JPH1012517A - Heat treatment apparatus for substrate - Google Patents
Heat treatment apparatus for substrateInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、基板に対して加熱
あるいは冷却処理を行う基板熱処理装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate heat treatment apparatus for heating or cooling a substrate.
【0002】[0002]
【従来の技術】図6は、従来の基板熱処理装置の正面断
面図である。基板熱処理装置は、半導体ウエハなどの基
板Wを載置するプレート20と、プレート20の上方に
被せられる上部カバー21とを備える。プレート20に
はヒータ、冷却管あるいはペルチェ素子などの加熱また
は冷却手段が埋め込まれている。そして、プレート20
の上面に近接して配置される基板Wは、プレート20に
埋め込まれた加熱または冷却手段により加熱あるいは冷
却されることにより所定の熱処理が行われる。FIG. 6 is a front sectional view of a conventional substrate heat treatment apparatus. The substrate heat treatment apparatus includes a plate 20 on which a substrate W such as a semiconductor wafer is placed, and an upper cover 21 that covers the plate 20. Heating or cooling means such as a heater, a cooling pipe or a Peltier element is embedded in the plate 20. And the plate 20
A predetermined heat treatment is performed by heating or cooling the substrate W disposed close to the upper surface of the substrate W by heating or cooling means embedded in the plate 20.
【0003】例えば、レジストのベーク処理では、レジ
ストが塗布された基板Wをプレート20上に載置し、上
部カバー21で覆った後、プレート20の加熱手段によ
り加熱してベーク処理を行う。基板Wが加熱されると、
基板W上のレジスト中の余分な溶媒分等が蒸発し、上部
カバー21の内部に充満する。ここで、外部から外気が
侵入するなどして温度変動が生じると、レジストからの
昇華物が再び凝結してレジストの表面に付着する場合が
生じ、好ましくない。For example, in a resist baking process, a substrate W coated with a resist is placed on a plate 20, covered with an upper cover 21, and then heated by heating means of the plate 20 to perform a baking process. When the substrate W is heated,
Excess solvent and the like in the resist on the substrate W evaporates and fills the inside of the upper cover 21. Here, if the temperature fluctuates due to the invasion of outside air from the outside, the sublimate from the resist may condense again and adhere to the surface of the resist, which is not preferable.
【0004】そこで、基板熱処理装置の内部に充満する
溶媒分(揮発分)等を外部に排出しながら熱処理を行う
ことが行われている。図6に示す基板熱処理装置では、
上部カバー21の上部の開口部22から多孔板23を通
して窒素(N2 )などの不活性ガスあるいは酸素
(O2 )などのガス25を基板W表面に吹きつけるとと
もに、プレート20に設けられた排気口24を通して外
部に排出している。Therefore, a heat treatment is performed while discharging a solvent (volatile matter) or the like filling the inside of the substrate heat treatment apparatus to the outside. In the substrate heat treatment apparatus shown in FIG.
An inert gas such as nitrogen (N 2 ) or a gas 25 such as oxygen (O 2 ) is blown from the upper opening 22 of the upper cover 21 through the perforated plate 23 onto the surface of the substrate W, and exhaust gas provided on the plate 20 is provided. It is discharged to the outside through the port 24.
【0005】ところが、上記の基板熱処理装置では、気
流(ガス流)の速度が基板Wの表面で不均一となる。す
なわち、上部カバー21の上方から供給されるガス25
は基板Wの中央部から外周側へ向かうにしたがって流速
が大きくなる。しかも、基板Wの外周縁を外れる部分で
は気流に乱れが生じる。このような気流の速度の不均一
によって基板Wのレジスト表面に温度分布の不均一が生
じ、これによって処理むらが発生するという問題があっ
た。However, in the above-described substrate heat treatment apparatus, the speed of the gas flow (gas flow) becomes uneven on the surface of the substrate W. That is, the gas 25 supplied from above the upper cover 21
The flow velocity increases from the central portion of the substrate W toward the outer peripheral side. In addition, a turbulence occurs in the airflow at a portion outside the outer peripheral edge of the substrate W. Due to such non-uniform airflow velocity, non-uniform temperature distribution occurs on the resist surface of the substrate W, which causes a problem that processing unevenness occurs.
【0006】一方、基板熱処理装置の側面からガスを供
給し、基板熱処理装置の上方から排気する方法も考案さ
れている。図7は、このような基板熱処理装置の断面構
造図である。この基板熱処理装置は、プレート30と上
部カバー31の境界部近傍に設けられた給気口34から
ガスを処理空間32内に供給し、上部カバー31の中央
に設けられた排気口33から排気するように構成されて
いる。On the other hand, a method has been devised in which gas is supplied from the side of the substrate heat treatment apparatus and exhausted from above the substrate heat treatment apparatus. FIG. 7 is a sectional structural view of such a substrate heat treatment apparatus. In this substrate heat treatment apparatus, gas is supplied into the processing space 32 from an air supply port 34 provided near a boundary between the plate 30 and the upper cover 31, and exhausted from an exhaust port 33 provided at the center of the upper cover 31. It is configured as follows.
【0007】このような構成においては、気流が基板W
の外方から基板Wの表面にほぼ平行に供給されるため、
基板Wの表面での気流の乱れが少ない。このため、気流
の乱れによる処理むらの発生が抑制される。In such a configuration, the air flow is
Is supplied almost in parallel to the surface of the substrate W from outside.
The turbulence of the air flow on the surface of the substrate W is small. For this reason, the occurrence of processing unevenness due to turbulence in the airflow is suppressed.
【0008】[0008]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図7に
示す基板熱処理装置では、処理空間32内の気流が基板
Wの外方から中央側に向かいかつ上方に巻き上げられる
ように流動するため、基板熱処理装置の内部の異物が基
板Wの表面上に巻き上げられ、基板Wを汚染するという
問題があった。However, in the substrate heat treatment apparatus shown in FIG. 7, the air flow in the processing space 32 flows from the outside of the substrate W toward the center side and is lifted upward. There is a problem that foreign matter inside the apparatus is wound up on the surface of the substrate W and contaminates the substrate W.
【0009】本発明の目的は、熱処理空間内の気流の乱
れによる処理むらや異物の付着が生じることのない基板
熱処理装置を提供することである。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a substrate heat treatment apparatus which does not cause processing unevenness or adherence of foreign matter due to turbulence of an air flow in a heat treatment space.
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段および発明の効果】第1の
発明に係る基板熱処理装置は、基台の上方が上部カバー
で覆われ、基台と上部カバーとの間に形成された熱処理
空間の内部に基板を保持して所定の熱処理を行う基板熱
処理装置において、基板の上方の上部カバーの下面に、
熱処理空間内に気体を供給するための複数の気体吹き出
し孔と、熱処理空間の内部の気体を排出するための複数
の排気孔とが混在して形成されたものである。According to a first aspect of the present invention, there is provided a substrate heat treatment apparatus, wherein an upper portion of a base is covered with an upper cover, and a heat treatment space formed between the base and the upper cover is formed. In a substrate heat treatment apparatus that performs a predetermined heat treatment while holding the substrate inside, on the lower surface of the upper cover above the substrate,
A plurality of gas outlets for supplying gas into the heat treatment space and a plurality of exhaust holes for discharging gas inside the heat treatment space are formed in a mixed manner.
【0011】第2の発明に係る基板熱処理装置は、第1
の発明に係る基板熱処理装置の構成において、上部カバ
ーの内部に、複数の気体吹き出し孔に連なる気体供給通
路と複数の排気孔に連なる排気通路とが設けられたもの
である。A substrate heat treatment apparatus according to a second aspect of the present invention comprises:
In the configuration of the substrate heat treatment apparatus according to the invention, a gas supply passage connected to the plurality of gas outlets and an exhaust passage connected to the plurality of exhaust holes are provided inside the upper cover.
【0012】第3の発明に係る基板熱処理装置は、第2
の発明に係る基板熱処理装置の構成において、気体供給
通路が、気体が導入される導入口と導入口側から分岐し
て延びる複数の分岐路とを有し、導入口の内側近傍に、
複数の分岐路のそれぞれに気体を分散させて導くための
整流板が配設されたものである。A substrate heat treatment apparatus according to a third aspect of the present invention comprises
In the configuration of the substrate heat treatment apparatus according to the present invention, the gas supply passage has an inlet into which gas is introduced and a plurality of branch passages extending from the inlet side and extending near the inside of the inlet.
A rectifying plate for dispersing and guiding gas to each of the plurality of branch paths is provided.
【0013】第4の発明に係る基板熱処理装置は、第2
の発明に係る基板熱処理装置の構成において、気体供給
通路が、気体が導入される導入口と導入口側から分岐し
て延びる複数の分岐路とを有し、排気通路が、気体供給
通路の複数の分岐路にそれぞれ間挿される複数の分岐路
を有しており、複数の気体吹き出し孔は気体供給通路の
各分岐路に沿って配置され、複数の排気孔は排気通路の
各分岐通路に沿って配置されているものである。A substrate heat treatment apparatus according to a fourth aspect of the present invention comprises
In the configuration of the substrate heat treatment apparatus according to the present invention, the gas supply passage has an inlet into which gas is introduced and a plurality of branch passages branching from the inlet side and extending, and the exhaust passage has a plurality of gas supply passages. Has a plurality of branch passages respectively interposed in the branch passages, a plurality of gas blowing holes are arranged along each branch passage of the gas supply passage, and a plurality of exhaust holes are along each branch passage of the exhaust passage. It is what is arranged.
【0014】第1〜第4の発明に係る基板熱処理装置に
おいては、熱処理空間内に複数の気体吹き出し孔から気
体が供給され、基板の上方で処理液から揮発した溶媒分
等と均一に混合される。さらに混合された気体が複数の
気体吹き出し孔の中に混在して形成された複数の排気孔
から速やかに外部に排出される。これにより、気体の局
所的な対流を基板上方の全面に亘って生じさせて熱処理
空間内の温度分布を均一化することができる。その結
果、温度分布の不均一に起因する処理むらの発生を防止
することができる。In the substrate heat treatment apparatus according to the first to fourth inventions, a gas is supplied into the heat treatment space from a plurality of gas blowing holes, and is uniformly mixed with a solvent or the like volatilized from the processing liquid above the substrate. You. Further, the mixed gas is quickly discharged to the outside from the plurality of exhaust holes formed in the plurality of gas blowing holes. Thereby, local convection of gas is generated over the entire surface above the substrate, and the temperature distribution in the heat treatment space can be made uniform. As a result, it is possible to prevent the occurrence of processing unevenness due to uneven temperature distribution.
【0015】特に、第2の発明に係る基板熱処理装置に
おいては、上部カバーの内部に設けた気体供給通路を通
して複数の気体吹き出し孔から均等に気体を熱処理空間
内に供給することができる。さらに、複数の排気孔に連
なる排気通路を通して熱処理空間内の処理液の揮発分等
を含む気体を速やかに外部に排出することができる。In particular, in the substrate heat treatment apparatus according to the second aspect of the present invention, gas can be uniformly supplied from the plurality of gas outlets into the heat treatment space through the gas supply passage provided inside the upper cover. Further, gas containing volatile components of the processing liquid in the heat treatment space can be quickly discharged to the outside through the exhaust passage connected to the plurality of exhaust holes.
【0016】特に、第3の発明に係る基板熱処理装置に
おいては、気体供給通路の複数の分岐路を基板の上方に
分散して配置し、整流板を用いてこれらの分岐路に均等
に気体を導くことにより、基板の上方に均一に気体を供
給することができる。In particular, in the substrate heat treatment apparatus according to the third aspect of the present invention, a plurality of branch paths of the gas supply path are dispersed and arranged above the substrate, and a gas is evenly distributed to these branch paths using a rectifying plate. By guiding, gas can be supplied uniformly above the substrate.
【0017】特に、第4の発明に係る基板熱処理装置に
おいては、気体供給通路の複数の分岐路に排気通路の複
数の分岐路を間挿することにより、気体供給通路の分岐
路に沿った複数の気体吹き出し孔と排気通路の分岐路に
沿った複数の排気孔とが交互に隣接して配置される。こ
のため、基板上方において、気体の吹き出し部と排気部
とが近接することにより局所的な対流が生じ、熱処理空
間内の温度分布が均一化するとともに、基板上の処理液
からの揮発分が均等に混合されかつ速やかに外部に排出
される。これにより、基板の処理むらの発生が防止され
る。In particular, in the substrate heat treatment apparatus according to the fourth aspect of the present invention, the plurality of branch paths of the exhaust passage are inserted into the plurality of branch paths of the gas supply path, so that the plurality of branch paths along the branch path of the gas supply path are provided. And a plurality of exhaust holes along the branch of the exhaust passage are alternately arranged adjacent to each other. For this reason, a local convection occurs due to the proximity of the gas blowing portion and the exhaust portion above the substrate, and the temperature distribution in the heat treatment space is made uniform, and the volatile components from the processing liquid on the substrate are made uniform. And quickly discharged outside. This prevents the occurrence of processing unevenness on the substrate.
【0018】[0018]
【発明の実施の形態】図1は、本発明の第1の実施例に
よる基板熱処理装置の正面断面図であり、図2は、基板
熱処理装置の平面断面図であり、さらに図3は、基板熱
処理装置の側部断面図である。なお、図1は図2中のY
−Y線断面を示し、図2は図1中のX−X線断面を示
し、さらに図3は図2中のZ−Z線断面図を示してい
る。1 is a front sectional view of a substrate heat treatment apparatus according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a plan sectional view of the substrate heat treatment apparatus, and FIG. It is a sectional side view of a heat treatment apparatus. FIG. 1 is a view similar to FIG.
2 shows a cross section taken along the line XX in FIG. 1, and FIG. 3 shows a cross section taken along the line ZZ in FIG.
【0019】図1〜図3において、基板熱処理装置は加
熱あるいは冷却手段が埋め込まれた金属製のプレート1
と、プレート1に被せられる上部カバー2とを備えてい
る。上部カバー2は熱処理空間3を構成する凹部を有す
る蓋状に形成されており、軽量化のために中空構造が用
いられている。上部カバー2の内側には、熱処理空間3
に対してガスを供給しあるいは熱処理空間3内の気体
(以下、内部気体と称する)を排出するための給排気部
7が形成されている。In FIG. 1 to FIG. 3, a substrate heat treatment apparatus includes a metal plate 1 having a heating or cooling means embedded therein.
And an upper cover 2 that is put on the plate 1. The upper cover 2 is formed in a lid shape having a concave portion forming the heat treatment space 3, and has a hollow structure for weight reduction. Inside the upper cover 2, there is a heat treatment space 3
A gas supply / exhaust portion 7 for supplying gas to or exhausting gas in the heat treatment space 3 (hereinafter, referred to as internal gas) is formed.
【0020】給排気部7は、図2に示すように隔壁6b
によって仕切られた複数の給気通路8aと複数の排気通
路8bとを有している。複数の給気通路8aおよび排気
通路8bは櫛歯状に形成され、交互に隣接して配置され
ている。また、給気通路8aは、上部カバー2の一方の
側面に形成されたガス供給口4および隔壁6aに囲まれ
た入口空間4aに連通しており、排気通路8bは、他方
の側面に形成された排気口5および隔壁6cに囲まれた
出口空間5aに連通している。The air supply / exhaust section 7 includes a partition 6b as shown in FIG.
It has a plurality of air supply passages 8a and a plurality of exhaust passages 8b partitioned by the air passage. The plurality of air supply passages 8a and the plurality of exhaust passages 8b are formed in a comb shape, and are alternately arranged adjacent to each other. The air supply passage 8a communicates with the gas supply port 4 formed on one side surface of the upper cover 2 and the inlet space 4a surrounded by the partition 6a, and the exhaust passage 8b is formed on the other side surface. It communicates with an outlet space 5a surrounded by the exhaust port 5 and the partition 6c.
【0021】ガス供給口4に連なる入口空間4aには、
複数の給気通路8aに均等にガスを供給するための複数
の整流板9が設けられている。複数の整流板9は各給気
通路8aに対応して設けられ、ガス供給口4から供給さ
れるガスを各給気通路8aに均等に分配する。In an inlet space 4a connected to the gas supply port 4,
A plurality of flow straightening plates 9 for uniformly supplying gas to the plurality of air supply passages 8a are provided. A plurality of flow straightening plates 9 are provided corresponding to the respective air supply passages 8a, and distribute gas supplied from the gas supply ports 4 evenly to the respective air supply passages 8a.
【0022】図1に示すように、各給気通路8aおよび
各排気通路8bは、上部カバー2の内壁面2a、隔壁6
bおよび多孔板11により取り囲まれている。また、図
2に示すように、多孔板11には、給気通路8aに対応
する位置に複数の給気孔10aが形成され、また排気通
路8bに対応する位置に複数の排気孔10bが形成され
ている。給気孔10aおよび排気孔10bは好ましくは
均等なピッチで配置される。As shown in FIG. 1, each air supply passage 8a and each exhaust passage 8b are formed by the inner wall surface 2a of the upper cover 2 and the partition 6
b and the perforated plate 11. As shown in FIG. 2, a plurality of air supply holes 10a are formed in the perforated plate 11 at positions corresponding to the air supply passages 8a, and a plurality of exhaust holes 10b are formed at positions corresponding to the exhaust passages 8b. ing. The supply holes 10a and the exhaust holes 10b are preferably arranged at a uniform pitch.
【0023】上記のような構造を有する基板熱処理装置
を用いた基板の熱処理工程においては、プレート1上の
球状体スペーサ1aに基板Wを載置した後、上部カバー
2が被せられる。そして、上部カバー2の側面に形成さ
れたガス供給口4を通して、給気通路8aに窒素
(N2 )あるいは酸素(O2 )などのガスが供給され
る。ガスは、入口空間4aに配置された整流板9の働き
により櫛歯状の給気通路8aのそれぞれにほぼ均等に分
配されて流れ込む。そして、多孔板11に形成された給
気孔10aを通して熱処理空間3内に吹き出される。In the substrate heat treatment step using the substrate heat treatment apparatus having the above-described structure, the upper cover 2 is put on the substrate W after the substrate W is placed on the spherical spacer 1a on the plate 1. Then, a gas such as nitrogen (N 2 ) or oxygen (O 2 ) is supplied to the air supply passage 8a through the gas supply port 4 formed on the side surface of the upper cover 2. The gas is distributed substantially evenly into each of the comb-shaped air supply passages 8a and flows into the comb-shaped air supply passages 8a by the function of the flow straightening plate 9 disposed in the inlet space 4a. Then, the air is blown into the heat treatment space 3 through the air supply holes 10 a formed in the perforated plate 11.
【0024】一方、上部カバー2の他方の側面に形成さ
れた排気口5からは排気通路8bを通して排気が行われ
る。すなわち、給気通路8aから吸気孔10aを通して
熱処理空間3内に供給されたガスは、基板Wの表面上の
処理液、例えばレジストからの揮発した溶媒分と混合さ
れ、この混合した内部気体が排気孔10bから排気通路
8bを通り排気口5から外部へ排出される。On the other hand, air is exhausted from an exhaust port 5 formed on the other side surface of the upper cover 2 through an exhaust passage 8b. That is, the gas supplied from the air supply passage 8a into the heat treatment space 3 through the air inlet 10a is mixed with a processing liquid on the surface of the substrate W, for example, a solvent volatilized from the resist, and the mixed internal gas is exhausted. The gas is discharged from the hole 10b to the outside through the exhaust port 5 through the exhaust passage 8b.
【0025】上記の基板熱処理装置においては、基板W
の表面上に複数の給気孔8aが均等に配置されている。
このため、複数の給気孔8aから供給されたガスは、各
給気孔10aの周辺でそれぞれ熱処理空間3内の内部気
体と混合される。このため、基板Wの表面上では、全面
に亘ってほぼ均等に内部気体の混合が行われ、内部気体
に含まれる処理液からの揮発分の濃度が均一化する。ま
た、複数の排気孔10bも基板Wの表面上に均等に配置
されている。したがって、基板Wの表面上で均等に混合
された内部気体を複数の排気孔10bを通して速やかに
排出することができる。In the above substrate heat treatment apparatus, the substrate W
A plurality of air supply holes 8a are evenly arranged on the surface of.
For this reason, the gas supplied from the plurality of gas supply holes 8a is mixed with the internal gas in the heat treatment space 3 around each gas supply hole 10a. For this reason, on the surface of the substrate W, the internal gas is almost uniformly mixed over the entire surface, and the concentration of volatile components from the processing liquid contained in the internal gas is made uniform. Further, the plurality of exhaust holes 10b are also arranged uniformly on the surface of the substrate W. Therefore, the internal gas uniformly mixed on the surface of the substrate W can be quickly discharged through the plurality of exhaust holes 10b.
【0026】このように、基板Wの表面上では、各給気
孔10aおよび各排気孔10bの周辺で局所的な対流が
生じて気流の流動状態が均一になるため、加熱処理が均
一に行われ、処理むらの発生が防止される。As described above, on the surface of the substrate W, local convection occurs around each of the air supply holes 10a and each of the exhaust holes 10b, and the flow state of the air flow becomes uniform, so that the heat treatment is performed uniformly. In addition, the occurrence of processing unevenness is prevented.
【0027】なお、熱処理空間3内のガスの供給量と内
部気体の排気量とはほぼ同等であるかあるいは排気量を
わずかに少なくすることが熱処理空間3内を清浄に保つ
上で好ましい。It is preferable that the supply amount of gas in the heat treatment space 3 and the exhaust amount of the internal gas are substantially equal or the exhaust amount is slightly reduced in order to keep the inside of the heat treatment space 3 clean.
【0028】また、図4は、本発明の第2の実施例によ
る基板熱処理装置の正面断面図である。図4に示す基板
熱処理装置は、図1〜図3に示す基板熱処理装置に対
し、給排気部7へのガスの供給路および内部気体の排出
路の構成が異なっている。すなわち、プレート1には、
上部カバー2にガスを供給するためのガス供給路15と
熱処理空間3内の内部気体を排出するための排気路18
とが形成されている。ガス供給路15および排気路18
は、それぞれプレート1を貫通してプレート1の上面に
開口している。FIG. 4 is a front sectional view of a substrate heat treatment apparatus according to a second embodiment of the present invention. The substrate heat treatment apparatus shown in FIG. 4 differs from the substrate heat treatment apparatus shown in FIGS. 1 to 3 in the configuration of the gas supply path to the supply / exhaust section 7 and the internal gas discharge path. That is, plate 1 has
Gas supply path 15 for supplying gas to upper cover 2 and exhaust path 18 for discharging internal gas in heat treatment space 3
Are formed. Gas supply path 15 and exhaust path 18
Open through the plate 1 to the upper surface of the plate 1.
【0029】上部カバー2には、ガス供給路15に対応
する位置にガス導入路16が形成される。また、排気路
18に対応する位置に排気路17が形成されている。な
お、図示を省略しているが、ガス導入路16および排気
路17には、上部カバー2がプレート1から離間された
際にガス導入路16および導出路17を閉塞し、上部カ
バー2がプレート1上に被せられた際にガス導入路16
および排気路17を開放してそれぞれプレート1のガス
供給路15および排気路18に連通させる開閉部材が配
置されている。In the upper cover 2, a gas introduction path 16 is formed at a position corresponding to the gas supply path 15. An exhaust path 17 is formed at a position corresponding to the exhaust path 18. Although not shown, the gas introduction path 16 and the exhaust path 17 close the gas introduction path 16 and the lead-out path 17 when the upper cover 2 is separated from the plate 1, and the upper cover 2 Gas introduction path 16
And an opening / closing member that opens the exhaust path 17 and communicates with the gas supply path 15 and the exhaust path 18 of the plate 1, respectively.
【0030】ガス導入路16の一端は給排気部7の給気
通路8aに連通しており、プレート1のガス供給路15
を通って供給されるガスを給排気部7の給気通路8aに
供給する。また、導出路17の一端は給排気部7の排気
通路8bに連通している。そして、熱処理空間3内から
排気通路8bを通り排出された内部気体をプレート1の
排気路18を通して外部へ排出する。One end of the gas introduction passage 16 communicates with the air supply passage 8 a of the air supply / exhaust unit 7, and the gas supply passage 15
The gas supplied through is supplied to the air supply passage 8 a of the air supply / exhaust unit 7. One end of the lead-out passage 17 communicates with the exhaust passage 8b of the supply / exhaust unit 7. Then, the internal gas discharged from the inside of the heat treatment space 3 through the exhaust passage 8 b is exhausted to the outside through the exhaust passage 18 of the plate 1.
【0031】なお、この実施例では、給排気部7の構造
は第1の実施例と同様である。したがって、熱処理空間
3内に均等にガスを供給し、処理液からの揮発分を基板
W表面上において均一に混合して速やかに外部に排出す
ることができる。In this embodiment, the structure of the air supply / exhaust section 7 is the same as that of the first embodiment. Accordingly, the gas can be uniformly supplied into the heat treatment space 3, and the volatile components from the processing liquid can be uniformly mixed on the surface of the substrate W and quickly discharged to the outside.
【0032】また、図5(a)は、図2に示す整流板と
異なる他の整流板を用いた上部カバー2の部分平面断面
図であり、図5(b)は整流板の平面図である。図5
(b)に示す整流板12は、長尺板状部材の表面に気流
を通過させるための複数の孔13が形成されている。整
流板12は、ガス供給口4から外側の給気通路8aに向
う方向に沿って配置され、ガス供給口4から供給される
ガスを整流板12に沿ってより外側の給気通路8aにガ
スを供給するとともに、整流板12の孔13を通して各
給気通路8aに均等にガスを供給するように作用する。FIG. 5A is a partial plan sectional view of the upper cover 2 using another rectifying plate different from the rectifying plate shown in FIG. 2, and FIG. 5B is a plan view of the rectifying plate. is there. FIG.
The baffle plate 12 shown in (b) has a plurality of holes 13 formed on the surface of the long plate-shaped member to allow airflow to pass therethrough. The current plate 12 is disposed along the direction from the gas supply port 4 to the outside air supply passage 8 a, and the gas supplied from the gas supply port 4 is supplied to the outside gas supply passage 8 a along the current plate 12. And acts to evenly supply gas to each air supply passage 8a through the hole 13 of the current plate 12.
【0033】なお、整流板としては図2に示す整流板9
および図5に示す整流板12のみならず、他の整流板を
用いても構わない。また、取付け方向が可動のものであ
っても構わない。The rectifying plate 9 shown in FIG.
In addition to the current plate 12 shown in FIG. 5, another current plate may be used. Further, the mounting direction may be movable.
【0034】また、上記の第1および第2の実施例にお
ける給排気部7は、櫛歯状の給気通路8aおよび排気路
8bを相互に組み合わせて構成されているが、給気通路
8aおよび排気通路8bの形状はこれに限定されるもの
ではない。すなわち、本発明においては、基板Wの表面
上にガスを供給するための給気孔10aおよび内部気体
を外部に排出するための排気孔10bを均等に近接して
配置すればよい。このため、例えば給気路8aと排気通
路8bとを交互に渦巻状に配置してもよい。The air supply / exhaust portion 7 in the first and second embodiments is constructed by combining a comb-shaped air supply passage 8a and a gas exhaust passage 8b with each other. The shape of the exhaust passage 8b is not limited to this. That is, in the present invention, the air supply holes 10a for supplying gas onto the surface of the substrate W and the exhaust holes 10b for discharging the internal gas to the outside may be arranged evenly close to each other. Therefore, for example, the air supply passages 8a and the exhaust passages 8b may be alternately arranged in a spiral shape.
【0035】さらに、本実施例の給排気部7が適用可能
な基板熱処理装置としては、いわゆるホットプレートの
みならずクーリングプレートも含まれる。Further, the substrate heat treatment apparatus to which the air supply / exhaust section 7 of this embodiment is applicable includes not only a so-called hot plate but also a cooling plate.
【図1】本発明の第1の実施例による基板熱処理装置の
正面断面図(図2中のY−Y線断面図)である。FIG. 1 is a front sectional view (a sectional view taken along line YY in FIG. 2) of a substrate heat treatment apparatus according to a first embodiment of the present invention.
【図2】図1中のX−X線断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along line XX in FIG.
【図3】図2中のZ−Z線断面図である。FIG. 3 is a sectional view taken along line ZZ in FIG. 2;
【図4】本発明の第2の実施例による基板熱処理装置の
正面断面図である。FIG. 4 is a front sectional view of a substrate heat treatment apparatus according to a second embodiment of the present invention.
【図5】(a)は整流板の他の例を用いた基板熱処理装
置の部分平面断面図であり、(b)は整流板の平面図で
ある。5A is a partial plan cross-sectional view of a substrate heat treatment apparatus using another example of a current plate, and FIG. 5B is a plan view of the current plate.
【図6】従来の基板熱処理装置の正面断面図である。FIG. 6 is a front sectional view of a conventional substrate heat treatment apparatus.
【図7】従来の他の例による基板熱処理装置の正面断面
図である。FIG. 7 is a front sectional view of another conventional substrate heat treatment apparatus.
1 プレート 2 上部カバー 3 熱処理空間 4 ガス供給口 5 排気口 6a,6b 隔壁 7 給排気部 8a 給気通路 8b 排気通路 9,12 整流板 10a 給気孔 10b 排気孔 11 多孔板 15 ガス供給路 16 ガス導入路 17 導出路 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Plate 2 Upper cover 3 Heat treatment space 4 Gas supply port 5 Exhaust port 6a, 6b Partition wall 7 Supply / exhaust part 8a Supply path 8b Exhaust path 9, 12 Rectifier plate 10a Supply hole 10b Exhaust hole 11 Perforated plate 15 Gas supply path 16 Gas Introductory route 17 Outgoing route
Claims (4)
基台と前記上部カバーとの間に形成された熱処理空間の
内部に基板を保持して所定の熱処理を行う基板熱処理装
置において、 前記基板の上方の前記上部カバーの下面に、前記熱処理
空間内に気体を供給するための複数の気体吹き出し孔
と、前記熱処理空間の内部の気体を排出するための複数
の排気孔とが混在して形成されたことを特徴とする基板
熱処理装置。1. A substrate heat treatment apparatus, wherein an upper portion of a base is covered with an upper cover, and a predetermined heat treatment is performed by holding a substrate in a heat treatment space formed between the base and the upper cover. On the lower surface of the upper cover above the substrate, a plurality of gas blowing holes for supplying gas into the heat treatment space, and a plurality of exhaust holes for discharging gas inside the heat treatment space are mixed. A substrate heat treatment apparatus characterized by being formed by:
体吹き出し孔に連なる気体供給通路と前記複数の排気孔
に連なる排気通路とが設けられたことを特徴とする請求
項1記載の基板熱処理装置。2. The substrate heat treatment according to claim 1, wherein a gas supply passage connected to the plurality of gas blowing holes and an exhaust passage connected to the plurality of exhaust holes are provided inside the upper cover. apparatus.
れる導入口と、前記導入口側から分岐して延びる複数の
分岐路とを有し、 前記導入口の内側近傍に、前記複数の分岐路のそれぞれ
に気体を分散させて導くための整流板が配設されたこと
を特徴とする請求項2記載の基板熱処理装置。3. The gas supply passage has an inlet through which the gas is introduced, and a plurality of branch passages that branch off from the inlet side and extend near the inside of the inlet. 3. The substrate heat treatment apparatus according to claim 2, wherein a rectifying plate for dispersing and guiding gas is disposed in each of the branch paths.
れる導入口と、前記導入口側から分岐して延びる複数の
分岐路とを有し、 前記排気通路は、前記気体供給通路の複数の分岐路にそ
れぞれ間挿される複数の分岐路を有しており、 前記複数の気体吹き出し孔は前記気体供給通路の各分岐
路に沿って配置され、前記複数の排気孔は前記排気通路
の各分岐路に沿って配置されていることを特徴とする請
求項2記載の基板熱処理装置。4. The gas supply passage has an inlet through which the gas is introduced, and a plurality of branch passages branching from the inlet side and extending, and the exhaust passage includes a plurality of the gas supply passages. A plurality of branch passages respectively interposed between the branch passages, the plurality of gas blowing holes are arranged along each branch passage of the gas supply passage, and the plurality of exhaust holes are each of the exhaust passages. The substrate heat treatment apparatus according to claim 2, wherein the substrate heat treatment apparatus is arranged along a branch path.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15986096A JPH1012517A (en) | 1996-06-20 | 1996-06-20 | Heat treatment apparatus for substrate |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JPH1012517A true JPH1012517A (en) | 1998-01-16 |
Family
ID=15702812
Family Applications (1)
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1012517A (en) |
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- 1996-06-20 JP JP15986096A patent/JPH1012517A/en active Pending
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