JPH03270292A

JPH03270292A - 多層配線板の製造方法

Info

Publication number: JPH03270292A
Application number: JP7100190A
Authority: JP
Inventors: Shigeru Tomizawa; 富沢　茂
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1990-03-20
Filing date: 1990-03-20
Publication date: 1991-12-02

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔概要）多層配線板の製造方法に闇し、配線パターンの高密度及び高多層化を可能とすることを
目的とし、仮支持基板上に絶ｍ畷を有し且つ該絶縁層が一部除去さ
れた部分にバイヤ・部及び配線パターンが形成された仮
支持基板組立体の上記絶側しバイヤ部及び配線パターン
を、該バイヤ部を下側層のバイヤ部に一致させて該下側
層上に転写し、上記仮支持基板を該絶縁層より剥ａする
ことを繰り返すよう構成する。

〔産業上の利用分野〕

本発明は多層配線板の製造方法に関する。

近年、多層配線板において、配線パターンは■高密度化
及び■高多層化の傾向にある。

従って、上記■、■の要求に対応できる製造方法が必要
とされる。

〔従来の技術〕

第５図＜Ａ＞乃至（Ｆ）は従来の製造方法を示す。

まず、同図（Ａ）に示すように、基板１０上に、ランド
１１．絶縁層１２．銅層１３を形成し、レーザを照射し
て除去し、ランド１１を露出させる。

次に、最初に無電解銅めっき、続いて電解銅めっきをし
て、同図（Ｂ）に示すように銅めっき層１４を形成する
。

次に、同図（Ｃ）に示すように、表面にレジスト部１５
を所定のパターンで形成し、エツチングすることにより
、同図（Ｄ）に示すようにランド１６を有するバイル１
７及び配線パターン１８を形成する。

バイル１７及び配線パターン１８は夫々第１Ｗ目のバイ
ル及び配線パターンとなる。

次に、同図（Ｅ）に示すように表面に絶１１Ｉｉ１９を
形成し、上記と同様の工程を経て、同図（「）に示すよ
うに、第２１目のバイル２０と配線パターン２１とが形
成される。

バイル２０はランド１６上に形成してあり、バイル１７
と導通接続されている。

また、バイル２０はランド２２を有する。

上記の工程を繰り返すことにより、多層構造の配線板が
製造される。

（発明が解決しようとする課題）各層のバイル１７．２０はランド１６．２２を有してお
り、その分配線パターンを形成できる領域が狭くなり、
配線パターンの高密度化が阻害される。

また、絶縁層１９の表面にはその下層側のバイル及び配
線パターンの影響が表われ。表面は平面度が損なわれる
。層の数が増す程、表面の平面度は低下する。

平面度の低下は、バターニング精度を低下させる。

このため、高多層化が困難となる。

本発明は、配線パターンの高密度化及び高多層化を可能
とした多層配線板の製造方法を提供することを目的とす
る。

〔課題を解決するための手段〕

請求項１の発明は、仮支持基板上に絶縁層を有し且つ該
絶縁層が一部除去された部分にバイヤ部及び配線パター
ンが形成された仮支持基板組立体の上記絶側１バイヤ部
及び配線パターンを、該バイヤ部を下側層のバイヤ部に
一致させて該下側層上に転写し、上記仮支持基板を該絶
縁層より剥離することを繰り返してなる。

請求項２の発明は、下側層上に絶縁層を形成する工程と
、該絶縁層のうち上記下側層のバイヤ部に対応する部位
を除去する工程と、この除去された部分にバイヤ部をそ
の表面を上記絶縁層の表面と一致させて形成する工程と
を繰り返して行う。

〔作用〕

請求項１の発明において、転写を行うことにより、多層
構造としても、表面は良好な平面度を有する。

バイル部同士を一致させた転写は、バイヤ部のランドレ
ス構造を特徴とする請求項２の発明において、バイヤ部を絶縁層の表面と一
致させて形成することにより、多層構造としても、表面
は良好な平面度を有する。

下層のバイヤ部に対応する部位にバイヤ部を形成するこ
とにより、バイヤ部はランドレス１ａ造となる。

〔実施例〕

第１図（Ａ）乃至（Ｅ）は本発明の多層配線板の製造方
法の第１実旋例を示す。

同図（Ａ）は、転写のために、本支持基板組立体３０上
に、仮支持基板朝立体３１を表裏反転して積み重ねた状
態を示す。

ここで、本支持基板組立体３０は、第２１！Ｉ（Ａ）乃
至（Ｅ）に示すように製造される。

まず、同図（Ａ）に示すように、セラミック基板３２上
に感光性絶縁膜３３を形成し、露光、現像して、絶ＩＩ
！１３３の一部を除去して、同図（Ｂ）に示すように、
バイヤ形成予定部３４．３５を形成する。

次いで、銅めっきをして、同図（Ｃ）に示すように、バ
イル形成予定部３４．３５内に、銅■３６．３７を形成
し、更には無電解のＮｉ　、　Ａｕ　。

Ｓｎめっきをして、同図（・Ｄ）に示すように、合金層
３８．３９を銅−３６，３７上に形成する。

最後に、同図（Ｅ）に示すように、バイヤ部４０．４１
の表面を除いて、絶縁膜３３上に接着剤４２を印−塗布
する。

絶縁膜３３及びバイヤ部４０．４１が層４３を形成する
。

第３図（Ａ）乃至（Ｅ）は仮支持基板組立体３１の製造
工程を示す。

同ＩＩ　（Ａ）中、５０はキャリヤ板（仮支持基板）で
ある。

キャリヤ板５０は厚ざｔｌ−１膳のステンレス板であり
、この表面５０ａの粗羨は、中心輪平均粗さＲａが０．
５ａｍ程度としである。後述する＠離が円滑に行われる
ようにするためである。

このキャリヤ板５０の表ｉ［１５０ａに、感光性絶縁膜
５１を形成し、露光、現像して、絶縁膜５１の一部を除
去して、同図（Ｂ）に示すように、バイヤ形状予定部５
２．５３及び配線パターン形成予定ａｌｓ５４を形成す
る。

次に、電解銅めっきをして、同Ｉｔ　（Ｃ）に示すよう
に、バイヤ形成予一定部５２．５３及び配線パターン形
成予定１１５４内に、銅層５５．５６゜５７を形成し、
更には無電解のＮｉ　、　Ａｕ　、　Ｓｎめつきをして
、同図（Ｄ）に示すように、合金層５Ｂ、５９．６０を
形成する。

銅層５５と合金■５８がバイヤ部６１．銅層５６と合金
層５９がバイヤ部６２．銅■５７と合金１１６０が配線
パターン６３を構成する。

最後に、同図（Ｅ）に示すように、バイヤ部６１．６２
の表面を除いて接着剤６４を印Ｓ＊布する。

この接着剤６４及び相記の接着剤４２は共に熱硬化性樹
脂製である。

絶縁膜５１．バイヤ部６１，６２．及び配線パターン６
３が１１６５を構成する。

なお、上記のバイヤ部４０．４１及び６１゜６２は同次
パターンで形成されている。

第１図中（Ａ）に戻って、仮支ｉＩｌ！基板組立体３１
は、バイヤ部６１．６２を夫々本支持基板組立体３０の
バイヤ部４０．４１と一致させて積季され、加熱加圧さ
れる。

これ□により、接着剤４２．６４により、＠６５が層４
３に強固に接着される。

上下のバイヤ部４ｏと６１及び４１”と６２は、合金間
同士の間で金属の拡散が起こり、電気的に良好に導通接
続される。

次いで、キャリヤ板゛′５ｏだけを上方に引き上げると
、キャリヤ板５０が寵６５から円滑に剥離され、同図゛
（Ｂ）に示すように、１１６５がセラミック基板３２上
の層４３上に転写される。

ここで、転写された１６５の上面は、キャリヤ板５０が
剥離された面であり、その平面度は良い。

次に、同図（Ｃ）に示すように、飼１１５５゜５６．５
７の部分に、合金１１６６．６７．６８を形成する。

次にこの上に、別のキャリヤ板を稙み重ね、加熱加圧し
、キャ１ツヤ板を剥離し、同図（Ｄ）に示すように、鯛
の１１６９を上記層６５上に転写する。

上記の操作を所定回数繰り返すことにより、同図（Ｅ）
に示す多層配線板７０が完成する。

バイヤ部４０．４１．６１．６２はランド部を有しない
。所謂ランドレスの１３１であるため、配線パターンの
形成が制限される部分はバイヤ部だけの最小の領域に限
られ、配線パターンはその分従来に比べて高密度に形成
される。

また、各転写により表面に現われた面はキャリヤ板の表
面に対応する面であり、平面度は高い。

従って、多数回の転写を行っても、表面の平面度は摸な
われず、平面度の良い表面を備えた多層配線板７０が得
られる。

従って、この多層配線板７０に対して、半導体部品は正
常に実装される。

第４Ｗｌ（Ａ）乃至（１）は、本発明の多層配線板の製
造方法の第２実施例を示す。

同図（Ａ）中、８０は支持基板であり、厚さｔｚ　−０
，５ａＩの銅板である。この支持基板８０は、幾層にも
繰り返し多層化するときの寸法安定及び電解銅めっきの
ときの通電のために使用する。

まず、支持基板８０上に第１１１１１０を形成する。

同図（Ａ）に示すように、支持基板８０上に感光性絶縁
１１８１を形成し、露光、現金して、感光性絶縁層８１
の一部を除去して同図（Ｂ）に示すように、バイヤ形成
予定部８２．８３を形成する。

次に、同図（Ｃ）に示すように、最初に電解Ｎ１メツキ
を行って、バイヤ形成予定部８２゜８３内にＮｉ層８４
．８５を形成する。次いで、電解ＣＤメツキを行って、
Ｎｉ層８４．８５上にＣＬＩ層８６．８７を形成する。

電解Ｑｕメツキは所定の条件で所定の時間に亘って行わ
れ、００層８６．８７はその表面が絶縁層８１の表面と
同じ高さとされる。

主にＣｕ＠８６．８７が夫々バイヤｉ！１１ｓ８８゜８
９を構成する。

Ｎｉ層８４．８５は、後述する最後に支持基板８０をエ
ツチング除去するときのエツチングレジストの役割を有
するものであり、厚さｔｚは２〜３μｍ程度である。

次に、第２図１１１を形成する。

まず、同図（Ｄ）に示すように、絶縁１ｉ８１上に再度
感光性絶縁１９０を形成する。

バイヤ形成予定部８２．８３内はバイヤ部８８゜８９で
完全に埋まっており、絶縁１ｉ８１及びバイヤ部８８．
８９の表面の平面度は良い。従って、感光性絶縁１１９
０は表面９０ａの平面度が良好の状態で形成される。

次に、この感光性絶縁＠９０を露光、現像して、一部除
去し、同図（Ｅ）に示すように、パイヤ部８８．８９の
真上の部位に、バイヤ形成予定部９１．９２．更には別
の部位に配線パターン形成予定部９３を形成する。

ここで、１１９０の表面９０ａの平面度は良いため、マ
スクの位置決めが精度良く行われ、上記各形成予定部９
１．９２．９３は位Ｗ精度良く形成される。

次に、印刷用スキージを使用してポリマー型導電ペース
トを上記の各形成予定部９１，９２゜９３内−杯に二点
鎖線で示すように充填し、その後必ｌ！・エツチング除
去し、同図（Ｆ）に示すように、ポリマー型導電ペース
ト１１９４．９５゜９６を形成する。

続いて、電解銅めっきを行ない、同図（Ｇ）に示すよう
に、銅めっき１ｉ９７．９８．９９を、その表面が絶縁
＠９０の表面９０ａと同じ高さとなるように形成される
。

積層されている導電ペースト層９６と銅めっき■９９と
が配線パターン１０Ｇを構成する。

鋼重ペースト層９４と銅めっき層９７とがバイヤ部１０
１を構成し、銅体ペースト９５と銅めっき＠９８とが別
のバイヤ部１０２を構成する。

バイヤ部１０１はバイヤ部８８の真上に位置し、バイヤ
部８８と導通接続される。

バイヤ部１０２はバイヤ部８９の真上に位置し、バイヤ
部８９と導通接続される。

ここで、導通ペーストを用いたのは、上記各形成予定部
９１．９２．９３を確実に充填するため、及び密着力の
低い無電解銅めっきや時間のかかるスパッタリングを行
なわないためである。

なお、導電ペーストは導体抵抗が大きく、回路としての
機能に欠けるので、電解銅めっきを併せて行っている。

次に、第４図（Ｄ）乃至（Ｇ）上記と同じ作業を行って
、同図（ロ）に示すように第３の＠１１２を形成する。

必要に応じて複数層形成する。

最後に、基板８０をエツチング除去し、同図（１）に示
す多層配線板１０５が得られる。

この多層配線板１０５は、場合によっては、半田バンプ
等によりセラミック基板と接合されて使用される。

なお、上記各実施例において、絶１１１Ｉを、絶縁フィ
ルムを貼付して形成することもできる。

またこの一部を除去する工程を、レーザ加工、又はドラ
イエツチングで行う二ともできる。

〔発明の効果〕

以上説明した様に、易求萼１の発明によれば、各層はそ
の表面が仮支持基板の表面に対応した良好な平面度を有
するものとなり、多ｍ＠迄としても表面の平面度が、良
好なものを製造することが出来る。

また、バイヤ部同士が上下一致するため、ランドは不要
となり、その分配線パターンを形成できる領域が拡がり
、配線パターンを高密度に形成出来る。

請求項２の発明によれば、バイヤ部をその表面を８８層
の表面と一致させた状態で形成するため、これに重ねて
形成した絶縁層を良好な平面座を有して構成することが
出来る。

また、上鍔のバイヤ部は下側のバイヤ部の真上の部位に
形成されるため、各バイヤ部をランドレスの構造とし得
る。ランドが無くなったり、配線パターンを形成できる
領域が拡大し、配線パターンを高密度に形成出来る。

【図面の簡単な説明】

第１１１１は本発明の多層配線板の製造方法の＊ｉ実施
例を示す図、第２１１＆を本支持基板組立体の製造方法を示す図、第
３図は仮支持基板組立体の製造方法を示す図、第４図は
本発明の多層配線板の製造方法の第２実施例を示す図、第５＠−は従来の多層配線板の製造方法の１例を示す図
である。図において、３０は本支持基板組立体、３１は仮支持基板組立体、３４．３５．５２．５３．８２．８３．９１゜９２はバ
イヤ形成予定部、４０．４１，６１．６２．８８．８９．１０１゜１０２
はバイヤ部、４２．６４は接着剤、４３．６５は層、５０はキャリヤ板（仮支持基板）、５１は絶ｍｓ＋。５４．９３は配線パターン形成予定部、６１．６２はバ
イヤ部、６３、１００は配線パターン、７０、１０５は多層配線板、１１０は第１の層、１１１は第２の層、１１２は１３の層を示す。（Ａ）（８）（Ｄ）お（Ｅ）９第４図（’？’）１）（Ａ）（Ｂ）（Ｅ）第２図（Ｂ）（Ｅ）第３０に（Ｆ）（Ｇ）（す１１１４図（−？／）２）第５図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）仮支持基板（５０）上に絶縁層（５１）を有し且
つ該絶縁層が一部除去された部分にバイヤ部（６１，６
２）及び配線パターン（６３）が形成された仮支持基板
組立体（３１）の上記絶縁層（５１）、バイヤ部（６１
，６２）及び配線パターン（６３）を、該バイヤ部（６
１，６２）を下側層のバイヤ部（４０，４１）に一致さ
せて該下側層上に転写し、上記仮支持基板（５０）を該
絶縁層（５１）より剥離することを繰り返すことを特徴
とする多層配線板の製造方法。
（２）下側層（１１０）上に絶縁層（９０）を形成する
工程（第４図（Ｄ））と、該絶縁層（９０）のうち上記
下側（１１０）のバイヤ部（８８，８９）に対応する部
位（９１，９２）を除去する工程（第４図（Ｅ））と、
この除去された部分にバイヤ部（１０１，１０２）をそ
の表面を上記絶縁層（９０）の表面と一致させて形成す
る工程（第４図（Ｇ））とを繰り返して行うことを特徴
とする多層配線板の製造方法。