JPH0376139A - 半導体素子突上げ方法 - Google Patents
半導体素子突上げ方法Info
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- JPH0376139A JPH0376139A JP1212287A JP21228789A JPH0376139A JP H0376139 A JPH0376139 A JP H0376139A JP 1212287 A JP1212287 A JP 1212287A JP 21228789 A JP21228789 A JP 21228789A JP H0376139 A JPH0376139 A JP H0376139A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor element
- push
- needle
- pushing
- adhesive tape
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 63
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
- H01L2221/68322—Auxiliary support including means facilitating the selective separation of some of a plurality of devices from the auxiliary support
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体素子をダイボンディングする際の粘着
テープに貼り付けられた半導体素子の突上げ方法に関し
、特に突上げ針にて半導体素子を剥離する方法に関する
。
テープに貼り付けられた半導体素子の突上げ方法に関し
、特に突上げ針にて半導体素子を剥離する方法に関する
。
従来、この種の突上げ方法は、第５図（ａ）。
（ｂ）、（ｃ）の突上げユニットの動作断面図に示すよ
うに、粘着テープ５に貼り付けられた半導体素子６を、
粘着テープ５ごと真空吸着穴８があけられた筒状ステー
ジ１に真空吸着し、半導体素子６をピックアップするた
めの吸着用のノズル７が半導体素子６の表面に下降した
後、突上げ針３にて半導体素子６を裏面側から粘着テー
プ５を介して突上げ、粘着テープ５より半導体素子６を
剥離する方法となっていた。
うに、粘着テープ５に貼り付けられた半導体素子６を、
粘着テープ５ごと真空吸着穴８があけられた筒状ステー
ジ１に真空吸着し、半導体素子６をピックアップするた
めの吸着用のノズル７が半導体素子６の表面に下降した
後、突上げ針３にて半導体素子６を裏面側から粘着テー
プ５を介して突上げ、粘着テープ５より半導体素子６を
剥離する方法となっていた。
上述した従来の突上げ方法は、突上げ針のみで半導体素
子を突上げるため、半導体素子のサイズが大きくなると
針の突上げ量を多くしたり、また針の本数を増やしたり
する必要があった。そのため、第５図（ｂ）、（Ｃ）の
ように１本の突上げ針３で突上げる場合は、突上げられ
た半導体装置６の傾きが大きくなるため、隣の素子と接
触して素子にペレット傷１１をつけるという欠点があっ
た。
子を突上げるため、半導体素子のサイズが大きくなると
針の突上げ量を多くしたり、また針の本数を増やしたり
する必要があった。そのため、第５図（ｂ）、（Ｃ）の
ように１本の突上げ針３で突上げる場合は、突上げられ
た半導体装置６の傾きが大きくなるため、隣の素子と接
触して素子にペレット傷１１をつけるという欠点があっ
た。
又、第６図の突上げユニットの断面図のように、半導体
素子６を水平に突上げるために複数本の突上げ針３を使
用する場合も、これらの針の高さを均一に合せて使用し
なければならないため、どれか１本でも針が折れた場合
、半導体素子６を水平に突上げることができなくなり、
１本針で突上げた時と同じ様に半導体素子を傷つけてし
まうという欠点があった。
素子６を水平に突上げるために複数本の突上げ針３を使
用する場合も、これらの針の高さを均一に合せて使用し
なければならないため、どれか１本でも針が折れた場合
、半導体素子６を水平に突上げることができなくなり、
１本針で突上げた時と同じ様に半導体素子を傷つけてし
まうという欠点があった。
さらに、複数本の針を使用した場合、針金部が半導体素
子を貼りつけている粘着テープを突き破るため、針によ
って開けられる穴が多くなり、筒状ステージにおけるリ
ーク（すなわち剥離不良となる）の原因となっていた。
子を貼りつけている粘着テープを突き破るため、針によ
って開けられる穴が多くなり、筒状ステージにおけるリ
ーク（すなわち剥離不良となる）の原因となっていた。
上述した従来の突上げ方法に対し、本発明の方法は、半
導体素子を突上げ針で突上げる前に、押し上げブロック
を用いて半導体素子を水平に押し上げておくという相違
点を有する。
導体素子を突上げ針で突上げる前に、押し上げブロック
を用いて半導体素子を水平に押し上げておくという相違
点を有する。
本発明は、ダイボンディング時に半導体素子をピックア
ップする際、半導体素子が貼り付けられた粘着テープを
筒状ステージに真空吸着し、半導体素子を下から突上げ
針で突上げて粘着テープがら剥利するための半導体素子
突上げ方法において、前記筒状ステージ内の突上げ針と
の間に突上げ針と独立して上下動する押し上げブロック
を設け、押し上げブロックにて半導体素子を水平に押し
上げ、その後突上げ針にて半導体素子を突上げる半導体
素子突上げ方法である。
ップする際、半導体素子が貼り付けられた粘着テープを
筒状ステージに真空吸着し、半導体素子を下から突上げ
針で突上げて粘着テープがら剥利するための半導体素子
突上げ方法において、前記筒状ステージ内の突上げ針と
の間に突上げ針と独立して上下動する押し上げブロック
を設け、押し上げブロックにて半導体素子を水平に押し
上げ、その後突上げ針にて半導体素子を突上げる半導体
素子突上げ方法である。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）は本発明の第１の実施例に使用する突上げ
ユニットの上面図、第１図（ｂ）はその断面図である。
ユニットの上面図、第１図（ｂ）はその断面図である。
第２図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の第１の実施例の突上げ
動作を表わした断面図である。
動作を表わした断面図である。
押し上げブロック２は、筒状ステージ１内に設けられ、
且つ突上げ針３を囲んでセットされている。そして、そ
の上面は水平面となっている。第２図（ａ）は、粘着テ
ープ５に貼りつけられた半導体素子６を、真空吸着穴８
より図示されない真空源にて吸着した後、半導体素子６
を吸着するためにノズル７が下降した状態を表している
。その後第２図（ｂ）のように、押し上げブロック２が
図示されない駆動源にて押し上げられ、半導体素子６を
粘着テープ５ごと水平に押し上げる。この押し上げによ
り、半導体素子６を貼り付けていた粘着テープ５の半導
体素子周辺部９が引きはがされる。次に第２図（Ｃ）の
ように、突上げ針ホルダー４を介して突上げ針３にて半
導体素子６を突上げ、粘着テープ５より完全に半導体素
子６を剥離させる。第３図（ａ）〜（ｃ）は、上述した
第１の実施例にて大型の半導体素子６ａを突上げる様子
を表わしたものである。この例でわがる様に、半導体素
子のサイズが変っても押し上げブロック２にて押し上げ
られている粘着テープ５の面積は常に一定となっている
ので、突上げ針３のストロークを変えることなく半導体
素子６ａを剥離することができる。又、同図（ｂ）がら
もわがるとうり、半導体素子６ａを面で押し上げている
ので、大型の半導体素子が傾いて接触するという問題も
発生しない、第４図（ａ）〜（ｄ）は本発明の第２の実
施例の動作を表わした断面図である。
且つ突上げ針３を囲んでセットされている。そして、そ
の上面は水平面となっている。第２図（ａ）は、粘着テ
ープ５に貼りつけられた半導体素子６を、真空吸着穴８
より図示されない真空源にて吸着した後、半導体素子６
を吸着するためにノズル７が下降した状態を表している
。その後第２図（ｂ）のように、押し上げブロック２が
図示されない駆動源にて押し上げられ、半導体素子６を
粘着テープ５ごと水平に押し上げる。この押し上げによ
り、半導体素子６を貼り付けていた粘着テープ５の半導
体素子周辺部９が引きはがされる。次に第２図（Ｃ）の
ように、突上げ針ホルダー４を介して突上げ針３にて半
導体素子６を突上げ、粘着テープ５より完全に半導体素
子６を剥離させる。第３図（ａ）〜（ｃ）は、上述した
第１の実施例にて大型の半導体素子６ａを突上げる様子
を表わしたものである。この例でわがる様に、半導体素
子のサイズが変っても押し上げブロック２にて押し上げ
られている粘着テープ５の面積は常に一定となっている
ので、突上げ針３のストロークを変えることなく半導体
素子６ａを剥離することができる。又、同図（ｂ）がら
もわがるとうり、半導体素子６ａを面で押し上げている
ので、大型の半導体素子が傾いて接触するという問題も
発生しない、第４図（ａ）〜（ｄ）は本発明の第２の実
施例の動作を表わした断面図である。
本実施例は、コレット１０にて半導体素子６を吸着する
場合の動作を表わしたものである。第４図（ａ＞におい
て、半導体素子６を粘着テープ５ごと筒状ステージ１に
吸着する。次に同図（ｂ）に示すように、押し上げブロ
ック２が半導体素子６を粘着テープ５ごと押し上げる。
場合の動作を表わしたものである。第４図（ａ＞におい
て、半導体素子６を粘着テープ５ごと筒状ステージ１に
吸着する。次に同図（ｂ）に示すように、押し上げブロ
ック２が半導体素子６を粘着テープ５ごと押し上げる。
その後同図、（ｃ）のように、コレット１ｏが下降し半
導体素子６をチャックする。そして同図（ｄ）のように
、コレット１０が半導体素子６をチャックした後、突上
げ針３にて半導体素子６を突上げ剥離する。
導体素子６をチャックする。そして同図（ｄ）のように
、コレット１０が半導体素子６をチャックした後、突上
げ針３にて半導体素子６を突上げ剥離する。
この実施例では、ピックアップすべき半導体素子６を、
隣り合う他の半導体素子よりも高く押し上げているので
、コレット１ｏによって他の半導体素子が傷つけられる
ことがないという利点がある。
隣り合う他の半導体素子よりも高く押し上げているので
、コレット１ｏによって他の半導体素子が傷つけられる
ことがないという利点がある。
ｒ発明の効果〕
以上説明したように本発明の突上げ方法は、押［−上げ
ブロックにて半導体素子を傾けることなく押し上げるた
め、半導体素子同志が接触して傷をつけることが全くな
いという効果がある。又、押し上げブロックにて押し上
げられる粘着テープの面積が、半導体素子のサイズに関
係なく一定であるため、針のストローク調整をしなくて
も良いという効果もある。
ブロックにて半導体素子を傾けることなく押し上げるた
め、半導体素子同志が接触して傷をつけることが全くな
いという効果がある。又、押し上げブロックにて押し上
げられる粘着テープの面積が、半導体素子のサイズに関
係なく一定であるため、針のストローク調整をしなくて
も良いという効果もある。
図は従来の突上げユニットでの複数針による突上げ状態
を示す断面図である。
を示す断面図である。
１・・・筒状ステージ、２・・・押し上げブロック、３
・・・突上げ針、４・・・突上げ針ホルダー、５・・・
粘着テープ、６，６ａ・・・半導体素子、７・・・ノズ
ル、８・・・真空吸着穴、９・・・半導体素子周辺部、
１０・・・コレット、１１・・・ベレット傷。
・・・突上げ針、４・・・突上げ針ホルダー、５・・・
粘着テープ、６，６ａ・・・半導体素子、７・・・ノズ
ル、８・・・真空吸着穴、９・・・半導体素子周辺部、
１０・・・コレット、１１・・・ベレット傷。
Claims (1)
- ダイボンディング時に半導体素子をピックアップする際
、半導体素子が貼り付けられた粘着テープを筒状ステー
ジに真空吸着し、半導体素子を下から突上げ針で突上げ
て粘着テープから剥利するための半導体素子突上げ方法
において、前記筒状ステージ内の突上げ針との間に突上
げ針と独立して上下動する押し上げブロックを設け、押
し上げブロックにて半導体素子を水平に押し上げ、その
後突上げ針にて半導体素子を突上げることを特徴とする
半導体素子突上げ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1212287A JPH0376139A (ja) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | 半導体素子突上げ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1212287A JPH0376139A (ja) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | 半導体素子突上げ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0376139A true JPH0376139A (ja) | 1991-04-02 |
Family
ID=16620101
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1212287A Pending JPH0376139A (ja) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | 半導体素子突上げ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0376139A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04137043U (ja) * | 1991-06-12 | 1992-12-21 | 山形日本電気株式会社 | 半導体ダイボンデイング装置のダイ突き上げ機構 |
| JPH05121525A (ja) * | 1991-10-25 | 1993-05-18 | Sharp Corp | チツプピツクアツプ方法 |
| WO2005117072A1 (de) * | 2004-05-19 | 2005-12-08 | Alphasem Ag | Verfahren und vorrichung zum ablösen eines auf eine flexible folie geklebten bauteils |
| JP2010192648A (ja) * | 2009-02-18 | 2010-09-02 | Canon Machinery Inc | 剥離装置及び剥離方法 |
| CN102254852A (zh) * | 2011-08-23 | 2011-11-23 | 南通富士通微电子股份有限公司 | 装片机顶针帽 |
| CN108133907A (zh) * | 2017-12-28 | 2018-06-08 | 北京中电科电子装备有限公司 | 一种芯片剥离装置 |
| CN110027905A (zh) * | 2019-04-19 | 2019-07-19 | 王小娟 | 一种吸附效果好的可靠性高的芯片分拣装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6298638A (ja) * | 1985-10-24 | 1987-05-08 | Shinkawa Ltd | ダイボンデイング装置 |
| JPS62166536A (ja) * | 1986-01-20 | 1987-07-23 | Sanyo Electric Co Ltd | 電子部品の突き上げ装置 |
-
1989
- 1989-08-18 JP JP1212287A patent/JPH0376139A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6298638A (ja) * | 1985-10-24 | 1987-05-08 | Shinkawa Ltd | ダイボンデイング装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US7981246B2 (en) | 2004-05-19 | 2011-07-19 | Kulicke And Soffa Die Bonding Gmbh | Method and device for detaching a component which is attached to a flexible film |
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| CN108133907B (zh) * | 2017-12-28 | 2020-05-01 | 北京中电科电子装备有限公司 | 一种芯片剥离装置 |
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