JPH10303089A - 張り合わせ基板の製造方法 - Google Patents
張り合わせ基板の製造方法Info
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- JPH10303089A JPH10303089A JP10056265A JP5626598A JPH10303089A JP H10303089 A JPH10303089 A JP H10303089A JP 10056265 A JP10056265 A JP 10056265A JP 5626598 A JP5626598 A JP 5626598A JP H10303089 A JPH10303089 A JP H10303089A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ボイド発生を防ぎ、張り合わせ熱処理時間を
短縮でき、過度の熱ストレス、汚染、ＯＳＦが発生しに
くい張り合わせ基板の製造方法を提供する。 【解決手段】 活性層用Ａ板と支持用Ｂ板はともにＳＣ
１洗浄後、希ＨＦ洗浄（ＨＦ：Ｈ2Ｏ＝１：５０〜４０
０）を施す。希ＨＦ洗浄によりウェーハ表面がいったん
Ｓｉ−Ｆ結合となる。Ｓｉ−Ｆ結合は分極によりＨＦの
攻撃を受け易い。よって、ウェーハ表面のＳｉはＳｉＦ
4となって脱離し、ウェーハ表面はＨ基により終端され
る。次に、両鏡面を室温で重ね合わせた後、８８０〜１
１００℃で２０〜１２０分間張り合わせ熱処理を施す。
Ｓｉ表面はＨ基の終端のため、張り合わせ熱処理時にＨ
2が生じ、その界面から抜けてしまう。張り合わせ熱処
理時間を短縮でき、かつ、基板の汚染やＯＳＦを排除で
きる。
短縮でき、過度の熱ストレス、汚染、ＯＳＦが発生しに
くい張り合わせ基板の製造方法を提供する。 【解決手段】 活性層用Ａ板と支持用Ｂ板はともにＳＣ
１洗浄後、希ＨＦ洗浄（ＨＦ：Ｈ2Ｏ＝１：５０〜４０
０）を施す。希ＨＦ洗浄によりウェーハ表面がいったん
Ｓｉ−Ｆ結合となる。Ｓｉ−Ｆ結合は分極によりＨＦの
攻撃を受け易い。よって、ウェーハ表面のＳｉはＳｉＦ
4となって脱離し、ウェーハ表面はＨ基により終端され
る。次に、両鏡面を室温で重ね合わせた後、８８０〜１
１００℃で２０〜１２０分間張り合わせ熱処理を施す。
Ｓｉ表面はＨ基の終端のため、張り合わせ熱処理時にＨ
2が生じ、その界面から抜けてしまう。張り合わせ熱処
理時間を短縮でき、かつ、基板の汚染やＯＳＦを排除で
きる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は張り合わせ基板の
製造方法、特にパワー素子、複合素子などに使用される
張り合わせ基板の製造方法に関する。
製造方法、特にパワー素子、複合素子などに使用される
張り合わせ基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、シリコンウェーハ同士を張り合
わせるには、ＯＨ基を持った表面が必要とされている。
ウェーハ表面をこのように制御・形成するには、ＳＣ１
（Ｓｔａｎｄａｒｄ Ｃｌｅａｎｉｎｇ １）洗浄液を
用いて洗浄して表面に自然酸化膜を形成する。または、
この後、表面のｃｏｎｃ．ＨＦ処理を行い、表面にＳｉ
−Ｆ結合をいったん生じさせ、その後純水リンスにより
ＦをＯＨ基に置換していた（特開平５−１９８５４９号
公報）。したがって、張り合わせ強化熱処理は、ＯＨ基
により終端されたシリコン面（張り合わせ面）に対して
行われる。よって、この熱処理時、Ｈ2Ｏが張り合わせ
界面から抜け出る際に凝集してウェーハ外周部にボイド
が発生し易くなり、良品基板の収率が悪くなっていた。
わせるには、ＯＨ基を持った表面が必要とされている。
ウェーハ表面をこのように制御・形成するには、ＳＣ１
（Ｓｔａｎｄａｒｄ Ｃｌｅａｎｉｎｇ １）洗浄液を
用いて洗浄して表面に自然酸化膜を形成する。または、
この後、表面のｃｏｎｃ．ＨＦ処理を行い、表面にＳｉ
−Ｆ結合をいったん生じさせ、その後純水リンスにより
ＦをＯＨ基に置換していた（特開平５−１９８５４９号
公報）。したがって、張り合わせ強化熱処理は、ＯＨ基
により終端されたシリコン面（張り合わせ面）に対して
行われる。よって、この熱処理時、Ｈ2Ｏが張り合わせ
界面から抜け出る際に凝集してウェーハ外周部にボイド
が発生し易くなり、良品基板の収率が悪くなっていた。
【０００３】そこで、これを回避するために、張り合わ
せ基板を２時間近くも１２００℃程度の高温の雰囲気中
に晒しておかなければならなかった。具体的には、上記
ＳＣ１洗浄処理したシリコンウェーハの鏡面同士を室温
のクリーンルーム内にて重ね合わせて密着させる。そし
て、この重ね合わされて一体化した張り合わせ基板を、
１２００℃程度で２時間保持する。
せ基板を２時間近くも１２００℃程度の高温の雰囲気中
に晒しておかなければならなかった。具体的には、上記
ＳＣ１洗浄処理したシリコンウェーハの鏡面同士を室温
のクリーンルーム内にて重ね合わせて密着させる。そし
て、この重ね合わされて一体化した張り合わせ基板を、
１２００℃程度で２時間保持する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の張り合わせ基板の製造方法にあっては、重ね
合わせ後の熱処理を１１００℃を越える高温度で行って
いたため、以下の不具合が生じていた。すなわち、近
時、デバイスプロセスにあっては低温化の要請が高まっ
ている。例えば誘電体分離基板、選択研磨を施した基
板、ＶＤＭＯＳ用の基板などをこの張り合わせの方法を
用いて作製することがあった。このようなパターン付き
ウェーハを張り合わせるとき、上記高温熱処理ではパタ
ーンの伸縮量が大きくなっていたという不具合があっ
た。また、このような高温熱処理では、張り合わせ基板
の活性層部分にＯＳＦ（Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ Ｉｎｄｕ
ｃｅｄ Ｓｔａｃｋｉｎｇ Ｆａｕｌｔ）を発生させる
おそれがあった。
うな従来の張り合わせ基板の製造方法にあっては、重ね
合わせ後の熱処理を１１００℃を越える高温度で行って
いたため、以下の不具合が生じていた。すなわち、近
時、デバイスプロセスにあっては低温化の要請が高まっ
ている。例えば誘電体分離基板、選択研磨を施した基
板、ＶＤＭＯＳ用の基板などをこの張り合わせの方法を
用いて作製することがあった。このようなパターン付き
ウェーハを張り合わせるとき、上記高温熱処理ではパタ
ーンの伸縮量が大きくなっていたという不具合があっ
た。また、このような高温熱処理では、張り合わせ基板
の活性層部分にＯＳＦ（Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ Ｉｎｄｕ
ｃｅｄ Ｓｔａｃｋｉｎｇ Ｆａｕｌｔ）を発生させる
おそれがあった。
【０００５】
【発明の目的】そこで、この発明の目的は、低温熱処理
により張り合わせ基板を作製する方法を提供するもので
ある。また、この発明の目的は、過度の熱ストレス、例
えばパターンずれなどが生じていない張り合わせ基板を
製造することである。また、この発明の目的は、汚染お
よびＯＳＦが生じない張り合わせ基板を提供することで
ある。さらに、この発明は、ボイド発生が少ない張り合
わせ基板を提供することを、その目的としている。ま
た、短時間の熱処理で張り合わせ基板を作製可能とする
ことを、その目的としている。
により張り合わせ基板を作製する方法を提供するもので
ある。また、この発明の目的は、過度の熱ストレス、例
えばパターンずれなどが生じていない張り合わせ基板を
製造することである。また、この発明の目的は、汚染お
よびＯＳＦが生じない張り合わせ基板を提供することで
ある。さらに、この発明は、ボイド発生が少ない張り合
わせ基板を提供することを、その目的としている。ま
た、短時間の熱処理で張り合わせ基板を作製可能とする
ことを、その目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、第１のシリコンウェーハと第２のシリコンウェーハ
とを準備する工程と、これらの第１のシリコンウェーハ
および第２のシリコンウェーハの各表面に希ＨＦ洗浄を
施す工程と、第１のシリコンウェーハと第２のシリコン
ウェーハとを重ね合わせる工程と、この重ね合わせたシ
リコンウェーハ同士を８８０〜１１００℃で２０〜１２
０分間熱処理することにより、張り合わせ基板を製造す
る工程とを含む張り合わせ基板の製造方法である。この
温度条件としたのは、８８０℃未満ではボイド発生率が
増大するからである。また、１１００℃を超えると、加
熱温度が高すぎて、パターンずれなどの過度の熱ストレ
ス、炉からの汚染、ＯＳＦが発生し易くなるからであ
る。好ましい熱処理時間は２０〜１２０分間であり、２
０分間未満では熱処理時間が短か過ぎてシリコンウェー
ハの張り合わせ界面にボイドが発生し易くなる。また、
１２０分間を超えるとＯＳＦの発生が多くなる。また、
ここでいう希ＨＦ洗浄とは、一般的なシリコンウェーハ
のＨＦ洗浄よりも低濃度のＨＦ（フッ酸）を用いた洗浄
を意味する。
は、第１のシリコンウェーハと第２のシリコンウェーハ
とを準備する工程と、これらの第１のシリコンウェーハ
および第２のシリコンウェーハの各表面に希ＨＦ洗浄を
施す工程と、第１のシリコンウェーハと第２のシリコン
ウェーハとを重ね合わせる工程と、この重ね合わせたシ
リコンウェーハ同士を８８０〜１１００℃で２０〜１２
０分間熱処理することにより、張り合わせ基板を製造す
る工程とを含む張り合わせ基板の製造方法である。この
温度条件としたのは、８８０℃未満ではボイド発生率が
増大するからである。また、１１００℃を超えると、加
熱温度が高すぎて、パターンずれなどの過度の熱ストレ
ス、炉からの汚染、ＯＳＦが発生し易くなるからであ
る。好ましい熱処理時間は２０〜１２０分間であり、２
０分間未満では熱処理時間が短か過ぎてシリコンウェー
ハの張り合わせ界面にボイドが発生し易くなる。また、
１２０分間を超えるとＯＳＦの発生が多くなる。また、
ここでいう希ＨＦ洗浄とは、一般的なシリコンウェーハ
のＨＦ洗浄よりも低濃度のＨＦ（フッ酸）を用いた洗浄
を意味する。
【０００７】請求項２に記載の発明は、第１のシリコン
ウェーハと第２のシリコンウェーハとの間に絶縁膜を介
在させたＳＯＩ基板を張り合わせにより製造する張り合
わせ基板の製造方法において、第１のシリコンウェーハ
および第２のシリコンウェーハの各表面に希ＨＦ洗浄を
施す工程と、第１のシリコンウェーハと第２のシリコン
ウェーハとを、それらの間に絶縁膜を介在させて重ね合
わせる工程と、重ね合わせた後、８８０〜１１００℃の
温度で、２０〜１２０分間の条件で熱処理することによ
り、張り合わせ基板を製造する工程とを備えた張り合わ
せ基板の製造方法である。これらの温度条件、熱処理時
間については請求項１に記載の発明の場合と同じ理由に
よる。
ウェーハと第２のシリコンウェーハとの間に絶縁膜を介
在させたＳＯＩ基板を張り合わせにより製造する張り合
わせ基板の製造方法において、第１のシリコンウェーハ
および第２のシリコンウェーハの各表面に希ＨＦ洗浄を
施す工程と、第１のシリコンウェーハと第２のシリコン
ウェーハとを、それらの間に絶縁膜を介在させて重ね合
わせる工程と、重ね合わせた後、８８０〜１１００℃の
温度で、２０〜１２０分間の条件で熱処理することによ
り、張り合わせ基板を製造する工程とを備えた張り合わ
せ基板の製造方法である。これらの温度条件、熱処理時
間については請求項１に記載の発明の場合と同じ理由に
よる。
【０００８】請求項３に記載の発明は、鏡面研磨された
ポリシリコン層を表面に有する第１のシリコンウェーハ
を準備する工程と、第２のシリコンウェーハを準備する
工程と、これらの第１のシリコンウェーハおよび第２の
シリコンウェーハの各表面に希ＨＦ洗浄を施す工程と、
第１のシリコンウェーハのポリシリコン層を第２のシリ
コンウェーハの表面に重ね合わせる工程と、重ね合わせ
た後、これらを８８０〜１１００℃で、２０〜１２０分
間熱処理することにより張り合わせ基板を製造する工程
とを備えた張り合わせ基板の製造方法である。ここでい
うポリシリコン層を表面に有する第１のシリコンウェー
ハには、活性層用ウェーハの場合と、支持基板用ウェー
ハの場合の両方を含む。なお、第１のシリコンウェーハ
と第２のシリコンウェーハの両方が、ポリシリコン層を
有するものであってもこの発明の効果が得られる。ま
た、上記温度条件、熱処理時間とした理由は、請求項１
に記載の発明の場合と同じである。
ポリシリコン層を表面に有する第１のシリコンウェーハ
を準備する工程と、第２のシリコンウェーハを準備する
工程と、これらの第１のシリコンウェーハおよび第２の
シリコンウェーハの各表面に希ＨＦ洗浄を施す工程と、
第１のシリコンウェーハのポリシリコン層を第２のシリ
コンウェーハの表面に重ね合わせる工程と、重ね合わせ
た後、これらを８８０〜１１００℃で、２０〜１２０分
間熱処理することにより張り合わせ基板を製造する工程
とを備えた張り合わせ基板の製造方法である。ここでい
うポリシリコン層を表面に有する第１のシリコンウェー
ハには、活性層用ウェーハの場合と、支持基板用ウェー
ハの場合の両方を含む。なお、第１のシリコンウェーハ
と第２のシリコンウェーハの両方が、ポリシリコン層を
有するものであってもこの発明の効果が得られる。ま
た、上記温度条件、熱処理時間とした理由は、請求項１
に記載の発明の場合と同じである。
【０００９】請求項４に記載の発明は、表面にポリシリ
コン層を有する第１のシリコンウェーハを準備する工程
と、表面に絶縁膜を有する第２のシリコンウェーハを準
備する工程と、これらの第１のシリコンウェーハのポリ
シリコン層表面および第２のシリコンウェーハの絶縁膜
表面にそれぞれ希ＨＦ洗浄を施す工程と、第１のシリコ
ンウェーハのポリシリコン層と第２のシリコンウェーハ
の絶縁膜とを重ね合わせる工程と、重ね合わせた後、こ
れらを８８０〜１１００℃で、２０〜１２０分間熱処理
することにより張り合わせ基板を製造する工程とを備え
た張り合わせ基板の製造方法である。これらの温度条
件、熱処理時間の限定は、請求項１に記載の発明の場合
と同じ理由による。
コン層を有する第１のシリコンウェーハを準備する工程
と、表面に絶縁膜を有する第２のシリコンウェーハを準
備する工程と、これらの第１のシリコンウェーハのポリ
シリコン層表面および第２のシリコンウェーハの絶縁膜
表面にそれぞれ希ＨＦ洗浄を施す工程と、第１のシリコ
ンウェーハのポリシリコン層と第２のシリコンウェーハ
の絶縁膜とを重ね合わせる工程と、重ね合わせた後、こ
れらを８８０〜１１００℃で、２０〜１２０分間熱処理
することにより張り合わせ基板を製造する工程とを備え
た張り合わせ基板の製造方法である。これらの温度条
件、熱処理時間の限定は、請求項１に記載の発明の場合
と同じ理由による。
【００１０】請求項５に記載の発明は、上記第１のシリ
コンウェーハはパターン形成層をポリシリコン層で被覆
している請求項３または請求項４に記載の張り合わせ基
板の製造方法である。
コンウェーハはパターン形成層をポリシリコン層で被覆
している請求項３または請求項４に記載の張り合わせ基
板の製造方法である。
【００１１】請求項６に記載の発明は、上記熱処理は、
酸素雰囲気または窒素ガス雰囲気で行う請求項１〜請求
項５のいずれか１項に記載の張り合わせ基板の製造方法
である。
酸素雰囲気または窒素ガス雰囲気で行う請求項１〜請求
項５のいずれか１項に記載の張り合わせ基板の製造方法
である。
【００１２】請求項７に記載の発明は、上記希ＨＦ洗浄
に使用される洗浄液は、ＨＦ：Ｈ2Ｏ＝１：Ｘとしたと
き、５０≦Ｘ≦４００である請求項１〜請求項６のいず
れか１項に記載の張り合わせ基板の製造方法である。Ｘ
の値をこの範囲としたのは、Ｘが５０未満では、ウェー
ハ表面のＳｉ−Ｆ結合のＦがＯＨ基に置換した場合に、
ＯＨ基の比率が高くなりすぎて、ウェーハ外周部でのボ
イド発生率が増大するからである。また、Ｘが４００を
越えると、自然酸化膜の除去に時間がかかりすぎるから
である。
に使用される洗浄液は、ＨＦ：Ｈ2Ｏ＝１：Ｘとしたと
き、５０≦Ｘ≦４００である請求項１〜請求項６のいず
れか１項に記載の張り合わせ基板の製造方法である。Ｘ
の値をこの範囲としたのは、Ｘが５０未満では、ウェー
ハ表面のＳｉ−Ｆ結合のＦがＯＨ基に置換した場合に、
ＯＨ基の比率が高くなりすぎて、ウェーハ外周部でのボ
イド発生率が増大するからである。また、Ｘが４００を
越えると、自然酸化膜の除去に時間がかかりすぎるから
である。
【００１３】
【作用】請求項１に記載の発明では、まず、第１のシリ
コンウェーハ（ＰＷ：鏡面ウェーハ）および第２のシリ
コンウェーハ（ＰＷ）を準備する。これらのシリコンウ
ェーハは、いずれも少なくともＳＣ１液中に浸して洗浄
を行い、最後に希ＨＦ洗浄を施しておく。希ＨＦ洗浄す
ることにより、まずＨＦ分子がウェーハ表面のＳｉ−Ｏ
結合と反応して、Ｓｉ−Ｆ結合を形成する。このＳｉ−
Ｆ結合は分極しているので、ＨＦの攻撃を受け易く、こ
れによりウェーハ表面のＳｉはＳｉＦ4として脱離して
Ｓｉ表面はＨ基により終端される。次に、これらの第１
のシリコンウェーハと第２のシリコンウェーハとを例え
ば室温にて重ね合わせる。これらのシリコンウェーハの
鏡面同士を密着させるものである。そして、この重ね合
わせたウェーハを８８０〜１１００℃の温度で２０〜１
２０分間熱処理する。この結果、ボイドが発生していな
い張り合わせ基板を作製することができる。Ｈ2が張り
合わせ界面から容易に離脱することができるからであ
る。これは、Ｈ2は体積が非常に小さいからである。こ
の低温熱処理の結果、張り合わせ基板において、過度の
熱ストレス、汚染が起き難く、ＯＳＦも発生しにくい。
コンウェーハ（ＰＷ：鏡面ウェーハ）および第２のシリ
コンウェーハ（ＰＷ）を準備する。これらのシリコンウ
ェーハは、いずれも少なくともＳＣ１液中に浸して洗浄
を行い、最後に希ＨＦ洗浄を施しておく。希ＨＦ洗浄す
ることにより、まずＨＦ分子がウェーハ表面のＳｉ−Ｏ
結合と反応して、Ｓｉ−Ｆ結合を形成する。このＳｉ−
Ｆ結合は分極しているので、ＨＦの攻撃を受け易く、こ
れによりウェーハ表面のＳｉはＳｉＦ4として脱離して
Ｓｉ表面はＨ基により終端される。次に、これらの第１
のシリコンウェーハと第２のシリコンウェーハとを例え
ば室温にて重ね合わせる。これらのシリコンウェーハの
鏡面同士を密着させるものである。そして、この重ね合
わせたウェーハを８８０〜１１００℃の温度で２０〜１
２０分間熱処理する。この結果、ボイドが発生していな
い張り合わせ基板を作製することができる。Ｈ2が張り
合わせ界面から容易に離脱することができるからであ
る。これは、Ｈ2は体積が非常に小さいからである。こ
の低温熱処理の結果、張り合わせ基板において、過度の
熱ストレス、汚染が起き難く、ＯＳＦも発生しにくい。
【００１４】請求項２に記載の発明では、第１のシリコ
ンウェーハと第２のシリコンウェーハとの間に絶縁膜を
介在させて重ね合わせるものとする。すなわち、まず、
これらのシリコンウェーハには、ＳＣ１、希ＨＦの各洗
浄を施しておく。そして、これらのシリコンウェーハ
（表面は鏡面）を絶縁膜を介在させて重ね合わせた状態
で、８８０〜１１００℃の温度で、２０〜１２０分間の
条件で熱処理する。この結果、張り合わせによるＳＯＩ
基板を製造することができる。
ンウェーハと第２のシリコンウェーハとの間に絶縁膜を
介在させて重ね合わせるものとする。すなわち、まず、
これらのシリコンウェーハには、ＳＣ１、希ＨＦの各洗
浄を施しておく。そして、これらのシリコンウェーハ
（表面は鏡面）を絶縁膜を介在させて重ね合わせた状態
で、８８０〜１１００℃の温度で、２０〜１２０分間の
条件で熱処理する。この結果、張り合わせによるＳＯＩ
基板を製造することができる。
【００１５】請求項３に記載の発明では、まず、表面を
鏡面研磨したポリシリコン層をその表面に有する第１の
シリコンウェーハを準備する。また、表面が鏡面研磨さ
れた第２のシリコンウェーハを準備する。そして、これ
らのシリコンウェーハの表面（鏡面）には、それぞれＳ
Ｃ１洗浄後希ＨＦ洗浄を施しておく。次に、この第１の
シリコンウェーハのポリシリコン層を第２のシリコンウ
ェーハの表面に重ね合わせ、密着させる。鏡面同士を密
着させるものである。この重ね合わせは、例えばクリー
ンルーム内の室温で行う。そして、重ね合わせた後、こ
れを８８０〜１１００℃で、２０〜１２０分間熱処理す
る。この結果、ポリシリコン層をシリコン層とシリコン
層との間に介在させた張り合わせ基板を作製することが
できる。２０分間未満の熱処理では、接合した界面にボ
イド（未接合部）が発生するからである。１２０分を越
えると、ポリシリコン層の伸縮量が大きくなり過ぎるか
らである。
鏡面研磨したポリシリコン層をその表面に有する第１の
シリコンウェーハを準備する。また、表面が鏡面研磨さ
れた第２のシリコンウェーハを準備する。そして、これ
らのシリコンウェーハの表面（鏡面）には、それぞれＳ
Ｃ１洗浄後希ＨＦ洗浄を施しておく。次に、この第１の
シリコンウェーハのポリシリコン層を第２のシリコンウ
ェーハの表面に重ね合わせ、密着させる。鏡面同士を密
着させるものである。この重ね合わせは、例えばクリー
ンルーム内の室温で行う。そして、重ね合わせた後、こ
れを８８０〜１１００℃で、２０〜１２０分間熱処理す
る。この結果、ポリシリコン層をシリコン層とシリコン
層との間に介在させた張り合わせ基板を作製することが
できる。２０分間未満の熱処理では、接合した界面にボ
イド（未接合部）が発生するからである。１２０分を越
えると、ポリシリコン層の伸縮量が大きくなり過ぎるか
らである。
【００１６】請求項４に記載の発明では、まず、ポリシ
リコン層を有する第１のシリコンウェーハを準備する。
また、表面に絶縁膜を有する第２のシリコンウェーハを
準備する。そして、これらのシリコンウェーハの表面に
は、つまりポリシリコン層表面および絶縁膜表面にそれ
ぞれ希ＨＦ洗浄を施しておく。次に、この第１のシリコ
ンウェーハのポリシリコン層の表面と第２のシリコンウ
ェーハの絶縁層表面同士を重ね合わせ、例えば室温で密
着させる。そして、重ね合わせた後、これらを８８０〜
１１００℃で、２０〜１２０分間熱処理する。希ＨＦ洗
浄によりウェーハ表面がＨ基で終端されているので、張
り合わせ熱処理によりその界面にＨ2が生じる。ところ
が、Ｈ2は体積が非常に小さく、熱処理の時間が比較的
短くても張り合わせ界面から抜け出やすい。この結果、
ウェーハ外周部にボイドが発生しにくく、かつ、汚染や
ＯＳＦも起きにくい、ポリシリコン層を有する張り合わ
せ基板を、良好な生産性により作製することができる。
リコン層を有する第１のシリコンウェーハを準備する。
また、表面に絶縁膜を有する第２のシリコンウェーハを
準備する。そして、これらのシリコンウェーハの表面に
は、つまりポリシリコン層表面および絶縁膜表面にそれ
ぞれ希ＨＦ洗浄を施しておく。次に、この第１のシリコ
ンウェーハのポリシリコン層の表面と第２のシリコンウ
ェーハの絶縁層表面同士を重ね合わせ、例えば室温で密
着させる。そして、重ね合わせた後、これらを８８０〜
１１００℃で、２０〜１２０分間熱処理する。希ＨＦ洗
浄によりウェーハ表面がＨ基で終端されているので、張
り合わせ熱処理によりその界面にＨ2が生じる。ところ
が、Ｈ2は体積が非常に小さく、熱処理の時間が比較的
短くても張り合わせ界面から抜け出やすい。この結果、
ウェーハ外周部にボイドが発生しにくく、かつ、汚染や
ＯＳＦも起きにくい、ポリシリコン層を有する張り合わ
せ基板を、良好な生産性により作製することができる。
【００１７】請求項５に記載の発明では、上記第１のシ
リコンウェーハにパターン層を形成しておく。このパタ
ーン層をポリシリコン層で被覆し、ポリシリコン層表面
を鏡面研磨しておく。この第１のシリコンウェーハを第
２のシリコンウェーハと重ね合わせ、熱処理する。熱処
理温度は８８０〜１１００℃と比較的低温であり、しか
も、熱処理時間も２０〜１２０分間と比較的短いので、
パターンずれなどの過度の熱ストレスが少ない、パター
ン形成層をシリコン層間に介在させた張り合わせ基板を
作製することができる。
リコンウェーハにパターン層を形成しておく。このパタ
ーン層をポリシリコン層で被覆し、ポリシリコン層表面
を鏡面研磨しておく。この第１のシリコンウェーハを第
２のシリコンウェーハと重ね合わせ、熱処理する。熱処
理温度は８８０〜１１００℃と比較的低温であり、しか
も、熱処理時間も２０〜１２０分間と比較的短いので、
パターンずれなどの過度の熱ストレスが少ない、パター
ン形成層をシリコン層間に介在させた張り合わせ基板を
作製することができる。
【００１８】請求項６に記載の発明では、上記熱処理
は、酸素雰囲気または窒素ガス雰囲気で行うものとす
る。ドライＯ2雰囲気でもよく、ウェットＯ2雰囲気でも
よい。または、Ｎ2ガス雰囲気での加熱でもよい。
は、酸素雰囲気または窒素ガス雰囲気で行うものとす
る。ドライＯ2雰囲気でもよく、ウェットＯ2雰囲気でも
よい。または、Ｎ2ガス雰囲気での加熱でもよい。
【００１９】請求項７に記載の発明では、上記希ＨＦ洗
浄に使用される洗浄液は、ＨＦ：Ｈ2Ｏ＝１：Ｘとした
とき、５０≦Ｘ≦４００としたものである。上記第１の
シリコンウェーハと第２のシリコンウェーハとを重ね合
わせる前に、これらのシリコンウェーハの表面に上記範
囲のＨＦ洗浄液を用いた希ＨＦ洗浄を施しておく。この
結果、通常のＨＦ洗浄に比べて、シリコンウェーハの張
り合わせ面のＯＨ基の密度が小さくなり、よって張り合
わせ熱処理後の張り合わせ界面に発生するＨ2Ｏの量が
少なくなる。よって、張り合わせ基板の周辺部へのボイ
ドの発生率をより低減することができることとなる。
浄に使用される洗浄液は、ＨＦ：Ｈ2Ｏ＝１：Ｘとした
とき、５０≦Ｘ≦４００としたものである。上記第１の
シリコンウェーハと第２のシリコンウェーハとを重ね合
わせる前に、これらのシリコンウェーハの表面に上記範
囲のＨＦ洗浄液を用いた希ＨＦ洗浄を施しておく。この
結果、通常のＨＦ洗浄に比べて、シリコンウェーハの張
り合わせ面のＯＨ基の密度が小さくなり、よって張り合
わせ熱処理後の張り合わせ界面に発生するＨ2Ｏの量が
少なくなる。よって、張り合わせ基板の周辺部へのボイ
ドの発生率をより低減することができることとなる。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下この発明の実施例を図面を参
照して説明する。図１はこの発明の第１実施例に係る張
り合わせ基板の製造方法を示すフローシートである。図
２は第１実施例に係る張り合わせ基板のボイド発生率を
示すグラフである。
照して説明する。図１はこの発明の第１実施例に係る張
り合わせ基板の製造方法を示すフローシートである。図
２は第１実施例に係る張り合わせ基板のボイド発生率を
示すグラフである。
【００２１】この第１実施例では、シリコンウェーハ同
士（シリコン面同士）を直接張り合わせるものとする。
図１において示すように、この場合、２枚の鏡面研磨シ
リコンウェーハ（活性層用Ａ板，支持層用Ｂ板）１１，
１２には、ともに、ＳＣ１洗後、希ＨＦ洗浄（ＨＦ：Ｈ
2Ｏ＝１：５０〜４００）を施しておく。希ＨＦ洗浄に
より、ＨＦ分子がウェーハ表面のＳｉ−Ｏ結合と反応
し、Ｓｉ−Ｆ結合となる。このＳｉ−Ｆ結合は分極して
いるのでＨＦの攻撃を受け易く、これによりウェーハ表
面のＳｉはＳｉＦ4 となって脱離し、ウェーハ表面は
Ｈ基により終端される。そして、これらの鏡面同士を重
ね合わせた室温での張り合わせ後、張り合わせ基板１３
に対して張り合わせ熱処理を施す。この熱処理温度は８
８０〜１１００℃で、時間は１２０分とする。熱処理は
Ｎ2ガス雰囲気で行った。
士（シリコン面同士）を直接張り合わせるものとする。
図１において示すように、この場合、２枚の鏡面研磨シ
リコンウェーハ（活性層用Ａ板，支持層用Ｂ板）１１，
１２には、ともに、ＳＣ１洗後、希ＨＦ洗浄（ＨＦ：Ｈ
2Ｏ＝１：５０〜４００）を施しておく。希ＨＦ洗浄に
より、ＨＦ分子がウェーハ表面のＳｉ−Ｏ結合と反応
し、Ｓｉ−Ｆ結合となる。このＳｉ−Ｆ結合は分極して
いるのでＨＦの攻撃を受け易く、これによりウェーハ表
面のＳｉはＳｉＦ4 となって脱離し、ウェーハ表面は
Ｈ基により終端される。そして、これらの鏡面同士を重
ね合わせた室温での張り合わせ後、張り合わせ基板１３
に対して張り合わせ熱処理を施す。この熱処理温度は８
８０〜１１００℃で、時間は１２０分とする。熱処理は
Ｎ2ガス雰囲気で行った。
【００２２】この際、希ＨＦ洗浄によりシリコンウェー
ハ表面がＨ基で終端されているので、張り合わせ熱処理
により張り合わせ界面にはＨ2が生じる。Ｈ2は体積が非
常に小さい。よって、この張り合わせ界面で生じたＨ2
は、熱処理時間が比較的短くても、その張り合わせ界面
から抜け出やすい。さらにこの後、超音波照射によるボ
イド検査を行い、また、面取り、Ａ板の研削・研磨によ
りＡ板を所定厚さとし、洗浄することとなる。
ハ表面がＨ基で終端されているので、張り合わせ熱処理
により張り合わせ界面にはＨ2が生じる。Ｈ2は体積が非
常に小さい。よって、この張り合わせ界面で生じたＨ2
は、熱処理時間が比較的短くても、その張り合わせ界面
から抜け出やすい。さらにこの後、超音波照射によるボ
イド検査を行い、また、面取り、Ａ板の研削・研磨によ
りＡ板を所定厚さとし、洗浄することとなる。
【００２３】図２には張り合わせ熱処理温度とボイド発
生率との関係を示している。このグラフに示すように、
８８０℃以上の熱処理ではボイド発生率が低減された。
このボイド発生率は上記超音波照射による検査（超音波
探傷法）に基づいている。また、熱処理温度は比較的低
温寄りの温度（８８０〜１１００℃）に設定されている
ので、１２０分間という比較的短時間の熱処理であって
も、張り合わせ基板の汚染（熱処理炉からの重金属汚染
など）が起きにくい。また、ＯＳＦが発生しにくい。こ
のＯＳＦの測定は公知の方法で行った。すなわち、セコ
エッチング等の選択的なエッチング後、顕微鏡観察する
測定方法により行った。
生率との関係を示している。このグラフに示すように、
８８０℃以上の熱処理ではボイド発生率が低減された。
このボイド発生率は上記超音波照射による検査（超音波
探傷法）に基づいている。また、熱処理温度は比較的低
温寄りの温度（８８０〜１１００℃）に設定されている
ので、１２０分間という比較的短時間の熱処理であって
も、張り合わせ基板の汚染（熱処理炉からの重金属汚染
など）が起きにくい。また、ＯＳＦが発生しにくい。こ
のＯＳＦの測定は公知の方法で行った。すなわち、セコ
エッチング等の選択的なエッチング後、顕微鏡観察する
測定方法により行った。
【００２４】図３にはこの発明の第２実施例を示す。こ
の実施例では、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓ
ｕｌａｔｏｒ）基板作製の手順を示す。使用するシリコ
ンウェーハは、活性層用のＡ板、支持用のＢ板のいずれ
か一方の鏡面に所定厚さの酸化膜を被着しておくものと
する。Ａ板またはＢ板の表面に所定厚さのＳｉＯ2膜を
形成し、これらを重ね合わせることにより、張り合わせ
ＳＯＩ基板を作製する。これらのシリコンウェーハは、
ともに、ＳＣｌ洗浄、リンス、希ＨＦ洗浄（ＨＦ：Ｈ2
Ｏ＝１：５０〜４００）、純水リンスを経て、重ね合わ
される。または、活性層用の酸化膜を有するシリコンウ
ェーハでは、ＳＣｌ洗浄を施しておくこともできる。こ
のＳＣ１洗浄で酸化膜上のパーティクルを除去しておく
ことができるからである。張り合わせは、室温で行い、
その後の熱処理は、８８０〜１１００℃で、２０〜１２
０分間行うものとする。熱処理後の活性層の研削・研磨
等は上記実施例と同様とする。この実施例にあっても上
記実施例と同様にボイド発生が少ないＳＯＩ基板を作製
することができる。
の実施例では、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓ
ｕｌａｔｏｒ）基板作製の手順を示す。使用するシリコ
ンウェーハは、活性層用のＡ板、支持用のＢ板のいずれ
か一方の鏡面に所定厚さの酸化膜を被着しておくものと
する。Ａ板またはＢ板の表面に所定厚さのＳｉＯ2膜を
形成し、これらを重ね合わせることにより、張り合わせ
ＳＯＩ基板を作製する。これらのシリコンウェーハは、
ともに、ＳＣｌ洗浄、リンス、希ＨＦ洗浄（ＨＦ：Ｈ2
Ｏ＝１：５０〜４００）、純水リンスを経て、重ね合わ
される。または、活性層用の酸化膜を有するシリコンウ
ェーハでは、ＳＣｌ洗浄を施しておくこともできる。こ
のＳＣ１洗浄で酸化膜上のパーティクルを除去しておく
ことができるからである。張り合わせは、室温で行い、
その後の熱処理は、８８０〜１１００℃で、２０〜１２
０分間行うものとする。熱処理後の活性層の研削・研磨
等は上記実施例と同様とする。この実施例にあっても上
記実施例と同様にボイド発生が少ないＳＯＩ基板を作製
することができる。
【００２５】図４にはこの発明の第３実施例を示す。こ
の第３実施例では間にポリシリコン膜を介在させたシリ
コンウェーハ同士の張り合わせを示す。まず、活性層用
の第１のシリコンウェーハ（Ａ板）と、ポリシリコン膜
を被着した第２のシリコンウェーハ（Ｂ板）とを準備す
る。この第１のシリコンウェーハは一面に鏡面研磨を施
したＣＺウェーハとする。また、第２のシリコンウェー
ハは、例えばＣＶＤにより所定厚さのポリシリコン膜を
鏡面ウェーハに被着しておく。次に、これらの第１のシ
リコンウェーハと第２のシリコンウェーハとを、まず、
ＳＣ１液で洗浄し、リンス後、希ＨＦ液で洗浄する。こ
の希ＨＦ洗浄液は、ＨＦ：Ｈ2Ｏ＝１：（５０〜４０
０）とする。また、この洗浄時間はＳｉＯXをウェーハ
表面から除去することができるまでとする。そして、こ
の後、純水による流水リンスを行った。その後の乾燥は
スピンドライで行った。
の第３実施例では間にポリシリコン膜を介在させたシリ
コンウェーハ同士の張り合わせを示す。まず、活性層用
の第１のシリコンウェーハ（Ａ板）と、ポリシリコン膜
を被着した第２のシリコンウェーハ（Ｂ板）とを準備す
る。この第１のシリコンウェーハは一面に鏡面研磨を施
したＣＺウェーハとする。また、第２のシリコンウェー
ハは、例えばＣＶＤにより所定厚さのポリシリコン膜を
鏡面ウェーハに被着しておく。次に、これらの第１のシ
リコンウェーハと第２のシリコンウェーハとを、まず、
ＳＣ１液で洗浄し、リンス後、希ＨＦ液で洗浄する。こ
の希ＨＦ洗浄液は、ＨＦ：Ｈ2Ｏ＝１：（５０〜４０
０）とする。また、この洗浄時間はＳｉＯXをウェーハ
表面から除去することができるまでとする。そして、こ
の後、純水による流水リンスを行った。その後の乾燥は
スピンドライで行った。
【００２６】次いで、この乾燥後３０分以内に、このウ
ェーハを用いて室温で所定条件下に重ね合わせて接着し
た。第１のシリコンウェーハと第２のシリコンウェーハ
とを張り合わせるものである。なお、この張り合わせは
室温で行う。そして、この張り合わせた基板を熱処理す
る。例えば８８０〜１１００℃、２０〜１２０分間、ド
ライＯ2雰囲気で加熱する。そして、この張り合わせ基
板について、例えば超音波測定などで張り合わせ界面に
ボイドが存在しないかを、検査・確認した。この実施例
にあっても上記各実施例と同様にボイド発生が低減され
た張り合わせ基板を得ることができる。
ェーハを用いて室温で所定条件下に重ね合わせて接着し
た。第１のシリコンウェーハと第２のシリコンウェーハ
とを張り合わせるものである。なお、この張り合わせは
室温で行う。そして、この張り合わせた基板を熱処理す
る。例えば８８０〜１１００℃、２０〜１２０分間、ド
ライＯ2雰囲気で加熱する。そして、この張り合わせ基
板について、例えば超音波測定などで張り合わせ界面に
ボイドが存在しないかを、検査・確認した。この実施例
にあっても上記各実施例と同様にボイド発生が低減され
た張り合わせ基板を得ることができる。
【００２７】図５はこの発明の第４実施例を示してい
る。この実施例では、ウェーハ表面にパターンを形成
し、これをポリシリコン層２１で被覆したＡ板２２（ポ
リシリコン層表面は鏡面研磨しておく）を、Ｂ板２３に
張り合わせる。ＳＣ１洗浄、リンス、希ＨＦ洗浄、リン
スの後、室温で重ね合わせるものとする。鏡面同士を重
ね合わせるものである。さらに、８８０〜１１００℃で
１２０分間の熱処理を施した後、公知の方法（超音波、
ＩＲなど）でボイド検査を行った。
る。この実施例では、ウェーハ表面にパターンを形成
し、これをポリシリコン層２１で被覆したＡ板２２（ポ
リシリコン層表面は鏡面研磨しておく）を、Ｂ板２３に
張り合わせる。ＳＣ１洗浄、リンス、希ＨＦ洗浄、リン
スの後、室温で重ね合わせるものとする。鏡面同士を重
ね合わせるものである。さらに、８８０〜１１００℃で
１２０分間の熱処理を施した後、公知の方法（超音波、
ＩＲなど）でボイド検査を行った。
【００２８】図６はこの発明の第４実施例に係る張り合
わせ基板でのパターン伸縮率を示すグラフである。この
グラフからわかるように、１１００℃を越えた熱処理で
は伸縮率が上昇する。測定は公知の方法で行った。
わせ基板でのパターン伸縮率を示すグラフである。この
グラフからわかるように、１１００℃を越えた熱処理で
は伸縮率が上昇する。測定は公知の方法で行った。
【００２９】
【発明の効果】この発明によれば、以下の効果を有す
る。 （１）張り合わせ基板に大きな熱ストレスが生じること
がない。 （２）パターンずれなどが生じていない張り合わせ基板
を製造することができる。 （３）張り合わせ基板の汚染も低減される。 （４）ＯＳＦが生じない張り合わせ基板を作製すること
ができる。 （５）張り合わせ基板の張り合わせ界面の濃度プロファ
イルを急峻に変化させることができる。 （６）張り合わせ基板のウェーハ外周部でのボイドの発
生を防止することができる。 （７）熱処理時間も短縮することができる。 （８）生産性の向上を図ることができる。
る。 （１）張り合わせ基板に大きな熱ストレスが生じること
がない。 （２）パターンずれなどが生じていない張り合わせ基板
を製造することができる。 （３）張り合わせ基板の汚染も低減される。 （４）ＯＳＦが生じない張り合わせ基板を作製すること
ができる。 （５）張り合わせ基板の張り合わせ界面の濃度プロファ
イルを急峻に変化させることができる。 （６）張り合わせ基板のウェーハ外周部でのボイドの発
生を防止することができる。 （７）熱処理時間も短縮することができる。 （８）生産性の向上を図ることができる。
【図１】この発明の第１実施例に係る張り合わせ基板の
製造方法を示すフローシートである。
製造方法を示すフローシートである。
【図２】この発明の第１実施例に係る張り合わせ基板の
ボイド発生率、ＯＳＦ発生率を示すグラフである。
ボイド発生率、ＯＳＦ発生率を示すグラフである。
【図３】この発明の第２実施例に係る張り合わせ基板の
製造方法を示すフローシートである。
製造方法を示すフローシートである。
【図４】この発明の第３実施例に係る張り合わせ基板の
製造方法を示すフローシートである。
製造方法を示すフローシートである。
【図５】この発明の第４実施例に係る張り合わせ基板の
製造方法を示すフローシートである。
製造方法を示すフローシートである。
【図６】この発明の第４実施例に係る張り合わせ基板で
のパターンの伸縮率を示すグラフである。
のパターンの伸縮率を示すグラフである。
１１ 第１のシリコンウェーハ、 １２ 第２のシリコンウェーハ、 １３ 張り合わせ基板、 ２１ ポリシリコン膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 谷口 徹 東京都千代田区大手町１丁目５番１号 三 菱マテリアルシリコン株式会社内
Claims (7)
- 【請求項１】 第１のシリコンウェーハと第２のシリコ
ンウェーハとを準備する工程と、 これらの第１のシリコンウェーハおよび第２のシリコン
ウェーハの各表面に希ＨＦ洗浄を施す工程と、 第１のシリコンウェーハと第２のシリコンウェーハとを
重ね合わせる工程と、 この重ね合わせたシリコンウェーハ同士を８８０〜１１
００℃で２０〜１２０分間熱処理することにより、張り
合わせ基板を製造する工程とを含む張り合わせ基板の製
造方法。 - 【請求項２】 第１のシリコンウェーハと第２のシリコ
ンウェーハとの間に絶縁膜を介在させたＳＯＩ基板を張
り合わせにより製造する張り合わせ基板の製造方法にお
いて、 第１のシリコンウェーハおよび第２のシリコン
ウェーハの各表面に希ＨＦ洗浄を施す工程と、 第１のシリコンウェーハと第２のシリコンウェーハと
を、それらの間に絶縁膜を介在させて重ね合わせる工程
と、 重ね合わせた後、８８０〜１１００℃の温度で、２０〜
１２０分間の条件で熱処理することにより、張り合わせ
基板を製造する工程とを備えた張り合わせ基板の製造方
法。 - 【請求項３】 鏡面研磨されたポリシリコン層を表面に
有する第１のシリコンウェーハを準備する工程と、 第２のシリコンウェーハを準備する工程と、 これらの第１のシリコンウェーハおよび第２のシリコン
ウェーハの各表面に希ＨＦ洗浄を施す工程と、 第１のシリコンウェーハのポリシリコン層を第２のシリ
コンウェーハの表面に重ね合わせる工程と、 重ね合わせた後、これらを８８０〜１１００℃で、２０
〜１２０分間熱処理することにより張り合わせ基板を製
造する工程とを備えた張り合わせ基板の製造方法。 - 【請求項４】 表面にポリシリコン層を有する第１のシ
リコンウェーハを準備する工程と、 表面に絶縁膜を有する第２のシリコンウェーハを準備す
る工程と、 これらの第１のシリコンウェーハのポリシリコン層表面
および第２のシリコンウェーハの絶縁膜表面にそれぞれ
希ＨＦ洗浄を施す工程と、 第１のシリコンウェーハのポリシリコン層と第２のシリ
コンウェーハの絶縁膜とを重ね合わせる工程と、 重ね合わせた後、これらを８８０〜１１００℃で、２０
〜１２０分間熱処理することにより張り合わせ基板を製
造する工程とを備えた張り合わせ基板の製造方法。 - 【請求項５】 上記第１のシリコンウェーハはパターン
形成層をポリシリコン層で被覆している請求項３または
請求項４に記載の張り合わせ基板の製造方法。 - 【請求項６】 上記熱処理は、酸素雰囲気または窒素ガ
ス雰囲気で行う請求項１〜請求項５のいずれか１項に記
載の張り合わせ基板の製造方法。 - 【請求項７】 上記希ＨＦ洗浄に使用される洗浄液は、
ＨＦ：Ｈ2Ｏ＝１：Ｘとしたとき、５０≦Ｘ≦４００で
ある請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の張り合
わせ基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05626598A JP3902321B2 (ja) | 1997-02-27 | 1998-02-20 | 張り合わせ基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6186397 | 1997-02-27 | ||
| JP9-61863 | 1997-02-27 | ||
| JP05626598A JP3902321B2 (ja) | 1997-02-27 | 1998-02-20 | 張り合わせ基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10303089A true JPH10303089A (ja) | 1998-11-13 |
| JP3902321B2 JP3902321B2 (ja) | 2007-04-04 |
Family
ID=26397218
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05626598A Expired - Lifetime JP3902321B2 (ja) | 1997-02-27 | 1998-02-20 | 張り合わせ基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3902321B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000286174A (ja) * | 1999-03-30 | 2000-10-13 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | 張り合わせ基板およびその製造方法 |
| JP2000315634A (ja) * | 1999-04-30 | 2000-11-14 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | 張り合わせ用シリコンウェーハおよび張り合わせ基板の製造方法 |
| JP2005079109A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | 貼合せｓｏｉウェーハの製造方法及び該方法により製造された貼合せｓｏｉウェーハ |
| JP2009152248A (ja) * | 2007-12-18 | 2009-07-09 | Seiko Epson Corp | 接合方法、接合体、半導体装置および光電変換素子 |
| US7781309B2 (en) | 2005-12-22 | 2010-08-24 | Sumco Corporation | Method for manufacturing direct bonded SOI wafer and direct bonded SOI wafer manufactured by the method |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04162630A (ja) * | 1990-10-25 | 1992-06-08 | Mitsubishi Materials Shilicon Corp | 半導体基板 |
| JPH05198549A (ja) * | 1991-08-26 | 1993-08-06 | Nippondenso Co Ltd | 半導体基板の製造方法 |
| JPH08250688A (ja) * | 1995-03-13 | 1996-09-27 | Mitsubishi Materials Corp | Ｓｏｉ基板及びその製造方法 |
-
1998
- 1998-02-20 JP JP05626598A patent/JP3902321B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
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Cited By (7)
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| JP4581349B2 (ja) * | 2003-08-29 | 2010-11-17 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | 貼合せｓｏｉウェーハの製造方法 |
| US7781309B2 (en) | 2005-12-22 | 2010-08-24 | Sumco Corporation | Method for manufacturing direct bonded SOI wafer and direct bonded SOI wafer manufactured by the method |
| US7855129B2 (en) | 2005-12-22 | 2010-12-21 | Sumco Corporation | Method for manufacturing direct bonded SOI wafer and direct bonded SOI wafer manufactured by the method |
| JP2009152248A (ja) * | 2007-12-18 | 2009-07-09 | Seiko Epson Corp | 接合方法、接合体、半導体装置および光電変換素子 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3902321B2 (ja) | 2007-04-04 |
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