JPH10211419A

JPH10211419A - 空間清浄化材及びそれを用いた空間清浄化方法

Info

Publication number: JPH10211419A
Application number: JP9027343A
Authority: JP
Inventors: Toshiaki Fujii; 敏昭藤井
Original assignee: Ebara Corp
Current assignee: Ebara Corp
Priority date: 1997-01-28
Filing date: 1997-01-28
Publication date: 1998-08-11
Anticipated expiration: 2017-01-28
Also published as: JP3797635B2

Abstract

(57)【要約】【課題】空間に存在する有機性ガスなどのガス状汚染
物質による汚染を効果的に防止することができる空気清
浄化材とそれを用いた空間の清浄化方法を提供する。【解決手段】同一面上に、光照射により光触媒作用を
発揮する物質１８と、ガラス・シリコンウェハ、非金属
性物質及び金属性物質のうちの少なくとも一種類の基材
又はこれらを組合せた基板１７とを配備した空間清浄化
材としたものであり、また該空間清浄化材を有害ガスが
存在する空間に設置して光照射し、空間中の有害ガスを
除去する空間清浄化方法としたものであり、前記光触媒
作用を発揮する物質としてはＴｉＯ₂を用いるのがよ
い。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、空間の清浄化に係
り、特に、空間に存在する有害ガスを吸着・分解して除
去できる空間清浄化材及びそれを用いた空間清浄化方法
に関する。本発明は、半導体、液晶、精密機械工業な
ど、いわゆるハイテク産業（先端産業）における空間の
清浄化に効果的である。具体的には、安全キャビネッ
ト、クリーンボックス、ストッカ、搬送空間、インター
フェイス、表面処理装置（例えば光ＣＶＤ装置等）、減
圧又は真空処理装置（例えば成膜室、プラズマ処理装
置）、エアナイフ、表面洗浄装置、露光装置、除電装置
がある。

【０００２】

【従来の技術】従来の空間清浄化技術を、半導体製造工
場におけるクリーンルームの空気清浄を例に図１５を用
いて説明する。図１５において、外気１は先ずプレフィ
ルタ２で粗粒子が除去され、次いで空調機３で空調さ
れ、中性能フィルタ４で除塵される。次に、クリーンル
ーム５の天井部に設置されているＨＥＰＡフィルタ（高
性能フィルタ）６で微細な粒子が除去され、クリーンル
ーム５はクラス１０〜１００が維持される（「洗浄設
計」ｐ１１〜２４、Summer １９８８）。７_-1、７_-2は
ファン、矢印は空気の流れを示す。ところで、今後半導
体産業では製品の高品質化、精密化が増々進み、これに
伴いガス状物質が汚染物として関与する。即ち、従来は
微粒子除去のみで十分であったのが、今後は、ガス状物
質の制御が重要となってくる。そして、前記図１５に示
した、従来のクリーンルームのフィルタでは、微粒子の
みしか除去されず、外気からのガス状汚染物質は、除去
されずにクリーンルームに導入されてしまうので問題と
なる。

【０００３】ガス状汚染物質には、（１）ＮＯｘ、ＳＯ
ｘ、ＨＣｌ、ＨＦなどの酸性ガス、（２）ＮＨ₃、アミ
ンなどの塩基性ガス、（３）有機性ガス（Ｈ．Ｃ）があ
る。この内、通常のクリーンルームでは、Ｈ．Ｃがガス
状汚染物質として重要である。即ち、Ｈ．Ｃは通常のク
リーンルームの濃度レベルでガラスやシリコンウェハ基
材、基板に吸着し、悪影響を与えるためである（「空気
清浄」、第３３巻、第１号、ｐ．１６〜２１（１９９５
年））。Ｈ．Ｃの起因は、外気の自動車排ガス、高分子
製品からの脱ガスのクリーンルームへの導入、クリーン
ルーム構成材料の高分子材料（例えば、高分子製品の可
塑材、離型材、酸化防止剤等）からの脱ガスなどがある
（「空気清浄」、第３３巻、第１号、ｐ．１６〜２１、
１９９５年）。また、プロセス装置の一部又は全部をプ
ラスチック板等で囲うので、これらのプラスチックから
有機性ガスが発生する。そして、最近省エネの点でクリ
ーンルームの空気を循環使用するため、クリーンルーム
内の有機性ガスは徐々に高まってしまい、基材や基板を
汚染することになる。これらのＨ．Ｃは通常の大気濃度
レベルのような極低濃度でも悪影響を及ぼす。

【０００４】具体例で説明すると、Ｈ．Ｃによるウェハ
基材（貴重品）の汚染は、基材とレジストとの親和性
（なじみ）に影響を与える。そして、親和性が悪くなる
と、レジストと膜厚に影響を与えたり、基板とレジスト
との密着性に影響を与え、品質の低下や歩留まりの低下
をもたらす（「空気清浄」、第３３巻、第１号、ｐ．１
６〜２１、１９９５年）。Ｈ．Ｃによるウェハ基材の汚
染は、Ｈ．Ｃ吸着量の増加に伴い、酸化膜の耐圧の劣化
が激しくなる（第１３回応用物理学関係連合講演会講演
予稿集、Ｎｏ２、ｐ．６８６、１９９２年）。このよう
に、今後要求が高まるより質の高い製品は、集積度が密
（製品がより微細化、高精密化になる）であり、従来問
題とならなかった有機性ガスのようなガス状物質の制御
が必要となってくる（「空気清浄」、第３３巻、第１
号、ｐ．１６〜２１、１９９５）。すなわち、今後、高
品質な製品を製造するための清浄空間は、外気から導入
されるガス状汚染物質、及びクリーンルーム内で発生す
るＨ．Ｃや共存する酸性ガス、塩基性ガスを効果的に除
去することが重要である。

【０００５】また、最近先端産業における製品の製造
は、コストを低減させて行う必要から、局所清浄化（ミ
ニエンバイロメント）が急速に広まっている。しかし、
局所清浄化においては、高分子材料の使用が多くなるの
で、これらの材料からの有機性ガスの発生による汚染を
効果的に防止する方式の出現が期待されていた（（社）
日本機械工業連合会、平成６年度報告書、ｐ．４１〜５
０、平成７年３月）。ここで、ウェハやガラス基板への
有機性ガス（Ｈ．Ｃ）の汚染は、簡便には接触角により
評価することができる。接触角とは水によるぬれの接触
角のことであり、基板表面の汚染の程度を示すものであ
る。すなわち、基板表面に疎水性（油性）の物質を付着
すると、その表面は水をはじき返してぬれにくくなる。
すると基板表面と水滴との接触角は大きくなる。従って
接触角が大きいと汚染度が高く、逆に接触角が小さいと
汚染度が低い。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明は、前
記した問題点を解消し、空間に存在する有機性ガスなど
のガス状汚染物質による汚染を効果的に防止することが
できる空気清浄化材とそれを用いた空間の清浄化方法を
提供することを課題とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明では、同一面上に、光照射により光触媒作用
を発揮する物質と、ガラス、シリコンウェハ、非金属性
物質及び金属性物質のうちの少なくとも一種類の基材又
はこれらを組合せた基板とを配備したことを特徴とする
空間清浄化材としたものである。また、本発明では、有
害ガスが存在する空間を清浄化する方法において、該空
間に、上記した空間清浄化材を設置して光照射し、空間
中の有害ガスを除去することを特徴とする空間清浄化方
法としたものである。本発明において、光触媒作用を発
揮する物質としては、ＴｉＯ₂を用いるのがよい。な
お、本発明において、基材は、ウェハのように一種類の
材料のものを指し、基板は、金属付加基材のように二種
類以上の材料のものを指す。

【０００８】

【発明の実施の形態】本発明は、次の４つの知見に基づ
いてなされたものである。（１）本発明の対象分野である先端産業では、従来粒子
除去のみで十分であったものが、製品の高品質化、高精
密化により、今後、ガス状汚染物質、即ち、ＳＯ₂、Ｎ
Ｏ、ＨＣｌ、ＨＦのような酸性ガス、ＮＨ₃・アミン類
のような塩基性ガス、非メタン炭化水素のような有機性
ガス（Ｈ．Ｃ）の影響を受けるようになる。これらのガ
スによる影響の程度（影響の度合い）は、対象装置やプ
ロセスの種類により異なる。例えば、ＳＯ₂、Ｈ．Ｃは
酸化膜の絶縁不良、ＮＨ₃は解像不良を引き起こす。即
ち、これらのガス状汚染物質は、ガラス、ウェハ、非金
属付加基材（例、ＩＴＯ／ガラス）、金属付加基材
（例、Ｔａ／ガラス）などの種々の基材や基板に付着
（吸着）し、歩留りの低下（生産性の低下）をもたら
す。

【０００９】（２）現状のクリーンルームのＨＥＰＡや
ＵＬＰＡなどのフィルタ方式では、これらのガス状汚染
物質は捕集・除去されないので、外気の濃度のものがク
リーンルーム内に導入されてしまう。また、これらのガ
ス状汚染物質はクリーンルーム内で発生することが多
く、また最近は省エネの観点でクリーンルーム空気を循
環使用するため、これらのガス状汚染物質の濃度は外気
に比べて高い。これをＨ．Ｃを例に、次に説明する。少
なくとも、１部が有機物（高分子樹脂）で構成されるク
リーンルーム環境では、該有機物から極微量の有機性ガ
ス（Ｈ．Ｃ）が発生し、クリーンルーム空間中の収容物
（ウェハやガラス基材や基板などの原料、半製品）を汚
染する。

【００１０】すなわち、クリーンルーム空間では、少な
くともその一部に有機物（例、プラスチック容器、パッ
キン材、シール材、接着剤、壁面の材料等）を使用して
おり、該有機物から極微量の有機性ガスが発生する。例
えば、シール材からはシロキサン、収納容器の材料であ
るプラスチック材からはフタル酸エステルなどが発生
し、これらの有機性ガスは、発生濃度は極く低濃度であ
るが、クリーンルームは閉鎖系であり、閉じ込められ、
さらに、最近クリーンルームは省エネの点で空気の循環
使用の比率が高いので、該濃度は徐々に高くなり、クリ
ーンルーム内の収容物の上に付着し悪い影響を与えてし
まう。このように、クリーンルーム中のＨ．Ｃは外気か
らの導入Ｈ．Ｃにクリーンルーム内部からの発生ガスが
加わるので、多成分、かつ高濃度となっており、最近で
はクリーンルームはＨ．Ｃに関しては、ダーティルーム
と言われている。

【００１１】（３）前記のガス状汚染物質は光照射され
た光触媒により効果的に除去される。（４）クリーンルームには、かなり多成分（例数千種類
ないしそれ以上）のガス状物質が存在するが、実際にガ
ラス、ウェハ、非金属付加基材、金属付加基材に付着
し、悪影響を及ぼす物質は、その内の一部のみ（該ガラ
ス、ウェハ、非金属付加基材、金属付加基材に付着性を
有する成分のみ）である。（５）ガラス、シリコンウェハ、非金属付加基材（例、
ＩＴＯ／ガラス）、金属付加基材（例、Ｔａ／ガラス）
の基材や基板の上又はその近傍に、光照射された光触媒
を設置すると、ガラス、シリコンウェハ、非金属付加基
材、金属付加基材表面に付着（吸着）したガス状汚染物
質が除去される作用がある。

【００１２】次に、本発明を詳細に説明する。本発明の
構成は、同一面上に、（１）ガス状汚染物質を捕集する
ためのガラス、シリコンウェハ、非金属性物質、金属性
物質、非金属付加基材、金属付加基材の非金属又は金属
性の基材や基板（捕集材）と、（２）捕集したガス状汚
染物質を除去するための光触媒とを配備したものであ
る。即ち、製品や半製品、原料としてのウェハ、ガラ
ス、非金属付加基材（例、ＩＴＯ／ガラス）、金属付加
基材（例、Ｔａ／ガラス、Ｃｒガラス）の非金属又は金
属性の基材や基板にガス状汚染物質が付着（吸着）し、
歩留りの低下など悪影響を及ぼすので、該ウェハ、ガラ
ス、非金属付加基材、金属付加基材の非金属又は金属性
の基材や基板においてガス状汚染物質が付着する物質を
ガス状汚染物質の捕集材として用い、該捕集材の上又は
その近傍に光触媒を設置し、該捕集材上の付着（吸着）
物の除去を行うものである。

【００１３】ガス状汚染物質の捕集材と、該物質を除去
するための光触媒との同一面上への配備の方法としては
次の４つがある（一体化の方法）。（１）適宜の母材上への捕集材と光触媒の付加。（２）捕集材上への光触媒の付加。（３）光触媒上への捕集材の付加。（４）捕集材と光触媒とを混合及び／又は多層化（重ね
合せ）。次に、上記構成材について説明する。まず、ガス状汚染
物質の捕集材について説明する。

【００１４】該捕集材は、クリーンルーム（作業部屋）
に存在するかなりの多成分にわたるガス状物質の中か
ら、製品、半製品、原材料に付着（吸着）し悪影響を及
ぼすガス状物質（ガス状汚染物質）を選択的に捕集（吸
着）するものであれば何れでも良い。通常、後方の製造
装置やプロセスで取扱う製品、半製品、原材料の基材や
基板が好適である。例えば、基材としてはシリコンウェ
ハ、ガラス、Ｔａ、Ｃｒ、Ａｕ、Ａｌ、ＩＴＯ、ＳｉＯ
₂、基板としては該ウェハやガラス表面にＴａ、Ｃｒ、
Ａｕ、Ａｌ、ＩＴＯ、ＳｉＯ₂などの実際のプロセスに
おける金属性又は非金属性物質を付加（被覆）した材料
がある。これらの基材や基板の金属性物質又は非金属性
物質は、後述する適宜の母材上に付加して用いることが
できる。付加の方法としては、蒸着法やスパッタリング
法による薄膜の被覆がある。該基材や基板をガス状汚染
物質の捕集材として用いることにより、後方の製造装置
やプロセスで基材や基板上に付着（吸着）し、悪影響を
及ぼすガス状汚染物質が選択的に捕集される。

【００１５】これをガラス基材を扱う製造装置について
説明する。ガラス基材は、これを原材料として液晶が製
造される。該ガラス基材は、クリーンルーム空気中に暴
露すると、ガス状汚染物質が付着（吸着）し、接触角が
増加する。このような接触角が増加したガラス基材や基
板表面に成膜すると、成膜した膜の付着強度が低くな
り、歩留りの低下をもたらす。該ガラス基材に付着し、
接触角を増加させる有機性ガスは、本発明者らの研究で
は、高分子量のＨ．Ｃであり、その構造として−ＣＯ、
−ＣＯＯ結合（親水性を有する）を持つことである。こ
のＨ．Ｃは親水部（−ＣＯ、−ＣＯＯ結合部）を有する
疎水性物質（Ｈ．Ｃの基本構造の−Ｃ−Ｃ−Ｃ−の部
分）と考えることができる。

【００１６】具体例で説明すると、通常のクリーンルー
ムにおいてガラス基材表面の接触角を増加させる有機性
ガスは、Ｃ₁₆〜Ｃ₂₀の高分子量Ｈ．Ｃ、例えばフタル酸
エステル、高級脂肪酸、フェノール誘導体であり、これ
らの成分に共通することは化学的構造として、−ＣＯ、
−ＣＯＯ結合（親水性を有する）を持つことである。例
えば、ガラス基材表面への付着Ｈ．Ｃ成分としては、
２，６−ｔ−ブチル−４−エチニルフェノール、パルミ
チン酸、フタル酸−ジ−ｎ−ブチルエステル（ＤＢ
Ｐ）、フタル酸−ジ−２−エチルヘキシルエステル（Ｄ
ＯＰ）等である（「コンタミネーション便覧」ｐ．１
７、オーム社）。従って、このようなガラス基材を扱う
製造装置では、該ガラス基材をガス状汚染物質の捕集材
として用い、該製造装置への供給空気の処理を行う。こ
れにより、上記のごとくして、捕集用ガラス基材表面に
ガス状汚染物質は捕集されるので、該基材を取扱う製造
装置への供給空気は、該基材への付着汚染物質がない清
浄空気となる。そして、該製造装置内の空間は基材へ付
着し得るガス状汚染物質がない清浄空間となる。

【００１７】次に、光照射により光触媒作用を発揮する
物質について説明する。光触媒は、前記のガス状汚染物
質の捕集材と共に、一体化又は別々に同一面上に配備で
き、光照射により、前記の捕集材上の付着物を分解でき
るものであればいずれでもよい。通常、半導体材料が効
果的であり、容易に入手出来、加工性も良いことから好
ましい。効果や経済性の面から、Ｓｅ，Ｇｅ，Ｓｉ，Ｔ
ｉ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｓｎ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｐ，Ａｓ，
Ｓｂ，Ｃ，Ｃｄ，Ｓ，Ｔｅ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ａｇ，
Ｍｏ，Ｓｒ，Ｗ，Ｃｒ，Ｂａ，Ｐｂのいずれか、又はこ
れらの化合物、又は合金、又は酸化物が好ましく、これ
らは単独で、また２種類以上を複合して用いる。

【００１８】例えば、元素としてはＳｉ，Ｇｅ，Ｓｅ、
化合物としてはＡｌＰ，ＡｌＡｓ，ＧａＰ，ＡｌＳｂ，
ＧａＡｓ，ＩｎＰ，ＧａＳｂ，ＩｎＡｓ，ＩｎＳｂ，Ｃ
ｄＳ，ＣｄＳｅ，ＺｎＳ，ＭｏＳ₂，ＷＴｅ₂，Ｃｒ₂
Ｔｅ₃，ＭｏＴｅ，Ｃｕ₂Ｓ，ＷＳ₂、酸化物としては
ＴｉＯ₂，Ｂｉ₂Ｏ₃，ＣｕＯ，Ｃｕ₂Ｏ，ＺｎＯ，Ｍ
ｏＯ₃，ＩｎＯ₃，Ａｇ₂Ｏ，ＰｂＯ，ＳｒＴｉＯ₃，
ＢａＴｉＯ₃，Ｃｏ₃Ｏ₄，Ｆｅ₂Ｏ₃，ＮｉＯなどが
ある。このうち、ＴｉＯ₂が効果が高いことから好まし
い。また、Ｔｉ、Ｚｎなどの金属は、酸化することによ
り、光触媒とすることができるので、用途、装置の種
類、要求性能、経済性などによっては好適に使用でき
る。光触媒の付加は、蒸着法、スパッタリング法、焼結
法、ゾル−ゲル法、塗布による方法、焼付け塗装による
方法など、周知の付加方法を適宜用いることができる。

【００１９】また、光触媒作用の向上のために、上記光
触媒にＰｔ，Ａｇ，Ｐｄ，ＲｕＯ₂，Ｃｏ₃Ｏ₄の様な
物質を加えて使用することも出来る。該物質の添加は、
光触媒による前記の捕集材上の付着物の分解作用が加速
されるので好ましい。これらは、一種類又は複数組合せ
て用いることができる。通常、添加量は、光触媒に対し
て、０．０１〜１０重量％であり、適宜添加物質の種類
や要求性能などにより、予備試験行い適正濃度を選択す
ることができる。添加の方法は、含浸法、光還元法、ス
パッタ蒸着法、混練法など周知手段を適宜用いることが
できる。前記の捕集材や光触媒は、適宜の母材、例え
ば、セラミックス、ＳＵＳ材、Ｃｕ−Ｚｎ材、Ａｌ材、
Ｔｉ材上に付加して用いることもできる。例えば、ＳＵ
Ｓ材への捕集材としてのＴａの付加、及び光触媒として
のＴｉＯ₂の付加がある。

【００２０】次に、光触媒への光照射について述べる。
光源は前記ガス状汚染物質の捕集材と光触媒からなる空
間清浄化材が、光照射により光触媒作用を発揮するよう
になれば何れでも良い。通常、水銀灯、水素放電管、キ
セノン放電管、ライマン放電管などを適宜使用出来る。
光源の例としては、殺菌ランプ、ブラックライト、蛍光
ケミカルランプ、ＵＶ−Ｂ紫外線ランプ、キセノンラン
プがある。前記の捕集材と光触媒の同一面上への付加
は、夫々の材料を上記の適宜の付加手段により、薄膜
状、線状、網状、帯状、くし状、粒子状、島状の適宜の
形状を組合せることができる。このための付加の方法
は、適用装置の形状、規模、構造、光の照射方法、要求
性能などにより適宜に選択することができる。

【００２１】本発明の前記捕集材と光触媒より成る空間
清浄化材の形状は、平板状、棒状、球状、網状、繊維
状、ファイバー状、プリーツ状、格子状など適宜の形状
を用いることができる。本発明の空間清浄化材の設置方
法は、適用装置の壁面や流路中などの適宜の位置に、適
用装置、装置形状、規模、母材の種類、空間清浄化材の
形状、要求性能などにより適宜選択することが出来る。
本発明の特徴は、製品、半製品、原材料（基材あるいは
基板）に付着し歩留まりの低下をもたらすガス状汚染物
質を、捕集材として用いた該基材あるいは基板と一体化
して付加した光触媒により除去するものである。ガス状
汚染物質の分解の反応メカニズムの詳細は不明だが次の
ように考えられる。該基材あるいは基板の表面に付着し
たガス状汚染物質は、該表面に吸着後、拡散し、該基材
あるいは基板と同一面上に配備して付加した光触媒の有
する光触媒作用を受け除去される。

【００２２】本発明における空間清浄化においては、微
粒子（粒子状物質）の存在が問題となる場合は適宜除塵
手段（微粒子除去方式）を組み合せて用いることができ
る。除塵手段としては、周知の方式を１種類あるいは複
数の種類を組み合せて用いることができ、フィルタを用
いる方式、本発明者らが提案している光電子を用いる方
式がある。この内、光電子を用いる方式は、本発明の空
間清浄化材で用いる光照射を有効利用（光源からの光を
両方で使用）できるので、利用分野、適用装置の種類に
よっては好ましい。フィルタ方式に用いるフィルタは、
ＨＥＰＡ、ＵＬＰＡ、静電フィルタ、エレクトレット、
本発明者が提案したイオン交換フィルタ（例、特公平５
−９１２３号）がある。光電子を用いる方式は、本発明
者らがすでに提案しており適宜用いることができる。次
に提案した方式の例を示す。特公平３−５８５７号、特
公平６−３４９４１号、特公平６−７４９０９号、特公
平６−７４９１０号、特公平７−１１０３４２号、特公
平８−２１１号各公報。

【００２３】本発明の空間清浄化材によるガス状汚染物
質の除去性能は、処理対象の汚染ガスを測定することに
より、その効果を把握することができる。しかし、本発
明の分野である、先端分野の対象、気体や空間には、ｐ
ｐｂ〜ｐｐｔレベルの極低濃度、かつ多成分の物質が処
理対象となる。例えば、ＮＨ₃：１〜５ｐｐｂ、ＤＯＰ
（フタル酸エステル）０．１〜５ｐｐｂ。このような極
低濃度の物質を個々に測定、評価することは、高度の測
定機器が必要で、かつ、手間がかかり、必ずしも実用的
でない。このような場合、非メタン炭化水素（Ｈ．Ｃ）
を指標に評価を行うと好都合である。これは、非メタン
Ｈ．Ｃは、他のガス状汚染物質、例えばＮＨ₃、アミ
ン、ＮＯと共存する場合が多いため、そして測定が簡易
にできる（例、非メタンＨ．Ｃ計）ため、本発明の空間
清浄化材において、他のガス状汚染物質と同様に吸着
（捕集）されるためである。通常、非メタンＨ．Ｃを、
入口濃度の１０％以下、好ましくは１％以下にすること
で効果的なガス状汚染物質の処理を行うことができる。

【００２４】

【実施例】以下、本発明を実施例により具体的に説明す
るが、本発明は本実施例に何ら限定されるものではな
い。実施例１半導体工場のクリーンルームにおける空気清浄を、図１
に示した本発明の空間清浄化材８を用いた空気清浄装置
Ａの基本構成図を用いて説明する。図１において、５は
クラス１００のクリーンルームであり、ガス状汚染物質
としてのＨ．Ｃ１０、及びＮＨ₃１１を含むクリーンル
ーム空気１２は、紫外線ランプ１３、ウェハ（ガス状汚
染物質の捕集材）上にＴｉＯ₂（紫外線照射により光触
媒作用を発揮する物質）を付加した空間清浄化材８、除
塵用フィルタ１４_-1、１４_-2により構成される空気清浄
装置Ａに導入されることにより処理される。これによ
り、Ｈ．Ｃ、ＮＨ₃などのガス状汚染物質が除去された
清浄空気１５となり、ウェハの製造装置（ウェハの加
工、成膜プロセス）１６へ供給される。

【００２５】次に、本例を詳細に説明する。クリーンル
ーム５に入る前の外気１は、先ず粗フィルター２と空気
調和器３で処理される。次いで、空気はクリーンルーム
５に入る際にＨＥＰＡフィルター６によって除塵され、
Ｈ．ＣやＮＨ₃などガス状汚染物質が共存するクラス１
００の濃度の空気１２となる。ウェハの製造装置１６で
は、ガス状汚染物質の内、Ｈ．ＣとＮＨ₃の影響が特に
大きい。すなわち、外気１に共存する自動車起因のＨ．
Ｃや、プラスチック類など高分子樹脂起因のＨ．Ｃは、
粗フィルター２、空気調和器３、及びＨＥＰＡフィルタ
ー６では除去されないため、クリーンルーム５内に導入
されてしまう。更に、クリーンルーム５内では、クリー
ンルーム５の構成材やウェハの製造装置１６周辺の高分
子樹脂類からＨ．Ｃ、例えばフタル酸エステル、高級脂
肪酸１０が発生する。また、ＮＨ₃１１は、外気から導
入されるものに、クリーンルーム５内における作業によ
りＮＨ₃発生がある。

【００２６】このため、外気１中のＨ．Ｃ濃度１．１ｐ
ｐｍ（非メタンＨ．Ｃ）に対し、クリーンルーム５中の
Ｈ．Ｃ濃度は、１．２〜１．５ｐｐｍ（非メタンＨ．
Ｃ）と高濃度となっている。前記クリーンルーム５内の
構成材やウェハの製造装置１６の周辺から発生したＨ．
Ｃは、フタル酸エステル（ＤＯＰ、ＤＢＰ）などウェハ
に付着しやすい構造のガス状汚染物質であるので、外気
１中のＨ．Ｃに比較してウェハ汚染への関与が大きい。
また、ＮＨ₃濃度については、外気が１０ｐｐｂ程度で
あるのに対して、クリーンルーム５内ではクリーンルー
ム５内でＮＨ₃発生があるので５０〜８０ｐｐｂとなっ
ている。本例の空間清浄化材８は、図２にその構成図を
示している。図２の空間清浄化材８において、ａは断面
図、ｂは平面図である。すなわち、空間清浄化材８は、
ガス状汚染物質捕集材としてのウェハ１７上に光触媒材
としてＴｉＯ₂１８を付加している。

【００２７】空気清浄装置Ａに導入された空気１２中の
ガス状汚染物質としてのＨ．Ｃ１０とＮＨ₃１１は、ウ
ェハ１７の表面に付着（吸着）捕集され、これらの汚染
物質は紫外線ランプ１３からの照射を受けた本発明の空
間清浄化材８におけるＴｉＯ₂１８により分解される。
すなわち、クリーンルーム５内のＨ．Ｃ１０は多成分に
及ぶが、この内、製造装置１６においてウェハに付着
（吸着）し歩留まりの低下をもたらす原因となる種類の
Ｈ．Ｃは、ウェハ表面に付着性が高いので、製造装置６
の前方に本発明の空間清浄化材８を設置すると、空間清
浄化材８中のウェハ１７表面上に後方で悪影響を及ぼす
Ｈ．Ｃが選択的に付着捕集される。また、ＮＨ₃も同様
にウェハ１７表面上に付着捕集され、これらの汚染物質
は紫外線ランプ１３からの紫外線が照射されたＴｉＯ₂
１８の光触媒作用を受けて分解される。

【００２８】このようにして、クリーンルーム空気１２
は、本発明の空間清浄化材８を設置した空気清浄装置Ａ
により処理され、空気１２中のガス状汚染物質が除去さ
れ、清浄空気１５が得られる。清浄空気１５中のＨ．Ｃ
濃度は、非メタンＨ．Ｃとして０．１ｐｐｍ以下、ＮＨ
₃は１ｐｐｂ以下である。１４_-1の除塵フィルタは、ク
リーンルーム空気１２に含まれる微粒子の除去用、また
１４_-2の除塵フィルタは、緊急時に紫外線ランプ１３や
空間清浄化材８の周辺から発塵があった場合の捕集フィ
ルタ（ＨＥＰＡ）である。図１における矢印は、空気の
流れを示す。図２における矢印は、紫外線ランプ１３か
らの紫外線の照射方向を示す。ここで、空間清浄化材８
は、ウェハ表面に、くし型のスクリーンを用いて、その
形にＴｉＯ₂の微粒子粉末のスラリーの塗布を行い、１
０００℃で乾燥して製造した。

【００２９】実施例２実施例１の図１の空気清浄装置Ａにおける空間清浄化材
８の別のタイプのものを図３に示す。図３中ａは断面
図、ｂは平面図であり、母材としてのＳＵＳ表面１９に
光触媒材としてのＴｉＯ₂１８、ガス状汚染物質捕集材
としてのＴａ薄膜１７をくし状に付加している。ここ
で、図３の空間清浄化材８の製造を次に示す。母材とし
てのＳＵＳ表面に、先ず光触媒材としてのＴｉＯ₂をゾ
ル−ゲル法により付加し、次いで３５０℃で加熱処理を
行い、次にその表面をくし型のスクリーンでおおい、ガ
ス状汚染物質捕集材としてのＴａを蒸着法によりくし状
に付加した。

【００３０】実施例３実施例１の半導体工場のクラス１００のクリーンルーム
におけるクラス１のスーパークリーンゾーンに設置され
た小型のウェハ保管庫（ウェハ収納ストッカＣ）におけ
る空気清浄を図４に示した本発明の空間清浄化材８を用
いたウェハ保管庫の基本構成図を用いて説明する。ウェ
ハ保管庫Ｃの空気清浄は、ウェハ保管庫Ｃの片側に設置
された紫外線ランプ１３、空間清浄化材８にて実施され
る。すなわち、ウェハ保管庫Ｃ中のＨ．Ｃ１０、ＮＨ₃
１１（ガス状汚染物質）は、空間清浄化材８におけるガ
ス状汚染物質の捕集材に捕集され、次いで、その近傍に
付加された光触媒材により、分解、除去される（空気清
浄化部、Ａ）。これにより、ウェハ２０の存在する被清
浄空間部（清浄化空間部、Ｂ）は、清浄化される。２１
はウェハキャリヤを示す。

【００３１】ここでの空間清浄化材８は、図５に（ａ：
断面図、ｂ：平面図）に示すようにウェハ１７の上に、
光触媒材としてのＴｉＯ₂１８を粒状に付加している。
図５の断面図ａの矢印は、紫外線の照射方向を示してい
る。ウェハ保管庫Ｃでは、ウェハ２０の保管庫Ｃへの出
し入れ（該保管庫の開閉）毎にクリーンルーム５中のガ
ス状汚染物質としてのウェハ基板に付着すると接触角の
増加をもたらすＨ．Ｃ（非メタンＨ．Ｃ濃度：１．０〜
１．３ｐｐｍ）１０や、解像不良を引き起こすＮＨ
₃（３０〜５０ｐｐｂ）が侵入するが、上記のごとくし
てこれらのガス状汚染物質は、空間清浄化材８に捕集さ
れ、除去される。これにより、保管庫Ｃの清浄化空間部
Ｂでは、接触角の増加をもたらさない（非メタンＨ．Ｃ
濃度として０．１ｐｐｍ以下）、解像不良を生じない
（ＮＨ₃濃度０．１ｐｐｂ以下）清浄な超清浄空間が創
出される。

【００３２】２２_-1，２２_-2，２２_-3は、保管庫Ｃ内の
空気の流れを示す。すなわち、空気清浄化部Ａに移動し
た空気は、紫外線ランプの照射により加温されるため、
上昇気流が生じ、保管庫Ｃ内を矢印、２２_-1，２２_-2，
２２_-3の様に動く。この空気の自然循環による動きによ
り、保管庫Ｃ内のガス状汚染物質は空気清浄化部Ａに順
次効果的に移動する。このようにして、保管庫Ｃ内は、
迅速かつ簡便に清浄化され、ウェハ保管庫内は超清浄空
気となり、ウェハへの汚染防止が顕著になる。すなわ
ち、ウェハ保管庫Ｃに侵入するガス状汚染物質は、２０
〜３０分以内に上記のごとくして空気清浄化部Ａにて効
果的に処理されるので、ウェハキャリヤ２１に収納され
たウェハ２０の近傍は超清浄空気となり、ウェハ２０の
汚染は防止される。図４において、実施例１と同一符号
は同じ意味を示す。ここでの図５の空間清浄化材８の製
造法を次に示す。ウェハに、光触媒材としてのＴｉＯ₂
懸だく液をスプレイによってその表面に粒状に付加し、
１０００℃で乾燥した。

【００３３】実施例４実施例３の図４のウェハ保管庫Ｃにおいて、空間清浄化
材８を、図６に示す別のタイプのものを用いた。図６中
ａは断面図、ｂは平面図であり、母材としてのＳＵＳ表
面１９に、光触媒材としてのＴｉＯ₂１８を付加し、そ
の上にガス状汚染物質捕集材としてのＴａ１７を島状に
付加している。ここでの図６の空間清浄化材８の製造法
を次に示す。母材としてのＳＵＳ表面に、先ず光触媒材
としてのＴｉＯ₂をゾル−ゲル法により付加し、次いで
３５０℃で加熱処理を行い、次いでＴａを蒸着法により
粒状に付加した。

【００３４】実施例５実施例１の半導体工場のクラス１００のクリーンルーム
に設置された中型のウェハ保管庫（ウェハ収納ストッ
カ）における空気清浄を図７に示した本発明の空間清浄
化材を用いたウェハ保管庫Ｃの基本構成図を用いて説明
する。ウェハ保管庫Ｃの空気清浄は、紫外線源としての
紫外線ランプを空間清浄化材で囲み一体化したユニット
（空気清浄化部、Ａ）を、ウェハ保管庫Ｃ内に設置する
ことにより実施される。該ユニットＡは、図８に基本構
成図を示したように、紫外線ランプ１３、該ランプ１３
を囲む（円筒状になった）本発明の空間清浄化材８によ
り構成される。すなわち、ウェハ保管庫Ｃ中のガス状汚
染物質としてのＨ．Ｃ１０、アンモニア１１は空間清浄
化材８中の捕集材にて捕集され、該捕集されたガス状汚
染物質は空間清浄化材８中の紫外線ランプからの照射を
受けたＴｉＯ₂により分解、無害化処理される。

【００３５】ここでの空間清浄化材８は、図９（ａ：断
面図、ｂ：平面図）に示すように、母材としてのＳＵＳ
材（円筒状）１９に、ガス状汚染物質の捕集材としての
ＳｉＯ₂膜１７、その上に光触媒材としてのＴｉＯ₂１
８を粒状に付加したもので、図９の断面図ａの矢印は、
紫外線の照射方向を示している。ウェハ保管庫Ｃでは、
ウェハ２０の保管庫Ｃへの出し入れ（該保管庫の開閉）
毎にクリーンルーム５中のガス状汚染物質として、ウェ
ハ基板に付着すると接触角の増加をもたらすＨ．Ｃ（非
メタンＨ．Ｃ濃度：１．０〜１．３ｐｐｍ）１０や、解
像不良を引き起こすＮＨ₃（３０〜５０ｐｐｂ）１１が
侵入するが、上記のごとくしてこれらのガス状汚染物質
は、空間清浄化材８に捕集され、除去される。これによ
り、保管庫Ｃの清浄化空間部Ｂでは、接触角の増加をも
たらさない（非メタンＨ．Ｃ濃度として０．１ｐｐｍ以
下）、解像不良を生じない（ＮＨ₃濃度０．１ｐｐｂ以
下）清浄な超清浄空間が創出される。

【００３６】２２_-1，２２_-2，２２_-3は、保管庫Ｃ内の
空気の流れを示す。すなわち、空気清浄化部Ａに移動し
た空気は、紫外線ランプの照射により加温されるため、
上昇気流が生じ、保管庫Ｃ内を矢印、２２_-1，２２_-2，
２２_-3の様に動く。この空気の自然循環による動きによ
り、保管庫Ｃ内のガス状汚染物質は空気清浄化部Ａに順
次効果的に移動する。このようにして、保管庫Ｃ内は、
迅速かつ簡便に清浄化され、ウェハ保管庫内は超清浄空
気となり、ウェハへの汚染防止が顕著になる。図７にお
いて、実施例１、３と同一符号は同じ意味を示す。ここ
での図９の空間清浄化材８の製造法を次に示す。母材と
しての半円筒状のＳＵＳ材料に、先ずその内面にＳｉＯ
₂を蒸着法により付加し、次いでＴｉＯ₂懸だく液をス
プレイによってその表面に粒状に付加し、１００℃で乾
燥した。空間清浄化材８は、この半円筒状の材料を組合
せたものである。

【００３７】実施例６実施例５の図８の一体化ユニット（空気清浄化部、Ａ）
の別のタイプのものを図１０に示す。図１０は、紫外線
ランプ１３の上に本発明の空間清浄化材８を付加したも
のである。該ユニットは、図１１に示すように紫外線ラ
ンプ１３上にガス状汚染物質の捕集材としてのＳｉＯ₂
膜１７とその上に光触媒材としてのＴｉＯ₂１８を粒状
に付加したものであり、図１１に、その断面図（上半
分）を示す。図１０、１１において、実施例５と同じ符
号は同じ意味を示す。

【００３８】実施例７半導体工場のクラス１０，０００のクリーンルームに設
置された小型のウェハ保管庫（ウェハ収納ストッカＣ）
における空気清浄を図１２に示した本発明の空間清浄化
材８を用いたウェハ保管庫の基本構成図を用いて説明す
る。本例は、クリーンルーム５内の微粒子（粒子状物
質）２４も、ガス状汚染物質１０，１１と同時に除去を
行うものである。該微粒子２４の捕集においては、本発
明者らがすでに提案した光電子を用いる方法（前記）を
用いている。ウェハ保管庫Ｃの空気清浄は、ウェハ保管
庫Ｃの片側に設置された紫外線ランプ１３、本発明の空
間清浄化材８、光電子放出材２５、光電子放出のための
電極材２６、荷電微粒子捕集材２７にて実施される。

【００３９】すなわち、ウェハ保管庫Ｃ中のＨ．Ｃ１
０、ＮＨ₃１１（ガス状汚染物質）は、空間清浄化材８
におけるガス状汚染物質の捕集材に捕集され、次いで、
その近傍に付加された紫外線ランプ１３から紫外線が照
射された光触媒材により、分解、除去される。また、微
粒子（粒子状物質）２４は、紫外線ランプ１３からの紫
外線が照射された光電子放出材２５から放出される光電
子により荷電され、荷電微粒子となり、該荷電微粒子は
荷電微粒子の捕集材２７に捕集される（空気清浄化部、
Ａ）。これにより、ウェハ２０の存在する被清浄空間部
（清浄化空間部、Ｂ）は、ガス状汚染物質、微粒子が除
去された超清浄空間となる。ここでの空間清浄化材８
は、図５（ａ：断面図、ｂ：平面図）に示すように、ウ
ェハ１７の上に、光触媒材としてのＴｉＯ₂１８を粒状
に付加している。図５の断面図ａの矢印は、紫外線の照
射方向を示している。光電子放出材２５は、Ｃｕ−Ｚｎ
上にＡｕを被覆したもの、電極材２６、２７はＣｕ−Ｚ
ｎ材である。光電子放出材２５と電極２６間の光電子放
出用の電場は５０Ｖ／ｃｍ、荷電微粒子捕集材２７の電
場は、５００Ｖ／ｃｍである。

【００４０】ウェハ保管庫Ｃでは、ウェハ２０の保管庫
Ｃへの出し入れ（該保管庫の開閉）毎にクリーンルーム
５中のガス状汚染物質としてのウェハ基板に付着すると
接触角の増加をもたらすＨ．Ｃ（非メタンＨ．Ｃ濃度：
１．０〜１．３ｐｐｍ）１０や、解像不良を引き起こす
ＮＨ₃（３０〜５０ｐｐｂ）１１、欠陥不良を引き起こ
す微粒子（クラス１０，０００）が侵入するが、上記の
ごとくしてこれらのガス状汚染物質、微粒子（粒子状物
質）は、空気清浄化部Ａにて、捕集・除去される。これ
により、保管庫Ｃの清浄化空間部Ｂでは、接触角の増加
をもたらさない（非メタンＨ．Ｃ濃度として０．１ｐｐ
ｍ以下）、解像不良を生じない（ＮＨ₃濃度０．１ｐｐ
ｂ以下）、欠陥不良を生じない〔微粒子濃度：不検出
（クラス１よりも清浄）〕、超清浄空間が創出される。

【００４１】２２_-1，２２_-2，２２_-3は、保管庫Ｃ内の
空気の流れを示す。すなわち、空気清浄化部Ａに移動し
た空気は、紫外線ランプの照射により加温されるため、
上昇気流が生じ、保管庫Ｃ内を矢印、２２_-1，２２_-2，
２２_-3の様に動く。この空気の自然循環による動きによ
り、保管庫Ｃ内のガス状汚染物質と微粒子は空気清浄化
部Ａに順次効果的に移動する。このようにして、保管庫
Ｃ内は、迅速かつ簡便に清浄化され、ウェハ保管庫内は
超清浄空気となり、ウェハへの汚染防止が顕著になる。
すなわち、ウェハ保管庫Ｃに侵入するガス状汚染物質
は、２０〜３０分以内に上記のごとくして空気清浄化部
Ａにて効果的に処理されるので、ウェハキャリヤ２１に
収納されたウェハ２０の近傍は超清浄空気となり、ウェ
ハ２０の汚染は防止される。図１２において、実施例
１、３と同一符号は同じ意味を示す。

【００４２】実施例８実施例７の図１２の空気清浄化部Ａの別のタイプのもの
を図１３に示す。図１３は、紫外線ランプ１３の上に光
電子放出材２５を被覆し、対向する光電子放出用の電極
２６が、本発明の空間清浄化材８と兼用のものである。
ここで、光電子放出材２５はＡｕの薄膜であり、紫外線
ランプ（殺菌ランプ）からの放射紫外線は、Ａｕ薄膜を
６０％透過し、空間清浄化材８に照射されている。本例
の空気清浄化部Ａは、紫外線ランプ１３、本発明の空間
清浄化材８、光電子放出材２５、電極２６、２７が一体
化されたユニットとなっており、コンパクト化されてい
る。ここでの空間清浄化材８は、ＳＵＳ材料（母材）上
にガス状汚染物質の捕集材としてのＴａが蒸着法により
付加され、その上に光触媒材としてのＴｉＯ₂が粒状に
付加されている。空間清浄化材８を、光電子放出用の電
極（正）とすることで、空間清浄化材８上の光触媒材の
光触媒作用が促進されることから好ましい。これは、電
極（正）とすることにより、光触媒中の電位こう配が増
大し、フォトキャリヤの再結合が抑制されるためと推定
される（エバラ時報、Ｎｏ．１７３、ｐ．７〜１７、１
９９６）。

【００４３】実施例９図４に示した構成の保管庫に半導体工場の下記試料空気
を入れ、本発明の空間清浄化材に紫外線照射を行い、保
管庫に収納したウェハ上の接触角及び該ウェハにＣｒ膜
を成膜し、該膜のウェハとのなじみ（付着力）を測定し
た。また、保管庫内の空気中の非メタン炭化水素濃度、
アンモニア濃度、及び保管庫内のウェハに吸着した炭化
水素の分析を行った。また、比較として空間清浄化材が
ない場合（ブランク）も同様に調べた。保管庫の大きさ；８０リットル光源；殺菌灯（主波長：２５４ｎ
ｍ）空間清浄化材；シリコンウェハ表面上に、Ｔ
ｉＯ₂を粒状に付加したもの。空間清浄化材の製造；シリコンウェハに、ＴｉＯ₂
の懸だく液をスプレイによってその表面に粒状に付加
し、１０００℃で乾燥した。接触角の測定；水滴接触角法〔（株）協和界
面科学製、ＣＡ−ＤＴ型〕

【００４４】ウェハ上の成膜；Ｃｒ３００ｎｍ厚さ、スパッタリング法成膜したＣｒの付着力；スクラッチ試験（ＲＨＥＳＣＡ製ＣＳＲ０２型）保管庫中の非メタン炭化水素の測定；ガスクロマトグラフ（ＧＣ）ウェハ上に吸着した炭化水素の同定；ＧＣ／ＭＳ法保管庫中のアンモニアの測定；化学発光法試料ガス；微粒子濃度：クラス１０（１ｆｔ³中の０．１ μｍ以上の微粒子の個数）非メタン炭化水素濃度：１．３ｐｐｍアンモニア濃度：３０ｐｐｂ保管庫内のウェハ；５インチウェハを１ｃｍ×８ｃｍに切断し、下記前処理後、保管庫に設置。ウェハの前処理；洗剤とアルコールで洗浄後、Ｏ₃発生下で紫外線照射（ＵＶ／Ｏ₃洗浄）。

【００４５】結果図１４は、経過時間による接触角（角度）と付着力（ｍ
Ｎ）の変化を示すグラフである。図１４において、接触
角は空間清浄化材が有る場合−〇−、無い場合−●−で
示し、また付着力は空間清浄化材が有る場合−△−、無
い場合−▲−で示す。このように、空間清浄化材を付加
した場合は、時間の経過によっても変化がなかった。ま
た、空間清浄化材なしのとき、５０時間後にウェハを取
り出し、加熱によりウェハ上に付着した炭化水素を脱離
させ、ＧＣ／ＭＳ法で測定したところ、フタル酸エステ
ルを検出した。空間清浄化材を設置した場合は検出しな
かった。また、保管庫内の非メタン炭化水素の濃度は、
空間清浄化材有りの場合、１時間、１０時間、１００時
間、４００時間の経過後、いずれも０．１ｐｐｍ以下で
あった。空間清浄化材無しの場合、１時間、１０時間、
１００時間、４００時間の経過後、いずれも０．９ｐｐ
ｍであった。

【００４６】保管庫内のアンモニア濃度は、空間清浄化
材有りの場合、１時間、１０時間、１００時間、４００
時間経過後、いずれも１ｐｐｂ以下であった。空間清浄
化材無しの場合、１時間、１０時間、１００時間、４０
０時間経過後、いずれも２０〜２５ｐｐｂが検出され
た。また、比較として、空間清浄化材のウェハ上にＴｉ
Ｏ₂の付加を行わない場合について、同様に接触角につ
いて調べた。その結果、図１４中の−−−□−−−に示
すように経過時間１００時間後から接触角が増加した。
光触媒は、前述有機性ガスやアンモニアに共存する他の
ガス状汚染物質の内、ウェハやガラス基板に吸着性の高
いガスも同時に処理される。例えば、クリーンルームに
おいて酸やアルカリ性物質が高濃度で存在する場合、例
えば酸やアルカリ性物質を用いる洗浄工程における発生
ＮＯｘやアミン類がクリーンルームに流出している場
合、該ガス状の汚染物質の濃度によっては、上述の接触
角増加に関与する。この場合は、該ガス状の汚染物も光
触媒による作用により同時に処理される。

【００４７】

【発明の効果】本発明によれば、次のような効果を奏す
ることができた。（１）本発明では、空間清浄化材の構成として、有害ガ
スが付着する製造装置あるいはプロセスで取扱う製品、
半製品、原材料の基材又は基板と、光照射により光触媒
作用を発揮する光触媒とを同一面上に配備したことによ
り、（ａ）本発明の対象気体や空間において、ガス状汚
染物質はかなり多成分が存在するが、該基材や基板に
は、後方の製造装置あるいはプロセスで問題となる（悪
影響を及ぼす）ガス状汚染物質が選択的に捕集（吸着）
された。即ち、かなりの多成分のガス状物質の内、問題
を引き起こすガス状物質（ガス状汚染物質）のみが捕集
されたので、ガス状汚染物質の効果的な捕集ができた。
（ｂ）（ａ）より気体中あるいは空間中のガス状汚染物
質は、効果的に該基材又は基板表面に捕集され、次いで
一体化された光触媒により処理された。（ｃ）上記で得
られた気体（雰囲気）を半導体ウェハや液晶ガラスに暴
露しておくと、該基材や基板表面の汚染が防止される。

【００４８】（２）微粒子の存在が問題となる用途（装
置）においては、適宜フィルタ方式や光電子を用いる方
式を組合せて用いることにより、（ａ）ガス状汚染物質
と微粒子（粒子状物質）が同時に除去（制御）された超
清浄空間が創出できた。（ｂ）ガスと粒子の同時制御に
より、適用分野が広がり、これにより実用性が向上し
た。（ｃ）特に、光電子を用いる方式は、本発明の空間
清浄化材で用いる光源、例えば紫外線ランプ（殺菌灯）
が兼用で使えるので、コンパクトな構造となり実用性が
向上した。（３）前記により、簡易な構成により、簡便に超清浄空
間が創出できた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の空間清浄化材を用いた清浄化装置を設
置したクリーンルームの全体構成図。

【図２】本発明の空間清浄化材の一例を示す拡大図。
（ａ）断面図、（ｂ）平面図。

【図３】本発明の空間清浄化材の他の例を示す拡大図。
（ａ）断面図、（ｂ）平面図。

【図４】クリーンルーム内に設置したウェハ保管庫の全
体構成図。

【図５】本発明の空間清浄化材の他の例を示す拡大図。
（ａ）断面図、（ｂ）平面図。

【図６】本発明の空間清浄化材の他の例を示す拡大図。
（ａ）断面図、（ｂ）平面図。

【図７】クリーンルーム内に設置したウェハ保管庫の他
の例を示す全体構成図。

【図８】保管庫内に設置した空間清浄化装置の断面図。

【図９】空間清浄化装置内の空間清浄化材の拡大図。
（ａ）断面図、（ｂ）平面図。

【図１０】保管庫内に設置した空間清浄化装置の他の断
面図。

【図１１】空間清浄化装置内の空間清浄化材の断面図。

【図１２】クリーンルーム内に設置したウェハ保管庫の
他の例を示す全体構成図。

【図１３】保管庫内に設置した空間清浄化装置の断面
図。

【図１４】接触角（度）と付着力（ｍＮ）の経時変化を
示すグラフ。

【図１５】従来のクリーンルームの全体構成図。

【符号の説明】

１：外気、２：粗フィルター、３：空気調和器、５：ク
リーンルーム、６：ＨＥＰＡフィルター、８：空間清浄
化材、１０：Ｈ．Ｃ、１１：ＮＨ₃、１２：クリーンル
ーム空気、１３：紫外線ランプ１３、１４：除塵用フィ
ルター、１５：清浄空気、１６：ウェハ製造装置、１
７：ウェハ、１８：ＴｉＯ₂、１９：ＳＵＳ、２０：ウ
ェハ、２１：ウェハキャリヤ、２２：気流、２４：微粒
子、２５：光電子放出材、２６：電極、２７：荷電微粒
子捕集材

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】同一面上に、光照射により光触媒作用を
発揮する物質と、ガラス、シリコンウェハ、非金属性物
質及び金属性物質のうちの少なくとも一種類の基材又は
これらを組合せた基板とを配備したことを特徴とする空
間清浄化材。
【請求項２】前記光触媒作用を発揮する物質が、Ｔｉ
Ｏ₂であることを特徴とする請求項１記載の空間清浄化
材。
【請求項３】有害ガスが存在する空間を清浄化する方
法において、該空間に、請求項１又は２記載の空間清浄
化材を設置して光照射し、空間中の有害ガスを除去する
ことを特徴とする空間清浄化方法。