JPH1039276A - Liquid crystal panel - Google Patents
Liquid crystal panelInfo
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- JPH1039276A JPH1039276A JP19420696A JP19420696A JPH1039276A JP H1039276 A JPH1039276 A JP H1039276A JP 19420696 A JP19420696 A JP 19420696A JP 19420696 A JP19420696 A JP 19420696A JP H1039276 A JPH1039276 A JP H1039276A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、スイッチング素子
にTFT(Thin Film Transistor)を用いたアクティブ
マトリクス方式の液晶パネルに関し、詳しくは、フィー
ルドスルー電圧のバラツキを抑えて画質の改善と液晶の
劣化防止を意図した液晶パネルに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an active matrix type liquid crystal panel using a TFT (Thin Film Transistor) as a switching element, and more particularly, to improving the image quality and preventing the liquid crystal from deteriorating by suppressing the variation of the field-through voltage. The present invention relates to a liquid crystal panel intended.
【0002】[0002]
【従来の技術】図4は、従来の液晶パネルの平面レイア
ウト概略図である。なお、この図では、図示の都合上、
実際よりもはるかに少ない画素数(6×6画素)として
いる。図4において、1は液晶パネルであり、液晶パネ
ル1は、画面の縦方向にレイアウトされた6本のデータ
バスライン21 〜26 と、横方向にレイアウトされた6
本のゲートバスライン31 〜36 と、各ラインの交点に
レイアウトされた6×6個の画素とを有し、各画素は全
て同サイズ及び同一構成で、ITO等の透明導電材料か
らなる画素電極4及びTFT5で構成されている。2. Description of the Related Art FIG. 4 is a schematic plan view of a conventional liquid crystal panel. In this figure, for convenience of illustration,
The number of pixels is much smaller than the actual number (6 × 6 pixels). 4, 1 is a liquid crystal panel, the liquid crystal panel 1 includes a data bus lines 2 1 to 2 6 six laid in the vertical direction of the screen, laid out in the lateral direction 6
A gate bus line 3 1 to 3 6 of the present, and a 6 × 6 pixels laid at the intersection of each line, each pixel in the same size and the same configuration all made of a transparent conductive material such as ITO It is composed of a pixel electrode 4 and a TFT 5.
【0003】6は図示を略した水平走査信号に同期して
全てのデータバスライン2j (jは1〜6)に1ライン
(6画素)分の表示電圧を出力するデータライン駆動回
路、7は同じく水平走査信号に同期して線順次で各ゲー
トバスライン3i (iは1〜6)に所定の“TFTオン
信号”(後述)を出力するゲートライン駆動回路であ
る。A data line driving circuit 6 outputs a display voltage for one line (6 pixels) to all data bus lines 2 j (j is 1 to 6) in synchronization with a horizontal scanning signal (not shown). Is a gate line drive circuit that outputs a predetermined “TFT ON signal” (described later) to each gate bus line 3 i (i is 1 to 6) in line sequence in synchronization with a horizontal scanning signal.
【0004】図5は、各画素の詳細レイアウト図であ
る。この図ではTFT5を、データバスライン2j 及び
ゲートバスライン3i の各一部をドレイン電極やゲート
電極とすると共に、ガラス基板上に形成されたアモーフ
ァスSi8をチャネル層とするアモーファスSiTFT
としているが、これに限らない。多結晶SiTFTであ
ってもよい。FIG. 5 is a detailed layout diagram of each pixel. In this figure, the TFT 5 is an amorphous Si TFT using a part of each of the data bus line 2 j and the gate bus line 3 i as a drain electrode or a gate electrode and using an amorphous Si 8 formed on a glass substrate as a channel layer.
But it is not limited to this. It may be a polycrystalline SiTFT.
【0005】また、この図では、次順のゲートバスライ
ン3i+1 の一部を拡大し、その拡大部分と画素電極4と
を対向させることにより、画素電極4に書き込まれた表
示電圧を保持するための付加容量CADDiを形成している
(付加容量方式)が、これに限らない。画素電極4の対
向電極をゲートバスラインとは別の端子で引き出すよう
にした「蓄積容量方式」でも構わない。但し、ゲートバ
スラインの寄生容量は、付加容量方式の方が大きく、後
述のフィールドスルー電圧のバラツキ問題を引き起こし
やすい点を強調する。In FIG. 1 , the display voltage written to the pixel electrode 4 is reduced by enlarging a part of the next-order gate bus line 3 i + 1 and making the enlarged portion face the pixel electrode 4. The additional capacitance C ADDi for holding is formed (additional capacitance method), but is not limited to this. A “storage capacitor type” in which the counter electrode of the pixel electrode 4 is drawn out at a terminal different from the gate bus line may be used. However, it is emphasized that the parasitic capacitance of the gate bus line is larger in the case of the additional capacitance method, and the problem of the later-described variation in the field-through voltage is likely to be caused.
【0006】図6は、付加容量方式の回路図である。な
お、図5と共通する要素には同一の符号を付してある。
図6において、CADDi及びCADDi+1は上述の付加容量、
CLC i 及びCLCi+1 は液晶電極4と共通電極(コモン電
極とも言う)VCOMMとの間に形成される液晶容量、C
gdi 、Cgdi+1 、Cgsi 、Cgsi+1 、Cdsi 及びCdsi+
1 はそれぞれTFT5の電極間容量、CgCOMMi及びC
gCOMMi+1は共通電極VCOMMとゲートバスライン2i 、2
i+1 との間に形成される容量である。符号の添え字の
「g」はTFT5のゲート電極、「s」はソース電極、
「d」はドレイン電極を表している。FIG. 6 is a circuit diagram of the additional capacitance system. Elements common to those in FIG. 5 are denoted by the same reference numerals.
In FIG. 6, C ADDi and C ADDi + 1 are the additional capacitances described above,
C LC i and C LCi + 1 is (also referred to as common electrodes) common electrode and the liquid crystal electrode 4 liquid crystal capacitor formed between the V COMM, C
gdi , C gdi + 1 , C gsi , C gsi + 1 , C dsi and C dsi +
1 is the inter-electrode capacitance of TFT5 , C gCOMMi and C
gCOMMi + 1 is a common electrode V COMM and a gate bus line 2 i , 2
This is the capacitance formed between i + 1 . The suffix “g” of the code is the gate electrode of the TFT 5, “s” is the source electrode,
“D” indicates a drain electrode.
【0007】図7は、図6のモデル図であり、i+1番
目のゲートバスライン3i+1 に注目したものである。こ
のモデル図によれば、ゲートバスライン3i+1 のトータ
ルの寄生容量Cは、次式で与えられる。FIG. 7 is a model diagram of FIG. 6, focusing on the (i + 1) th gate bus line 3 i + 1 . According to this model diagram, the total parasitic capacitance C of the gate bus line 3 i + 1 is given by the following equation.
【0008】[0008]
【数1】 (Equation 1)
【0009】因みに、図8及び次式は、蓄積容量方式
におけるモデル図と、そのゲートバスライン3i+1 の寄
生容量C′の算出式である。図8及び次式において、
CSTは蓄積容量である。FIG. 8 and the following equation are a model diagram in the storage capacity method and a formula for calculating the parasitic capacitance C 'of the gate bus line 3i + 1 . In FIG. 8 and the following equation,
C ST is the storage capacity.
【0010】[0010]
【数2】 (Equation 2)
【0011】[0011]
【発明が解決しようとする課題】ところで、液晶パネル
における1ラインの書込み時間は、ゲートバスライン駆
動回路(図4符号7参照)からの「TFTオン信号」の
幅で決まる“ある時間”内に完了しなければならない。
しかしながら、TFTオン信号は、水平走査周波数によ
ってその幅が一義的に決まる“矩形状”のパルスであ
り、一般に、矩形状のパルスは、その立ち上がりや立ち
下がりの電流変化分(di/dt)が大きいため、信号
経路中の時定数の影響を受けやすく、実際の立ち上がり
や立ち下がり波形が時定数カーブに沿った曲線的な波形
………以下、この曲線的な波形のことを“波形なまり”
と称し曲率が大きい波形のことを“波形なまりが大き
い”と言う………になるから、しかも、その波形なまり
は信号経路(液晶パネルではゲートバスライン)の末端
になるにつれて大きくなるから、以下に詳述するよう
に、液晶電圧のフィールドスルー電圧のバラツキが大き
くなって画質の悪化や液晶の劣化を招くという問題点が
あった。By the way, the writing time of one line in the liquid crystal panel is within a certain time determined by the width of the "TFT ON signal" from the gate bus line driving circuit (see reference numeral 7 in FIG. 4). Must complete.
However, the TFT ON signal is a “rectangular” pulse whose width is uniquely determined by the horizontal scanning frequency. In general, a rectangular pulse has a rising or falling current change (di / dt). Because it is large, it is easily affected by the time constant in the signal path, and the actual rising and falling waveforms are curvilinear along the time constant curve.
A waveform having a large curvature is referred to as a "waveform rounding is large". Moreover, since the waveform rounding increases toward the end of a signal path (a gate bus line in a liquid crystal panel), the following applies. As described in detail above, there has been a problem that the dispersion of the field-through voltage of the liquid crystal voltage becomes large, which causes deterioration of image quality and liquid crystal.
【0012】以下、上記問題点を具体的に説明する。図
9は、液晶パネルの1ライン分の等価回路である。この
図において、10はTFTオン信号の入力端子(すなわ
ち図4のゲートバスライン駆動回路7の出力端子)であ
り、この端子10は、ゲートバスライン駆動回路7と液
晶パネルとの間の配線11を通して、液晶パネルのゲー
トバスライン12に接続されている。R11及びC11は配
線11の抵抗分と容量分をそれぞれ表している。ゲート
バスライン12は画素単位に等価されており、各画素の
R12及びC12は各画素の抵抗分と容量分(上述のCまた
はC′に相当)をそれぞれ表している。Hereinafter, the above problem will be described in detail. FIG. 9 is an equivalent circuit for one line of the liquid crystal panel. In this figure, reference numeral 10 denotes an input terminal of a TFT ON signal (that is, an output terminal of the gate bus line driving circuit 7 in FIG. 4), and this terminal 10 is a wiring 11 between the gate bus line driving circuit 7 and the liquid crystal panel. Through to the gate bus line 12 of the liquid crystal panel. R 11 and C 11 represent the resistance component and capacitance component of the wiring 11, respectively. Gate bus line 12 represents are equivalent for each pixel, R 12, and C 12 of each pixel is a resistance component and a capacitance component of each pixel (corresponding to the above C or C '), respectively.
【0013】今、データバスライン12の二つの点a、
bに着目し、それぞれの点におけるTFTオン信号の波
形遅延を考える。aは端子10に最も近い点である。こ
の点aのTFTオン信号を便宜的にSaとする。bは端
子10から最も遠い(言い換えればデータバスライン末
端の)点である。この点bのTFTオン信号を便宜的に
Sbとする。Now, two points a on the data bus line 12,
Focusing on b, consider the waveform delay of the TFT ON signal at each point. a is a point closest to the terminal 10. The TFT ON signal at this point a is referred to as Sa for convenience. b is the point farthest from the terminal 10 (in other words, at the end of the data bus line). The TFT ON signal at this point b is referred to as Sb for convenience.
【0014】図10は、二つのTFTオン信号Sa、S
bの波形比較図である。いずれの信号Sa、Sbも、1
水平走査期間内に割当てられた所定の書込み期間Txで
立ち上がりから立ち下がりまで変化する矩形状のパルス
である。信号Saの波形なまりは、R11とC11の時定数
によって生じた微小なものであるが、信号Sbの波形な
まりは、このR11とC11の時定数に、さらにライン画素
数分のR12とC12を加えた時定数によって生じた大きな
ものである。このため、信号Saに比べて信号Sbの立
ち下がりが相当に遅くなる。なお、立ち上がりも遅くな
るが、フィールドスルー電圧と直接の関係がないため無
視する。FIG. 10 shows two TFT ON signals Sa and S.
It is a waveform comparison figure of b. Both signals Sa and Sb are 1
This is a rectangular pulse that changes from rising to falling in a predetermined writing period Tx allocated within the horizontal scanning period. Waveform rounding of the signal Sa is those minute caused by the time constant of R 11 and C 11, waveform distortion of the signal Sb, the R 11 and the time constant of the C 11, several more lines of pixels fraction R This is a large one caused by the time constant obtained by adding 12 and C 12 . Therefore, the fall of the signal Sb is considerably delayed as compared with the signal Sa. It should be noted that the rise is delayed, but is ignored because it has no direct relationship with the field-through voltage.
【0015】図11は、TFTの各電極波形図である。
TFTのドレイン電極に任意階調の電位(便宜的にVd
とする)を有する表示電圧を与えた状態で、ゲート電極
にTFTオン信号を与えると、TFTは、TFTオン信
号が充分に高くなった時点(便宜的にピーク電圧Vgに
一致した時点t0)で直ちにオンする。このため、ソー
ス電極(すなわち画素電極)の電位がドレイン電極の電
位Vdに向けて変化を開始し、時点T1 でVdに到達し
た後、TFTオン信号の立ち下がりの時点T2で、所定
電圧だけ下がった電位で安定する。この所定電圧とVg
との電位差がフィールドスルー電圧であり、次式で与
えられる電圧である。FIG. 11 is a waveform diagram of each electrode of the TFT.
An arbitrary gradation potential (Vd for convenience) is applied to the drain electrode of the TFT.
When a TFT-on signal is applied to the gate electrode in a state where a display voltage having the above-mentioned voltage is applied, the TFT is turned on at the time when the TFT-on signal becomes sufficiently high (time t0 when it coincides with the peak voltage Vg for convenience). Turn on immediately. Therefore, the potential of the source electrode (or pixel electrode) starts to change toward the electric potential Vd of the drain electrode, after reaching Vd at time T 1, at the time T 2 of the fall of the TFT-on signal, a predetermined voltage It stabilizes only at the lowered potential. This predetermined voltage and Vg
Is the field-through voltage, which is a voltage given by the following equation.
【0016】[0016]
【数3】 (Equation 3)
【0017】ここに、CgsはTFTのゲート−ソース間
容量、Cdsはドレイン−ソース間容量、CLCは画素電極
容量、CADD は付加容量、ΔVgはTFTオン信号の振
幅である。式からも理解されるように、フィールドス
ルー電圧はTFTの電極間容量のうち、特にゲート−ソ
ース間容量Cgsの影響を受ける。この容量を通して、ゲ
ートバスライン上の急激な電位変化成分(FETオン信
号の、特に立ち下がり成分)が画素電極に飛び込むから
である。立ち上がり成分はデータバスラインからの信号
書込みによって打ち消されるが、立ち下がり成分はその
まま残る。この残余成分が直流分となって現れた場合、
液晶には常時直流電圧が印加される状態となり、パネル
特性に様々な悪影響(焼き付き、フリッカまたは残像な
ど)を及ぼすため、液晶画素の対向電極電圧(VCOMM)
を正確にソース電極波形の正負中心レベルに合わせ込む
ことにより、直流分をゼロにしている。Here, C gs is the gate-source capacitance of the TFT, C ds is the drain-source capacitance, C LC is the pixel electrode capacitance, C ADD is the additional capacitance, and ΔVg is the amplitude of the TFT ON signal. As can be understood from the equation, the field-through voltage is affected by the gate-source capacitance C gs among the inter-electrode capacitance of the TFT. This is because an abrupt potential change component (particularly, a falling component of the FET ON signal) on the gate bus line jumps into the pixel electrode through this capacitance. The rising component is canceled by writing a signal from the data bus line, but the falling component remains as it is. When this residual component appears as a DC component,
Since a direct current voltage is constantly applied to the liquid crystal, which has various adverse effects on the panel characteristics (burn-in, flicker or afterimage, etc.), the common electrode voltage of the liquid crystal pixel (V COMM )
Is accurately matched to the positive and negative center levels of the source electrode waveform, thereby reducing the DC component to zero.
【0018】しかしながら、かかる対策は、フィールド
スルー電圧にバラツキがない場合に限って有効となるも
のであるから、バラツキを抑えない以上、パネル全面に
わたって直流分をゼロにすることが不可能であり、程度
の差こそあれ、部分的な焼き付き、フリッカまたは残像
などの悪影響が避けられない。そこで、本発明は、フィ
ールドスルー電圧のバラツキを抑えて画質の改善と液晶
の劣化防止を図ることを目的とする。However, such a measure is effective only when there is no variation in the field-through voltage. Therefore, as long as the variation is not suppressed, it is impossible to reduce the DC component to zero over the entire panel. To any extent, adverse effects such as partial burn-in, flicker or afterimages are inevitable. Therefore, an object of the present invention is to improve the image quality and prevent the deterioration of the liquid crystal by suppressing the variation of the field-through voltage.
【0019】[0019]
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、交差状に配列した多数のゲートバスライ
ン及び多数のデータバスライン、並びに、該ゲートバス
ラインとデータバスラインの各交差点に配置した画素を
備え、各画素は、ゲート電極を前記ゲートバスラインに
接続し、ドレイン電極を前記データバスラインに接続
し、且つ、ソース電極を画素電極に接続したTFTを含
む液晶パネルにおいて、前記ゲートバスラインの末端位
置(又は末端に近い位置;以下、末端位置で代表)に一
端を接続するとともに、他端を前記TFTのしきい値を
下回る定電位に接続したスイッチ要素と、前記ゲートバ
スラインに印加されるTFTオン電圧波形の立ち下がり
に同期して所定時間該スイッチ要素をオンする制御手段
と、を備えたことを特徴とする。SUMMARY OF THE INVENTION In order to achieve the above object, the present invention provides a plurality of gate bus lines and a large number of data bus lines arranged in an intersecting manner, and each of the gate bus lines and the data bus lines. In a liquid crystal panel including a pixel arranged at an intersection, each pixel includes a TFT having a gate electrode connected to the gate bus line, a drain electrode connected to the data bus line, and a source electrode connected to the pixel electrode. A switch element having one end connected to an end position (or a position close to the end; hereinafter, representatively referred to as an end position) of the gate bus line and the other end connected to a constant potential lower than a threshold value of the TFT; Control means for turning on the switch element for a predetermined time in synchronization with the fall of the TFT ON voltage waveform applied to the gate bus line. And butterflies.
【0020】これによれば、(a)TFTは、ゲートバ
スライン上のTFTオン電圧波形の立ち上がりから立ち
下がりまでの間でオンし、そのオン期間中にデータバス
ラインの電圧を画素電極に書き込む、(b)スイッチ要
素は、TFTオン電圧波形の“立ち下がり”と同時にオ
ンし、ゲートバスラインの末端位置を“TFTのしきい
値を下回る定電位”に接続する、ため、(b)により、
ゲートバスラインの末端位置におけるTFTオン電圧波
形の立ち下がりが急峻となり、同ラインの始端位置にお
ける立ち下がり時間に一致し又は近くなるから、フィー
ルドスルー電圧のバラツキが抑制される。According to this, (a) the TFT is turned on from the rise to the fall of the TFT ON voltage waveform on the gate bus line, and writes the voltage of the data bus line to the pixel electrode during the ON period. , (B), the switch element is turned on simultaneously with the “falling” of the TFT on-voltage waveform, and connects the terminal position of the gate bus line to “constant potential below the threshold value of the TFT”. ,
Since the fall of the TFT ON voltage waveform at the end position of the gate bus line becomes sharp and coincides with or close to the fall time at the start position of the line, the variation of the field-through voltage is suppressed.
【0021】なお、本発明の制御手段は、i番目のゲー
トバスラインにつながるスイッチ要素のオンを、該i番
目のゲートバスラインに印加されるTFTオン電圧波形
の立ち下がりに同期して所定時間オンするもの(便宜的
に「ライン専用方式」と呼称する)であることが望まし
い。なお、iは1〜nであり、nは垂直ライン数であ
る。The control means of the present invention turns on the switch element connected to the i-th gate bus line for a predetermined time in synchronization with the fall of the TFT-on voltage waveform applied to the i-th gate bus line. It is desirable that the switch be turned on (for convenience, referred to as a “line-only method”). Note that i is 1 to n, and n is the number of vertical lines.
【0022】ライン専用方式にしない場合、i番目のゲ
ートバスラインにつながるスイッチ要素が、すべてのT
FTオン信号波形の立ち下がりに同期してオンするた
め、i番目のTFTオン電圧波形の立ち上がり部分がス
イッチ要素のオン期間だけカットされてしまい、i番目
のTFTオン電圧波形の幅が減少するからである。この
ことは、特に1画素あたりの書き込み時間がきわめて短
い高精細液晶パネルの場合、書き込み不足を生ずるとい
う不都合を招くことになる。ライン専用方式にすれば、
i番目のスイッチ要素は1垂直走査期間中に1回しかオ
ンしないから、このような不都合を生じない。If the line-only system is not used, the switch elements connected to the i-th gate bus line are all T elements.
Since it is turned on in synchronization with the fall of the FT-on signal waveform, the rising portion of the i-th TFT-on voltage waveform is cut only during the ON period of the switch element, and the width of the i-th TFT-on voltage waveform is reduced. It is. This leads to the disadvantage of insufficient writing, particularly in the case of a high definition liquid crystal panel in which the writing time per pixel is extremely short. If you use a line-only system,
Such an inconvenience does not occur because the ith switch element is turned on only once during one vertical scanning period.
【0023】[0023]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図面に基
づいて説明する。図1はライン専用方式を採用する本実
施例の液晶パネルの要部レイアウト模式図であり、20
は液晶パネル、21はゲートライン駆動回路、22は制
御回路(制御手段)である。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic view of a layout of a main part of a liquid crystal panel of this embodiment employing a line-only system.
Denotes a liquid crystal panel, 21 denotes a gate line driving circuit, and 22 denotes a control circuit (control means).
【0024】なお、以下の説明において、iは1〜n、
jは1〜mであり、nは垂直ライン数、mは1ラインの
画素数である。例えば、XGA規格(n×m=768×
1024)の液晶パネルであれば、iは1〜768の範
囲、jは1〜1024の範囲になる。液晶パネル20
は、m本のデータバスライン23j (図ではそのうちの
m番目のゲートバスライン23m を示している)と、n
本のゲートバスライン24i (図ではそのうちのn−2
番目からn番目までの3本のゲートバスライン2
4n-3、24n-1 、24n を示している)とを交差状に
配列し、各交差点に、TFT25(j,i) と画素電極26
(j,i) からなる画素27(j,i) を配置した点で従来例
(図4)と共通するが、有効表示領域外のいわゆるブラ
ックマトリクス部分に、次に述べる構成を備える点で相
違する。In the following description, i is 1 to n,
j is 1 to m, n is the number of vertical lines, and m is the number of pixels in one line. For example, the XGA standard (n × m = 768 ×
In the case of the liquid crystal panel of 1024), i ranges from 1 to 768, and j ranges from 1 to 1024. LCD panel 20
Represents m data bus lines 23 j (in the figure, the m-th gate bus line 23 m is shown), and n
Gate bus lines 24 i (in the figure, n-2 of them)
Three gate bus lines 2 from the nth to the nth
4 n−3 , 24 n−1 , and 24 n are arranged in a cross shape, and at each cross point, a TFT 25 (j, i) and a pixel electrode 26
Although the pixel 27 (j, i) composed of (j, i) is arranged in common with the conventional example (FIG. 4), the difference is that a so-called black matrix portion outside the effective display area has the following configuration. I do.
【0025】すなわち、ブラックマトリクス部分には、
n個のスイッチ要素28i (図ではそのうちのn−2番
目からn番目までの3個のスイッチ要素28n-3 、28
n-1、28n を示している)と、パネルの上下方向に敷
設された3本の配線(第1配線29、第2配線30、第
3配線31)とが備えられており、各スイッチ要素28
i には、例えばTFTが用いられ、TFTのドレイン−
ソース間を、同一添え字のゲートバスライン24i の末
端位置Pi (末端に近い位置でもよい)と第1配線29
との間に接続し、且つ、ゲートを1ラインごとに第2配
線30と第3配線31に交互に接続している。That is, in the black matrix portion,
n switch elements 28 i (in the figure, three switch elements 28 n−3 , 28 n−3 from n−2 to n)
n-1, and it is) shows a 28 n, vertically laid down by three wires of the panel (the first wiring 29, the second wiring 30, and the third wiring 31) and the are provided, each switch Element 28
For i , for example, a TFT is used, and the drain of the TFT is
Between the sources, the end position P i of the gate bus line 24 i having the same subscript (may be a position near the end) and the first wiring 29.
And the gates are alternately connected to the second wiring 30 and the third wiring 31 line by line.
【0026】第1配線29には、画素27(j,i) のTF
T25(j,i) のしきい値を下回る定電位VOFF が与えら
れており、また、第2配線30には、制御回路22から
の第1制御信号S1 が与えられ、さらに、第3配線31
には、同じく制御回路22からの第2制御信号S2 が与
えられている。ここで、第1及び第2制御信号S1 、S
2 は、次の特徴を有する信号である。 (1)第1制御信号S1 は奇数番目の水平走査期間に1
回発生し、第2制御信号S2 は偶数番目の水平走査期間
に1回発生する。但し、nが奇数の場合。nが偶数の場
合は水平走査期間の奇偶が入れ替わる。 (2)第1及び第2制御信号S1 、S2 の電位レベル
は、通常は、スイッチ要素28i をオフさせるのに充分
な第1電位レベルにあるが、ゲートライン駆動回路21
で発生するTFTオン電圧波形の立ち下がりに同期し
て、その電位を第2の電位レベル(スイッチ要素28i
をオンさせるのに充分な電位レベル)に変化させ、且
つ、その第2電位レベルを所定時間(TFTオン電圧波
形の立ち下がりの最大遅れ時間程度)継続する。The TF of the pixel 27 (j, i) is
T25 (j, i) is given a constant potential V OFF below the threshold, also, the second wiring 30, the first control signal S 1 is supplied from the control circuit 22, further, a third Wiring 31
Is also supplied with a second control signal S 2 from the control circuit 22. Here, the first and second control signals S 1 , S 1
2 is a signal having the following characteristics. (1) The first control signal S 1 is set to 1 during the odd-numbered horizontal scanning period.
Times occurs, the second control signal S 2 is generated once to the even-numbered horizontal scanning period. However, when n is an odd number. When n is an even number, odd and even in the horizontal scanning period are switched. (2) The potential levels of the first and second control signals S 1 and S 2 are normally at a first potential level sufficient to turn off the switch element 28 i , but the gate line drive circuit 21
In synchronism with the fall of the TFT on-voltage waveform generated at the switch element 28 i
Is turned on), and the second potential level is maintained for a predetermined time (about the maximum delay time of the fall of the TFT on-voltage waveform).
【0027】図2はゲートバスライン24i の末端位置
Pi におけるTFTオン電圧波形(便宜的にライン番号
と同じ番号を付してある)と、第1及び第2制御信号S
1 、S2 とのタイミング関係を示すチャートである。冒
頭に述べた理由により、ゲートバスライン24i の末端
位置Pi におけるTFTオン電圧波形24n-2 (又は2
4n )及び24n-1 の立ち下がりが遅くなっているが、
本実施例では、第1及び第2制御信号S1 、S2 がTF
Tオン電圧波形の立ち下がりに同期して第2の電位レベ
ルに変化し、これに応答して、各ゲートバスライン24
i につながるスイッチ要素28i がオンするため、各ゲ
ートバスライン24i の電位がTFTオン電圧波形の立
ち下がりと同時に定電位VOFFに引き下げられるから、
同波形の立ち下がりを急峻にすることができる。その結
果、ゲートバスライン24i の始端位置(ゲートライン
駆動回路21に近い位置)と末端位置Pi での立ち下が
りの時間差を小さくすることができ、冒頭に述べたフィ
ールドスルー電圧のバラツキを抑えることができる。FIG. 2 shows the TFT on-voltage waveform at the end position P i of the gate bus line 24 i (for the sake of convenience, the same number as the line number) and the first and second control signals S
1 is a chart showing the timing relationship between S 2. For the reason described at the beginning, the TFT ON voltage waveform 24 n−2 (or 2) at the terminal position P i of the gate bus line 24 i.
4 n ) and 24 n-1 fall slowly,
In this embodiment, the first and second control signals S 1 and S 2 are TF
The potential changes to the second potential level in synchronization with the fall of the T-on voltage waveform, and in response to this, each gate bus line 24
Since the switch element 28 i connected to i is turned on, the potential of each gate bus line 24 i is reduced to the constant potential V OFF at the same time as the fall of the TFT ON voltage waveform.
The falling of the waveform can be made steep. As a result, it is possible to reduce the time difference between the falling of the start position of the gate bus line 24 i (the position close to the gate line drive circuit 21) at the terminal positions P i, suppress variations in the field-through voltage at the outset be able to.
【0028】なお、本実施例では、ゲートバスライン2
4i を奇数グループと偶数グループに分け、各グループ
ごとに制御信号(S1 、S2 )を発生しているが、これ
に限らない。例えば、画素への書き込み時間が比較的長
い液晶パネルに適用する場合には、第1の制御信号S1
と第2の制御信号S2 とをまとめて第3の制御信号S 3
とし、この第3の制御信号S3 をすべてのスイッチ要素
28i で共有化してもよい。In this embodiment, the gate bus line 2
4iInto odd and even groups, and each group
Control signal (S1, STwo), But this
Not limited to For example, writing time to pixels is relatively long
When applied to a liquid crystal panel, the first control signal S1
And the second control signal STwoAnd the third control signal S Three
And the third control signal SThreeThe all switch elements
28iMay be shared.
【0029】図3において、第3の制御信号S3 は、水
平走査期間ごとに周期的に第2の電位レベルに変化して
いる。ここで、それぞれの第2の電位レベルの期間を符
号イ〜ヘで識別すると、期間イではn−6番目のTFT
オン信号24n-6 の立ち下がりがカットされ、期間ロで
はn−5番目のTFTオン信号24n-5 の立ち下がりが
カットされ、期間ハではn−4番目のTFTオン信号2
4n-4 の立ち下がりがカットされ、………、期間ヘでは
n−1番目のTFTオン信号24n-1 の立ち下がりがカ
ットされるから、上述と同様な作用効果を得ることがで
きる。In FIG. 3, the third control signal S 3 periodically changes to the second potential level every horizontal scanning period. Here, when the respective periods of the second potential level are identified by reference numerals A to F, in the period A, the n-6th TFT
The falling of the ON signal 24 n−6 is cut, the falling of the (n−5) th TFT on signal 24 n−5 is cut in the period (b), and the n−4th TFT on signal 2 in the period (c).
Since the fall of 4 n−4 is cut and the fall of the (n−1) th TFT ON signal 24 n−1 is cut during the period, the same operation and effect as described above can be obtained. .
【0030】但し、この例では、TFTオン信号の立ち
上がり部分が不本意ながらカットされてしまうという欠
点がある。すなわち、期間イではn−5番目のTFTオ
ン信号24n-5 の立ち上がり部分がカットされ、期間ロ
ではn−4番目のTFTオン信号24n-4 の立ち上がり
部分がカットされ、期間ハではn−3番目のTFTオン
信号24n-3 の立ち上がり部分がカットされ、………、
期間ヘではn番目のTFTオン信号24n の立ち上がり
部分がカットされてしまうため、画素への書き込み時間
がカット後の時間(Tα)以内に収まる場合にしか適用
できない。However, in this example, there is a disadvantage that the rising portion of the TFT ON signal is unintentionally cut. That is, the rising portion of the (n−5) th TFT ON signal 24 n−5 is cut in the period (a), the rising portion of the (n−4) th TFT ON signal 24 n−4 is cut in the period (b), and n in the period (c). The rising portion of the third TFT ON signal 24 n−3 is cut off,.
During the period, the rising portion of the n-th TFT ON signal 24 n is cut, so that the present invention can be applied only when the writing time to the pixel falls within the time (Tα) after the cut.
【0031】[0031]
【発明の効果】本発明によれば、フィールドスルー電圧
のバラツキを抑えることができ、より一層の画質改善を
図ることができるとともに、液晶の劣化防止をより完璧
に図ることができるという従来技術にない格別有利な効
果か得られる。According to the present invention, it is possible to suppress the variation of the field-through voltage, to further improve the image quality, and to completely prevent the deterioration of the liquid crystal. Not a particularly advantageous effect is obtained.
【図1】一実施例の要部レイアウト模式図である。FIG. 1 is a schematic diagram of a layout of a main part of an embodiment.
【図2】一実施例のTFTオン電圧波形と制御信号のタ
イミングチャートである。FIG. 2 is a timing chart of a TFT on-voltage waveform and a control signal according to one embodiment.
【図3】他の実施例のTFTオン電圧波形と制御信号の
タイミングチャートである。FIG. 3 is a timing chart of a TFT ON voltage waveform and a control signal according to another embodiment.
【図4】従来の液晶パネルの平面レイアウト概略図であ
る。FIG. 4 is a schematic plan view of a conventional liquid crystal panel.
【図5】画素の詳細レイアウト図である。FIG. 5 is a detailed layout diagram of pixels.
【図6】付加容量方式の回路図である。FIG. 6 is a circuit diagram of an additional capacitance method.
【図7】付加容量方式のモデル図である。FIG. 7 is a model diagram of an additional capacity method.
【図8】蓄積容量方式のモデル図である。FIG. 8 is a model diagram of a storage capacity method.
【図9】従来の液晶パネルの1ライン分の等価回路図で
ある。FIG. 9 is an equivalent circuit diagram for one line of a conventional liquid crystal panel.
【図10】二つのTFTオン信号Sa、Sbの波形比較
図である。FIG. 10 is a waveform comparison diagram of two TFT ON signals Sa and Sb.
【図11】TFTの各電極波形図である。FIG. 11 is a waveform diagram of each electrode of a TFT.
Pi :末端位置 VOFF :定電位 22:制御回路(制御手段) 23j :データバスライン 24i :ゲートバスライン 25i :TFT 26i :画素電極 27i :画素 28i :スイッチ要素P i : terminal position V OFF : constant potential 22: control circuit (control means) 23 j : data bus line 24 i : gate bus line 25 i : TFT 26 i : pixel electrode 27 i : pixel 28 i : switch element
Claims (2)
及び多数のデータバスライン、並びに、該ゲートバスラ
インとデータバスラインの各交差点に配置した画素を備
え、各画素は、ゲート電極を前記ゲートバスラインに接
続し、ドレイン電極を前記データバスラインに接続し、
且つ、ソース電極を画素電極に接続したTFTを含む液
晶パネルにおいて、 前記ゲートバスラインの末端位置又は末端に近い位置に
一端を接続するとともに、他端を前記TFTのしきい値
を下回る定電位に接続したスイッチ要素と、 前記ゲートバスラインに印加されるTFTオン電圧波形
の立ち下がりに同期して所定時間該スイッチ要素をオン
する制御手段と、を備えたことを特徴とする液晶パネ
ル。A plurality of gate bus lines and a plurality of data bus lines arranged in an intersecting manner, and pixels arranged at respective intersections of the gate bus lines and the data bus lines, wherein each pixel has a gate electrode. Connecting to the gate bus line, connecting the drain electrode to the data bus line,
In addition, in a liquid crystal panel including a TFT having a source electrode connected to a pixel electrode, one end is connected to an end position or a position close to the end of the gate bus line, and the other end is set to a constant potential lower than a threshold value of the TFT. A liquid crystal panel comprising: a connected switch element; and control means for turning on the switch element for a predetermined time in synchronization with a fall of a TFT-on voltage waveform applied to the gate bus line.
ンにつながるスイッチ要素のオンを、該i番目のゲート
バスラインに印加されるTFTオン電圧波形の立ち下が
りに同期して所定時間オンすることを特徴とする請求項
1記載の液晶パネル。2. The control means turns on a switch element connected to an i-th gate bus line for a predetermined time in synchronization with a fall of a TFT-on voltage waveform applied to the i-th gate bus line. The liquid crystal panel according to claim 1, wherein:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19420696A JPH1039276A (en) | 1996-07-24 | 1996-07-24 | Liquid crystal panel |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19420696A JPH1039276A (en) | 1996-07-24 | 1996-07-24 | Liquid crystal panel |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1039276A true JPH1039276A (en) | 1998-02-13 |
Family
ID=16320727
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19420696A Pending JPH1039276A (en) | 1996-07-24 | 1996-07-24 | Liquid crystal panel |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1039276A (en) |
-
1996
- 1996-07-24 JP JP19420696A patent/JPH1039276A/en active Pending
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