JPH0368190A - 配線基板の製造方法 - Google Patents
配線基板の製造方法Info
- Publication number
- JPH0368190A JPH0368190A JP20311989A JP20311989A JPH0368190A JP H0368190 A JPH0368190 A JP H0368190A JP 20311989 A JP20311989 A JP 20311989A JP 20311989 A JP20311989 A JP 20311989A JP H0368190 A JPH0368190 A JP H0368190A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating layer
- film
- copper plating
- copper
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 36
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 34
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 34
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims abstract description 7
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 12
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 abstract description 8
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 abstract description 8
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 3
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 abstract description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 4
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は絶縁基板上に導体配線を形成する配線基板の
製造方法に関するものである。
製造方法に関するものである。
近年の電子機器の高密度化、小型化、高速化の要求によ
り、配線基板にも高密度配線と高速信号伝送とが求めら
れる。このため、配線基板を構成する導体材料および絶
縁材料のうち、先ず、導体材料については低抵抗である
ことが必要で、比抵抗が小さい＠（Ｃｕ）が採用される
。また、絶縁材料としては低誘電率、高絶縁抵抗である
ことが必要であり、この要求を満足しかつ化学的、熱的
にも安定した材料としてポリイミド樹脂が注目されてい
る。
り、配線基板にも高密度配線と高速信号伝送とが求めら
れる。このため、配線基板を構成する導体材料および絶
縁材料のうち、先ず、導体材料については低抵抗である
ことが必要で、比抵抗が小さい＠（Ｃｕ）が採用される
。また、絶縁材料としては低誘電率、高絶縁抵抗である
ことが必要であり、この要求を満足しかつ化学的、熱的
にも安定した材料としてポリイミド樹脂が注目されてい
る。
第２図は、このような銅およびポリイミド樹脂を使用し
た従来の配線基板の構造を示す断面図である０図におい
て、（１）はセラミック基板、（２）はセラミック基板
（１１上にコーティングされたポリイミド樹脂からなる
絶縁層、（３）および（４）は絶縁層（２Ｊの表面に順
次形成されたそれぞれクロム（Ｃｒ）薄膜およびパラジ
ウム（Ｐｄｌ薄膜、（５１はパラジウム薄膜（４）上に
形成された銅膜である。そして、クロム薄膜（３Ｌパラ
ジウム薄膜（４）および銅Ｍｌ（５１により導体配置
（６）を構成する。
た従来の配線基板の構造を示す断面図である０図におい
て、（１）はセラミック基板、（２）はセラミック基板
（１１上にコーティングされたポリイミド樹脂からなる
絶縁層、（３）および（４）は絶縁層（２Ｊの表面に順
次形成されたそれぞれクロム（Ｃｒ）薄膜およびパラジ
ウム（Ｐｄｌ薄膜、（５１はパラジウム薄膜（４）上に
形成された銅膜である。そして、クロム薄膜（３Ｌパラ
ジウム薄膜（４）および銅Ｍｌ（５１により導体配置
（６）を構成する。
このように、絶縁層（２）上に銅膜（５）を直接形成し
ないのは以下の理由による。即ち、高速信号の高品位な
伝送を達成するには信号線である配線の特性インピーダ
ンスの整合をとらなければならない。
ないのは以下の理由による。即ち、高速信号の高品位な
伝送を達成するには信号線である配線の特性インピーダ
ンスの整合をとらなければならない。
そして、特性インピーダンスに関して、配線の膜厚は重
要なパラメータであり膜厚制御の難易が重要となる。こ
のため、この膜厚制御性が優れたスパッタ法等の気相薄
膜形成法が採用されるが、この方法によってポリイミド
樹脂からなる絶縁層（２）に直接銅膜（５１を形成した
場合、この銅膜（５１の密着強度が低く配線基板として
の実用性に欠ける。そこで、絶縁層（２）に銅を直接形
成するのではなく、それらの中間層としてポリイミド樹
脂との密着強度の高いＣｒ／Ｐｄ層を形成している訳で
ある。
要なパラメータであり膜厚制御の難易が重要となる。こ
のため、この膜厚制御性が優れたスパッタ法等の気相薄
膜形成法が採用されるが、この方法によってポリイミド
樹脂からなる絶縁層（２）に直接銅膜（５１を形成した
場合、この銅膜（５１の密着強度が低く配線基板として
の実用性に欠ける。そこで、絶縁層（２）に銅を直接形
成するのではなく、それらの中間層としてポリイミド樹
脂との密着強度の高いＣｒ／Ｐｄ層を形成している訳で
ある。
従来の配線基板は以上のように構成されているので、Ｃ
ｕの他にＣｕよりも比抵抗の大きいＣｒとＰｄとを使用
しなければならず、この分導体配ＩＩ （６）の抵抗値
が増大するという問題点があった。更に、異種金属が接
触する構造となるので、これら金属間に電位差が発生し
、局部電池効果により腐食し易く長期信頼性に劣るとい
う問題点があった。
ｕの他にＣｕよりも比抵抗の大きいＣｒとＰｄとを使用
しなければならず、この分導体配ＩＩ （６）の抵抗値
が増大するという問題点があった。更に、異種金属が接
触する構造となるので、これら金属間に電位差が発生し
、局部電池効果により腐食し易く長期信頼性に劣るとい
う問題点があった。
この発明は以上のような問題点を解消するためになされ
たもので、導体配線の低抵抗化とその長期信頼性とが得
られる配線基板の製造方法を提供するものである。
たもので、導体配線の低抵抗化とその長期信頼性とが得
られる配線基板の製造方法を提供するものである。
〔課題を解決するための手段および作用〕この発明に係
る配線基板の製造方法は、先ず絶縁層の表面に化学銅め
っき法により厚さ０．５μ重以下の化学鋼めっき膜を形
成し、更にこの化学銅めっき膜の上に気相薄膜形成法に
より所定厚さの銅膜を形成して導体配線とするものであ
る。
る配線基板の製造方法は、先ず絶縁層の表面に化学銅め
っき法により厚さ０．５μ重以下の化学鋼めっき膜を形
成し、更にこの化学銅めっき膜の上に気相薄膜形成法に
より所定厚さの銅膜を形成して導体配線とするものであ
る。
化学銅めっき膜は絶縁層との密着強度が高く、また、金
属材料として銅のみを使用するので低抵抗で腐食のない
導体配線が得られる。
属材料として銅のみを使用するので低抵抗で腐食のない
導体配線が得られる。
第１図はこの発明の一実施例による配線基板で、以下に
その製造方法について説明する。先ず、セラミック基板
（１）上にポリイミド樹脂の絶縁層（２）をコーティン
グする点は従来の場合と同様である。
その製造方法について説明する。先ず、セラミック基板
（１）上にポリイミド樹脂の絶縁層（２）をコーティン
グする点は従来の場合と同様である。
次に、この絶縁層（２）上に化学銅めっき法により０．
３μ論程度の厚さで化学銅めっきＷＡ（７）を形成する
。
３μ論程度の厚さで化学銅めっきＷＡ（７）を形成する
。
但し、この場合以下に示す前処理を行う、即ち、パラジ
ウム触媒付与のもと、Ｐ）１１３、温度６０℃のアルカ
リ溶液中に１０分浸漬、流水１０分を行う、上記前処理
を行ったものでは、１．５ｋｇ／ＩＨｍ”の密着強度が
得られた。このような高い密着強度が得られるのは、銅
とポリイミド樹脂との間に強固な化学的結合が生じるた
めと推定される。もつとも、化学銅めっき膜（７）の膜
厚が０．５μ鳳を越えると膜の剥離が認められるように
なるので、この膜厚は０．５μ璽以下に管理する必要が
ある。
ウム触媒付与のもと、Ｐ）１１３、温度６０℃のアルカ
リ溶液中に１０分浸漬、流水１０分を行う、上記前処理
を行ったものでは、１．５ｋｇ／ＩＨｍ”の密着強度が
得られた。このような高い密着強度が得られるのは、銅
とポリイミド樹脂との間に強固な化学的結合が生じるた
めと推定される。もつとも、化学銅めっき膜（７）の膜
厚が０．５μ鳳を越えると膜の剥離が認められるように
なるので、この膜厚は０．５μ璽以下に管理する必要が
ある。
化学鋼めっき膜（７）が形成されると、その上に高周波
スパッタ法等の気相薄膜形成法により銅膜（５１を所定
膜厚、この実施例では５μｍの厚さに形成する。この気
相薄膜形成法は、前述した通り、その膜厚制御性が優れ
ており、配線の特性インピーダンスの整合を容易にとる
ことができる。
スパッタ法等の気相薄膜形成法により銅膜（５１を所定
膜厚、この実施例では５μｍの厚さに形成する。この気
相薄膜形成法は、前述した通り、その膜厚制御性が優れ
ており、配線の特性インピーダンスの整合を容易にとる
ことができる。
そして、銅膜（９および化学銅めっき膜（７）により導
体配線（６）が構成されるので、低抵抗が達成されると
ともに、異種金属の接触に基づく腐食の恐れもなく長期
信頼性が向上する。
体配線（６）が構成されるので、低抵抗が達成されると
ともに、異種金属の接触に基づく腐食の恐れもなく長期
信頼性が向上する。
なお、上記実施例では絶縁層（２）にポリイミド樹脂を
採用した場合について説明したが、この発明はこれに限
らず、エポキシ、塩化ビニール等の他の有機絶縁材料や
、更にスパッタ法等によって直接銅膜を形成することが
困難な無機材料にも適用することができ同様の効果を奏
するものである。
採用した場合について説明したが、この発明はこれに限
らず、エポキシ、塩化ビニール等の他の有機絶縁材料や
、更にスパッタ法等によって直接銅膜を形成することが
困難な無機材料にも適用することができ同様の効果を奏
するものである。
以上のように、この発明では、絶縁層の表面に厚さ０．
５μ園以下の化学鋼めっき膜を形成し、更にその上に気
相薄膜形成法により銅膜を形成するようにしたので、絶
縁層との密着強度が高く長期信頼性が良好であり、かつ
膜厚制御性も優れている。
５μ園以下の化学鋼めっき膜を形成し、更にその上に気
相薄膜形成法により銅膜を形成するようにしたので、絶
縁層との密着強度が高く長期信頼性が良好であり、かつ
膜厚制御性も優れている。
第１図はこの発明の一実施例による配線基板を示す断面
図、第２図は従来のものを示す断面図である。 図において、（２）は絶縁層、（５１は銅膜、（６）は
導体配線、（７）は化学銅めっき膜である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
図、第２図は従来のものを示す断面図である。 図において、（２）は絶縁層、（５１は銅膜、（６）は
導体配線、（７）は化学銅めっき膜である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 絶縁層の表面に化学銅めっき法により厚さ０．５μｍ
以下の化学銅めっき膜を形成し、更にこの化学銅めっき
膜の上に気相薄膜形成法により所定厚さの銅膜を形成し
て導体配線とする配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20311989A JPH0368190A (ja) | 1989-08-05 | 1989-08-05 | 配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20311989A JPH0368190A (ja) | 1989-08-05 | 1989-08-05 | 配線基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0368190A true JPH0368190A (ja) | 1991-03-25 |
Family
ID=16468717
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20311989A Pending JPH0368190A (ja) | 1989-08-05 | 1989-08-05 | 配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0368190A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6391774B1 (en) | 1999-04-21 | 2002-05-21 | Nec Corporation | Fabrication process of semiconductor device |
-
1989
- 1989-08-05 JP JP20311989A patent/JPH0368190A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6391774B1 (en) | 1999-04-21 | 2002-05-21 | Nec Corporation | Fabrication process of semiconductor device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4328048A (en) | Method of forming copper conductor | |
| US5638598A (en) | Process for producing a printed wiring board | |
| JPH10190192A (ja) | 印刷回路板製造プロセス | |
| JPS59167096A (ja) | 回路基板 | |
| JPH0298994A (ja) | ポリイミド絶縁層上への導体層形成方法 | |
| US3502449A (en) | Diffusion barrier for polypropylene | |
| JPH0368190A (ja) | 配線基板の製造方法 | |
| US4833004A (en) | Structure of copper conductor and method of forming same | |
| EP0042943A1 (en) | Multilayer integrated circuit substrate structure and process for making such structures | |
| JPH0666552B2 (ja) | 銅ポリイミド多層基板の製造方法 | |
| JPS6336598A (ja) | 配線板の製造方法 | |
| JP2001223451A (ja) | 回路基板およびその製造方法 | |
| JPH029457B2 (ja) | ||
| JP2023167062A (ja) | プリント配線板およびその製造方法 | |
| JPS6163088A (ja) | スル−ホ−ル配線板の製造方法 | |
| JPS6448492A (en) | Manufacture of flexible printed wiring board | |
| JP2804208B2 (ja) | 配線基板の製造方法 | |
| JPH10190198A (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
| JPS6163087A (ja) | 多層配線板の製造方法 | |
| JPS60167492A (ja) | 樹脂への導体層形成方法 | |
| JPH04209596A (ja) | 回路基板用素材 | |
| JPS5884495A (ja) | 金属芯プリント配線板の製造方法 | |
| JPH06314724A (ja) | 半導体素子搭載用両面配線基板，及びそれを用いた半導 体装置 | |
| JPH03196695A (ja) | 多層薄膜回路基板の製造方法 | |
| JPH04118992A (ja) | プリント配線板の製造方法 |