JPH1022443A - リードフレーム - Google Patents
リードフレームInfo
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- JPH1022443A JPH1022443A JP8176115A JP17611596A JPH1022443A JP H1022443 A JPH1022443 A JP H1022443A JP 8176115 A JP8176115 A JP 8176115A JP 17611596 A JP17611596 A JP 17611596A JP H1022443 A JPH1022443 A JP H1022443A
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- lead
- width
- lead frame
- adhesive material
- semiconductor chip
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
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- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
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- H01L23/49503—Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad
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-
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- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体チップ固定用の絶縁性接着材による膜
厚が、インナーリードに均一かつ厚く形成することがで
きるようにする。 【解決手段】 半導体チップの搭載部に固定用の絶縁性
接着材が貼着されるリードフレームであり、前記絶縁性
接着材が塗布されるインナーリード１のリード幅がｗ、
リード間隔がｓとすれば、ｗ／ｓを１または１以下に設
定する。これにより、接着材の膜厚を均一に厚くするこ
とができる。
厚が、インナーリードに均一かつ厚く形成することがで
きるようにする。 【解決手段】 半導体チップの搭載部に固定用の絶縁性
接着材が貼着されるリードフレームであり、前記絶縁性
接着材が塗布されるインナーリード１のリード幅がｗ、
リード間隔がｓとすれば、ｗ／ｓを１または１以下に設
定する。これにより、接着材の膜厚を均一に厚くするこ
とができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置に用い
られるリードフレーム、特に、モールドパッケージが施
される半導体装置に用いられるリードフレームに関する
ものである。
られるリードフレーム、特に、モールドパッケージが施
される半導体装置に用いられるリードフレームに関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】高密度実装が可能なＣＯＬ（Chip On Le
ad）やＬＯＣ（Lead On Chip）構造の半導体装置に用い
られるリードフレームとして、その片面または両面に熱
可塑性や熱硬化性の接着層の塗布された高耐熱絶縁フィ
ルムを貼着し、この高耐熱絶縁フィルムに半導体チップ
を加熱及び加圧して搭載する方式のリードフレームがあ
る。
ad）やＬＯＣ（Lead On Chip）構造の半導体装置に用い
られるリードフレームとして、その片面または両面に熱
可塑性や熱硬化性の接着層の塗布された高耐熱絶縁フィ
ルムを貼着し、この高耐熱絶縁フィルムに半導体チップ
を加熱及び加圧して搭載する方式のリードフレームがあ
る。
【０００３】この方式のリードフレームの場合、高耐熱
絶縁フィルムには、通常、ポリイミド系フィルムが用い
られている。そして、リードフレームへの貼り付け方法
としては、金型による打ち抜き貼り付け方法が採用され
ている。具体的には、リール状に巻かれたフィルムを金
型で所定の形に打ち抜き、これをリードフレームに加熱
及び加圧することにより貼付している。
絶縁フィルムには、通常、ポリイミド系フィルムが用い
られている。そして、リードフレームへの貼り付け方法
としては、金型による打ち抜き貼り付け方法が採用され
ている。具体的には、リール状に巻かれたフィルムを金
型で所定の形に打ち抜き、これをリードフレームに加熱
及び加圧することにより貼付している。
【０００４】しかし、この方法によると、フィルムを金
型で打ち抜き、この打ち抜きフィルムをリードフレーム
の所定位置に貼付しているため、テープの使用量が多く
なるのでコストアップを招くほか、フィルムの打ち抜き
カスが生じるので材料に無駄を生じる。また、ポリイミ
ドフィルムの吸湿によって、パッケージクラックを発生
する恐れもある。
型で打ち抜き、この打ち抜きフィルムをリードフレーム
の所定位置に貼付しているため、テープの使用量が多く
なるのでコストアップを招くほか、フィルムの打ち抜き
カスが生じるので材料に無駄を生じる。また、ポリイミ
ドフィルムの吸湿によって、パッケージクラックを発生
する恐れもある。
【０００５】このような不具合を解消するため、リード
フレーム上の半導体素子を搭載すべき部分に接着剤を塗
布し、この接着剤によって半導体素子とリードフレーム
を接合（接着）する方法が提案されている。接着剤を塗
布する方法として、一般には、Ｘ−Ｙロボットとディス
ペンサとを組み合わせた装置を使用し、リードフレーム
上の半導体素子を搭載すべき部分（例えば、インナーリ
ードの先端部）に接着剤が塗布される。特に、リードの
先端部に接着剤を塗布する場合、点塗布方式が用いられ
る。この方法は、必要量をリードフレーム上に塗布する
のみであるため、材料に余りが発生せず、かつ高価な金
型も必要としないので、製造コストを低減できるという
利点がある。
フレーム上の半導体素子を搭載すべき部分に接着剤を塗
布し、この接着剤によって半導体素子とリードフレーム
を接合（接着）する方法が提案されている。接着剤を塗
布する方法として、一般には、Ｘ−Ｙロボットとディス
ペンサとを組み合わせた装置を使用し、リードフレーム
上の半導体素子を搭載すべき部分（例えば、インナーリ
ードの先端部）に接着剤が塗布される。特に、リードの
先端部に接着剤を塗布する場合、点塗布方式が用いられ
る。この方法は、必要量をリードフレーム上に塗布する
のみであるため、材料に余りが発生せず、かつ高価な金
型も必要としないので、製造コストを低減できるという
利点がある。
【０００６】ワニス状の接着剤（例えば、接着性の樹脂
を溶媒で溶いたもの）の塗布は、リードフレーム上に細
管状のニードル（又はノズル）を移動させながら接着剤
をニードルからリードフレームの所定部分に空気圧によ
って吐出することにより行われる。
を溶媒で溶いたもの）の塗布は、リードフレーム上に細
管状のニードル（又はノズル）を移動させながら接着剤
をニードルからリードフレームの所定部分に空気圧によ
って吐出することにより行われる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の接着剤
塗布手段を用いたリードフレームによると、厚い膜厚
が得にくい、接着剤を塗布するリードの形状及び各リ
ードの間隔が同一又はそれに近くないと、膜厚がばらつ
く等の問題がある。膜厚のばらつきが大きい場合、半導
体チップをリードフレームに接着する際に厚く塗布され
たリードのみが半導体チップに接着され、膜厚の薄いリ
ードは半導体チップに接着されない事態が発生する恐れ
がある。半導体チップに固定することができなかったリ
ードは、宙に浮いた不安定な状態になり、その後のワイ
ヤボンディングに支障を及ぼすことになる。
塗布手段を用いたリードフレームによると、厚い膜厚
が得にくい、接着剤を塗布するリードの形状及び各リ
ードの間隔が同一又はそれに近くないと、膜厚がばらつ
く等の問題がある。膜厚のばらつきが大きい場合、半導
体チップをリードフレームに接着する際に厚く塗布され
たリードのみが半導体チップに接着され、膜厚の薄いリ
ードは半導体チップに接着されない事態が発生する恐れ
がある。半導体チップに固定することができなかったリ
ードは、宙に浮いた不安定な状態になり、その後のワイ
ヤボンディングに支障を及ぼすことになる。
【０００８】また、リードの形状及び各リードの間隔が
同一又はそれに近い場合でも、リード間隔がリード幅よ
り狭いと、均一であっても厚い膜が得られ難い。この場
合、半導体チップのリードフレームへの接着条件出しが
困難になるばかりでなく、接着時の衝撃が大きくなって
しまう。更に、半導体チップとリードフレームの距離が
近すぎると、モールド時にレジンがリード間に流れ込め
ず、空洞になる可能性があるばかりでなく、半導体装置
の信頼性に悪影響を与える可能性がある。
同一又はそれに近い場合でも、リード間隔がリード幅よ
り狭いと、均一であっても厚い膜が得られ難い。この場
合、半導体チップのリードフレームへの接着条件出しが
困難になるばかりでなく、接着時の衝撃が大きくなって
しまう。更に、半導体チップとリードフレームの距離が
近すぎると、モールド時にレジンがリード間に流れ込め
ず、空洞になる可能性があるばかりでなく、半導体装置
の信頼性に悪影響を与える可能性がある。
【０００９】そこで本発明は、半導体チップ固定用の絶
縁性接着材を均一かつ厚い膜厚に形成することのできる
リードフレームを提供することを目的としている。
縁性接着材を均一かつ厚い膜厚に形成することのできる
リードフレームを提供することを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、この発明は、インナーリードの所定の部分に塗布
された絶縁性接着材によって搭載される半導体チップを
固定するリードフレームにおいて、前記インナーリード
は、少なくとも前記所定の部分においてリード間隔と同
一、又はそれ以下のリード幅を有することを特徴とする
リードフレームにしている。
めに、この発明は、インナーリードの所定の部分に塗布
された絶縁性接着材によって搭載される半導体チップを
固定するリードフレームにおいて、前記インナーリード
は、少なくとも前記所定の部分においてリード間隔と同
一、又はそれ以下のリード幅を有することを特徴とする
リードフレームにしている。
【００１１】リード幅がリード間隔より大きい場合、隙
間が殆ど無い状態の板状体の表面に接着材を塗布したの
と同じになり、塗布した接着材が広がり易くなり、膜厚
が薄くなる。これに対し、〔リード幅／リード間隔〕を
１以下にすることにより、リード上に溜まり、接着材の
膜厚を均一に厚くすることができる。
間が殆ど無い状態の板状体の表面に接着材を塗布したの
と同じになり、塗布した接着材が広がり易くなり、膜厚
が薄くなる。これに対し、〔リード幅／リード間隔〕を
１以下にすることにより、リード上に溜まり、接着材の
膜厚を均一に厚くすることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を基に説明する。図１は本発明によるリードフレ
ームのインナーリード部を示す正面図である。インナー
リード１は等間隔に同一平面上に設けられている。イン
ナーリード１には、図示を省略しているアウターリード
が連結されている。また、リードフレームは枠部やダム
バー等を備えている。
て図面を基に説明する。図１は本発明によるリードフレ
ームのインナーリード部を示す正面図である。インナー
リード１は等間隔に同一平面上に設けられている。イン
ナーリード１には、図示を省略しているアウターリード
が連結されている。また、リードフレームは枠部やダム
バー等を備えている。
【００１３】本発明では、インナーリード１の半導体チ
ップ固定用絶縁性接着材を塗布する部位のピッチ（リー
ド間隔）ｓとリード幅ｗを、ｓ：ｗ＝１：１以下になる
ように設定している。すなわち、リード幅ｗはピッチｓ
より小さくなるようにしている。この結果、インナーリ
ード１上に絶縁性接着材の層を厚く、且つ均一に形成す
ることができ、半導体チップの固定やワイヤボンディン
グが安定して行えるようになる。
ップ固定用絶縁性接着材を塗布する部位のピッチ（リー
ド間隔）ｓとリード幅ｗを、ｓ：ｗ＝１：１以下になる
ように設定している。すなわち、リード幅ｗはピッチｓ
より小さくなるようにしている。この結果、インナーリ
ード１上に絶縁性接着材の層を厚く、且つ均一に形成す
ることができ、半導体チップの固定やワイヤボンディン
グが安定して行えるようになる。
【００１４】
【実施例】次に、本発明の実施例について説明する。図
２は本発明によるリードフレームの〔リード幅／リード
間隔〕の比と樹脂膜厚の関係を示す測定図である。そし
て、検討には図３に示す形状のワーク２使用し、絶縁性
接着材を塗布するリード幅が０．２ｍｍ〜０．４ｍｍと
いう比較的狭い形状になっている。また、リード幅ｗ／
リード間隔ｓは、０．３〜２．５である。更に、リード
数は２０〜５０本程度である。
２は本発明によるリードフレームの〔リード幅／リード
間隔〕の比と樹脂膜厚の関係を示す測定図である。そし
て、検討には図３に示す形状のワーク２使用し、絶縁性
接着材を塗布するリード幅が０．２ｍｍ〜０．４ｍｍと
いう比較的狭い形状になっている。また、リード幅ｗ／
リード間隔ｓは、０．３〜２．５である。更に、リード
数は２０〜５０本程度である。
【００１５】使用した絶縁性接着材は、ガラス転移温度
が２２０℃の熱可塑性であり、これを溶媒でワニス状に
溶かして用いている。このようにして得られたワニスの
粘土は２０，０００ｃｐであり、固形分は３０％であっ
た。そして、リードフレームへの絶縁性接着材の塗布方
法は、ワニス状にしたものを容器に入れ、この容器を加
圧空気を供給し、各リード上を配列方向へ一定速度で移
動するニードル（又はノズル）からワニスをインナーリ
ード１に向けて連続吐出するものとした。
が２２０℃の熱可塑性であり、これを溶媒でワニス状に
溶かして用いている。このようにして得られたワニスの
粘土は２０，０００ｃｐであり、固形分は３０％であっ
た。そして、リードフレームへの絶縁性接着材の塗布方
法は、ワニス状にしたものを容器に入れ、この容器を加
圧空気を供給し、各リード上を配列方向へ一定速度で移
動するニードル（又はノズル）からワニスをインナーリ
ード１に向けて連続吐出するものとした。
【００１６】この結果、図２より明らかなように、〔リ
ード幅／リード間隔〕の増加（すなわち、リード幅が大
きくなるか、リード間隔が小さくなる条件）に伴って樹
脂膜厚が薄くなった。このように樹脂膜厚が薄くなる理
由は、ディスペンサのニードルがリード間を移動中でも
ニードルからの吐出が続行されているため、リード間隔
が狭くなるに従って樹脂膜厚が減少することによるもの
である。なお、リード幅を０．２→０．３→０．４と大
きくしていくと、図２のように、〔リード幅／リード間
隔〕の比が同じであっても樹脂膜は厚くなる。
ード幅／リード間隔〕の増加（すなわち、リード幅が大
きくなるか、リード間隔が小さくなる条件）に伴って樹
脂膜厚が薄くなった。このように樹脂膜厚が薄くなる理
由は、ディスペンサのニードルがリード間を移動中でも
ニードルからの吐出が続行されているため、リード間隔
が狭くなるに従って樹脂膜厚が減少することによるもの
である。なお、リード幅を０．２→０．３→０．４と大
きくしていくと、図２のように、〔リード幅／リード間
隔〕の比が同じであっても樹脂膜は厚くなる。
【００１７】以上の結果から、〔リード幅／リード間
隔〕の比が１以下であれば、必要とする樹脂膜厚を得る
ことができる。なお、〔リード幅／リード間隔〕の比が
１以上でも塗布が可能な範囲は存在するが、得られる樹
脂膜厚は薄くなる。リード幅とリード間隔を足したもの
をリードピッチと呼び、この寸法が同一あればリードフ
レームの設計には支障はない。例えば、リード幅が０．
３ｍｍで〔リード幅／リード間隔〕の比が１．５の場
合、リード間隔は０．２ｍｍとなり、得られる樹脂厚さ
は１４μｍ程度である（図２の中間の特性）。これに対
し、リードピッチが同じ０．５ｍｍであっても、リード
幅が０．２ｍｍでリード間隔が０．３ｍｍの場合、〔リ
ード幅／リード間隔〕の比は２／３になり、樹脂厚さは
３３μｍ程度になる（図２の左側の特性）。
隔〕の比が１以下であれば、必要とする樹脂膜厚を得る
ことができる。なお、〔リード幅／リード間隔〕の比が
１以上でも塗布が可能な範囲は存在するが、得られる樹
脂膜厚は薄くなる。リード幅とリード間隔を足したもの
をリードピッチと呼び、この寸法が同一あればリードフ
レームの設計には支障はない。例えば、リード幅が０．
３ｍｍで〔リード幅／リード間隔〕の比が１．５の場
合、リード間隔は０．２ｍｍとなり、得られる樹脂厚さ
は１４μｍ程度である（図２の中間の特性）。これに対
し、リードピッチが同じ０．５ｍｍであっても、リード
幅が０．２ｍｍでリード間隔が０．３ｍｍの場合、〔リ
ード幅／リード間隔〕の比は２／３になり、樹脂厚さは
３３μｍ程度になる（図２の左側の特性）。
【００１８】
【発明の効果】以上より明らかな如く、本発明によれ
ば、前記絶縁性接着材が塗布されるインナーリードのリ
ード幅が、リード間隔に同一又はそれ以下にしたので、
リード上の接着材の膜厚を均一に且つ厚く形成すること
ができる。
ば、前記絶縁性接着材が塗布されるインナーリードのリ
ード幅が、リード間隔に同一又はそれ以下にしたので、
リード上の接着材の膜厚を均一に且つ厚く形成すること
ができる。
【図１】本発明によるリードフレームのインナーリード
部を示す断面図である。
部を示す断面図である。
【図２】本発明によるリードフレームの〔リード幅／リ
ード間隔〕の比と樹脂膜厚の関係を示す測定図である。
ード間隔〕の比と樹脂膜厚の関係を示す測定図である。
【図３】本発明の検証のために用いたワークの形状を示
す平面図である。
す平面図である。
１ インナーリード ２ ワーク
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 米本 隆治 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電線 株式会社システムマテリアル研究所内 (72)発明者 吉岡 修 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電線 株式会社システムマテリアル研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】インナーリードの所定の部分に塗布された
絶縁性接着材によって搭載される半導体チップを固定す
るリードフレームにおいて、 前記インナーリードは、少なくとも前記所定の部分にお
いてリード間隔と同一、又はそれ以下のリード幅を有す
ることを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項２】前記インナーリードは、少なくとも前記所
定の部分においてリード形状およびリード間隔が同一で
ある請求項１記載のリードフレーム。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8176115A JPH1022443A (ja) | 1996-07-05 | 1996-07-05 | リードフレーム |
| TW086109255A TW374233B (en) | 1996-07-05 | 1997-07-01 | Lead frame |
| KR1019970030677A KR980012375A (ko) | 1996-07-05 | 1997-07-02 | 리이드 프레임 |
| US08/886,976 US6246106B1 (en) | 1996-07-05 | 1997-07-03 | Lead frame |
| US08/888,121 US6040620A (en) | 1996-07-05 | 1997-07-03 | Lead frame for LOC having a regulating lead to prevent variation in adhesive coverage |
| SG1997002367A SG60078A1 (en) | 1996-07-05 | 1997-07-05 | Lead frame |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8176115A JPH1022443A (ja) | 1996-07-05 | 1996-07-05 | リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1022443A true JPH1022443A (ja) | 1998-01-23 |
Family
ID=16007950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8176115A Pending JPH1022443A (ja) | 1996-07-05 | 1996-07-05 | リードフレーム |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6246106B1 (ja) |
| JP (1) | JPH1022443A (ja) |
| KR (1) | KR980012375A (ja) |
| SG (1) | SG60078A1 (ja) |
| TW (1) | TW374233B (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001320007A (ja) * | 2000-05-09 | 2001-11-16 | Dainippon Printing Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置用フレーム |
| JP4840893B2 (ja) | 2000-05-12 | 2011-12-21 | 大日本印刷株式会社 | 樹脂封止型半導体装置用フレーム |
| US7019650B2 (en) * | 2003-03-03 | 2006-03-28 | Caducys, L.L.C. | Interrogator and interrogation system employing the same |
| TW200418149A (en) * | 2003-03-11 | 2004-09-16 | Siliconware Precision Industries Co Ltd | Surface-mount-enhanced lead frame and method for fabricating semiconductor package with the same |
| KR100746747B1 (ko) * | 2006-02-06 | 2007-08-06 | 삼성전자주식회사 | Ｒｆｉｄ 리더 |
| CN101425468B (zh) * | 2007-10-29 | 2012-07-04 | 飞思卡尔半导体（中国）有限公司 | 经过涂敷的引线框 |
| US9129951B2 (en) | 2013-10-17 | 2015-09-08 | Freescale Semiconductor, Inc. | Coated lead frame bond finger |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2503738B2 (ja) | 1990-07-18 | 1996-06-05 | 日立電線株式会社 | リ―ドフレ―ムへの半導体素子の接合方法 |
| JPH0697237A (ja) * | 1992-09-10 | 1994-04-08 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JPH08148603A (ja) * | 1994-11-22 | 1996-06-07 | Nec Kyushu Ltd | ボールグリッドアレイ型半導体装置およびその製造方法 |
| US5572066A (en) * | 1995-01-03 | 1996-11-05 | Motorola Inc. | Lead-on-chip semiconductor device and method for its fabrication |
| JPH0951067A (ja) * | 1995-08-08 | 1997-02-18 | Sony Corp | リードフレーム |
-
1996
- 1996-07-05 JP JP8176115A patent/JPH1022443A/ja active Pending
-
1997
- 1997-07-01 TW TW086109255A patent/TW374233B/zh active
- 1997-07-02 KR KR1019970030677A patent/KR980012375A/ko not_active Application Discontinuation
- 1997-07-03 US US08/886,976 patent/US6246106B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-07-05 SG SG1997002367A patent/SG60078A1/en unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW374233B (en) | 1999-11-11 |
| US6246106B1 (en) | 2001-06-12 |
| SG60078A1 (en) | 1999-02-22 |
| KR980012375A (ko) | 1998-04-30 |
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