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JPH10111490A - 液晶表示装置の駆動法 - Google Patents

液晶表示装置の駆動法

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Publication number
JPH10111490A
JPH10111490A JP26639396A JP26639396A JPH10111490A JP H10111490 A JPH10111490 A JP H10111490A JP 26639396 A JP26639396 A JP 26639396A JP 26639396 A JP26639396 A JP 26639396A JP H10111490 A JPH10111490 A JP H10111490A
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JP
Japan
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potential
gate
liquid crystal
crystal display
display device
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JP26639396A
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Inventor
Tomoaki Sekime
智明 関目
Ryoichi Ogishima
亮一 荻島
Akinari Otani
晃也 大谷
Yoneji Takubo
米治 田窪
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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  • Transforming Electric Information Into Light Information (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 液晶表示装置のゲートバスラインの遅延時間
が大きくても、液晶の画素電位の変化を最小限にし、更
にフリッカや画素間の輝度差を解消する液晶表示装置の
駆動方法を提供する。 【解決手段】 TFTをオンするゲート電位Vghの印加
の後であって、画素電極に誘起される突き抜け電位を補
償するための2つの電圧レベルからなる変調信号電位の
印加の前に、TFTのゲートオフのタイミングを一定に
するためのゲートオフ改善電位を印加し、TFTのソー
ス−ドレイン間にリーク電流を等しくかつ少なくする。
ゲートオフ改善電位として前記変調信号電位の低い方ま
たはさらに低い電位とし、TFTゲートオフの遅延時間
を減少させる。Vgh印加期間とゲートオフ改善電位印加
期間をもって、ゲート駆動信号の1水平期間の信号とす
る。次段のTFTへのゲート信号印加はこの1水平期間
経過後から開始する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置に薄膜ト
ランジスタを用いたアクティブマトリックス型液晶表示
装置の駆動方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、液晶表示装置は、CRTに代わる
ディスプレイ装置として、特に、カラーノートパソコン
やナビゲーションシステムに採用され、著しい進展を遂
げている。更に将来的には、液晶テレビにおいて、画面
の大型化及び高精細化が求められており、特に薄膜トラ
ンジスタ(以下TFTと略す)を用いたアクティブマトリ
ックス型液晶表示装置の利用範囲は拡大している。その
一方で従来の液晶表示装置には、フリッカやクロストー
ク等の問題があり、これらの問題を解決するため様々な
駆動方法の検討及び実用化がなされている。
【0003】フリッカの改善としては、特開平2−15
7815号公報に示されているように、画素電極に容量
的に結合しているゲートバスラインの電位を変化させる
ことによる画素電極の電位を変調する方法(以下容量結
合駆動と称す)により、液晶の誘電異方性等によるDC
成分を除去し、ソース号振幅小すなわち低消費電力化を
実現することが可能であった。しかしこの方法では、大
画面、大容量ディスプレイに対しては横クロストークの
問題が発生していた。横クロストークとは、本来同一輝
度を持たなければならない画面上の領域が、それぞれ同
時刻にオン状態になる他の画素パターンに依存して異な
る輝度をもつ現象であり、画質上非常に深刻な問題であ
る。横クロストークの原因は、ソースバスラインと対向
電極とが容量的に結合しているために、ソースバスライ
ンの電位変化によって対向電極に振動成分が誘起される
ことにより、希望する液晶印加電圧が得られないという
欠点がある。
【0004】この問題を解決する方法として、特開平4
−367821号公報に前記容量結合駆動で、ソースバ
スラインの隣接するラインの位相を反転する新しい手法
が提案されていた。以下、図2、図7、図8を用いて特
開平4−367821号公報に示される液晶表示装置の
容量結合駆動法を紹介する。
【0005】図2は液晶表示装置の画素の等価回路を示
すものである。図2において、1は、ゲートバスライン
を駆動する駆動回路であり、2は、ソースバスラインを
駆動する駆動回路である。3は、n番目のゲートバスラ
インGnで、4は、j番目のソースバスラインSjであ
る。5はTFTで、1のゲートバスラインGn+1と2の
ソースバスラインSjの交点に有する。6は液晶容量C1
cで、7は蓄積容量Cstで、8はゲート−ドレイン間の
寄生容量Cgdで、9は画素電極の一端とつながる共通電
極Vcomである。前記蓄積容量Cstは、隣接する各ソー
スバスライン毎に、前記TFTに対して前段のゲートバ
スラインと後段のゲートバスラインに交互に形成されて
いる。また、図7は液晶表示装置のゲートバスラインの
等価回路図である。10は、単位長当たりのゲート配線
抵抗Rgで、11は単位長当たりのゲート配線容量Cgで
ある。
【0006】以上のように構成された液晶表示装置につ
いて、以下その動作について図8を用いて説明する。
【0007】図8(a)は、前記ゲート駆動回路より、前
記ゲートバスの第n番目に印加される信号電圧、図8
(b)は、前記ゲートバスの第n+1番目に与えられる信号
電圧をそれぞれ示す。1水平走査期間保持されるTFT
をオンするためのゲート電位Vghの前に、1水平走査期
間保持される変調信号電位を与え、前記Vghの電位の後
に、2水平走査期間保持される変調信号電位を与える。
この変調信号電位は1フィールド毎に電位がVge+とVg
e-に交互に変化する信号電位である。図8の(c)におけ
るソース信号電位は、図8の(a)の第nフィールドのV
ghの電位期間と第n+1フィールドのVghの電位期間で
は、極性は逆になっている。
【0008】ここで、t1の期間、ゲート電圧がVghで
TFTがオン状態にあり、画素電位Vdは、ソース電位
と同電位まで充電される(図8(d)のA点)。
【0009】次に、t2の期間、TFTがオフ状態にな
り、理想では前記の画素電位Vdは前記t1における値
と同じ値(図8(d)のA点)が保持されるはずであるが、
前記寄生容量Cgdの影響でΔVだけ画素電位が低下する
(図8(d)のB点)。これを突き抜け電圧と呼び、ゲート
電圧の変化量をΔVgとすると次式で表される。
【0010】 ΔV=ΔVg・Cgd/(Clc+Cst+Cgd) ここで、ΔVgはゲート電圧の変化量で、ΔVg=Vgh−
Vgl、ここでVglはTFTをオフするための電位、Clc
は液晶の容量、Cstはドレインでの電荷を保持するため
の蓄積容量、Cgdはゲート−ドレイン間の寄生容量であ
る。
【0011】更に、t3の期間で、第n段ゲート電圧が
Vge-からVglに変化するために画素電位がさらに変化
し、その変化量ΔV1は、 ΔV1=Cst・ΔVg/(Clc+Cst+Cgd) ΔVgはゲート電圧の変化量で、t3の期間ではΔVg=|
Vge-−Vgl|、t6の期間ではΔVg=|Vge+−Vgl|と
なる。ここでClc、Cst、Cgdは前記と同様である。
【0012】特開平2−157815号等では前記Vge
+及びVge-の電位を調整し、前記ΔV1で前記突き抜け
電圧ΔVを補正する方法をとっている。
【0013】以上の説明は、前段ゲート構成の画素につ
いてであったが、図2において、前記画素の隣の画素即
ち後段ゲート構成の画素についても同様である。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の駆
動法では、以下に示すような課題がある。それは、第7
図に示すように液晶表示装置のゲートバスラインには配
線抵抗Rgや容量Cgがあり、それらがフィルタ回路を形
成し、ゲートバスラインの終電端では前記ゲート電圧V
Gの立ち上がり及び立ち下がりの期間で遅延時間が生
じ、図9に示す駆動波形になる。これにより、前記Vg
hの電位の保持期間の後、立ち下がりの遅延時間の影響
により、TFTが瞬時にオフせず、完全にオフするまで
一定の期間を要する。すなわち、TFTのソース−ドレ
イン間にリーク電流が生じ、前記突き抜け電圧が変化す
ることから、画素にかかる液晶印加実効電圧は前記ゲー
トバスラインの遅延時間がほとんどない液晶表示装置と
比べて変化する。
【0015】このように遅延時間を考慮すると、前記V
ghの電位後のゲート電位VG(t)は次式に示すように時
間に依存する関数となる。
【0016】 VG(t)=(Vgh−Vge)・EXP(−t/CR)+Vge ここで、C、Rは液晶表示装置の配線抵抗や容量であ
る。
【0017】第nフィールドでは、Vge=Vge+で、第n
+1フィールドでは、Vge=Vge-である。TFTがオフ
する電位をVG(t)=VOFFとし、TFTがオフする期間
をΔtOFFとして、上式に代入し、ΔtOFFを求めると、
OFF=(Vgh−Vge)・EXP(−ΔtOFF/CR)+Vge
となる。
【0018】これを整理すると、 ΔtOFF=−CR・log{(VOFF−Vge)/(Vgh−Vg
e)} ここで、図9に示すように、Vgh>VOFF>Vgeである
ので、第nフィールドでVge=Vge+、第n+1フィールド
でVge=Vge-とすると、前記ΔtOFFは第nフィルード
と第n+1フィールドで差がでてくる。また、後段ゲート
構成の画素では、前記TFTをオンするゲート電位後の
変調信号電位が、隣り合う前段ゲート構成の画素に対し
てフィールド間で逆になるため、画素間で実効値電圧に
差がでてくる。これが輝度差となり、大型液晶表示装置
においては、無視できない深刻な問題になっている。
【0019】本発明は上記従来の問題を解決するもの
で、TFTをオンするゲート電位印加の後に印加される
変調信号電位の画素間での実効値における差を解消し、
TFTのソース−ドレイン間にリーク電流を等しくかつ
少なくすることで、輝度差をなくして均一性を保ち、大
型液晶表示装置においても、均一な高画質を実現するも
のである。
【0020】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、走査信号線と画素電極との間の蓄積容量の
影響により画素電極電位に誘起される突き抜け電位を補
償するための2つの電圧レベルからなる変調信号電位を
前記走査配線に加える制御において、前記薄膜トランジ
スタの選択パルス電圧印加の後、前記変調信号電位印加
の前に、走査信号線に前記薄膜トランジスタのゲートオ
フのタイミングを一定にするためのゲートオフ改善電位
を印加する。
【0021】さらに本発明は、前記走査信号の選択パル
ス電圧印加の開始時が、前段の隣接する走査配線に印加
されていた選択パルスの終了時から、前記ゲートオフ改
善電位印加期間に相当する遅れを有していることが好ま
しい。
【0022】さらに本発明は、前記走査信号の1水平走
査期間が、前記走査信号の選択パルス電圧印加期間と前
記ゲートオフ改善電位印加期間からなることが好まし
い。
【0023】さらに本発明は、前記ゲートオフ改善電位
が、前記変調信号電位の2つの電位レベルのうちのいず
れか一方の電位レベルであることが好ましい。
【0024】さらに本発明は、前記ゲートオフ改善電位
が、前記変調信号電位の2つの電位レベルのうち低い電
位レベルよりさらに低い電位であることが好ましい。
【0025】さらに本発明は、前記ゲートオフ改善電位
が、前記変調信号電位の2つの電位レベルのうちの低い
電位レベルよりさらに低い電位レベルから、2つの電位
レベルのうちの高い電位レベルまでの間で調整できるこ
とが好ましい。
【0026】かかる構成により、TFTをオンするゲー
ト電位後の変調信号電位の画素間での実効値における差
を解消し、TFTのソース−ドレイン間にリーク電流を
等しくかつ少なくすることで、輝度差をなくして均一性
を保ち、大型液晶表示装置においても、均一な高画質を
実現することができる。
【0027】
【発明の実施の形態】
(実施の形態1)以下本発明の第1の実施形態につい
て、図面を参照しながら説明する。
【0028】図1は、第1の実施形態の液晶表示装置の
ゲート駆動波形図を示し、図2は液晶表示装置の1画素
の等価回路図を示したものである。構成、動作は従来の
技術で説明したものと同じである。図3は、液晶表示装
置に与えられるゲート駆動波形に遅延がかかった時の駆
動波形を示している。
【0029】まず、遅延の影響を考慮に入れた説明は後
に述べることとし、回路の基本動作概略を説明する。
【0030】各電極には、外部から駆動電圧として、ゲ
ートバスGnには図1の(a)の電圧が、ゲートバスGn+1
には図1の(b)の電圧がそれぞれ印加されている。ま
た、ソースバスSjには、図1の(c)の電圧が印加され
ている。画素電極Clcにソース信号電圧分書き込まれた
後、t2及びt5の期間の間に(図1(d))、ドレイン電圧
はΔV1−ΔV変化する。
【0031】ΔVは、前記の突き抜け電圧であり、次式
で示される。
【0032】 ΔV=ΔVg・Cgd/(Clc+Cst+Cgd) ここでΔVgはゲート電圧の変化量で、ΔVg=Vgh−V
ge-である。
【0033】ΔV1およびはΔV2は、t2およびt5の
期間経過直後のt3およびt6における、Gn段ゲート電
圧およびGn+1段ゲート電圧による画素電位の変化であ
り、次式で示される。これが液晶の実効電圧に直接的に
関係する。
【0034】ΔV1=ΔVgn・Cst/(Clc+Cst+Cg
d)+ΔVg(n+1)・Cgd/(Clc+Cst+Cgd) ここでΔVgnはGn段ゲート電圧の変化量で、図dのt3
の期間の場合では、ΔVg=|Vge-−Vgl|、t6の期間の
場合では、ΔVg=|Vge+−Vgl|となる。また、ΔVg
(n+1)はGn+1段ゲート電圧の変化量で、図dのt3の期
間の場合では、ΔVg=|Vge-−Vge+|、t6の期間の場
合では、ΔVg=0である。Clc、Cst、Cgdは前記と
同様である。
【0035】ここで、前記Vge+及びVge-の電位を調整
することで、前記ΔV1により前記突き抜け電圧ΔVを
補正する。
【0036】以上の説明は、前段ゲート構成の画素につ
いてであったが、図2において、前記画素の隣の画素即
ち後段ゲート構成の画素についても同様のことが言え
る。
【0037】次に、遅延時間を考慮して回路の動作を説
明する。
【0038】前記Vghの電位後のゲート電位は実際には
遅延時間の影響を受け、時間に依存する関数VG(t)と
なる。
【0039】 VG(t)=(Vgh−Vge)・EXP(−t/CR)+Vge ここで図3に示すように、前記Vghの期間の後にΔtの
期間、ゲートオフ改善電位として変調信号電位の低い方
の電位であるVge-の電位を与えることにより、Vgeは
第nフィールドでも第n+1フィールドでもVge-と等しく
なる。従って、前記TFTオフ期間は、第nフィールド
での期間ta、第n+1フィールドでの期間tbが、ta=t
bと等しくなり、結果として第nフィールドと第n+1フィ
ールドでのソース−ドレイン間のリーク電流を等しくす
ることできる。これにより、画素電位の低下を第nフィ
ールドと第n+1フィールドで等しくでき、画素にかかる
DC成分を除去でき、フリッカを解消することができ
る。また、前段ゲート構成の画素でも後段ゲート構成の
画素でも、TFTをオンする電位後の変調信号は常に一
定なため、隣り合う画素でリーク電流は等しくなり、画
素にかかる電位も等しくなる。即ち、画素間での実効値
電圧差がなくなり、輝度差が生じない。
【0040】実際に遅延時間の大きい大型液晶表示装置
で画像を映したところ、従来の駆動方法で見られた輝度
差やフリッカが、本実施形態の駆動方法では、解消でき
ることが確認できた。
【0041】(実施の形態2)以下本発明の第2の実施
形態について、図面を参照しながら説明する。
【0042】第1の実施形態ではVghの後に与えるゲー
トオフ改善電位は変調信号電位の低い方の電位であるV
ge-としたが、本実施形態では図4に示すように、ゲー
トオフ改善電位として、Vge-より低い電位とする。図
5は図4の駆動波形に液晶表示装置の遅延を考慮した駆
動波形である。
【0043】図5において、前記Vghの電位後のゲート
電位は液晶表示装置の遅延時間を考慮すると、時間に依
存する関数電位VG(t)となる。
【0044】VG(t)=(Vgh−(Vge-−ΔVa))・EX
P(−t/CR)+(Vge-−ΔVa) ここで、ΔVa=10Vととし、ゲートオフ時間を計算
すると、1.18μsecとなり、ゲートオフ改善電位を
Vge-とした時よりも、0.41μsec短くすることがで
き、ソース−ドレイン間のリーク電流を小さくでき、画
素電位の変化を最小限にすることができる。
【0045】本実施形態により、液晶表示装置の遅延時
間が大きい時に前記ゲートオフ改善電位を調整すること
により、TFTのオフ期間を短くし、ソース−ドレイン
間に流れるリーク電流を小さくし、画素電位の変化を最
小限にすることができる。
【0046】なお、第1の実施形態において、Δtは1
水平走査期間より短いある値としたが、Δtは個々の液
晶表示装置において、ゲートバスラインの遅延時間CR
以上にする必要がある。
【0047】また、上記実施形態1において、変調信号
電位がVge-およびVge+であり、ゲートオフ改善電位を
Vge-としたが、変調信号を印加による調整を加えない
従来例の場合でも、図6に示すように、ゲートオフ改善
電位としてVgl-−ΔVaを与えれば良い。
【0048】さらに上記実施形態1および2において、
ゲートオフ改善電位を一定値に定めたが、液晶表示装置
のフリッカ、輝度差に応じて可変に値を調整しても良
い。
【0049】
【発明の効果】以上説明したように、TFTをオンする
ゲート電位の後に新たにΔtの期間ゲートオフ改善電位
を設けることで、第nフィールドのTFTをオフする期
間と第n+1フィールドのTFTをオフする期間の差をな
くし、液晶表示装置による遅延の影響を除去することが
でき、ソース−ドレイン間のリーク電流を第nフィール
ドと第n+1フィールドで一定にし、さらに前段ゲート構
成の画素と後段ゲート構成の画素でも一定にでき、フリ
ッカや輝度差を根本的に解決できる。
【0050】また、液晶表示装置のゲートバスラインの
遅延時間が大きい場合でも、ゲートオフ改善電位を下げ
ることにより、TFTのオフ期間を短くすることがで
き、ソース−ドレイン間のリーク電流を小さし、画素電
位の変化を最小限にすることができる。
【0051】実際に遅延時間の大きい大型液晶表示装置
で画像を映したところ、従来の駆動方法で見られた輝度
差やフリッカが、本実施形態の駆動方法により解消でき
ることが確認できた。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態における液晶表示装置
の信号波形図
【図2】本発明の第1の実施形態における液晶表示装置
の画素の等価回路図
【図3】本発明の第1の実施形態における液晶表示装置
のゲート駆動波形図
【図4】本発明の第2の実施形態における液晶表示装置
のゲート駆動波形図
【図5】本発明の第2の実施形態における液晶表示装置
のゲート駆動波形図
【図6】本発明の第2の実施形態における液晶表示装置
のゲート駆動波形図
【図7】液晶表示装置のゲートバスラインの等価回路図
【図8】従来例の信号波形図
【図9】従来例のゲート駆動波形図
【符号の説明】
1 ゲートバスラインを駆動する駆動回路 2 ソースバスラインを駆動する駆動回路 3 n番目のゲートバスラインGn 4 j番目のソースバスラインSj 5 薄膜トランジスタTFT 6 液晶容量Ccl 7 寄生容量Cgd 8 蓄積容量Cst 9 共通電極Vcom 10 ゲート配線抵抗Rg 11 ゲート配線容量Cg
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田窪 米治 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 薄膜トランジスタを用いたアクティブマ
    トリクス型の液晶表示装置の駆動法であって、走査信号
    線とドレイン電極との間の寄生容量の影響により画素電
    極電位に誘起される突き抜け電位を補償するための2つ
    の電圧レベルからなる変調信号電位を前記走査配線に加
    える制御において、前記薄膜トランジスタの選択パルス
    電圧印加の後、前記変調信号電位印加の前に、走査信号
    線に前記薄膜トランジスタのゲートオフのタイミングを
    一定にするためのゲートオフ改善電位を印加することを
    特徴とする液晶表示装置の駆動方法。
  2. 【請求項2】 前記走査信号線の選択パルス電圧印加の
    開始時が、前段の隣接する走査信号線に印加されていた
    選択パルスの終了時から、前記ゲートオフ改善電位印加
    期間に相当する遅れを有している請求項1に記載の液晶
    表示装置の駆動方法。
  3. 【請求項3】 前記走査信号の1水平走査期間が、前記
    走査信号の選択パルス電圧印加期間と前記ゲートオフ改
    善電位印加期間からなる請求項1に記載の液晶表示装置
    の駆動方法。
  4. 【請求項4】 前記ゲートオフ改善電位が、前記変調信
    号電位の2つの電位レベルのうちのいずれか一方の電位
    レベルである請求項1に記載の液晶表示装置の駆動方
    法。
  5. 【請求項5】 前記ゲートオフ改善電位が、前記変調信
    号電位の2つの電位レベルのうち低い電位レベルよりさ
    らに低い電位である請求項1に記載の液晶表示装置の駆
    動方法。
  6. 【請求項6】 前記ゲートオフ改善電位が、前記変調信
    号電位の2つの電位レベルのうちの低い電位レベルより
    さらに低い電位レベルから、2つの電位レベルのうちの
    高い電位レベルまでの間で調整できる請求項1に記載の
    液晶表示装置の駆動方法。
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