JPH10340431A - 磁気抵抗効果型ヘッド及び磁気記録再生装置 - Google Patents
磁気抵抗効果型ヘッド及び磁気記録再生装置Info
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- JPH10340431A JPH10340431A JP9146830A JP14683097A JPH10340431A JP H10340431 A JPH10340431 A JP H10340431A JP 9146830 A JP9146830 A JP 9146830A JP 14683097 A JP14683097 A JP 14683097A JP H10340431 A JPH10340431 A JP H10340431A
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
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- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁気記録媒体を正確に再生させることがで
き、高い再生出力を持つＭＲヘッドを提供すること。 【解決手段】 バイアス用軟磁性膜の材質を熱処理を施
すことによってもその磁化容易軸方向が変化しない異方
性磁界の大きさが１０Ｏｅ以上、電気抵抗ρの大きさが
７０μΩcm以上かつ飽和磁束密度Ｂｓの大きさが１Ｔ以
上のＦｅＸＮ系合金とし、バイアス用軟磁性膜の磁化容
易軸の方向をセンス電流の方向と垂直とし、ＭＲ膜の磁
化容易軸の方向をセンス電流の方向と平行とする。
き、高い再生出力を持つＭＲヘッドを提供すること。 【解決手段】 バイアス用軟磁性膜の材質を熱処理を施
すことによってもその磁化容易軸方向が変化しない異方
性磁界の大きさが１０Ｏｅ以上、電気抵抗ρの大きさが
７０μΩcm以上かつ飽和磁束密度Ｂｓの大きさが１Ｔ以
上のＦｅＸＮ系合金とし、バイアス用軟磁性膜の磁化容
易軸の方向をセンス電流の方向と垂直とし、ＭＲ膜の磁
化容易軸の方向をセンス電流の方向と平行とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ハードディスク等
の磁気情報記憶装置に用いられるＳＡＬ(Soft Adjacent
Layer) バイアス方式の磁気抵抗効果型ベッド及びこれ
を用いた磁気記録再生装置に関する。
の磁気情報記憶装置に用いられるＳＡＬ(Soft Adjacent
Layer) バイアス方式の磁気抵抗効果型ベッド及びこれ
を用いた磁気記録再生装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、コンピュータの外部記憶装置とし
て用いられる磁気記録・再生装置の大容量化に伴い、記
録密度の高密度化が要求されている。この要求を満足す
るために磁気ヘッドとして、高密度化に対応可能なＭＲ
ヘッドの開発が進められている。ところが、このＭＲヘ
ッドに用いられる磁気抵抗効果膜（以下ＭＲ膜と呼ぶ）
は、バイアス磁界がない場合は外部磁界に対する出力が
非線形となる。そのため、磁気記憶媒体の発生磁界に対
応した再生波形を得るには、何らかの方法でＭＲ膜にバ
イアス磁界を加え、ＭＲ膜を線形領域にして動作させる
必要がある。そこで、その一つの方法として、低電流で
高いバイアス効果が得られるＳＡＬバイアス方式が提案
されている。
て用いられる磁気記録・再生装置の大容量化に伴い、記
録密度の高密度化が要求されている。この要求を満足す
るために磁気ヘッドとして、高密度化に対応可能なＭＲ
ヘッドの開発が進められている。ところが、このＭＲヘ
ッドに用いられる磁気抵抗効果膜（以下ＭＲ膜と呼ぶ）
は、バイアス磁界がない場合は外部磁界に対する出力が
非線形となる。そのため、磁気記憶媒体の発生磁界に対
応した再生波形を得るには、何らかの方法でＭＲ膜にバ
イアス磁界を加え、ＭＲ膜を線形領域にして動作させる
必要がある。そこで、その一つの方法として、低電流で
高いバイアス効果が得られるＳＡＬバイアス方式が提案
されている。
【０００３】バイアス用軟磁性膜の材質としては、電気
抵抗が大きく、磁気抵抗が小さく、磁歪定数が小さいも
のが望まれ、一般にはＮｉＦｅＸ（Ｘ＝Ｃｒ，Ｒｈ，Ｎ
ｂ）系合金等が用いられる。また、通常バイアス用軟磁
性膜の磁化容易軸の方向はＭＲ膜の磁化容易軸の方向と
平行にされている。なかには、特開平６─３３８０３４
号公報のように、バイアス用軟磁性膜の磁化容易軸の方
向とＭＲ膜の磁化容易軸の方向とを略直交させることに
より、バイアス用磁性膜に生じる磁気抵抗効果を抑制さ
せ、小さなセンス電流でも磁気記録媒体を再生させるも
のもある。
抵抗が大きく、磁気抵抗が小さく、磁歪定数が小さいも
のが望まれ、一般にはＮｉＦｅＸ（Ｘ＝Ｃｒ，Ｒｈ，Ｎ
ｂ）系合金等が用いられる。また、通常バイアス用軟磁
性膜の磁化容易軸の方向はＭＲ膜の磁化容易軸の方向と
平行にされている。なかには、特開平６─３３８０３４
号公報のように、バイアス用軟磁性膜の磁化容易軸の方
向とＭＲ膜の磁化容易軸の方向とを略直交させることに
より、バイアス用磁性膜に生じる磁気抵抗効果を抑制さ
せ、小さなセンス電流でも磁気記録媒体を再生させるも
のもある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の構成では、バイアス用軟磁性膜がＮｉＦｅＸ（Ｘ＝
Ｃｒ，Ｒｈ，Ｎｂ）系合金であり、電気抵抗の値がそれ
ほど大きくない。また、飽和磁束密度Ｂｓの値も十分で
はなく、バイアス用軟磁性膜として用いるためには膜厚
を十分に厚くしなくてはならない。それにより、ヘッド
にセンス電流を流した場合、バイアス用軟磁性膜に流れ
る電流が多くなり、ＭＲ膜に流れる電流の割合が小さく
なるため、センス電流の値を大きくしないとヘッド出力
を増大させることができないという問題点を持ってい
た。また、バイアス用軟磁性膜の磁化容易軸の方向がＭ
Ｒ膜の磁化容易軸の方向と直交させた場合、バイアス用
磁性膜にＮｉＦｅ系合金を用いると、ＮｉＦｅ系合金は
誘導異方性を有しているため、熱処理を行うことにより
磁化容易軸の方向が変化し、ヘッド再生が不安定になる
という問題点を有していた。
来の構成では、バイアス用軟磁性膜がＮｉＦｅＸ（Ｘ＝
Ｃｒ，Ｒｈ，Ｎｂ）系合金であり、電気抵抗の値がそれ
ほど大きくない。また、飽和磁束密度Ｂｓの値も十分で
はなく、バイアス用軟磁性膜として用いるためには膜厚
を十分に厚くしなくてはならない。それにより、ヘッド
にセンス電流を流した場合、バイアス用軟磁性膜に流れ
る電流が多くなり、ＭＲ膜に流れる電流の割合が小さく
なるため、センス電流の値を大きくしないとヘッド出力
を増大させることができないという問題点を持ってい
た。また、バイアス用軟磁性膜の磁化容易軸の方向がＭ
Ｒ膜の磁化容易軸の方向と直交させた場合、バイアス用
磁性膜にＮｉＦｅ系合金を用いると、ＮｉＦｅ系合金は
誘導異方性を有しているため、熱処理を行うことにより
磁化容易軸の方向が変化し、ヘッド再生が不安定になる
という問題点を有していた。
【０００５】また、特開平５─１８２１４８号公報は、
バイアス用軟磁性膜として２種類以上の磁性材料を積層
した軟磁性膜を用い、例えば、ＮｉＦｅＸ系合金の膜と
ＦｅＮ膜とを積層した軟磁性膜を提案している。これ
は、ＦｅＮ膜単独ではバイアス用軟磁性膜としては不適
当であるが、ＮｉＦｅＸ系合金膜と組み合わせることに
より、適当な軟磁気特性、飽和磁化を持つことができる
ということを開示している。この積層膜はＮｉＦｅＸ系
合金膜を主たるバイアス用軟磁性膜として、これをＦｅ
Ｎ膜で修飾するというものであるから、上記のＮｉＦｅ
Ｘ系合金膜について述べた問題点が解消していない。
バイアス用軟磁性膜として２種類以上の磁性材料を積層
した軟磁性膜を用い、例えば、ＮｉＦｅＸ系合金の膜と
ＦｅＮ膜とを積層した軟磁性膜を提案している。これ
は、ＦｅＮ膜単独ではバイアス用軟磁性膜としては不適
当であるが、ＮｉＦｅＸ系合金膜と組み合わせることに
より、適当な軟磁気特性、飽和磁化を持つことができる
ということを開示している。この積層膜はＮｉＦｅＸ系
合金膜を主たるバイアス用軟磁性膜として、これをＦｅ
Ｎ膜で修飾するというものであるから、上記のＮｉＦｅ
Ｘ系合金膜について述べた問題点が解消していない。
【０００６】本発明は、上記従来の問題点を解決するも
のであり、磁気記録媒体を正確に再生させることがで
き、高い再生出力を持つＭＲヘッドを提供することを目
的とする。
のであり、磁気記録媒体を正確に再生させることがで
き、高い再生出力を持つＭＲヘッドを提供することを目
的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明のＭＲヘッドは、磁気抵抗効果膜と前記磁気
抵抗効果膜の近傍に形成されたバイアス用軟磁性膜とを
備えたSAL(Soft Adjacent Layer)バイアス方式の磁気抵
抗効果型ベッドであって、前記バイアス用軟磁性膜がFe
XN（式中、X はZr, Nb, Ta, W, Al またはこれらの混合
物）で表されることを特徴とする。
に、本発明のＭＲヘッドは、磁気抵抗効果膜と前記磁気
抵抗効果膜の近傍に形成されたバイアス用軟磁性膜とを
備えたSAL(Soft Adjacent Layer)バイアス方式の磁気抵
抗効果型ベッドであって、前記バイアス用軟磁性膜がFe
XN（式中、X はZr, Nb, Ta, W, Al またはこれらの混合
物）で表されることを特徴とする。
【０００８】好適には、磁気抵抗効果膜の磁化容易軸を
センス電流に対して平行とし、バイアス用軟磁性膜の磁
化容易軸をセンス電流に対して垂直にして、高出力を得
ることができる。本発明のＭＲヘッドは、バイアス用軟
磁性膜の材質をＦｅＸＮ（Ｘ＝Zr, Nb,Ta, W, Al また
はこれらの混合物）系合金としたものである。ＦｅＸＮ
系合金は熱処理を行ってもその磁化容易軸の方向が変化
することがない。従って、例えば、ＭＲ膜の磁化容易軸
をセンス電流に対して平行とし、バイアス用軟磁性膜の
磁化容易軸をセンス電流に対して垂直として、異方性磁
界Ｈｋの大きさを大きくして高出力を得ようとする場合
にも、ＭＲ膜の磁気特性を安定化させるために熱処理を
行っても、その磁化容易軸の方向が変化することがな
く、所望の高出力を得ることができる。また、ＦｅＸＮ
系合金は電気抵抗および飽和磁束密度を大きくすること
ができるので、ＭＲ膜の電流利用効率が増加し、高出力
を得ることができる。
センス電流に対して平行とし、バイアス用軟磁性膜の磁
化容易軸をセンス電流に対して垂直にして、高出力を得
ることができる。本発明のＭＲヘッドは、バイアス用軟
磁性膜の材質をＦｅＸＮ（Ｘ＝Zr, Nb,Ta, W, Al また
はこれらの混合物）系合金としたものである。ＦｅＸＮ
系合金は熱処理を行ってもその磁化容易軸の方向が変化
することがない。従って、例えば、ＭＲ膜の磁化容易軸
をセンス電流に対して平行とし、バイアス用軟磁性膜の
磁化容易軸をセンス電流に対して垂直として、異方性磁
界Ｈｋの大きさを大きくして高出力を得ようとする場合
にも、ＭＲ膜の磁気特性を安定化させるために熱処理を
行っても、その磁化容易軸の方向が変化することがな
く、所望の高出力を得ることができる。また、ＦｅＸＮ
系合金は電気抵抗および飽和磁束密度を大きくすること
ができるので、ＭＲ膜の電流利用効率が増加し、高出力
を得ることができる。
【０００９】ＦｅＸＮ系合金は、（Ｆｅ1 -aＸa ) Ｎx
で表される窒化物で、ＸはZr, Nb,Ta, W, Al またはこ
れらの混合物から選択される金属成分であるが、０＜ａ
≦０．１であることが好ましい。ｘの量がＦｅに対して
１０％を越えると、軟磁気特性が損なわれるから、１０
％以下が望ましく、２〜３％が良好である。Ｎの量は例
えばスパッタ雰囲気中のＮ2 ／Ａｒ比を制御するなどの
方法で制御することができる。ＦｅＸは軟磁性ではな
い。
で表される窒化物で、ＸはZr, Nb,Ta, W, Al またはこ
れらの混合物から選択される金属成分であるが、０＜ａ
≦０．１であることが好ましい。ｘの量がＦｅに対して
１０％を越えると、軟磁気特性が損なわれるから、１０
％以下が望ましく、２〜３％が良好である。Ｎの量は例
えばスパッタ雰囲気中のＮ2 ／Ａｒ比を制御するなどの
方法で制御することができる。ＦｅＸは軟磁性ではな
い。
【００１０】バイアス用軟磁性膜としてのＦｅＸＮ系合
金膜は、異方性磁界Ｈｋが１０Ｏｅ以上、電気抵抗ρが
７０μΩcm以上、飽和磁束密度Ｂｓが１Ｔ以上であるこ
とができ、それぞれこのような値を持つことが好まし
い。このような値を持つことによって、それぞれＭＲ型
ベッドの出力を高くすることに寄与する。例えば、Ｎｉ
ＦｅＣｒはＨｋは４Ｏｅ、ρが３０〜４０μΩcm、Ｂｓ
が０．６５Ｔ程度であるが、ＦｅＺｒＮはＨｋは１０Ｏ
ｅ以上、好ましくは１０〜２０Ｏｅ、ρは７０μΩcm以
上、Ｂｓは１．１〜１．３Ｔの特性を持つことができ
る。
金膜は、異方性磁界Ｈｋが１０Ｏｅ以上、電気抵抗ρが
７０μΩcm以上、飽和磁束密度Ｂｓが１Ｔ以上であるこ
とができ、それぞれこのような値を持つことが好まし
い。このような値を持つことによって、それぞれＭＲ型
ベッドの出力を高くすることに寄与する。例えば、Ｎｉ
ＦｅＣｒはＨｋは４Ｏｅ、ρが３０〜４０μΩcm、Ｂｓ
が０．６５Ｔ程度であるが、ＦｅＺｒＮはＨｋは１０Ｏ
ｅ以上、好ましくは１０〜２０Ｏｅ、ρは７０μΩcm以
上、Ｂｓは１．１〜１．３Ｔの特性を持つことができ
る。
【００１１】バイアス用軟磁性膜のＢｓ・ｔはＭＲ膜の
Ｂｓ・ｔの０．６〜０．７倍程度であることが、ＭＲ膜
のバイアス効率が最も良くなるので好ましい。ＦｅＸＮ
系合金膜の成膜法はスパッタ法その他の公知の方法によ
ることができる。ＭＲ膜とバイアス用軟磁性膜の間に
は、通常、Ｔａ、Ｔｉなどの非磁性膜を介在させる。Ｍ
Ｒ膜とバイアス用軟磁性膜との交換結合を切るためであ
る。
Ｂｓ・ｔの０．６〜０．７倍程度であることが、ＭＲ膜
のバイアス効率が最も良くなるので好ましい。ＦｅＸＮ
系合金膜の成膜法はスパッタ法その他の公知の方法によ
ることができる。ＭＲ膜とバイアス用軟磁性膜の間に
は、通常、Ｔａ、Ｔｉなどの非磁性膜を介在させる。Ｍ
Ｒ膜とバイアス用軟磁性膜との交換結合を切るためであ
る。
【００１２】本発明によれば、さらに、上記磁気抵抗効
果ヘッドと、磁気記録媒体とを有する磁気記録再生装置
も提供される。
果ヘッドと、磁気記録媒体とを有する磁気記録再生装置
も提供される。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例におけるＭＲヘッドに
ついて、図面を参照しながら説明する。 （実施例）図１は本発明の実施例におけるＭＲヘッドの
構成図である。１はＦｅＸＮ系合金で構成されているバ
イアス用軟磁性膜、２は非磁性中間膜、３はＭＲ膜、ａ
はＭＲ膜磁化容易軸方向、ｂはセンス電流方向、ｃは入
力磁界方向、ｈはＭＲ高さ寸法、ｗはＭＲ幅寸法であ
る。ここでＭＲ高さ寸法ｈは２μm 、ＭＲ幅寸法ｗは２
μm となるようにパターニングされている。４が電極
で、ここを端子にしてＭＲ膜３に電流を流し、抵抗変化
を検出する。
ついて、図面を参照しながら説明する。 （実施例）図１は本発明の実施例におけるＭＲヘッドの
構成図である。１はＦｅＸＮ系合金で構成されているバ
イアス用軟磁性膜、２は非磁性中間膜、３はＭＲ膜、ａ
はＭＲ膜磁化容易軸方向、ｂはセンス電流方向、ｃは入
力磁界方向、ｈはＭＲ高さ寸法、ｗはＭＲ幅寸法であ
る。ここでＭＲ高さ寸法ｈは２μm 、ＭＲ幅寸法ｗは２
μm となるようにパターニングされている。４が電極
で、ここを端子にしてＭＲ膜３に電流を流し、抵抗変化
を検出する。
【００１４】以上のように構成されたＭＲヘッドについ
て、以下にその製造方法を説明する。初めに、ＦｅＺｒ
（Ｚｒ１０％）合金をターゲットとしてＡｒとＮ2 雰囲
気中でスパッタを行い、Ｚｒの含有量が１０ａｔ％以下
（Ｆｅ，Ｚｒ，Ｎの合計の１０％以下）のＦｅＺｒＮ合
金（ごく少量のＮ含分、２〜３％が望ましい）を、その
磁化容易軸の方向がセンス電流方向ｂと垂直でバイアス
用軟磁性膜磁化容易軸方向ｅとなるように成膜すること
により、膜厚７nmのバイアス用軟磁性膜１を形成する。
このときＦｅＺｒＮ合金の異方性磁界の大きさは１０Ｏ
ｅ以上、電気抵抗の値は７０μΩcmかつ飽和磁束密度の
大きさは１Ｔ以上である。
て、以下にその製造方法を説明する。初めに、ＦｅＺｒ
（Ｚｒ１０％）合金をターゲットとしてＡｒとＮ2 雰囲
気中でスパッタを行い、Ｚｒの含有量が１０ａｔ％以下
（Ｆｅ，Ｚｒ，Ｎの合計の１０％以下）のＦｅＺｒＮ合
金（ごく少量のＮ含分、２〜３％が望ましい）を、その
磁化容易軸の方向がセンス電流方向ｂと垂直でバイアス
用軟磁性膜磁化容易軸方向ｅとなるように成膜すること
により、膜厚７nmのバイアス用軟磁性膜１を形成する。
このときＦｅＺｒＮ合金の異方性磁界の大きさは１０Ｏ
ｅ以上、電気抵抗の値は７０μΩcmかつ飽和磁束密度の
大きさは１Ｔ以上である。
【００１５】次にバイアス用軟磁性膜１の上に、Ｔａを
スパッタ法によって成膜することによって、膜厚５nm又
は１０nmの非磁性中間膜２を形成する。次に非磁性中間
膜２の上にＭＲ膜としてＮｉＦｅ膜をその磁化容易軸の
方向がセンス電流方向ｂと平行でＭＲ膜磁化容易軸方向
ａとなるように積層することによって、膜厚１１nmのＭ
Ｒ膜３を形成する。
スパッタ法によって成膜することによって、膜厚５nm又
は１０nmの非磁性中間膜２を形成する。次に非磁性中間
膜２の上にＭＲ膜としてＮｉＦｅ膜をその磁化容易軸の
方向がセンス電流方向ｂと平行でＭＲ膜磁化容易軸方向
ａとなるように積層することによって、膜厚１１nmのＭ
Ｒ膜３を形成する。
【００１６】この後、ＭＲ膜の磁気特性を安定化させる
ために、印加磁界方向をＭＲ膜の磁化容易軸方向となる
ようにして磁場中で熱処理を行う（約２８０℃，１時
間）。このときバイアス用軟磁性膜の磁化容易軸の方向
は熱処理によっても変化しない。以上のように製造され
る本発明の実施例におけるＭＲヘッドと、従来のＭＲヘ
ッドについて性能を比較した。以下その結果について説
明する。 （比較例）ＮｉＦｅＣｒ合金を、その磁化容易軸の方向
がバイアス用軟磁性膜磁化容易軸方向となるように積層
すること以外、実施例のＭＲヘッドと同様である従来の
ＭＲヘッドを用いて、電極膜４から直流センス電流を流
し、入力磁界としてＭＲ膜磁界としてＭＲ膜磁界容易軸
方向に交流磁界を加えた時の出力を測定した。図２は従
来例と実施例のＭＲヘッドのセンス電流を変化させたと
きの出力を示したものである。
ために、印加磁界方向をＭＲ膜の磁化容易軸方向となる
ようにして磁場中で熱処理を行う（約２８０℃，１時
間）。このときバイアス用軟磁性膜の磁化容易軸の方向
は熱処理によっても変化しない。以上のように製造され
る本発明の実施例におけるＭＲヘッドと、従来のＭＲヘ
ッドについて性能を比較した。以下その結果について説
明する。 （比較例）ＮｉＦｅＣｒ合金を、その磁化容易軸の方向
がバイアス用軟磁性膜磁化容易軸方向となるように積層
すること以外、実施例のＭＲヘッドと同様である従来の
ＭＲヘッドを用いて、電極膜４から直流センス電流を流
し、入力磁界としてＭＲ膜磁界としてＭＲ膜磁界容易軸
方向に交流磁界を加えた時の出力を測定した。図２は従
来例と実施例のＭＲヘッドのセンス電流を変化させたと
きの出力を示したものである。
【００１７】図２に見られるように、ＭＲヘッドの構造
を従来例より実施例とすることにより出力の向上が見ら
れる。
を従来例より実施例とすることにより出力の向上が見ら
れる。
【００１８】
【発明の効果】以上のように、本発明は、バイアス用軟
磁性膜の材質をＦｅＸＮ系合金とし、熱処理を施すこと
によってもその磁化容易軸方向が変化しない、特に異方
性磁界の大きさが１０Ｏｅ以上、電気抵抗ρの大きさが
７０μΩcm以上かつ飽和磁束密度Ｂｓの大きさが１Ｔ以
上のＦｅＸＮ系合金とし、バイアス用軟磁性膜の磁化容
易軸の方向をセンス電流の方向と垂直とし、ＭＲ膜の磁
化容易軸の方向をセンス電流の方向と平行とすること
で、ＭＲ膜の電流利用効率が向上し、バイアス効率が向
上するために、再生出力の大きなＭＲヘッドを製造する
ことが可能になる。
磁性膜の材質をＦｅＸＮ系合金とし、熱処理を施すこと
によってもその磁化容易軸方向が変化しない、特に異方
性磁界の大きさが１０Ｏｅ以上、電気抵抗ρの大きさが
７０μΩcm以上かつ飽和磁束密度Ｂｓの大きさが１Ｔ以
上のＦｅＸＮ系合金とし、バイアス用軟磁性膜の磁化容
易軸の方向をセンス電流の方向と垂直とし、ＭＲ膜の磁
化容易軸の方向をセンス電流の方向と平行とすること
で、ＭＲ膜の電流利用効率が向上し、バイアス効率が向
上するために、再生出力の大きなＭＲヘッドを製造する
ことが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例におけるＭＲヘッドの構成図で
ある。
ある。
【図２】実施例と従来のＭＲヘッドのセンス電流と出力
を示すグラフである。
を示すグラフである。
【図３】従来のＭＲヘッドの構成図である。
１…バイアス用軟磁性膜 ２…非磁性中間膜 ３…ＭＲ膜 ４…電極膜 ａ…ＭＲ膜磁化容易軸方向 ｂ…センス電流方向 ｃ…入力磁界方向 ｄ…バイアス用軟磁性膜磁化容易軸方向 ｅ…バイアス用軟磁性膜磁化容易軸方向 ｈ…ＭＲ膜高さ寸法 ｗ…ＭＲ幅寸法
Claims (4)
- 【請求項１】 磁気抵抗効果膜と前記磁気抵抗効果膜の
近傍に形成されたバイアス用軟磁性膜とを備えたSAL(So
ft Adjacent Layer)バイアス方式の磁気抵抗効果型ベッ
ドであって、前記バイアス用軟磁性膜がFeXN（式中、X
はZr, Nb, Ta, W, Al またはこれらの混合物）で表され
ることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項２】 前記磁気抵抗効果膜の磁化容易軸をセン
ス電流に対して平行とし、前記バイアス用軟磁性膜の磁
化容易軸をセンス電流に対して垂直にした請求項１記載
の磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項３】 前記磁気抵抗効果膜の異方性磁界の大き
さが１０Ｏｅ以上、電気抵抗ρの大きさが７０μΩcm以
上かつ飽和磁束密度Ｂｓの大きさが１Ｔ以上である請求
項１又は２記載の磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかに記載の磁気抵
抗効果ヘッドと磁気記録媒体とを有することを特徴とす
る磁気記録再生装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9146830A JPH10340431A (ja) | 1997-06-04 | 1997-06-04 | 磁気抵抗効果型ヘッド及び磁気記録再生装置 |
| US08/957,188 US6087026A (en) | 1997-06-04 | 1997-10-24 | Magnetoresistive head and magnetic read/write device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9146830A JPH10340431A (ja) | 1997-06-04 | 1997-06-04 | 磁気抵抗効果型ヘッド及び磁気記録再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10340431A true JPH10340431A (ja) | 1998-12-22 |
Family
ID=15416491
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9146830A Pending JPH10340431A (ja) | 1997-06-04 | 1997-06-04 | 磁気抵抗効果型ヘッド及び磁気記録再生装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6087026A (ja) |
| JP (1) | JPH10340431A (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| US6425989B1 (en) * | 1999-12-16 | 2002-07-30 | International Business Machines Corporation | Method of sputtering high moment iron nitride based magnetic head layers |
| US20030072970A1 (en) * | 2001-10-05 | 2003-04-17 | Headway Technologies, Inc. | Layered structure for magnetic recording heads |
| US7177122B2 (en) * | 2003-10-27 | 2007-02-13 | Seagate Technology Llc | Biasing for tri-layer magnetoresistive sensors |
| US20060042938A1 (en) * | 2004-09-01 | 2006-03-02 | Heraeus, Inc. | Sputter target material for improved magnetic layer |
| US20060286414A1 (en) * | 2005-06-15 | 2006-12-21 | Heraeus, Inc. | Enhanced oxide-containing sputter target alloy compositions |
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Family Cites Families (5)
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| US5549978A (en) * | 1992-10-30 | 1996-08-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetoresistance effect element |
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| DE4243357A1 (de) * | 1992-12-21 | 1994-06-23 | Siemens Ag | Magnetowiderstands-Sensor mit verkürzten Meßschichten |
| JPH06338034A (ja) * | 1993-05-26 | 1994-12-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気抵抗効果型ヘッド及びその製造方法 |
-
1997
- 1997-06-04 JP JP9146830A patent/JPH10340431A/ja active Pending
- 1997-10-24 US US08/957,188 patent/US6087026A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6087026A (en) | 2000-07-11 |
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