−1、A0
の光軸(集光光束の中心線)を含む光学変調素子の画素
をT0、T0に隣接した光学変調素子の画素をT+1、
T−1、A0の光軸を含む入射側の色分解素子の一領域
(色分解領域)をS0、S0に隣接した色分解素子の領
域(非色分解領域)をS+1、S−1、A0の光軸を含
む出射側の集光素子をC0、C0に隣接した集光素子を
C+1、C−1とする。A0で集光された白色光束は色
分解領域S0を通過後、RGB帯域の3つの色光に色分
解され、画素T0、T+1、T−1に入射し光学変調を
受ける。画素T0によって変調を受けたGの波長帯域の
光は、集光素子C0によって略平行光とされ出射する。
【0047】また、集光素子A+1、A−1から入射し
た白色光は、色分解素子の非色分解領域S+1、S−1
を通過して光学変調素子の画素T+2、T−2に入射し
て変調を受け、非色分解領域S+1、S−1と隣接する
色分解領域にて分解されたB、Rの色光とともに、集光
素子C+1、C−1により略平行光とされ、光学変調装
置20より出射する。
た白色光は、色分解素子の非色分解領域S+1、S−1
を通過して光学変調素子の画素T+2、T−2に入射し
て変調を受け、非色分解領域S+1、S−1と隣接する
色分解領域にて分解されたB、Rの色光とともに、集光
素子C+1、C−1により略平行光とされ、光学変調装
置20より出射する。
【0048】次に、光学変調装置20を用いた透過型の
カラー画像表示装置の概略図を図13に示す。
カラー画像表示装置の概略図を図13に示す。
【0049】白色光源11から出射した光は、放物鏡1
2により略平行光にされ光学変調装置20に入射する。
光学変調装置20によりRGBの色光ごとの画像情報を
与えられた光は、コンデンサレンズ13、投射レンズ1
4を介して投射スクリーン16上に画像表示を行う。
2により略平行光にされ光学変調装置20に入射する。
光学変調装置20によりRGBの色光ごとの画像情報を
与えられた光は、コンデンサレンズ13、投射レンズ1
4を介して投射スクリーン16上に画像表示を行う。
【0050】このように、本発明の光学変調装置は透過
型にても実施可能であり、反射型の光学変調装置と同様
の効果が得られる。また、透過型の光学変調装置におい
ても、反射型の装置で図示、説明したような様々な形態
での実施が考えられる。
型にても実施可能であり、反射型の光学変調装置と同様
の効果が得られる。また、透過型の光学変調装置におい
ても、反射型の装置で図示、説明したような様々な形態
での実施が考えられる。
【0051】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
光利用効率の高い光学変調装置が実現でき、本発明の光
学変調装置をカラー画像表示装置に用いれば、画質のよ
い装置が装置サイズを大型化することなしに実現でき
る。
光利用効率の高い光学変調装置が実現でき、本発明の光
学変調装置をカラー画像表示装置に用いれば、画質のよ
い装置が装置サイズを大型化することなしに実現でき
る。
【図1】本発明の反射型の光学変調装置の要部断面図で
ある。
ある。
【図2】色分解素子の拡大断面図である。
【図3】本発明の反射型の光学変調装置を用いたカラー
画像表示装置の概略図である。
画像表示装置の概略図である。
【図4】集光素子を平面マイクロレンズとした場合の本
発明の光学変調装置の拡大断面図である。
発明の光学変調装置の拡大断面図である。
【図5】本発明の反射型の光学変調装置の要部断面図で
ある。
ある。
【図6】本発明の反射型の光学変調装置の要部断面図で
ある。
ある。
【図7】集光素子と光学変調素子の画素の配置の関係を
示した図である。
示した図である。
【図8】集光素子と光学変調素子の画素の配置の関係を
示した図である。
示した図である。
【図9】集光素子と光学変調素子の画素の配置の関係を
示した図である。
示した図である。
【図10】集光素子と光学変調素子の画素の配置の関係
を示した図である。
を示した図である。
【図11】集光素子と光学変調素子の画素の配置の関係
を示した図である。
を示した図である。
【図12】本発明の透過型の光学変調装置の要部断面図
である。
である。
【図13】本発明の透過型の光学変調装置を用いたカラ
ー画像表示装置の概略図である。
ー画像表示装置の概略図である。
【図14】従来の光学変調装置の要部断面図である。
【符号の説明】 1 光学変調素子 2 集光素子 3 透明基板 4 遮光膜 6 色分解素子 7 反射板 10 光学変調装置 11 白色光源 12 放物鏡 13 コンデンサーレンズ 14 投射レンズ 15 投射レンズ絞り 16 投射スクリーン 17 集光レンズ 18 ミラー 51 カラーフィルター 61 遮光壁
Claims (16)
- 【請求項1】 入射光を各画素毎に変調して出射する光
学変調素子と、広波長帯域の光束を所定の波長帯域毎に
分解する色分解素子とを有し、該色分解素子によって所
定の波長帯域毎に分解された光束を前記光学変調素子の
異なる画素に入射させ、前記画素が入射光の変調を行う
光学変調装置において、 前記色分解素子は、入射光を所定波長毎に分解する色分
解領域と、入射光をそのまま透過する非色分解領域を交
互に有することを特徴とする光学変調装置。 - 【請求項2】 前記広波長帯域の光束を集光して前記光
学変調素子の各画素に収歛光を入射させるレンズアレイ
を有することを特徴とする請求項1記載の光学変調装
置。 - 【請求項3】 前記色分解素子を通過した光束を集光し
て前記光学変調素子の各画素に収歛光を入射させるレン
ズアレイを有することを特徴とする請求項1記載の光学
変調装置。 - 【請求項4】 前記レンズアレイは平板マイクロレンズ
であることを特徴とする請求項2、3記載の光学変調装
置。 - 【請求項5】 前記レンズアレイを構成するレンズ一つ
おきに前記色分解素子は色分解領域を有することを特徴
とする請求項2乃至4記載の光学変調装置。 - 【請求項6】 前記色分解素子はバイナリーオプティク
スであることを特徴とする請求項1乃至5記載の光学変
調装置。 - 【請求項7】 前記色分解素子はホログラムであること
を特徴とする請求項1乃至5記載の光学変調装置。 - 【請求項8】 前記色分解素子と前記光学変調素子との
間にカラーフィルターを配したことを特徴とする請求項
1乃至7記載の光学変調装置。 - 【請求項9】 前記カラーフィルターは、前記色分解素
子の非色分解領域を通過した光束の光路上にのみ設けら
れることを特徴とする請求項8記載の光学変調装置。 - 【請求項10】 前記光学変調素子は、高分子分散型液
晶であることを特徴とする請求項1乃至9記載の光学変
調装置。 - 【請求項11】 前記光学変調素子の画素間に遮光壁を
有することを特徴とする請求項10記載の光学変調装
置。 - 【請求項12】 前記光学変調素子は、TN型液晶であ
ることを特徴とする請求項1乃至9記載の光学変調装
置。 - 【請求項13】 前記光学変調素子は、ゲストホスト型
液晶であることを特徴とする請求項1乃至9記載の光学
変調装置。 - 【請求項14】 反射型の光学変調装置であることを特
徴とする請求項1乃至13記載の光学変調装置。 - 【請求項15】 透過型の光学変調装置であることを特
徴とする請求項1乃至13記載の光学変調装置。 - 【請求項16】 請求項1乃至15記載の光学変調装置
を用いて画像表示を行うカラー画像表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20028496A JP3302267B2 (ja) | 1996-07-30 | 1996-07-30 | 光学変調装置及びそれを用いたカラー画像表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20028496A JP3302267B2 (ja) | 1996-07-30 | 1996-07-30 | 光学変調装置及びそれを用いたカラー画像表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1048618A true JPH1048618A (ja) | 1998-02-20 |
JP3302267B2 JP3302267B2 (ja) | 2002-07-15 |
Family
ID=16421760
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20028496A Expired - Fee Related JP3302267B2 (ja) | 1996-07-30 | 1996-07-30 | 光学変調装置及びそれを用いたカラー画像表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3302267B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20110064264A (ko) * | 2009-12-07 | 2011-06-15 | 엘지이노텍 주식회사 | 엘시디 모듈 |
US11508583B2 (en) | 2017-11-15 | 2022-11-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Selective high-k formation in gate-last process |
-
1996
- 1996-07-30 JP JP20028496A patent/JP3302267B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20110064264A (ko) * | 2009-12-07 | 2011-06-15 | 엘지이노텍 주식회사 | 엘시디 모듈 |
US11508583B2 (en) | 2017-11-15 | 2022-11-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Selective high-k formation in gate-last process |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP3302267B2 (ja) | 2002-07-15 |
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