JPH1040528A - 磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体およびその製造方法Info
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- JPH1040528A JPH1040528A JP19348196A JP19348196A JPH1040528A JP H1040528 A JPH1040528 A JP H1040528A JP 19348196 A JP19348196 A JP 19348196A JP 19348196 A JP19348196 A JP 19348196A JP H1040528 A JPH1040528 A JP H1040528A
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】再生信号品質を向上させてエラーレートを低減
できる磁気記録媒体を提供する。 【解決手段】基板１上に磁性粒子３および非磁性粒界４
からなる磁性膜２を形成した磁気記録媒体において、磁
性膜２の膜厚をｔ、残留磁化モーメントをＩｒ、磁性膜
２の膜面内方向における磁性粒子３の平均粒径をｄ、磁
性膜２の活性化磁気モーメントをｖ＊Ｉｓｂとしたと
き、 ｄ2 ＊ｔ＊Ｉｒ／（ｖ＊Ｉｓｂ）≧０．７５ 好ましくは ｄ2 ＊ｔ＊Ｉｒ／（ｖ＊Ｉｓｂ）＞１．５ の条件を満たすように構成する。
できる磁気記録媒体を提供する。 【解決手段】基板１上に磁性粒子３および非磁性粒界４
からなる磁性膜２を形成した磁気記録媒体において、磁
性膜２の膜厚をｔ、残留磁化モーメントをＩｒ、磁性膜
２の膜面内方向における磁性粒子３の平均粒径をｄ、磁
性膜２の活性化磁気モーメントをｖ＊Ｉｓｂとしたと
き、 ｄ2 ＊ｔ＊Ｉｒ／（ｖ＊Ｉｓｂ）≧０．７５ 好ましくは ｄ2 ＊ｔ＊Ｉｒ／（ｖ＊Ｉｓｂ）＞１．５ の条件を満たすように構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、主としてハードデ
ィスク装置に用いられる磁気記録媒体およびその製造方
法に関する。
ィスク装置に用いられる磁気記録媒体およびその製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気ディスク装置、特にリジッドなディ
スク状の基板上に磁性膜を形成した磁気記録媒体を用い
るハードディスク装置は、高記録密度・高速・書き換え
可能・低ビットコストなどの特徴から、パーソナルコン
ピュータ、大型コンピュータおよびワードプロセッサな
どのコンピュータ機器の外部記憶装置として多用されて
おり、大容量化のために記録密度のさらなる向上が期待
されている。記録密度を高めるには、磁気記録媒体には
磁性膜の高保磁力化による線記録分解能の向上のほか、
再生エラーを起こさないようにするために、再生出力に
含まれるノイズを低下させて再生信号品質を向上させる
ことが要求されている。
スク状の基板上に磁性膜を形成した磁気記録媒体を用い
るハードディスク装置は、高記録密度・高速・書き換え
可能・低ビットコストなどの特徴から、パーソナルコン
ピュータ、大型コンピュータおよびワードプロセッサな
どのコンピュータ機器の外部記憶装置として多用されて
おり、大容量化のために記録密度のさらなる向上が期待
されている。記録密度を高めるには、磁気記録媒体には
磁性膜の高保磁力化による線記録分解能の向上のほか、
再生エラーを起こさないようにするために、再生出力に
含まれるノイズを低下させて再生信号品質を向上させる
ことが要求されている。
【０００３】磁気記録媒体からの再生出力に含まれるノ
イズは、媒体の磁性膜の構造と関係しており、磁性膜を
構成する強磁性体の磁性粒子間の磁気的な相互作用が強
い場合に、大きくなることが知られている。そこで、ノ
イズを低下させて再生信号品質を向上させるために、磁
性粒子間の磁気的相互作用を小さくする工夫が種々行わ
れている。
イズは、媒体の磁性膜の構造と関係しており、磁性膜を
構成する強磁性体の磁性粒子間の磁気的な相互作用が強
い場合に、大きくなることが知られている。そこで、ノ
イズを低下させて再生信号品質を向上させるために、磁
性粒子間の磁気的相互作用を小さくする工夫が種々行わ
れている。
【０００４】第１は、磁性膜に添加したＣｒの濃度を高
めることによって、粒界を非磁性化するように試みる方
法、第２は、磁性膜の成膜条件で酸素を粒界に偏析させ
ることによって粒界を非磁性化する方法、第３は、非磁
性母材中に磁性粒子を散在させることによって磁気的相
互作用を小さくする方法である。また、Ｃｒの添加は磁
性粒子の飽和磁化量を低下させることから、磁性粒子間
の静磁的な相互作用を低下する効果もあると考えられ
る。
めることによって、粒界を非磁性化するように試みる方
法、第２は、磁性膜の成膜条件で酸素を粒界に偏析させ
ることによって粒界を非磁性化する方法、第３は、非磁
性母材中に磁性粒子を散在させることによって磁気的相
互作用を小さくする方法である。また、Ｃｒの添加は磁
性粒子の飽和磁化量を低下させることから、磁性粒子間
の静磁的な相互作用を低下する効果もあると考えられ
る。
【０００５】特に第２、第３の方法は、結晶磁気異方性
を低下させず高保磁力化を達成できるという点で有利で
あり、高記録密度に対応できる。さらに、磁気的に分離
した磁性粒子の磁化量に対応する活性化磁気モーメント
ｖ＊Ｉｓｂがノイズ量と相関があることも知られてい
る。ｖ＊Ｉｓｂを制御してノイズ量を低下させる方法と
して、磁性膜の薄膜化が試みられている。しかし、発明
者らが検討した結果では、このような磁性膜を薄膜化し
た媒体をヘッドと組み合わせてエラーレートを測定した
ところ、エラーレートの向上には結びつかなかった。磁
性膜の薄膜化は、再生信号強度の低下を招き、再生信号
品質の向上につながらなかったためと考えられる。
を低下させず高保磁力化を達成できるという点で有利で
あり、高記録密度に対応できる。さらに、磁気的に分離
した磁性粒子の磁化量に対応する活性化磁気モーメント
ｖ＊Ｉｓｂがノイズ量と相関があることも知られてい
る。ｖ＊Ｉｓｂを制御してノイズ量を低下させる方法と
して、磁性膜の薄膜化が試みられている。しかし、発明
者らが検討した結果では、このような磁性膜を薄膜化し
た媒体をヘッドと組み合わせてエラーレートを測定した
ところ、エラーレートの向上には結びつかなかった。磁
性膜の薄膜化は、再生信号強度の低下を招き、再生信号
品質の向上につながらなかったためと考えられる。
【０００６】また、Ｃｒ添加量を増加した場合にも、ｖ
＊Ｉｓｂの低下は認められたが、再生信号強度も低下し
て再生信号品質が低下する結果、やはりエラーレートの
向上につながらなかった。
＊Ｉｓｂの低下は認められたが、再生信号強度も低下し
て再生信号品質が低下する結果、やはりエラーレートの
向上につながらなかった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、この
ように従来の技術では再生出力に含まれるノイズを低下
することは可能であっても、ノイズの低下と共に再生信
号強度も低下してしまうため、再生信号品質を向上させ
てエラーレートの向上を効果的に図ることができないと
いう問題点があった。
ように従来の技術では再生出力に含まれるノイズを低下
することは可能であっても、ノイズの低下と共に再生信
号強度も低下してしまうため、再生信号品質を向上させ
てエラーレートの向上を効果的に図ることができないと
いう問題点があった。
【０００８】本発明は、上記の問題点を解決すべくなさ
れたもので、再生信号品質を向上させてエラーレートを
低減できる磁気記録媒体およびその製造方法を提供する
ことを目的とする。
れたもので、再生信号品質を向上させてエラーレートを
低減できる磁気記録媒体およびその製造方法を提供する
ことを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明は基板上に磁性粒子および非磁性粒界からな
る磁性膜を形成してなる磁気記録媒体において、磁性膜
の膜厚をｔ、残留磁化モーメントをＩｒ、磁性膜の膜面
内方向における磁性粒子の平均粒径をｄ、磁性膜の活性
化磁気モーメントをｖ＊Ｉｓｂとしたとき、 ｄ2 ＊ｔ＊Ｉｒ／（ｖ＊Ｉｓｂ）≧０．７５ （１） 好ましくは、 ｄ2 ＊ｔ＊Ｉｒ／（ｖ＊Ｉｓｂ）＞１．５ （２） の条件を満たすように構成したことを特徴とする。
め、本発明は基板上に磁性粒子および非磁性粒界からな
る磁性膜を形成してなる磁気記録媒体において、磁性膜
の膜厚をｔ、残留磁化モーメントをＩｒ、磁性膜の膜面
内方向における磁性粒子の平均粒径をｄ、磁性膜の活性
化磁気モーメントをｖ＊Ｉｓｂとしたとき、 ｄ2 ＊ｔ＊Ｉｒ／（ｖ＊Ｉｓｂ）≧０．７５ （１） 好ましくは、 ｄ2 ＊ｔ＊Ｉｒ／（ｖ＊Ｉｓｂ）＞１．５ （２） の条件を満たすように構成したことを特徴とする。
【００１０】このように構成された磁気記録媒体では、
式（１）を満たすことにより磁性粒子間の磁気的相互作
用が磁性膜の膜厚方向では小さくなり、さらに式（２）
を満たせば磁性粒子の膜厚方向の磁気的な分離がより効
果的になされるため、磁性粒子の粒子サイズや磁性膜の
膜厚を必要以上に小さくすることなく、すなわち再生信
号強度を低下させることなくノイズ量が低減される。こ
れにより再生信号品質が向上し、エラーレートを低減さ
せることが可能となる。
式（１）を満たすことにより磁性粒子間の磁気的相互作
用が磁性膜の膜厚方向では小さくなり、さらに式（２）
を満たせば磁性粒子の膜厚方向の磁気的な分離がより効
果的になされるため、磁性粒子の粒子サイズや磁性膜の
膜厚を必要以上に小さくすることなく、すなわち再生信
号強度を低下させることなくノイズ量が低減される。こ
れにより再生信号品質が向上し、エラーレートを低減さ
せることが可能となる。
【００１１】また、本発明の磁気記録媒体では（１）
（２）に示されるように、ｔ＊Ｉｒを大きくする方向で
あり、ｔ＊Ｉｒを大きくすることは記録分解能の低下を
招くので従来は好ましくないとされていたが、信号処理
技術の進歩によるＳ／Ｎｍの向上によって記録分解能の
低下を補うことができるようになったために、エラーレ
ートの向上に結び付けることができているものと考えら
れる。
（２）に示されるように、ｔ＊Ｉｒを大きくする方向で
あり、ｔ＊Ｉｒを大きくすることは記録分解能の低下を
招くので従来は好ましくないとされていたが、信号処理
技術の進歩によるＳ／Ｎｍの向上によって記録分解能の
低下を補うことができるようになったために、エラーレ
ートの向上に結び付けることができているものと考えら
れる。
【００１２】本発明における磁性膜は、非磁性粒界を形
成する非磁性母材中に磁性粒子を分散させた構造を有し
ていてもよいし、非磁性粒界に酸素またはＣｒが偏析し
た構造を有していてもよい。
成する非磁性母材中に磁性粒子を分散させた構造を有し
ていてもよいし、非磁性粒界に酸素またはＣｒが偏析し
た構造を有していてもよい。
【００１３】さらに、上述した本発明に基づく磁気記録
媒体は、非磁性母材と磁性粒子からなるターゲットを用
いて最適な条件でスパッタにより形成した場合、例えば
Ｃｏ合金を含む雰囲気中で最適な条件でスパッタにより
形成した場合、基板上に磁性粒子および非磁性粒界から
なる磁性膜をスパッタにより形成する際、スパッタを複
数回に分割して行うことにより実現することができる。
媒体は、非磁性母材と磁性粒子からなるターゲットを用
いて最適な条件でスパッタにより形成した場合、例えば
Ｃｏ合金を含む雰囲気中で最適な条件でスパッタにより
形成した場合、基板上に磁性粒子および非磁性粒界から
なる磁性膜をスパッタにより形成する際、スパッタを複
数回に分割して行うことにより実現することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。図１は本発明の一実施形態に係る磁気記録媒体の
断面図であり、図２は磁性膜の平面ＴＥＭ像を示す図で
ある。この磁気記録媒体は、リジッドなディスク状基板
１の上に磁性膜２を形成して構成され、磁性膜２は磁性
粒子３が非磁性粒界４で分離された構造となっている。
する。図１は本発明の一実施形態に係る磁気記録媒体の
断面図であり、図２は磁性膜の平面ＴＥＭ像を示す図で
ある。この磁気記録媒体は、リジッドなディスク状基板
１の上に磁性膜２を形成して構成され、磁性膜２は磁性
粒子３が非磁性粒界４で分離された構造となっている。
【００１５】ここで、本発明に基づいて磁性粒子３は図
２に示すように磁性膜の膜面内方向に互いに磁気的に分
離しており、また磁性膜２の膜厚方向にも互いに磁気的
に分離している。
２に示すように磁性膜の膜面内方向に互いに磁気的に分
離しており、また磁性膜２の膜厚方向にも互いに磁気的
に分離している。
【００１６】磁性膜２の膜厚をｔ、残留磁化モーメント
をＩｒ、磁性粒子３の膜面内方向の平均粒径をｄ、磁性
膜２の活性化磁気モーメントをｖ＊Ｉｓｂとしたとき、
磁性膜２は ｄ2 ＊ｔ＊Ｉｒ／（ｖ＊Ｉｓｂ）≧０．７５ （１） の条件を満たすように構成され、より好ましくは ｄ2 ＊ｔ＊Ｉｒ／（ｖ＊Ｉｓｂ）＞１．５ （２） の条件を満たすように構成されている。
をＩｒ、磁性粒子３の膜面内方向の平均粒径をｄ、磁性
膜２の活性化磁気モーメントをｖ＊Ｉｓｂとしたとき、
磁性膜２は ｄ2 ＊ｔ＊Ｉｒ／（ｖ＊Ｉｓｂ）≧０．７５ （１） の条件を満たすように構成され、より好ましくは ｄ2 ＊ｔ＊Ｉｒ／（ｖ＊Ｉｓｂ）＞１．５ （２） の条件を満たすように構成されている。
【００１７】ここで、粒径ｄは図２に示した磁性膜２の
平面ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）像から磁性粒子４を球
と見なして直径を求めた２００個の平均値であり、その
単位は（ｎｍ）である。また、ｔ＊ＩｒはＶＳＭ（振動
試料型磁力計）によって測定した値であり、その単位は
（ｎｍ＊Ｔ）である。さらに、活性化磁気モーメントｖ
＊ＩｓｂはＶＳＭにより磁性膜２の保磁力Ｈｃの時間依
存性から、図３に示すように ｖ＊Ｉｓｂ＝ｋＴ／｛ΔＨｃ／Δｌｎ（ｔ）｝ として求めたものであり、その単位は（ｎｍ3 ＊Ｔ）で
ある。
平面ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）像から磁性粒子４を球
と見なして直径を求めた２００個の平均値であり、その
単位は（ｎｍ）である。また、ｔ＊ＩｒはＶＳＭ（振動
試料型磁力計）によって測定した値であり、その単位は
（ｎｍ＊Ｔ）である。さらに、活性化磁気モーメントｖ
＊ＩｓｂはＶＳＭにより磁性膜２の保磁力Ｈｃの時間依
存性から、図３に示すように ｖ＊Ｉｓｂ＝ｋＴ／｛ΔＨｃ／Δｌｎ（ｔ）｝ として求めたものであり、その単位は（ｎｍ3 ＊Ｔ）で
ある。
【００１８】このように構成することにより、本発明の
磁気記録媒体では再生信号強度を低下させることなく低
ノイズ化を実現して再生信号品質の向上を図り、もって
再生時のエラーレートを低減することができる。この効
果を定性的に説明すると、次の通りである。
磁気記録媒体では再生信号強度を低下させることなく低
ノイズ化を実現して再生信号品質の向上を図り、もって
再生時のエラーレートを低減することができる。この効
果を定性的に説明すると、次の通りである。
【００１９】磁性膜中の磁性粒子が磁性膜の膜厚方向に
磁気的に連続した円柱状をなしていると仮定すると、磁
性粒子の体積は（πｄ2 ／４）＊ｔであるから、一粒子
当たりの総磁化量はほぼ（πｄ2 ／４）＊ｔ＊Ｉｒで与
えられ、これは磁性膜の活性化磁気モーメントｖ＊Ｉｓ
ｂに等しい。すなわち、 （πｄ2 ／４）＊ｔ＊Ｉｒ＝ｖ＊Ｉｓｂ （３） また、π／４＝０．７８５より式（３）は ｄ2 ＊ｔ＊Ｉｒ／ｖ＊Ｉｓｂ＝０．７８５ （４） のように変形できる。
磁気的に連続した円柱状をなしていると仮定すると、磁
性粒子の体積は（πｄ2 ／４）＊ｔであるから、一粒子
当たりの総磁化量はほぼ（πｄ2 ／４）＊ｔ＊Ｉｒで与
えられ、これは磁性膜の活性化磁気モーメントｖ＊Ｉｓ
ｂに等しい。すなわち、 （πｄ2 ／４）＊ｔ＊Ｉｒ＝ｖ＊Ｉｓｂ （３） また、π／４＝０．７８５より式（３）は ｄ2 ＊ｔ＊Ｉｒ／ｖ＊Ｉｓｂ＝０．７８５ （４） のように変形できる。
【００２０】ここで、ｄ2 ＊ｔ＊Ｉｒ／ｖ＊Ｉｓｂを例
えば０．７８５より大きくすることは、磁性膜の膜厚方
向に長い円柱状の磁性粒子を膜厚方向に磁気的に分離し
て、それらの磁気的相互作用を弱めることに対応する。
すなわち、ｄ2 ＊ｔ＊Ｉｒ／ｖ＊Ｉｓｂを大きくする
程、磁性膜の膜厚方向における磁性粒子間の磁気的相互
作用は小さくなり、低ノイズ化が図られることになる。
この際、磁気的に分離される膜厚方向の位置は、膜面内
の場所場所で異なっていても構わない。また、磁気的な
分離は非磁性層の存在がない場合でも、大きな異方性を
持つ磁性粒子ならば配向の違いによっても達成できる。
えば０．７８５より大きくすることは、磁性膜の膜厚方
向に長い円柱状の磁性粒子を膜厚方向に磁気的に分離し
て、それらの磁気的相互作用を弱めることに対応する。
すなわち、ｄ2 ＊ｔ＊Ｉｒ／ｖ＊Ｉｓｂを大きくする
程、磁性膜の膜厚方向における磁性粒子間の磁気的相互
作用は小さくなり、低ノイズ化が図られることになる。
この際、磁気的に分離される膜厚方向の位置は、膜面内
の場所場所で異なっていても構わない。また、磁気的な
分離は非磁性層の存在がない場合でも、大きな異方性を
持つ磁性粒子ならば配向の違いによっても達成できる。
【００２１】従って、粒子サイズや磁性膜の膜厚を小さ
くする従来の方法と異なり、再生信号強度を低下させる
ことなくノイズを低減して再生信号品質を向上させるこ
とができ、その結果としてエラーレートを低減させるこ
とができる。
くする従来の方法と異なり、再生信号強度を低下させる
ことなくノイズを低減して再生信号品質を向上させるこ
とができ、その結果としてエラーレートを低減させるこ
とができる。
【００２２】発明者らの実験によれば、 ｄ2 ＊ｔ＊Ｉｒ／（ｖ＊Ｉｓｂ）≧０．７５ を満足するとき、エラー訂正が十分対応可能なｅ-5台以
下という低いエラーレートが実現され、さらに ｄ2 ＊ｔ＊Ｉｒ／（ｖ＊Ｉｓｂ）＞１．５ を膜属する場合には、エラー訂正を行うことなく実用に
耐え得るｅ-11 台以下のより低いエラーレートを実現で
きることが確認された。
下という低いエラーレートが実現され、さらに ｄ2 ＊ｔ＊Ｉｒ／（ｖ＊Ｉｓｂ）＞１．５ を膜属する場合には、エラー訂正を行うことなく実用に
耐え得るｅ-11 台以下のより低いエラーレートを実現で
きることが確認された。
【００２３】以下、具体的な実施例を挙げて説明する。 （実施例１）基板１として、Ｃｒ膜からなる下地膜が予
め形成されているガラス基板を用意し、このガラス基板
上にＳｉＯ2 母材中にＣｏＰｔ磁性粒子を体積率で５０
％混合したターゲットを用いて、ＲＦバイアスを印加し
ながらＤＣスパッタによりＣｏＰｔ−ＳｉＯ2 膜を磁性
膜２として形成し、図１および図２に示すような磁気記
録媒体を作製した。ＣｏＰｔ−ＳｉＯ2 膜は、ＳｉＯ2
からなる母材中にＣｏＰｔ磁性粒子が分散されたグラニ
ュラー膜の構造をなしていた。また、スパッタ時間を種
々変えてＣｏＰｔ−ＳｉＯ2 膜を形成した。
め形成されているガラス基板を用意し、このガラス基板
上にＳｉＯ2 母材中にＣｏＰｔ磁性粒子を体積率で５０
％混合したターゲットを用いて、ＲＦバイアスを印加し
ながらＤＣスパッタによりＣｏＰｔ−ＳｉＯ2 膜を磁性
膜２として形成し、図１および図２に示すような磁気記
録媒体を作製した。ＣｏＰｔ−ＳｉＯ2 膜は、ＳｉＯ2
からなる母材中にＣｏＰｔ磁性粒子が分散されたグラニ
ュラー膜の構造をなしていた。また、スパッタ時間を種
々変えてＣｏＰｔ−ＳｉＯ2 膜を形成した。
【００２４】こうして形成されたＣｏＰｔ−ＳｉＯ2 膜
について、静磁気特性および活性化磁気モーメントを測
定した。また、ＣｏＰｔ−ＳｉＯ2 膜の面内方向にＴＥ
Ｍ観察を行って、磁性粒子（結晶粒）の大きさを測定し
た。結晶粒は、主としてＳｉＯ2 からなる粒界で分離さ
れていた。
について、静磁気特性および活性化磁気モーメントを測
定した。また、ＣｏＰｔ−ＳｉＯ2 膜の面内方向にＴＥ
Ｍ観察を行って、磁性粒子（結晶粒）の大きさを測定し
た。結晶粒は、主としてＳｉＯ2 からなる粒界で分離さ
れていた。
【００２５】次に、このようにして作製した磁気記録媒
体に高Ｂｓ（飽和磁束密度）ヘッドで情報を書き込み、
この書き込んだ情報をシールド間隔０．２μｍ、再生ト
ラック幅１．８μｍのＭＲヘッド（磁気抵抗効果型ヘッ
ド）によって再生し、媒体の信号対雑音比（Ｓo ／Ｎm
）の測定と、最尤復号を用いたデータ再生によるエラ
ーレートの評価を行った。その結果を表１に示す。
体に高Ｂｓ（飽和磁束密度）ヘッドで情報を書き込み、
この書き込んだ情報をシールド間隔０．２μｍ、再生ト
ラック幅１．８μｍのＭＲヘッド（磁気抵抗効果型ヘッ
ド）によって再生し、媒体の信号対雑音比（Ｓo ／Ｎm
）の測定と、最尤復号を用いたデータ再生によるエラ
ーレートの評価を行った。その結果を表１に示す。
【００２６】
【表１】
【００２７】表１は、ｔ＊Ｉｒ（ｎｍ＊Ｔ）、ｖ＊Ｉｓ
ｂ（ｎｍ3 ＊Ｔ）、ｄおよびｄ2 ＊ｔ＊Ｉｒ／（ｖ＊Ｉ
ｓｂ）の組み合わせを種々変えたサンプル１〜１１につ
いてＳo ／Ｎm およびエラーレートを測定した結果を示
している。この結果から、ｖ＊ＩｓｂはＣｏＰｔ−Ｓｉ
Ｏ2 膜の膜厚ｔにより変化していることが分かる。ま
た、Ｓo ／Ｎm すなわちノイズ量は、ｖ＊Ｉｓｂに対応
して変化している。しかし、エラーレートについては、
ｖ＊Ｉｓｂとの相関が得られていない。
ｂ（ｎｍ3 ＊Ｔ）、ｄおよびｄ2 ＊ｔ＊Ｉｒ／（ｖ＊Ｉ
ｓｂ）の組み合わせを種々変えたサンプル１〜１１につ
いてＳo ／Ｎm およびエラーレートを測定した結果を示
している。この結果から、ｖ＊ＩｓｂはＣｏＰｔ−Ｓｉ
Ｏ2 膜の膜厚ｔにより変化していることが分かる。ま
た、Ｓo ／Ｎm すなわちノイズ量は、ｖ＊Ｉｓｂに対応
して変化している。しかし、エラーレートについては、
ｖ＊Ｉｓｂとの相関が得られていない。
【００２８】そして、表１から ｄ2 ＊ｔ＊Ｉｒ／（ｖ＊Ｉｓｂ）≧０．７５ の条件を満たすとき（サンプル１〜５）、ｅ-5台以下の
低いエラーレートが得られた。この程度のエラーレート
であれば、再生系のエラー訂正によって十分に訂正可能
である。
低いエラーレートが得られた。この程度のエラーレート
であれば、再生系のエラー訂正によって十分に訂正可能
である。
【００２９】特に、 ｄ2 ＊ｔ＊Ｉｒ／（ｖ＊Ｉｓｂ）＞１．５ の条件を満たす場合には（サンプル１）、ｅ-11 台以下
のより低いエラーレートを実現でき、エラー訂正を不要
にすることが可能である。
のより低いエラーレートを実現でき、エラー訂正を不要
にすることが可能である。
【００３０】一方、比較例としてＣｏＣｒＰｔＴａター
ゲットを用いて、同様にスパッタ時間を種々変えてＣｏ
ＣｒＰｔＴａ／Ｃｒ膜をＳｉ基板上に形成して磁気記録
媒体を作製した。これらのＣｏＣｒＰｔＴａ／Ｃｒ膜に
ついて、静磁気特性および活性化磁気モーメントを測定
し、膜の平面方向にＴＥＭ観察を行って磁性粒子の大き
さを測定したところ、 ｄ2 ＊ｔ＊Ｉｒ／（ｖ＊Ｉｓｂ）≧０．７５ の条件を満たす膜は得られなかった。
ゲットを用いて、同様にスパッタ時間を種々変えてＣｏ
ＣｒＰｔＴａ／Ｃｒ膜をＳｉ基板上に形成して磁気記録
媒体を作製した。これらのＣｏＣｒＰｔＴａ／Ｃｒ膜に
ついて、静磁気特性および活性化磁気モーメントを測定
し、膜の平面方向にＴＥＭ観察を行って磁性粒子の大き
さを測定したところ、 ｄ2 ＊ｔ＊Ｉｒ／（ｖ＊Ｉｓｂ）≧０．７５ の条件を満たす膜は得られなかった。
【００３１】また、この磁気記録媒体に情報を書き込
み、ＭＲヘッドによって再生を行い、エラーレートの評
価を行ったところ、エラーレートはｅ-4台以上とエラー
訂正が困難もしくは不可能な程度まで大きくなり、実用
に供し得ない程度に大きいことが確認された。
み、ＭＲヘッドによって再生を行い、エラーレートの評
価を行ったところ、エラーレートはｅ-4台以上とエラー
訂正が困難もしくは不可能な程度まで大きくなり、実用
に供し得ない程度に大きいことが確認された。
【００３２】図４に、本実施例１の方法により作製され
る磁気記録媒体のｄ2 ＊ｔ＊Ｉｒ／（ｖ＊Ｉｓｂ）とエ
ラーレートとの関係を示す。同図からも、ｄ2 ＊ｔ＊Ｉ
ｒ／（ｖ＊Ｉｓｂ）≧０．７５とすることによりｅ-5台
以下の低いエラーレートが得られ、またｄ2 ＊ｔ＊Ｉｒ
／（ｖ＊Ｉｓｂ）＞１．５とすることにより、ｅ-11台
以下のさらに低いエラーレートを実現できることが分か
る。
る磁気記録媒体のｄ2 ＊ｔ＊Ｉｒ／（ｖ＊Ｉｓｂ）とエ
ラーレートとの関係を示す。同図からも、ｄ2 ＊ｔ＊Ｉ
ｒ／（ｖ＊Ｉｓｂ）≧０．７５とすることによりｅ-5台
以下の低いエラーレートが得られ、またｄ2 ＊ｔ＊Ｉｒ
／（ｖ＊Ｉｓｂ）＞１．５とすることにより、ｅ-11台
以下のさらに低いエラーレートを実現できることが分か
る。
【００３３】また、図５にその磁気特性グラフ、すなわ
ち保磁力ＨｃとＩｒ＊ｔの関係を示す。 （実施例２）基板１として、Ｖ膜からなる下地膜が形成
されているガラス基板を用意し、このガラス基板上にＣ
ｏＰｔＣｒターゲットを用いて、酸素を含むＡｒ雰囲気
中でＤＣスパッタによりＣｏＰｔＣｒＯ／Ｖ膜を形成し
た。このとき、スパッタ時間を変化させて膜厚を種々変
化させた磁気記録媒体を作製した。
ち保磁力ＨｃとＩｒ＊ｔの関係を示す。 （実施例２）基板１として、Ｖ膜からなる下地膜が形成
されているガラス基板を用意し、このガラス基板上にＣ
ｏＰｔＣｒターゲットを用いて、酸素を含むＡｒ雰囲気
中でＤＣスパッタによりＣｏＰｔＣｒＯ／Ｖ膜を形成し
た。このとき、スパッタ時間を変化させて膜厚を種々変
化させた磁気記録媒体を作製した。
【００３４】こうして形成されたＣｏＰｔＣｒＯ／Ｖ膜
について、静磁気特性および活性化磁気モーメントを測
定した。また、ＣｏＰｔＣｒＯ／Ｖ膜の面内方向にＴＥ
Ｍ観察を行って、磁性粒子（結晶粒）の大きさを測定し
た。ＣｏＰｔＣｒＯ／Ｖ膜は非晶質であり、磁性粒子は
Ｃｒまたは酸素が偏析した粒界によって分離されてい
た。
について、静磁気特性および活性化磁気モーメントを測
定した。また、ＣｏＰｔＣｒＯ／Ｖ膜の面内方向にＴＥ
Ｍ観察を行って、磁性粒子（結晶粒）の大きさを測定し
た。ＣｏＰｔＣｒＯ／Ｖ膜は非晶質であり、磁性粒子は
Ｃｒまたは酸素が偏析した粒界によって分離されてい
た。
【００３５】次に、実施例１と同様、このようにして作
製した磁気記録媒体に高Ｂｓヘッドで情報を書き込み、
この書き込んだ情報をシールド間隔０．２μｍ、再生ト
ラック幅１．８μｍのＭＲヘッドによって再生し、媒体
の信号対雑音比（Ｓo ／Ｎm）の測定と、最尤復号を用
いたデータ再生によるエラーレートの評価を行った。そ
の結果を表２に示す。
製した磁気記録媒体に高Ｂｓヘッドで情報を書き込み、
この書き込んだ情報をシールド間隔０．２μｍ、再生ト
ラック幅１．８μｍのＭＲヘッドによって再生し、媒体
の信号対雑音比（Ｓo ／Ｎm）の測定と、最尤復号を用
いたデータ再生によるエラーレートの評価を行った。そ
の結果を表２に示す。
【００３６】
【表２】
【００３７】表２は、表１と同様、ｔ＊Ｉｒ（ｎｍ＊
Ｔ）、ｖ＊Ｉｓｂ（ｎｍ3 ＊Ｔ）、ｄおよびｄ2 ＊ｔ＊
Ｉｒ／（ｖ＊Ｉｓｂ）の組み合わせを種々変えたサンプ
ル１２〜１６についてＳo ／Ｎm およびエラーレートを
測定した結果を示している。この結果から、ｖ＊Ｉｓｂ
はＣｏＰｔＣｒＯ／Ｖ膜の膜厚ｔによって変化している
ことが分かる。また、Ｓo ／Ｎm すなわちノイズ量も、
ｖ＊Ｉｓｂに対応して変化している。しかし、エラーレ
ートについては、ｖ＊Ｉｓｂとの相関が得られていな
い。
Ｔ）、ｖ＊Ｉｓｂ（ｎｍ3 ＊Ｔ）、ｄおよびｄ2 ＊ｔ＊
Ｉｒ／（ｖ＊Ｉｓｂ）の組み合わせを種々変えたサンプ
ル１２〜１６についてＳo ／Ｎm およびエラーレートを
測定した結果を示している。この結果から、ｖ＊Ｉｓｂ
はＣｏＰｔＣｒＯ／Ｖ膜の膜厚ｔによって変化している
ことが分かる。また、Ｓo ／Ｎm すなわちノイズ量も、
ｖ＊Ｉｓｂに対応して変化している。しかし、エラーレ
ートについては、ｖ＊Ｉｓｂとの相関が得られていな
い。
【００３８】そして、表２から ｄ2 ＊ｔ＊Ｉｒ／（ｖ＊Ｉｓｂ）≧０．７５ の条件を満たすとき（サンプル１２〜１４）、ｅ-5台以
下の低いエラーレートが得られ、再生系のエラー訂正に
よって十分に実用に供することができることが分かる。
下の低いエラーレートが得られ、再生系のエラー訂正に
よって十分に実用に供することができることが分かる。
【００３９】（実施例３）図１の基板１として、Ｖ膜か
らなる下地膜が形成されているガラス基板を用意し、こ
のガラス基板上にＣｏＰｔＣｒターゲットを用いて、酸
素を含むＡｒ雰囲気中でＤＣスパッタによりＣｏＰｔＣ
ｒＯ／Ｖ膜を形成した。このとき、本実施例では全スパ
ッタ時間中に休止時間を設けて、すなわちスパッタを複
数回に分割してＣｏＰｔＣｒＯ／Ｖ膜を形成した。
らなる下地膜が形成されているガラス基板を用意し、こ
のガラス基板上にＣｏＰｔＣｒターゲットを用いて、酸
素を含むＡｒ雰囲気中でＤＣスパッタによりＣｏＰｔＣ
ｒＯ／Ｖ膜を形成した。このとき、本実施例では全スパ
ッタ時間中に休止時間を設けて、すなわちスパッタを複
数回に分割してＣｏＰｔＣｒＯ／Ｖ膜を形成した。
【００４０】こうして形成されたＣｏＰｔＣｒＯ／Ｖ膜
について、静磁気特性および活性化磁気モーメントを測
定した。また、ＣｏＰｔＣｒＯ／Ｖ膜の面内方向にＴＥ
Ｍ観察を行って、磁性粒子（結晶粒）の大きさを測定し
た。
について、静磁気特性および活性化磁気モーメントを測
定した。また、ＣｏＰｔＣｒＯ／Ｖ膜の面内方向にＴＥ
Ｍ観察を行って、磁性粒子（結晶粒）の大きさを測定し
た。
【００４１】次に、実施例１および２と同様、作製した
磁気記録媒体に高Ｂｓヘッドで情報を書き込み、この情
報をシールド間隔０．２μｍ、再生トラック幅１．８μ
ｍのＭＲヘッドによって再生し、媒体の信号対雑音比
（Ｓo ／Ｎm ）の測定と、最尤復号を用いたデータ再生
によるエラーレートの評価を行った。その結果を表３に
示す。
磁気記録媒体に高Ｂｓヘッドで情報を書き込み、この情
報をシールド間隔０．２μｍ、再生トラック幅１．８μ
ｍのＭＲヘッドによって再生し、媒体の信号対雑音比
（Ｓo ／Ｎm ）の測定と、最尤復号を用いたデータ再生
によるエラーレートの評価を行った。その結果を表３に
示す。
【００４２】
【表３】
【００４３】表３は、表１および２と同様、ｔ＊Ｉｒ
（ｎｍ＊Ｔ）、ｖ＊Ｉｓｂ（ｎｍ3 ＊Ｔ）、ｄおよびｄ
2 ＊ｔ＊Ｉｒ／（ｖ＊Ｉｓｂ）の組み合わせを種々変え
たサンプル１７，１８についてＳo ／Ｎm およびエラー
レートを測定した結果を示している。この結果から、サ
ンプル１７，１８共に ｄ2 ＊ｔ＊Ｉｒ／（ｖ＊Ｉｓｂ）＞１．５ の条件を満たし、ｅ-11 台以下のより低いエラーレート
を実現でき、エラー訂正なしで実用に供することができ
ることが確認された。
（ｎｍ＊Ｔ）、ｖ＊Ｉｓｂ（ｎｍ3 ＊Ｔ）、ｄおよびｄ
2 ＊ｔ＊Ｉｒ／（ｖ＊Ｉｓｂ）の組み合わせを種々変え
たサンプル１７，１８についてＳo ／Ｎm およびエラー
レートを測定した結果を示している。この結果から、サ
ンプル１７，１８共に ｄ2 ＊ｔ＊Ｉｒ／（ｖ＊Ｉｓｂ）＞１．５ の条件を満たし、ｅ-11 台以下のより低いエラーレート
を実現でき、エラー訂正なしで実用に供することができ
ることが確認された。
【００４４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の磁気記録
媒体によれば、磁性膜の磁性粒子間の膜厚方向での磁気
的相互作用を低下させることによって、再生信号強度を
低下させることなく低ノイズ化を図り、もって再生信号
品質を向上させてエラーレートを効果的に低減すること
ができる。
媒体によれば、磁性膜の磁性粒子間の膜厚方向での磁気
的相互作用を低下させることによって、再生信号強度を
低下させることなく低ノイズ化を図り、もって再生信号
品質を向上させてエラーレートを効果的に低減すること
ができる。
【図１】本発明の一実施形態に係る磁気記録媒体の断面
図
図
【図２】同実施形態に係る磁性膜の平面ＴＥＭ像を示す
図
図
【図３】ｖ＊Ｉｓｂを求める方法を示した図
【図４】実施例１で得られた磁気記録媒体のｄ2 ＊ｔ＊
Ｉｒ／（ｖ＊Ｉｓｂ）とエラーレートとの関係を示す図
Ｉｒ／（ｖ＊Ｉｓｂ）とエラーレートとの関係を示す図
【図５】実施例１で得られた磁気記録媒体の磁気特性グ
ラフを示す図
ラフを示す図
【符号の説明】 １…基板 ２…磁性膜 ３…非磁性母材 ４…磁性粒子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 市原 勝太郎 神奈川県川崎市幸区柳町70番地 株式会社 東芝柳町工場内 (72)発明者 柚須 圭一郎 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝研究開発センター内 (72)発明者 喜々津 哲 神奈川県川崎市幸区柳町70番地 株式会社 東芝柳町工場内
Claims (5)
- 【請求項１】基板上に磁性粒子および非磁性粒界からな
る磁性膜を形成してなる磁気記録媒体において、 前記磁性膜の膜厚をｔ、残留磁化モーメントをＩｒ、前
記磁性膜の膜面内方向における前記磁性粒子の平均粒径
をｄ、前記磁性膜の活性化磁気モーメントをｖ＊Ｉｓｂ
としたとき、 ｄ2 ＊ｔ＊Ｉｒ／（ｖ＊Ｉｓｂ）≧０．７５ の条件を満たすように構成されていることを特徴とする
磁気記録媒体。 - 【請求項２】前記磁性膜の膜厚をｔ、残留磁化モーメン
トをＩｒ、前記磁性膜の膜面内方向における前記磁性粒
子の平均粒径をｄ、前記磁性膜の活性化磁気モーメント
をｖ＊Ｉｓｂとしたとき、 ｄ2 ＊ｔ＊Ｉｒ／（ｖ＊Ｉｓｂ）＞１．５ の条件を満たすように構成されていることを特徴とする
磁気記録媒体。 - 【請求項３】前記磁性膜は、前記非磁性粒界を形成する
非磁性母材中に磁性粒子を分散させた構造を有すること
を特徴とする請求項１または２に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項４】前記磁性膜は、前記非磁性粒界に酸素また
はＣｒが偏析した構造を有することを特徴とする請求項
１または２に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項５】基板上に磁性粒子および非磁性粒界からな
る磁性膜をスパッタにより形成する工程を含む磁気記録
媒体の製造方法において、 前記基板上に前記磁性膜を形成する際、スパッタを複数
回に分割して行うことを特徴とする特徴とする磁気記録
媒体の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19348196A JPH1040528A (ja) | 1996-07-23 | 1996-07-23 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
| US08/897,677 US5981054A (en) | 1996-07-22 | 1997-07-21 | Magnetic recording medium and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19348196A JPH1040528A (ja) | 1996-07-23 | 1996-07-23 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1040528A true JPH1040528A (ja) | 1998-02-13 |
Family
ID=16308753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19348196A Pending JPH1040528A (ja) | 1996-07-22 | 1996-07-23 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1040528A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001351217A (ja) * | 2000-06-08 | 2001-12-21 | Fujitsu Ltd | 磁気記録媒体 |
| US6602612B2 (en) | 1999-06-08 | 2003-08-05 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
| US6645646B1 (en) | 1999-06-08 | 2003-11-11 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
| US6753101B1 (en) | 1999-06-08 | 2004-06-22 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium, magnetic storage apparatus, recording method and method of producing magnetic recording medium |
| US6821652B1 (en) | 1999-06-08 | 2004-11-23 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
-
1996
- 1996-07-23 JP JP19348196A patent/JPH1040528A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6602612B2 (en) | 1999-06-08 | 2003-08-05 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
| US6645646B1 (en) | 1999-06-08 | 2003-11-11 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
| US6753101B1 (en) | 1999-06-08 | 2004-06-22 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium, magnetic storage apparatus, recording method and method of producing magnetic recording medium |
| US6821652B1 (en) | 1999-06-08 | 2004-11-23 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
| JP2001351217A (ja) * | 2000-06-08 | 2001-12-21 | Fujitsu Ltd | 磁気記録媒体 |
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