JPH03199169A - 窒化珪素質焼結体 - Google Patents
窒化珪素質焼結体Info
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- JPH03199169A JPH03199169A JP1340864A JP34086489A JPH03199169A JP H03199169 A JPH03199169 A JP H03199169A JP 1340864 A JP1340864 A JP 1340864A JP 34086489 A JP34086489 A JP 34086489A JP H03199169 A JPH03199169 A JP H03199169A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
- C04B35/597—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on silicon oxynitride, e.g. SIALONS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高温構造用材料等として用いることができる
、高強度で、かつ高靭性な窒化珪素質焼結体に関するも
のである。
、高強度で、かつ高靭性な窒化珪素質焼結体に関するも
のである。
窒化珪素(Si3N4)の焼結体は、高温強度、耐熱衝
撃性、耐食性が優れているために、ガスタービン部材、
熱交換器材料、高温用ベアリングあるいは製鋼用高温ロ
ール材等の耐熱構造用材料に使用されている。
撃性、耐食性が優れているために、ガスタービン部材、
熱交換器材料、高温用ベアリングあるいは製鋼用高温ロ
ール材等の耐熱構造用材料に使用されている。
しかしながら、5lsN4は単独では焼結が困難なため
に、通常MgO,MgAlt 04 、Af203、Y
2O3等の酸化物を焼結助剤として添加し、焼結してい
る。これらの焼結助剤を用いた焼結は、焼結時に生ずる
液相を媒介とした液相焼結によるものと考えられている
。多くの場合、焼結後液相はガラス相として焼結体中に
残存し、高温強度、耐クリープ性などの高温特性を低下
させる。
に、通常MgO,MgAlt 04 、Af203、Y
2O3等の酸化物を焼結助剤として添加し、焼結してい
る。これらの焼結助剤を用いた焼結は、焼結時に生ずる
液相を媒介とした液相焼結によるものと考えられている
。多くの場合、焼結後液相はガラス相として焼結体中に
残存し、高温強度、耐クリープ性などの高温特性を低下
させる。
一方、5isN4に種々の元素が固溶したもの(一般に
サイアロンと呼ばれるもの)は、高温特性に優れ、高温
構造用材料として注目されている。
サイアロンと呼ばれるもの)は、高温特性に優れ、高温
構造用材料として注目されている。
例えば、α−8ixN<構造で、Si位置にAlが、N
位置にOが置換し、更に格子間位置に他の元素(Li、
Mg、Ca、Y等)が侵入型とじて固溶した、一般式M
x (S 1 r A j’ ) +2 (0゜N)
+e (0<x≦2、MはLi、 Mg、 Ca、 Y
等のうちの少なくとも1種)で表されるα −8isN
4 (一般にα−サイアロンと呼ばれる)、あるいはβ
−8i3N4構造で、Si位置にA1が、N位置にOが
固溶し、一般式5is−yAfyO,N1−F CO
<y≦4.2)で表されるβ−8isN*(一般にβ−
サイアロンと呼ばれる)が注目されている。
位置にOが置換し、更に格子間位置に他の元素(Li、
Mg、Ca、Y等)が侵入型とじて固溶した、一般式M
x (S 1 r A j’ ) +2 (0゜N)
+e (0<x≦2、MはLi、 Mg、 Ca、 Y
等のうちの少なくとも1種)で表されるα −8isN
4 (一般にα−サイアロンと呼ばれる)、あるいはβ
−8i3N4構造で、Si位置にA1が、N位置にOが
固溶し、一般式5is−yAfyO,N1−F CO
<y≦4.2)で表されるβ−8isN*(一般にβ−
サイアロンと呼ばれる)が注目されている。
しかしながら、これらのSi3N4は、α5isN4ま
たはβ’−8i3N、のみからなる場合には、室温強度
が他の5i3N4質焼結体よりも劣り、また靭性も低い
という欠点を有している。また、α’−5i3N4とβ
’ 5L3N4とを混合した焼結体も以下のように
開発されいてる。
たはβ’−8i3N、のみからなる場合には、室温強度
が他の5i3N4質焼結体よりも劣り、また靭性も低い
という欠点を有している。また、α’−5i3N4とβ
’ 5L3N4とを混合した焼結体も以下のように
開発されいてる。
J、Materials Sci、 14 (197
9) P l 749では、s is N4−Y203
−AzNの混合粉末を焼結することによって、α’−8
i3N、の単相あるいはα’−8isN4とβ’−8i
3N。
9) P l 749では、s is N4−Y203
−AzNの混合粉末を焼結することによって、α’−8
i3N、の単相あるいはα’−8isN4とβ’−8i
3N。
との混合相からなる焼結体が得られることを報告してい
る。また、特開昭58−185484号では、α’−8
iaN4とβ’−8iaN4粉末を原料として、α’−
3iaN4とβ’ −3iaN4との混合相からなる焼
結体を得ている。しかし、この2例の焼結体とも、室温
強度、高温強度が低い。
る。また、特開昭58−185484号では、α’−8
iaN4とβ’−8iaN4粉末を原料として、α’−
3iaN4とβ’ −3iaN4との混合相からなる焼
結体を得ている。しかし、この2例の焼結体とも、室温
強度、高温強度が低い。
更に、特開昭59−182276号では、5xaN4−
AI!N−Y2O,−Aj7203系の混合粉末を焼結
することによりα’ −8iaN4とβ−8isN*
とからなる焼結体を得ている。この例では、α”−5i
sN4の存在比率が0.05〜0゜7、その結晶粒の大
きさが長径方向で40μm以下からなる焼結体は高温強
度が改善されるとしているが、なお強度は不充分である
。
AI!N−Y2O,−Aj7203系の混合粉末を焼結
することによりα’ −8iaN4とβ−8isN*
とからなる焼結体を得ている。この例では、α”−5i
sN4の存在比率が0.05〜0゜7、その結晶粒の大
きさが長径方向で40μm以下からなる焼結体は高温強
度が改善されるとしているが、なお強度は不充分である
。
〔第1発明の説明〕
本第1発明(請求項に記載の発明)は、上記従来技術の
欠点に鑑みなされたものであり、高い強度を有し、しか
も高い靭性を有する窒化珪素質焼結体を提供することを
目的とする。
欠点に鑑みなされたものであり、高い強度を有し、しか
も高い靭性を有する窒化珪素質焼結体を提供することを
目的とする。
本第1発明は、Y、(S is A I! ) +□(
0,N)16で表されるα’−窒化珪素とSi6! A
f。
0,N)16で表されるα’−窒化珪素とSi6! A
f。
0、N8−z (0<Z≦4.2)で表されるβ′−
窒化珪素とからなる窒化珪素質焼結体であって、α−窒
化珪素のXの値がO< x < 0.3の範囲内にあり
、かつ表面部に存在するα’ −窒化珪素のXの値が内
部に存在するα゛−窒化珪素のXの値よりも大きいこと
を特徴とする窒化珪素質焼結体である。
窒化珪素とからなる窒化珪素質焼結体であって、α−窒
化珪素のXの値がO< x < 0.3の範囲内にあり
、かつ表面部に存在するα’ −窒化珪素のXの値が内
部に存在するα゛−窒化珪素のXの値よりも大きいこと
を特徴とする窒化珪素質焼結体である。
本第1発明によれば、高い強度を有し、かつ高い靭性を
有する窒化珪素質焼結体を提供することができる。
有する窒化珪素質焼結体を提供することができる。
本第1発明の窒化珪素質焼結体が上記の特性を有するの
は以下の理由によると考えられる。
は以下の理由によると考えられる。
本第1発明の窒化珪素質焼結体は、α’−窒化珪素にお
けるYの固溶量が、焼結体の内部より表面部の方が大き
いため、焼結体の熱膨張係数が内部より表面部の方が小
さくなる。よって、焼結体の表面部に圧縮応力が発生し
て強度が増加する。
けるYの固溶量が、焼結体の内部より表面部の方が大き
いため、焼結体の熱膨張係数が内部より表面部の方が小
さくなる。よって、焼結体の表面部に圧縮応力が発生し
て強度が増加する。
更に、α’ −窒化珪素のYの固溶量が少ない(Y、(
S i、 Aj2) +2 (0,N) +eにおける
Xの値が0 < x < 0.3である)ため、相対的
に粒界のガラス相の量が減少し、高温での強度に優れて
いる。
S i、 Aj2) +2 (0,N) +eにおける
Xの値が0 < x < 0.3である)ため、相対的
に粒界のガラス相の量が減少し、高温での強度に優れて
いる。
また、靭性についても、α’−窒化珪素におけるYの固
溶量(上記Xの値)が焼結体の表面部で大きくなること
により大きくなる。
溶量(上記Xの値)が焼結体の表面部で大きくなること
により大きくなる。
〔第1発明のその他の発明の説明〕
以下、本第1発明をより具体的にしたその他の発明につ
いて説明する。
いて説明する。
本発明の窒化珪素(Si3I’L)質焼結体は、α”
−窒化珪素とβ′ −窒化珪素とを構成相とし、かつα
’−窒化珪素は、YX (S 11 A1) +2(
0,N) +6で表され、そのXの値が0 < x <
0゜3のものであり、かつα’−窒化珪素の上記Xの
値が焼結体の内部に存在するものよりも表面部に存在す
るものの方が大きいものである。
−窒化珪素とβ′ −窒化珪素とを構成相とし、かつα
’−窒化珪素は、YX (S 11 A1) +2(
0,N) +6で表され、そのXの値が0 < x <
0゜3のものであり、かつα’−窒化珪素の上記Xの
値が焼結体の内部に存在するものよりも表面部に存在す
るものの方が大きいものである。
本発明において、α’ −窒化珪素(Si3N4)とは
、α−8isN4構造で、Si位置にAIが、N位置に
Oが置換し、更に格子間位置にイツトリウム(Y)が侵
入型に固溶した、一般式Y。
、α−8isN4構造で、Si位置にAIが、N位置に
Oが置換し、更に格子間位置にイツトリウム(Y)が侵
入型に固溶した、一般式Y。
(S i、 AA) +□(o、 N) 、、で示され
るものであり、α−サイアロンと呼ばれるものである。
るものであり、α−サイアロンと呼ばれるものである。
また、β’−8i、N、とは、β−5isN4構造で、
Si位置にAIが、N位置にOが固溶したもので、一般
式S 1 @ −ffi All 0ffi N5−1
(0くz≦4.2)で示されるものであり、β−サ
イアロンと呼ばれるものである。
Si位置にAIが、N位置にOが固溶したもので、一般
式S 1 @ −ffi All 0ffi N5−1
(0くz≦4.2)で示されるものであり、β−サ
イアロンと呼ばれるものである。
本発明において、α’−8isN4の一般式Y、(S
i、 An) +t (0,N) +sのXの値は0<
x〈0.3の範囲内とする。この範囲内により焼結体の
結晶粒の粒界のガラス相が少なくなり、高温での焼結体
の強度が向上する。
i、 An) +t (0,N) +sのXの値は0<
x〈0.3の範囲内とする。この範囲内により焼結体の
結晶粒の粒界のガラス相が少なくなり、高温での焼結体
の強度が向上する。
また、上記β’−8isNnの一般式におけるyの値は
、0<y≦1.0の範囲内が更に望ましい。
、0<y≦1.0の範囲内が更に望ましい。
この範囲内であれば、更に結晶粒の粒界のガラス相が少
なくなり、高温での焼結体の強度が向上する。
なくなり、高温での焼結体の強度が向上する。
α −3L3N4の上記一般式のXの値が0〈x <
0.3の範囲内においてのみ、Xの値、すなわち、Yの
固溶量が小さいほど熱膨張係数が大きくなる傾向にある
。従って、本発明において、焼結体の表面部に存在する
α−8ixN+のYの固溶量が内部に存在するα’−8
isN4のそれよりも大きいため、焼結体の表面部より
も内部の方が熱膨張係数が大きい。よって、表面部に圧
縮応力が発生して焼結体の強度が向上する。
0.3の範囲内においてのみ、Xの値、すなわち、Yの
固溶量が小さいほど熱膨張係数が大きくなる傾向にある
。従って、本発明において、焼結体の表面部に存在する
α−8ixN+のYの固溶量が内部に存在するα’−8
isN4のそれよりも大きいため、焼結体の表面部より
も内部の方が熱膨張係数が大きい。よって、表面部に圧
縮応力が発生して焼結体の強度が向上する。
また、内部におけるα”−5isN4のXの値は、表面
部におけるα’−8i、N、のXの値よりも0.05以
上小さいことが望ましい。その差が0.05未満では、
表面部と内部の熱膨張係数の差が小さく、強度向上の効
果が小さい。
部におけるα’−8i、N、のXの値よりも0.05以
上小さいことが望ましい。その差が0.05未満では、
表面部と内部の熱膨張係数の差が小さく、強度向上の効
果が小さい。
α−8ixN+における一般式のXの値を内部より表面
部の方を大きくするには、内部と表面部とを分けて(表
面層を設ける)、Xの値を異なるようにしてもよく、あ
るいは内部から表面に連続的にXの値を変化させてもよ
い。更に内部と表面層との間に一層以上の中間層を設け
て、その中間層のXの値が中間値となるようにしてもよ
い。
部の方を大きくするには、内部と表面部とを分けて(表
面層を設ける)、Xの値を異なるようにしてもよく、あ
るいは内部から表面に連続的にXの値を変化させてもよ
い。更に内部と表面層との間に一層以上の中間層を設け
て、その中間層のXの値が中間値となるようにしてもよ
い。
上記の内部から表面に連続的にXの値を変化させる場合
以外では、中間層を含む表面層の厚さは200〜500
μm程度とするのがよい。
以外では、中間層を含む表面層の厚さは200〜500
μm程度とするのがよい。
α−8ixN+sβ’−8isN4との存在比率は、X
線回折ピークの強度比による割合で、α’−8i、N、
が0.05〜0.50、残部(0,95〜0.50)が
β’−3isN4となるようにするのが望ましい。α’
−8isN4の存在比率が0.05未満あるいは0.5
0を越える場合には、焼結体の靭性が低下し、また十分
な強度向上が達成できない。なお、更に望ましくは、α
’ −8i3N、の存在比率が0.07〜0.35であ
れば、より高い強度が得られる。本発明では、存在比率
をX線回折ピークの強度比より求めており、回折ピーク
の最大強度と次に大きい強度とを合計してα’、β’の
それぞれの合計を比較した。
線回折ピークの強度比による割合で、α’−8i、N、
が0.05〜0.50、残部(0,95〜0.50)が
β’−3isN4となるようにするのが望ましい。α’
−8isN4の存在比率が0.05未満あるいは0.5
0を越える場合には、焼結体の靭性が低下し、また十分
な強度向上が達成できない。なお、更に望ましくは、α
’ −8i3N、の存在比率が0.07〜0.35であ
れば、より高い強度が得られる。本発明では、存在比率
をX線回折ピークの強度比より求めており、回折ピーク
の最大強度と次に大きい強度とを合計してα’、β’の
それぞれの合計を比較した。
α−8ixN+
均粒径が2.0μm以下とするのが望ましい。また、β
’−8i、N、の結晶粒の大きさは、その平均粒径が、
長径方向において5.0μm以下、短径方向において1
.0μm以下とするのが望ましい。これは、α−8ix
N+とβ’−8isN4の結晶粒の両方あるいはいずれ
か一方の結晶粒が上記範囲を越えると、強度の向上が得
られないためである。なお、より高い強度が得られるの
は、α−8ixN+の結晶粒の平均粒径が1.0μm以
下、β’−3i、N、の結晶粒の平均粒径が長径方向に
おいて2.5μm以下、短径方向において0.5μm以
下の範囲である。また、長径方向は短径方向に対して2
以上とするのがよい。2未満の場合には、結晶粒が等軸
状になり、強度及び靭性が低下しやすくなる。
’−8i、N、の結晶粒の大きさは、その平均粒径が、
長径方向において5.0μm以下、短径方向において1
.0μm以下とするのが望ましい。これは、α−8ix
N+とβ’−8isN4の結晶粒の両方あるいはいずれ
か一方の結晶粒が上記範囲を越えると、強度の向上が得
られないためである。なお、より高い強度が得られるの
は、α−8ixN+の結晶粒の平均粒径が1.0μm以
下、β’−3i、N、の結晶粒の平均粒径が長径方向に
おいて2.5μm以下、短径方向において0.5μm以
下の範囲である。また、長径方向は短径方向に対して2
以上とするのがよい。2未満の場合には、結晶粒が等軸
状になり、強度及び靭性が低下しやすくなる。
本発明の窒化珪素質焼結体を製造する方法としては、内
部の表面にコーティングして表面層を形成する方法、等
いかなる方法でもよい。
部の表面にコーティングして表面層を形成する方法、等
いかなる方法でもよい。
例えば、a’ S is N4とβ’−8i3N。
とからなる焼結体を形成する原料とからなる成形体を調
製しく第一工程)、該成形体の周囲に、α’ −8i、
N、とβ’−8i、N、とからなる焼結体を形成する原
料であり、該原料から形成される焼結体におけるα−8
ixN+の上記一般式におけるXの値が上記成形体から
構成される装粘体におけるα’ 31sN4のXの
値よりも大きくなる原料を配置すると共にこれらを焼成
する(第二工程)。この第二工程において使用する原料
が焼結体の表面部を形成するのである。
製しく第一工程)、該成形体の周囲に、α’ −8i、
N、とβ’−8i、N、とからなる焼結体を形成する原
料であり、該原料から形成される焼結体におけるα−8
ixN+の上記一般式におけるXの値が上記成形体から
構成される装粘体におけるα’ 31sN4のXの
値よりも大きくなる原料を配置すると共にこれらを焼成
する(第二工程)。この第二工程において使用する原料
が焼結体の表面部を形成するのである。
第一工程における成形体の調製は、αl 3i3N
4とβ’−8i、N、とからなる焼結体を形成する原料
を成形することにより行なう。
4とβ’−8i、N、とからなる焼結体を形成する原料
を成形することにより行なう。
第一工程および第二工程におけるαl 3i3N4
とβ’−3isNsとからなる焼結体を形成する原料と
しては焼成によりα’−8isN4となる原料と、焼成
によりβ’ −8isN4となる原料とからなるもので
ある。
とβ’−3isNsとからなる焼結体を形成する原料と
しては焼成によりα’−8isN4となる原料と、焼成
によりβ’ −8isN4となる原料とからなるもので
ある。
焼成によりα’ 813N4 となる原料としては
、焼結体中においてα’−3isN、の状態となる原料
であり、これにはα’−8isN4自体及び加熱焼結時
の反応によりα’−3isN<を生成する混合物がある
。それ故、α −8isN。
、焼結体中においてα’−3isN、の状態となる原料
であり、これにはα’−8isN4自体及び加熱焼結時
の反応によりα’−3isN<を生成する混合物がある
。それ故、α −8isN。
原料としては、この一方または双方を用いる。反応して
α’−3i、N、を形成する混合物としては、例えば、
Yを固溶したα’−8i、N、を形成する場合、S i
s N< −AIN−Yt 0s 、Si、N4 −A
IN−Aft Os −Yt 03 、S 1s
N4 Alz 03 Yt 0−−YN等の混合物が
挙げられる。
α’−3i、N、を形成する混合物としては、例えば、
Yを固溶したα’−8i、N、を形成する場合、S i
s N< −AIN−Yt 0s 、Si、N4 −A
IN−Aft Os −Yt 03 、S 1s
N4 Alz 03 Yt 0−−YN等の混合物が
挙げられる。
また、焼成によりβ’−8isN4となる原料としては
、焼結体中においてβ’−8i、N、の状態となる原料
であり、これにはβ’−8i3N4自体及び加熱焼結時
の反応によりβ’−8i3N<を生成する混合物がある
。それ故、β’ −8ixN4原料としては、この一方
または双方を用いる。
、焼結体中においてβ’−8i、N、の状態となる原料
であり、これにはβ’−8i3N4自体及び加熱焼結時
の反応によりβ’−8i3N<を生成する混合物がある
。それ故、β’ −8ixN4原料としては、この一方
または双方を用いる。
反応してβ’−8iaN<を形成する混合物としては、
S L N4−Alx Os 、S is N4−AI
N−Affi20s 、S is N< −Alt O
s −8io2等の混合物が挙げられる。
S L N4−Alx Os 、S is N4−AI
N−Affi20s 、S is N< −Alt O
s −8io2等の混合物が挙げられる。
また、α’−8isN4原料のうちの加熱焼結時の反応
によりα’−8i、N4を生成する混合物において、混
合物の配合割合を制御することによりα’−8isN4
を生成させると同時にβ。
によりα’−8i、N4を生成する混合物において、混
合物の配合割合を制御することによりα’−8isN4
を生成させると同時にβ。
81sN4も生成させることができる。例えば、Yが固
溶したα’−8isNsとβ’−8i、N。
溶したα’−8isNsとβ’−8i、N。
とを同時に形成させようとする場合、5isN*に対す
るYt 0s−AIN、Yt Os −AIN−A12
0s、あるいはYN−Azz O,の配合割合を制御す
ることにより、α’−8isN4とβ。
るYt 0s−AIN、Yt Os −AIN−A12
0s、あるいはYN−Azz O,の配合割合を制御す
ることにより、α’−8isN4とβ。
51sN4とを同時に生成させることができる。
これは、Y、AI、075<Sis N4に固溶してS
i、N、を形成すると同時にAI、0fJ(SixN4
に固溶してβ’−8isN4を形成するためである。こ
の場合、同じ混合物であっても焼結温度、焼結時間によ
ってα’−3isN4とβ” −8isN4との生成割
合が異なるため、焼結条件を制御することにより所望の
生成割合の焼結体を得ることができる。
i、N、を形成すると同時にAI、0fJ(SixN4
に固溶してβ’−8isN4を形成するためである。こ
の場合、同じ混合物であっても焼結温度、焼結時間によ
ってα’−3isN4とβ” −8isN4との生成割
合が異なるため、焼結条件を制御することにより所望の
生成割合の焼結体を得ることができる。
なお、α’ 5t3N4、β’ −8i3N、の組成
が2種以上のもの(前記α’−8isN4+β’−3i
sN4の一般式におけるx、 zが二種以上のもの)
からなる焼結体を得る場合には、粒度分布の広い焼成に
よりα’−8isN4となる原料粉末、焼成によりβ’
−8isN4となる原料粉末を用いるか、あるいは組成
の異なる2種以上のα’−3iaN4粉末、β’−8i
sN<粉末を用いればよい。
が2種以上のもの(前記α’−8isN4+β’−3i
sN4の一般式におけるx、 zが二種以上のもの)
からなる焼結体を得る場合には、粒度分布の広い焼成に
よりα’−8isN4となる原料粉末、焼成によりβ’
−8isN4となる原料粉末を用いるか、あるいは組成
の異なる2種以上のα’−3iaN4粉末、β’−8i
sN<粉末を用いればよい。
第一工程においては、上記原料を、金型プレス、ラバー
プレス、押し出し、スリップキャスト、射出成形等の方
法により成形する。
プレス、押し出し、スリップキャスト、射出成形等の方
法により成形する。
第二工程では、第一工程で調製した成形体(内部成形体
とする)の周囲に上記原料を配置すると共に焼成する。
とする)の周囲に上記原料を配置すると共に焼成する。
この配置する原料としては、該原料により形成された焼
結体におけるα −3isN4における一般式のXの値
が、上記内部成形体から形成される焼結体のα’−8i
sN<におけるXの値よりも大きくなるように配合して
おく。
結体におけるα −3isN4における一般式のXの値
が、上記内部成形体から形成される焼結体のα’−8i
sN<におけるXの値よりも大きくなるように配合して
おく。
また、該原料には、焼成によりα’ 5isN4の
みを形成する原料でもよい。
みを形成する原料でもよい。
また、原料の配置の形態としては、内部成形体の表面に
原料を付着させる形態、あるいは内部成形体を原料粉末
中に埋設する形態等がある。
原料を付着させる形態、あるいは内部成形体を原料粉末
中に埋設する形態等がある。
上記の内部成形体の表面に原料を付着させる形態では、
スリップ中へのディッピング、スプレー電着等の方法に
より付着させる。
スリップ中へのディッピング、スプレー電着等の方法に
より付着させる。
また、上記の原料の配置は、α’−8isN4のXの値
が異なる原料粉末を数段階に分けて行ってもよい。この
場合には、焼結体の内部から表面にα−8isN、のX
の値が連続的にあるいは段階的に変化したものを製造す
ることができる。
が異なる原料粉末を数段階に分けて行ってもよい。この
場合には、焼結体の内部から表面にα−8isN、のX
の値が連続的にあるいは段階的に変化したものを製造す
ることができる。
第二工程における焼成は、加圧焼結、非加圧焼結のいず
れでもよい。雰囲気は、N2ガス、アルゴンガス等の不
活性ガス雰囲気、あるいは真空中等の非酸化性雰囲気が
望ましい。また、焼結方法としては、常圧焼結法、ガス
圧焼結法、熱間静水圧焼結(HIP)法等を用いること
ができる。焼結温度は1650〜1900℃が望ましい
。焼結温度が1650℃より低いと十分に緻密化が進行
せず、1900℃を越えると粒成長が著しくなり、十分
な強度が得られない。
れでもよい。雰囲気は、N2ガス、アルゴンガス等の不
活性ガス雰囲気、あるいは真空中等の非酸化性雰囲気が
望ましい。また、焼結方法としては、常圧焼結法、ガス
圧焼結法、熱間静水圧焼結(HIP)法等を用いること
ができる。焼結温度は1650〜1900℃が望ましい
。焼結温度が1650℃より低いと十分に緻密化が進行
せず、1900℃を越えると粒成長が著しくなり、十分
な強度が得られない。
また、焼成によりα−8isN、となる原料と焼成によ
りβ’−8i、N、となる原料との混合割合、焼結条件
等を制御して、焼結体中のα−8isN4とβ’−8i
sNtとの存在比率、および結晶粒の大きさ、あるいは
組成が前記範囲内となるようにすることができる。
りβ’−8i、N、となる原料との混合割合、焼結条件
等を制御して、焼結体中のα−8isN4とβ’−8i
sNtとの存在比率、および結晶粒の大きさ、あるいは
組成が前記範囲内となるようにすることができる。
本発明の窒化珪素質焼結体には、用途に応じて各種耐熱
性物質、例えば酸化物、窒化物、炭化物、ケイ素化物、
ホウ素化物、硫化物などを第3戒分として添加してもよ
く、更に製造工程で使用した焼結助剤が含まれていても
よい。
性物質、例えば酸化物、窒化物、炭化物、ケイ素化物、
ホウ素化物、硫化物などを第3戒分として添加してもよ
く、更に製造工程で使用した焼結助剤が含まれていても
よい。
本発明の窒化珪素質焼結体は、上記の特性により高温機
械部材、化学プラント部材、ベアリング等の耐摩耗部材
、ガスタービン部材、熱交換器材料等として利用するこ
とができる。
械部材、化学プラント部材、ベアリング等の耐摩耗部材
、ガスタービン部材、熱交換器材料等として利用するこ
とができる。
以下、本発明の詳細な説明する。
S L 3 N<粉末(平均粒径0,5μm)、A47
N粉末(平均粒径0.7 μm) 、Y20g (平
均粒径0.7.czm) 、a’ S is N4
(平均粒径0.5μm)、β’5i3N4(平均粒
径0.5μm)を出発原料として表に示すような表面部
と内部でα−8isN<のYの固溶量(一般式のXの値
)の異なる5iaN4質焼結体を調製した。
N粉末(平均粒径0.7 μm) 、Y20g (平
均粒径0.7.czm) 、a’ S is N4
(平均粒径0.5μm)、β’5i3N4(平均粒
径0.5μm)を出発原料として表に示すような表面部
と内部でα−8isN<のYの固溶量(一般式のXの値
)の異なる5iaN4質焼結体を調製した。
その調製は、α−8isN4とβ’ −8i3N4の存
在比、およびα−8isN4、β゛5isN+の固溶量
が所定の範囲となるように上記原料粉末を混合、成型し
、N2中、1600〜1950℃で1〜IO時間焼結す
ることにより行なった。この時、成型体の周囲には焼結
後、α−8isN4のYの固溶量が焼結体よりも大きく
なる、上記原料の混合粉末を配置して、表面部と内部で
α’−8isN4のYの固溶量の異なるSi3N、質焼
結体を得た。
在比、およびα−8isN4、β゛5isN+の固溶量
が所定の範囲となるように上記原料粉末を混合、成型し
、N2中、1600〜1950℃で1〜IO時間焼結す
ることにより行なった。この時、成型体の周囲には焼結
後、α−8isN4のYの固溶量が焼結体よりも大きく
なる、上記原料の混合粉末を配置して、表面部と内部で
α’−8isN4のYの固溶量の異なるSi3N、質焼
結体を得た。
また、比較のために、表面部と内部でα −8i、N、
のYの固溶量が等しい焼結体も調製した。
のYの固溶量が等しい焼結体も調製した。
これらの焼結体について室温4点曲げ強度および靭性値
(K+c値、圧痕法による)を測定した。
(K+c値、圧痕法による)を測定した。
その結果を表に示す。なお、表中のα’ 5isN
4の存在比は、X線回折法によって求めた。すなわち、
得られた焼結体の最表面のα’ 5lsN4および
β’−8isN4の存在比をX線回折法によって求めた
。その後、表面から数10μmずつ研摩して、同じよう
にX線回折法によってα−8ixN4およびβ’−8i
sN<の存在比を求めた。なお、この存在比の求め方は
、焼結体のX線回折チャートにおけるα″型の強度の高
い上位2個のピークの合計とβ′型の強度の高い上位2
個のピークの合計とを比較することによって行なった。
4の存在比は、X線回折法によって求めた。すなわち、
得られた焼結体の最表面のα’ 5lsN4および
β’−8isN4の存在比をX線回折法によって求めた
。その後、表面から数10μmずつ研摩して、同じよう
にX線回折法によってα−8ixN4およびβ’−8i
sN<の存在比を求めた。なお、この存在比の求め方は
、焼結体のX線回折チャートにおけるα″型の強度の高
い上位2個のピークの合計とβ′型の強度の高い上位2
個のピークの合計とを比較することによって行なった。
表中のα−3isN*
−3isN*とβ’−3isN4との存在比の合計を1
とした場合の値である。また、表中の表面部とは焼結体
の表面から300μmまでの領域、内部とはその領域よ
りも内側の領域である。表中のXはYx (S i、
An) +2 (0,N) +6のXの値、2は5j
8−x A[、Ox N*−zの2の値である。
とした場合の値である。また、表中の表面部とは焼結体
の表面から300μmまでの領域、内部とはその領域よ
りも内側の領域である。表中のXはYx (S i、
An) +2 (0,N) +6のXの値、2は5j
8−x A[、Ox N*−zの2の値である。
表より明らかなように、本実施例の焼結体の方が比較例
の焼結体よりも室温4点曲げ強度が10〜20kg7m
m2高く、高強度であり、しかも靭性も高いことが分か
る。
の焼結体よりも室温4点曲げ強度が10〜20kg7m
m2高く、高強度であり、しかも靭性も高いことが分か
る。
Claims (1)
- Y_x(Si,Al)_1_2(O,N)_1_6で表
されるα’−窒化珪素とSi_6_−_zAl_zO_
zN_8_−_z(0<Z≦4.2)で表されるβ’−
窒化珪素とからなる窒化珪素質焼結体であって、α’−
窒化珪素のxの値が0<x<0.3の範囲内にあり、か
つ表面部に存在するα’−窒化珪素のxの値が内部に存
在するα’−窒化珪素のxの値よりも大きいことを特徴
とする窒化珪素質焼結体。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1340864A JP2663028B2 (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | 窒化珪素質焼結体 |
US07/631,949 US5120682A (en) | 1989-12-28 | 1990-12-21 | Sintered body of silicon nitride |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1340864A JP2663028B2 (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | 窒化珪素質焼結体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03199169A true JPH03199169A (ja) | 1991-08-30 |
JP2663028B2 JP2663028B2 (ja) | 1997-10-15 |
Family
ID=18341016
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1340864A Expired - Fee Related JP2663028B2 (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | 窒化珪素質焼結体 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5120682A (ja) |
JP (1) | JP2663028B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1993008140A1 (fr) * | 1991-10-21 | 1993-04-29 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Agglomere de nitrure de silicium |
US5502011A (en) * | 1991-10-21 | 1996-03-26 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Silicon nitride sintered body |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5358912A (en) * | 1991-08-08 | 1994-10-25 | Loral Vought Systems Corporation | BAS reinforced in-situ with silicon nitride |
AU5587798A (en) * | 1996-11-25 | 1998-06-22 | Regents of The University of Michigan Management Technology Office, The | In-situ toughened alpha prime-sialon-based ceramics |
KR100235203B1 (ko) * | 1997-03-15 | 1999-12-15 | 배문한 | 표면이 개질된 사이알론 복합체 및 그것의 제조 방법 |
US6471734B1 (en) | 1998-07-09 | 2002-10-29 | Kennametal Pc Inc. | Ceramic and process for the continuous sintering thereof |
US6124225A (en) * | 1998-07-29 | 2000-09-26 | The Regents Of The University Of Michigan | Cutting tools and wear resistant articles and material for same |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4711644A (en) * | 1982-02-22 | 1987-12-08 | Kennametal Inc. | Ceramic material and method of manufacture |
EP0087888B1 (en) * | 1982-02-26 | 1986-06-11 | LUCAS INDUSTRIES public limited company | Method of forming ceramic materials and ceramic products, and ceramic materials and ceramic products formed thereby |
JPS59199579A (ja) * | 1983-04-25 | 1984-11-12 | 三菱マテリアル株式会社 | 耐摩耗性のすぐれたサイアロン基セラミツクス |
SE451581B (sv) * | 1984-04-06 | 1987-10-19 | Sandvik Ab | Keramiskt material huvudsakligen baserat pa kiselnitrid, aluminiumnitrid och aluminiumoxid |
DE68910363T3 (de) * | 1988-04-07 | 1998-02-26 | Toyoda Chuo Kenkyusho Kk | Siliciumnitrid-Sinterkörper. |
JPH035369A (ja) * | 1989-05-29 | 1991-01-11 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 複合焼結体およびその製造方法 |
-
1989
- 1989-12-28 JP JP1340864A patent/JP2663028B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-12-21 US US07/631,949 patent/US5120682A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO1993008140A1 (fr) * | 1991-10-21 | 1993-04-29 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Agglomere de nitrure de silicium |
US5502011A (en) * | 1991-10-21 | 1996-03-26 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Silicon nitride sintered body |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5120682A (en) | 1992-06-09 |
JP2663028B2 (ja) | 1997-10-15 |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |