JPH03194954A - 半導体装置及びそれを実装した電子装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野〕 本発明は、樹脂封止型半導体装置及びそれを実装した電
子装置に適用して有効な技術に関するものである。

〔従来の技術〕

大型高速コンピュータ、パーソナルコンピュータ等の記
憶装置は半導体記憶装置で構成される。

特に、大容量化が目的とされる半導体記憶装置にはＤＲ
ＡＭ（旦ｙｎａｍｉｃ　Ｒａｎｄｏｍ八ｃｅｅへｓ　Ｍ
ｅｍｏｒｙ）が使用される。

前記ＤＲＡＭは、−殻内に、大容量の記憶装置を構成す
るために多数個使用されるので、比較的コストが安い樹
脂封止型半導体装置で構成される。

樹脂封止型半導体装置は、その実装形式に基づき、ＤＩ
Ｐ（旦ｕａｌ工ｎ−１ｉｎｅ　Ｐ　ａｃｋａｇｅ）、Ｓ
ＯＰ（Ｓｍａｌｌ　０　ｕｔ−１ｉｎｅ　Ｐ　ａｃｋａ
ｇｅ）或はＺ　Ｉ　Ｐ　（Ｚｉｇｚａｇ　Ｉ　ｎ−１ｉ
ｎｅ　Ｐ　ａｃｋａｇｅ）構造等で構成される。

前記樹脂封止型半導体装置は、インナーリードに外部端
子（ポンディングパッド）が電気的に接続された半導体
ペレットを樹脂（レジン）で気密封止したものが、基本
的な構造である。前記半導体ペレットはタブ上に搭載さ
れ、半導体ペレットの外部端子、インナーリードの夫々
はボンディングワイヤを介して電気的に接続される。樹
脂は前記半導体ペレット、ボンディングワイヤ、タブ及
びインナーリードを被覆する。インナーリードにはアウ
ターリード（外部ピン）が一体に構成され（電気的に接
続され）、このアウターリードは樹脂の外部に突出され
る。

この種の樹脂封止型半導体装置は、メモリボード（実装
基板）上に複数個実装され、コンピュータに記憶装置（
メモリモジュール）として組込まれる。

メモリボードへの樹脂封止型半導体装置（ＤＲＡＭ）の
実装に際しては１個の樹脂封止型半導体装置の実装面積
（サイズ）が実装密度を左右する。記憶装置の大容量化
（又は小型化）を図るためには実装密度を高くすること
が要求される。

このような技術課題を解決するには、特開昭６３−５２
４９８号公報に記載される技術を適用することが有効で
ある。前記公報に記載される技術は、モジュール基板上
にその実装面に対して垂直方向に複数個の樹脂封止型半
導体装置を積層する技術である２、つまり、この技術が
適用された場合、メモリボード上での高さ方向を利用し
て実装密度を高めることができるので、記憶装置の大容
量化を図ることができる。

〔発明が解決しようとする課題〕

前述の樹脂封止型半導体装置及びそれをメモリボード上
に実装した記憶装置について、本発明者は下記の問題点
が生じることを見出した。

（１）メモリボード上に複数個の樹脂封止型半導体装置
を積層する組立作業において、上下夫々の樹脂封止型半
導体装置間、アウターリード間の位置合せ作業等が追加
される。各位置合せ作業は作業能率を高める目的で治具
を使用する。位置合せ作業の終了後、半田等の接合剤を
使用し、メモリボード上に樹脂封止型半導体装置を複数
個積層する（実装する）。このように、前記組立作業に
位置合せ作業等の余分な作業工程が追加されるので、組
立作業が長くなる。また、作業工程が追加されると、例
えばＤＩＰ構造を採用する樹脂封止型半導体装置ではア
ウターリード°の折れ曲り等の損傷が生じる確率が高く
なり、この結果、組立作業における歩留りが低下する。

（２）メモリボード上に複数個の樹脂封止型半導体装置
を積層した場合、積層されたうちの中段又は下段に積層
された樹脂封止型半導体装置は、その周囲を他の樹脂封
止型半導体装置で覆われる。

つまり、前記中段又は下段に積層された樹脂封止型半導
体装置は外部雰囲気と接触できる表面積が少なくなる。

このため、半導体ペレットの動作で発生する熱の放熱経
路において、熱抵抗が増大するので、樹脂封止型半導体
装置の放熱効率が低下する。

（３）前記樹脂封止型半導体装置は半導体ペレットの素
子形成面及びそれと対向する裏面（タブ倒）を含む全表
面を樹脂封止部で被覆する。通常、樹脂封止部は、高温
度でモールド後に冷却して硬化させるので、熱収縮に基
づく反りを低減するために、樹脂封止部の半導体ペレッ
トの素子形成面上での厚さに対して裏面側をほぼ同等の
厚さで構成する。このため、樹脂封止部の裏面側の厚さ
に律則され、樹脂封止部の全体の厚さが厚くなるので。

メモリボード上の高さ方向において、実装密度を高める
ことに限界がある。

（４）また、前記樹脂封止部の裏面側の厚さを薄くした
場合、前述のように、樹脂封止部に反りを生じ、樹脂封
止部の割れ、樹脂封止部と半導体ペレットとの間に剥離
等が生じる。前記割れ、剥離等は、樹脂封止部の外部と
半導体ペレットとの間の水分の伝達経路として作用し、
樹脂封止型半導体装置の耐湿性を低下する。

（５）また、ＳＯＰ構造等の面実装方式を採用する樹脂
封止型半導体装置において、前記樹脂封止部の反りは、
メモリボードの端子とアウターリードとの接触不良を一
部に引き起こす。つまり、樹脂封止型半導体装置は実装
不良となる。

（６）メモリボード上に複数個の樹脂封止型半導体装置
を積層した場合、上下夫々の樹脂封止型半導体装置の位
置合せにずれが生じると、上下夫々のアウターリード間
に接触不良が生じる。つまり、樹脂封止型半導体装置は
実装不良を生じる。

（７）また１片面のみを樹脂封止すると温度サイクルで
反りを生じ上下樹脂封止部のリードの接合部に力が加わ
り、断線につながる恐れがある。

本発明の目的は、樹脂封止型半導体装置において、組立
作業における歩留りを向上することが可能な技術を提供
することにある。

本発明の他の目的は、樹脂封止型半導体装置において、
放熱効率を向上することが可能な技術を提供することに
ある。

本発明の他の目的は、樹脂封止型半導体装置において、
信頼性を向上することが可能な技術を提供することにあ
る。

本発明の他の目的は、樹脂封止型半導体装置を実装する
電子装置において、実装密度を向上することが可能な技
術を提供することにある。

本発明の他の目的は、樹脂封止型半導体装置を実装する
電子装置において、実装不良を防止することが可能な技
術を提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は１本
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。

〔課頚を解決するための手段〕

本願において開示される発明のうち１代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。

（１）インナーリードに外部端子が電気的に接続された
半導体ペレットを樹脂封止部で封止する樹脂封止型半導
体装置において、前記半導体ペレットの素子形成面と対
向する裏面に、この裏面に比べて大きな平面々積を有す
る放熱板を設け、この放熱板の周囲の一部の領域を除き
、この放熱板の前記半導体ペレットを搭載する表面側が
前記半導体ペレットを被覆しかつ凸部を有し、放熱板の
前記表面と対向する裏面側が前記凸部と嵌合できる形状
で形成された凹部を有する樹脂封止部を設ける。この樹
脂封止型半導体装置は前記半導体ペレットの素子形成面
に対して垂直方向に複数個積層される。また、前記半導
体ペレットはＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、ＥＰＲＯＭ、ＥＥＰ
ＲＯＭ等の記憶装置からなる。

（２）インナーリードに外部端子が電気的に接続された
半導体ペレットを樹脂封止部で封止する樹脂封止型半導
体装置において、前記半導体ペレットの素子形成面と対
向する裏面に、この裏面に比べて大きな平面々積を有す
る放熱板を設け、この放熱板の周囲の一部の領域を除き
、この放熱板の前記半導体ペレットを搭載する表面側が
前記半導体ペレット及び放熱板の周囲を被覆し、かつ放
熱板の前記表面と対向する裏面側が放熱板の周囲を被覆
する樹脂封止部を設ける。

（３）前記手段（２）の放熱板には、その周囲にこの放
熱板の表面側、裏面側の夫々の樹脂封止部を連結する貫
通孔を設ける２ （４）インナーリードに外部端子が電気的に接続された
半導体ペレットを樹脂封止部で封止する樹脂封止型半導
体装置において、前記半導体ペレットの素子形成面と対
向する裏面に、この裏面に比べて大きな平面々積を有す
る放熱板を設け、この放熱板の前記半導体ペレットを搭
載した表面側に前記半導体ペレットを被覆し、かつこの
半導体ペレットの素子形成面上の厚さを前記放熱板の厚
さの１．９〜６．０倍で形成した樹脂封止部を設ける。

（５）前記手段（４）の樹脂封止部をエポキシ系樹脂で
形成し、前記放熱板をＣｕ系材料で形成する。

（６）前記手段（５）の樹脂封止部の半導体ペレットの
素子形成面上の厚さは前記放熱板の厚さの３．０〜４．
０倍で形成される。

（７）インナーリードに外部端子が電気的に接続された
半導体ペレットを樹脂封止部で封止する樹脂封止型半導
体装置において、前記半導体ペレットの表面側及びこの
表面側と対向する裏面側を被覆すると共に、前記表面側
に凸部を有しかつ前記裏面側に前記凸部と嵌合できる形
状で形成された凹部を有する樹脂封止部を設け、この樹
脂封止部の表面側の凸部の周囲に裏面側の凹部の周囲ま
で引き回されたアウターリードを設け、このアウターリ
ードの前記表面側又は裏面側の一部分のリード幅を他部
分に比べて太く構成する。

（８）前記手段（７）のアウターリードの前記表面側又
は裏面側には、積層される他の樹脂封止型半導体装置の
アウターリードと適度な押圧力で接触できるばね性を設
ける。

［作　　用〕 上述した手段（１）によれば、（Ａ）前記樹脂封止型半
導体装置の樹脂封止部の凸部及び凹部をガイドとして、
上下方向に複数個の樹脂封止型半導体装置を積層できる
。この複数個積層された樹脂封止型半導体装置は電子装
置において２次元的な（平面方向の）実装密度を高めら
れる。（Ｂ）また、前記樹脂封止型半導体装置の樹脂封
止部から放熱板を突出させ、半導体ペレットから樹脂封
止部の外部に抜ける熱放出経路を確保したので、半導体
ペレットの動作で発生する熱の放熱効率を向上できる。

この放熱板は、樹脂封止型半導体装置を上下方向に複数
個積層した場合でも、各段特に上段及び下段に挾まれた
中段に位置する樹脂封止型半導体装置の放熱経路を確保
し、この中段に位置する樹脂封止型半導体装置の放熱効
率を向上できる。（Ｃ）また、前記樹脂封止型半導体装
置の半導体ペレットの裏面側の大半を樹脂封止部に変え
て放熱板としたことによって、樹脂封止部の全体の厚さ
を薄くできる。この結果、複数個積層された樹脂封止型
半導体装置は電子装置において３次元的な（高さ方向の
）実装密度を高めることができる。

上述した手段（２）によれば、前記手段（１）の効果（
Ｂ）及び（Ｃ）の他に、前記樹脂封止型半導体装置の樹
脂封止部を放熱板の表面側から裏面側に向ってこの放熱
板の周囲に設けたので（放熱板の周囲に樹脂封止部が食
い込む構造としたので）、樹脂封止部と放熱板との界面
での剥離を低減できる。この剥離の低減は、樹脂封止部
の外部から半導体ペレットに達する水分の伝達経路を遮
断できるので、樹脂封止型半導体装置の耐湿性を向上で
きる。

上述した手段（３）によれば、前記手段（２）の効果の
他に、前記放熱板の貫通孔を通して、放熱板の表面側、
裏面側の夫々の樹脂封止部を連結し、樹脂封止部と放熱
板との接着強度をより高められるので、樹脂封止部と放
熱板との界面での剥離をより低減し、樹脂封止型半導体
装置の耐湿性をより向上できる。

上述した手段（４）によれば、前記手段（１）の効果（
Ｂ）及び（Ｃ）の他に、前記樹脂封止型半導体装置の樹
脂封止部、放熱板の夫々の熱膨張係数差を許容範囲内に
設定し、樹脂封止部の反りを低減できるので、実装基板
上の端子とすべてのアウターリードとの接触が確実に行
え、樹脂封止型半導体装置の実装不良を防止できる。

また、上下パッケージのリードの接合部に力が加わるの
をおさえることができるため、断線を防止できる。

上述した手段（５）によれば、前記樹脂封止部、放熱板
の夫々の線膨張係数をほぼ均一化できるので、樹脂封止
部の反りを低減し、樹脂封止型半導体装置の実装不良を
低減できると共に、樹脂封止部に比べて放熱板のヤング
率が約１桁高いので、放熱板の厚さを薄くし、樹脂封止
型半導体装置の高さ方向のサイズを縮小できる。

上述した手段（６）によれば、前記樹脂封止部、放熱板
の夫々の線熱膨張差をほとんどなくすことができる（は
ぼＯにできる）ので、より樹脂封止型半導体装置の実装
不良を低減できる。

上述した手段（７）によれば、前記手段（１）の効果（
Ａ）の他に、前記樹脂封止型半導体装置のアウターリー
ドの一部分のリード幅を太くし、このアウターリードに
、上又は下方向に積層された他の樹脂封止型半導体装置
の同一機能を有するアウターリードが接触できる面積を
拡大したので、両者アウターリード間の電気的接続を確
実に行い、積層された樹脂封止型半導体装置間の電気的
接触不良を防止できる。

上述した手段（８）によれば、前記樹脂封止型半導体装
置のアウターリードに設けたばね性で、上又は下方向に
積層された他の樹脂封止型半導体装置の同一機能を有す
るアウターリードとの電気的な接触を確実に行うことが
できるので、積層された樹脂封止型半導体装置間の電気
的接触不良を防止できる。

以下、本発明の構成について、半導体ペレットにＤＲＡ
Ｍを搭載した樹脂封止型半導体装置及びそれを実装した
電子装置に本発明を適用した実施例とともに説明する。

なお、実施例を説明するための全回において、同一機能
を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は
省略する。

〔発明の実施例〕

（実施例Ｉ） 本発明の実施例Ｉである面実装方式を採用する樹脂封止
型半導体装置の基本的構造を第１図（要部断面図）、第
２図（側面図）及び第３図（平面図）で示す、第１図に
示す断面図は第３図のＩ−Ｉ切断線で切った断面図であ
る。また、第２図は第３図の■−■線から見た側面図で
ある。

第１図乃至第３図に示すように、本実施例Ｉの樹脂封止
型半導体装置１は樹脂封止部（レジンモールド部）８の
周囲の一側面にアウターリード（外部ビン）４Ｂを複数
配列する。つまり、樹脂封止型半導体装置１は、シング
ルインラインパッケージ構造で構成され、面実装方式で
構成される。

この樹脂封止型半導体装置１は、第１図に示すように、
放熱板７、半導体ペレット２、インナーリード４Ａの夫
々を順次積み重ねて構成される６前記放熱板７、半導体
ペレット２の夫々の間には絶縁性接着剤６が設けられる
。半導体ペレット２、インナーリード４Ａの夫々の間に
は絶縁性フィルム３が設けられる。

前記インナーリード４Ａ、アウターリード４Ｂの夫々は
、第４図（組立工程中でのリードフレームの平面図）に
示すように、同一のリードフレーム４から構成される。

リードフレーム４は一枚の板状で構成され、このリード
フレーム４に打抜き加工を又はエツチング加工を施すこ
とによりインナーリード４Ａ、アウターリード４Ｂ等が
形成される。つまり、インナーリード４Ａ、アウターリ
ード４Ｂの夫々は一体に成型される（電気的に接続され
る）。第４図に示すリードフレーム４は１個の樹脂封止
型半導体装置ｌを形成する一部の領域しか示していない
。通常、リードフレーム４は、複数個例えば６個の樹脂
封止型半導体装Ｍ１を形成できる領域を有する（例えば
６連フレーム）。

前記インナーリード４Ａはアウターリード４Ｂ側の一端
側においてアウターリード４Ｂと一体に成型される。こ
のインナーリード４Ａの他端（ボンディング領域側）は
、樹脂封止部８の一側面から半導体ペレット２の素子形
成面上の中央部まで、樹脂封止部８内において引き回さ
れる。前記アウターリード４Ｂはその中央部分において
タイバー４Ｃに一体化され、このタイバー４０はリード
フレーム４の外枠４Ｅに一体化され支持される。また、
アウターリード４Ｂのインナーリード４Ａと一体化され
た側と反対側の端部はリードフレーム４の内枠４Ｄに一
体化され、この内枠４Ｄは外枠４Ｅに一体化され支持さ
れる。リードフレーム４の外枠４Ｅに配列された穴部４
Ｆは、リードフレーム４に半導体ペレット２を固着する
所謂ぺ何工程、ボンディング工程等において、搬送用又
は位置決め用の穴として使用される。

リードフレーム４は電気伝導性、熱伝導性１機械的強度
等・に優れた例えば鉄−ニッケル（Ｆｅ−Ｎｉ）合金（
例えばＮｉの含有量は４２［％］）で形成される。この
リードフレーム４は例えば１５０［μｍ］の厚さで形成
される。リードフレーム４のうち、インナーリード４Ａ
の他端側の先端部の表面つまりボンディング領域には、
ボンダビリティを向上する例えば銀（Ａｇ）メツキ層４
ａが設けられる。また、リードフレーム４としては、前
記Ｆｅ−Ｎｉ合金の他に、それに比べて電気伝導性、熱
伝導性等に優れたＣｕ又はＣｕ系合金で形成してもよい
。

前記アウターリード４Ｂは、標準規格に基づき、各端子
に番号が付され、夫々に印加される信号が規定される。

前述のように、インナーリード４Ａはアウターリード４
Ｂと一体に成型されるので。

インナーリード４Ａに印加される信号はアウターリード
４Ｂに印加される信号と同様である。これに限定されな
いが、本実施例■の樹脂封止型半導体装置１は後述する
１　６　［Ｍｂｉｔｌ（又は４［Ｍｂｉｔｌ）の大容量
を有するＤＲＡＭが半導体ペレット２に搭載される。こ
のため、第１図乃至第４図中、樹脂封止型半導体装置１
は、左端から右端に向って１番端子、２番端子、・・・
　２６番端子の夫々が順次配列される。つまり、樹脂封
止型半導体装置１は合計２６端子（２６ピン）で構成さ
れる。

例えば、前記アウターリード４Ｂに印加される信号とし
ては、制御系信号、アドレス系信号、データ系信号、電
源の夫々がある。制御系信号は、ロウアドレスストロー
ブ系信号ＲＡＳ、カラムアドレスストローブ信号ＣＡＳ
、ライトイネーブル信号ＷＥ等がある。データ系信号は
データ出力信号Ｄｏｕｔ　、データ入力信号Ｄｉｎの夫
々がある。電源は、基準電源電圧Ｖｓｓ例えば回路の接
地電位Ｏ［Ｖ］、動作電源電圧Ｖｃｃ例えば回路の動作
電圧５［Ｖ］の夫々がある。

前記アウターリード４Ｂには、第１図乃至第４図に示す
ように、樹脂封止部８の上側の表面（後述するガイド用
凸部８Ａの周囲）において接触部４ｈａが設けられる。

接触部４ｈａはそれ以外のアウターリード４Ｂに比べて
大きいリード幅で構成される。接触部４ｈａは、複数個
の樹脂封止型半導体装置１を積層した場合に、上側に積
層された樹脂封止型半導体装置１のアウターリード４Ｂ
の末端部４ｂｂに接触される（電気的に接続される）。

なお、前記接触部４Ｂａは、アウターリード４Ｂの末端
部４ｂｂに相当する位置つまり樹脂封止部８の下側の表
面（後述するガイド用凹部８Ｂの周囲）において設けて
もよい。

また、アウターリード４Ｂの末端部４ｂｂは、第１図に
示すように、水平面に対して所定角度θ下側に（例えば
放熱板７の裏面と平行な面に対してそれから離隔する方
向に約１〜３度の）傾きを持って構成される。つまり、
末端部４ｂｂは、複数個の樹脂封止型半導体装置１を積
層した場合、下側に積層された樹脂封止型半導体装置１
のアウターリード４Ｂの接触部４ｂａの表面を適度に押
圧するばね性を持って構成される。

前記半導体ペレット２は前記第３図及び第４図に示すよ
うに樹脂封止部８の中央部分に配置される。半導体ペレ
ット２は平面長方形状の単結晶珪素基板で形成される。

半導体ペレット２の素子形成面（インナーリード４Ａに
対向する面）には前述のように１６　［Ｍｂｉｔ］の大
容量を有するＤＲＡＭが搭載される。ＤＲＡＭはフォー
ルプツトピットライン方式（２交点方式）で構成される
。この半導体ペレット２に搭載されたＤＲＡＭの構成は
第６図（チップレイアウト図）に示す。

第６図に示すように、半導体ペレット２の素子形成面に
搭載されたＤＲＡＭは半導体ペレット２の素子形成面の
ほぼ全面にメモリセルアレイＭＡＲＹを配置する。この
メモリセルアレイＭＡＲＹは、同第６図中、６４個に細
分化され配置される。

細分化された１つのメモリセルアレイＭＡＲＹは２５６
　［Ｋｂｉｔｌの容量で構成される。前記６４個に細分
化されたメモリセルアレイＭＡＲＹは、第６図中、左上
の１６個、右上の１６個、左下の１６個、右下の１６個
を夫々１つのブロックとし、１６個毎に４個のブロック
を構成する。

前記６４個に細分化されたうちの２個のメモリセルアレ
イＭＡＲＹ間にはセンスアンプ回路ＳＡが配置される。

また、６４個に細分化されたメモリセルアレイＭＡＲＹ
の夫々の半導体ペレット２の中央側には直接系周辺回路
であるロウアドレスデコーダ回路ＸＤＥＣ及びワードド
ライバ回路ＷＤが配置される。

前記４個のブロックのうち、左上、左下の夫々のブロッ
ク間には直接系周辺回路であるカラムアドレスデコーダ
回路ＹＤＥＣ及び周辺回路ＭＣが配置される。同様に、
右上、右下の夫々のブロック間にはカラムアドレスデコ
ーダ回路ＹＤＥＣ及び周辺回路ＭＣが配置される。前記
周辺回路ＭＣは、間接系周辺回路であり、例えばＲＡＳ
系回路。

ＣＡＳ系回路、アドレスバッファ回路、電源リミッタ回
路等が配置される。前記直接系周辺回路、間接系周辺回
路の夫々は基本的に相補型ＭＩＳＦＥＴとバイポーラト
ランジスタとを組合せて構成される。

前記４個のブロックのうち、左上、右上の夫々のブロッ
ク間及び左下、右下の夫々のブロック間には複数個の外
部端子（ポンディングパッド）ＢＰが配置される。つま
り、この外部端子ＢＰは、第６図中、半導体ペレット２
の中央部分を長方形状の長手方向に向って（上方から下
方に向って）複数個配置される。

前記６４個に細分化されたメモリセルアレイＭＡＲＹの
夫々には１　［ｂｉｔ］の情報を保持するメモリセルが
行列状に複数配置される。メモリセルはメモリセル選択
用ＭＩＳＦＥＴと情報蓄積用容量素子との直列回路で構
成される。

前記半導体ペレット１の外部端子ＢＰは、前記第１図に
示すように、インナーリード４Ａの先端側（ボンディン
グ領域）に電気的に接続される。この接続はボンディン
グワイヤ５で行われる。ボンディングワイヤ５は例えば
金（Ａｕ）ワイヤを使用する。ボンディングワイヤ５は
これに限定されないがボール・ボンディング法でボンデ
ィングされる。ボール・ボンディング法は、ボンディン
グワイヤ５の一端側に金属ボールを形成し、この金属ボ
ールを熱圧着に超音波振動を併用して外部端子ＢＰにボ
ンディングする方式である。ボンディングワイヤ５の他
端側は同様に熱圧着に超音波振動を併用してインナーリ
ード４Ａの表面（Ａｇメツキ層４ａの表面）にボンディ
ングされる。また、前記ボンディングワイヤ５としては
ＣｕワイヤやＡＱワイヤを使用してもよい。

前記インナーリード４Ａと半導体ペレット２の素子形成
面との間に設けられた絶縁性フィルム３は、主に両者間
を電気的に分離し、かつ両者間を接着する目的で形成さ
れる。絶縁性フィルム３は例えば熱硬化性樹脂であるポ
リイミド系樹脂フィルムで形成される。このポリイミド
系栢脂フィルムは例えば１００〜３００［μｍ］程度の
厚さで形成される。また、必要に応じて、絶縁性フィル
ム３の表面には接着剤層を設ける。絶縁性フィルム３は
、前記第３図又は第４図に示す半導体ペレット２の平面
形状と実質的に同様の形状で、又はインナーリード４Ａ
と半導体ペレット２との間に。

又はインナーリード４Ａのほんの一部分だけに形成する
。このように、樹脂封止型半導体装置ｌは半導体ペレッ
ト２の素子形成面上にインナーリード４Ａを引き回した
構造で構成され、この種の構造はＬ　ＯＧ　（Ｌｅａｄ
　Ｏｎ　Ｃｈｉｐ）構造と呼ばれる。

前記放熱板（放熱フィン）７は、前記第１図、第３図及
び第５図（部品平面図）に示すように、半導体ペレット
２の裏面（素子形成面と対向する面）に設けられる。放
熱板７は、半導体ペレット２の平面々積に比べて大きく
構成され、樹脂封止部８のほぼ全域及び樹脂封止部８の
アウターリード４Ｂが配列された側と対向する反対側に
突出して構成される６つまり、放熱板７は、樹脂封止部
８の外部に一部を突出させ（露出させ）た状態で樹脂封
止部８に封止される。また、放熱板７は、半導体ペレッ
ト２を搭載した領域部分において、半導体ペレット２を
搭載した面と対向する反対面が樹脂封止部８から露出さ
れる。

前記放熱板７は、熱伝導性に優れ、樹脂封止部８との線
膨張係数（熱膨張係数：α）が近く、シかも機械的強度
（ヤング率又は曲げ弾性率：Ｅ）が高い材料で形成する
０例えば、放熱板７は銅（Ｃｕ：αは約１７　ｘ　１０
−’［１／”Ｃ］、Ｅは約１１００００［ＭＰａ］）で
形成する。後述するが樹脂封止部８はフェノール硬化型
エポキシ系樹脂（αは約２１　Ｘ　１０−’［１／’Ｃ
］、Ｅは約１４０００ＣＭＰ　ａ］）で形成するので、
Ｃｕは樹脂封止部８に比べてほぼ等しい線膨張係数を有
しかつ約１桁高いヤング率を有する。前記放熱板７はＣ
ｕで形成する場合例えば約６０〜１８０［μｍ］の厚さ
で形成する。

放熱板７は例えばＣｕ板にエツチング加工を施して又は
打抜き加工を施して形成する。本実施例■は、Ｃｕ板か
ら複数個連結した状態の放熱板７をエツチング加工で形
成し、この後、連結部分を切断し、個々の放熱板７を形
成する。第５図において、複数個の放熱板７の連結部７
Ｂは平面凹形状で構成され、この連結部７Ｂのみを切断
することにより、放熱板７の連結部７Ｂ以外の周囲に切
断によるはりが発生しない。

この放熱板７は、半導体ペレット２の動作で発生する熱
を樹脂封止部８の内部から外部に放出する熱伝達経路の
熱抵抗を低減できる。特に、樹脂封止型半導体装置１を
複数個積層した場合において、上段及び下段の樹脂封止
型半導体装置１で挾まれた中段の樹脂封止型半導体装１
ｉ！１の熱伝達経路を確保できる。また、放熱板７は、
後述するが、樹脂封止部８の半導体ペレット２の下側を
廃止しく放熱板フに変え）、樹脂封止部８の厚さを薄く
し、樹脂封止型半導体装置１の高さ方向（半導体ペレッ
ト２の素子形成面に垂直な方向）のサイズを縮小できる
。

前記放熱板７は、第１図及び第５図に示すように、樹脂
封止部８内において、周囲に複数個の貫通穴７Ａが配置
される。貫通穴７Ａは、樹脂封止部８の平面方形状の周
囲の各辺に沿って細長い形状で形成され、半導体ペレッ
ト２の搭載面側の表面からその裏面まで貫抜ける通し穴
で構成される。

この貫通穴７Ａは、放熱板７（又は樹脂封止部８）の周
囲において、放熱板７の表面側の樹脂封止部８、裏面側
の樹脂封止部８の夫々を連結させ、放熱板フ、樹脂封止
部８の夫々の接着強度を高めることができる。なお、貫
通穴７Ａの平面形状は、前述の平面形状に限定されず、
方形状、円形状、楕円形状等で形成してもよい。

前記放熱板７．半導体ペレット２の夫々の間に設けられ
た絶縁性接着剤６は、基本的には非導電性を有し、両者
間の線膨張係数差に基づく応力を低減できる軟質性を有
しくＥが小さい方が良い）、かつ熱伝導性に優れたもの
が好ましい、絶縁性接着剤６としては例えばシリコーン
ゴムを使用する。

シリコーンゴムは、極端に厚く塗布することが難しく、
又極端に薄く塗布するとボイドが発生したり、応力緩和
能力が低下するので、例えば約１０〜３０［ｕｍｌの膜
厚で塗布される。絶縁性接着剤６は、前記第３図、第４
図又は第５図に示す半導体ペレット２の平面形状と実質
的に同様の形状でかつほぼ同等のサイズ（組立工程中に
合せが必要な場合はその分若干大きく）構成される。

前記樹脂封止部８は、前記第１図乃至第５図に示すよう
に、主に半導体ペレット２、インナーリード４Ａ、放熱
板７の一部の夫々を被覆する。つまり、樹脂封止部８は
、放熱板フの外部に突出する領域を除き、放熱板７の表
面側において、放熱板７の周囲（貫通穴７Ａよりも外周
）、放熱板７の表面上、及び半導体ペレット２の表面上
に設けられる。この樹脂封止部８の表面側には中央部分
に断面台形状のガイド用凸部８Ａが構成される。このガ
イド用凸部８Ａは、半導体ペレット２の厚さで生じる段
差形状を利用し、この段差形状にほぼ沿って樹脂封止部
８の表面形状を成型することにより形成される。樹脂封
止部８の半導体ペレット２の素子形成面上の厚さは本実
施例夏において例えば約３５０［ｕｍｌで形成され、前
記ガイド用凸部８Ａの高さは例えば約２００［ｕｍｌで
形成される。ガイド用凸部８Ａの周囲の端部は適度なテ
ーパ角を有しく例えば４５度）、このガイド用凸部８Ａ
は上側に樹脂封止型半導体装置１を積Ｍする場合、又は
上側に積層された樹脂封止型半導体装置１を取り外す場
合にスムーズな作業が行える形状で構成される。

また、樹脂封止部８は、同様に放熱板７の外部に突出す
る領域を除き、放熱板７の裏面側において、放熱板７の
周囲（貫通穴７Ａを覆う領域）に設けられる。つまり、
樹脂封止部８は、放熱板７の表面側から裏面側の周囲に
回し込む回し込み部８Ｃが設けられる。この樹脂封止部
８の裏面側には、中央部分に、放熱板７及び樹脂封止部
８で形成された、断面台形状のガイド用凹部８Ｂが構成
される。このガイド用凹部８Ｂは前記ガイド用凸部８Ａ
と勘合できる形状つまりガイド用凸部８Ａとほぼ同一の
形状を持って構成される。樹脂封止部８の裏面側の厚さ
は放熱板７の周囲において例えば約４００［ｕｍｌで形
成され、前記ガイド用凹部８Ｂの深さは例えば約２００
［ｕｍｌで形成される。

ガイド用凹部８Ｂの周囲の端部はガイド用凸部８Ａと同
様に適度なテーパ角を有し、このガイド用凹部８Ｂは前
述と同様にスムーズな作業が行える形状で構成される。

前記樹脂封止部８は例えばフェノール硬化型エポキシ系
樹脂で形成される。このフェノール硬化型エポキシ系樹
脂にはシリコーンゴム及びフィラーが添加される６シリ
コーンゴムは、若干量添加され、フェノール硬化型エポ
キシ系樹脂の弾性率を低減させる作用がある。フィラー
は、球形の酸化珪素粒で形成され、熱膨張率を低減させ
る作用がある。

このように構成される樹脂封止型半導体装置１は、樹脂
封止部８の半導体ペレット２の下側を放熱板７に変えて
樹脂封止部８の厚さを薄く構成し、しかもこの薄膜化に
基づく樹脂封止部８の反りを低減している。第７図は、
樹脂封止型半導体装置１の放熱板７の厚さと樹脂封止部
８の反り量との関係を示す。第７図において、横軸は放
熱板７の厚さｔ　３　（［ｍ　ｍｌ）を示す。縦軸は樹
脂封止部８の反り量δ（［ｕｍｌ）を示す、第７図中に
示す樹脂封止型半導体装置１の模式図において、ｔｌは
半導体ペレット２の厚さであり、この厚さｔｌは４００
［ｕｍｌに設定される。ｔ２は樹脂封止部８の厚さであ
り、この厚さｔ２は３５０［ｕｍｌに設定される１本実
施例Ｉにおいては１６　［Ｍｂｉｔ］の大容量のＤＲＡ
Ｍが半導体ペレット２に搭載され、前記第１図及び第３
図に示すように、樹脂封止部８の全体の占有面積に対す
る半導体ペレット２の占有面積の割合が大きい。この種
の樹脂封止型半導体装置１においては、樹脂封止部８の
反り量δが、樹脂封止部８の半導体ペレット２の素子形
成面上の厚さｔ２に律則される。つまり、前記反り量δ
は、半導体ペレット２の厚さｔｌ及び樹脂封止部８の半
導体ペレット２の周囲の厚さをほとんど無視することが
でき、放熱板７の厚さｔ３及び樹脂封止部８の半導体ペ
レット２の素子形成面上の厚さｔ２でほぼ一議的に規定
される。

第７図に示すように、約１７５［’Ｃ］の高温度でモー
ルドし、約２５［”Ｃ］の常温で冷却硬化させた樹脂封
止部８は、放熱板７の厚さｔ３が薄い場合には樹脂封止
部８の熱収縮が支配的となり、樹脂封止部８側に反りが
生じる（反り量δが負になる）。

逆に、樹脂封止部８は、放熱板７の厚さし３が厚い場合
には放熱板７のヤング率が支配的となり、放熱板７側に
反りが生じる（反り量δが正になる）。

本実施例Ｉの樹脂封止型半導体装［１は、反り量δが±
５０［μｍ］を越えると、平担度が損なわれ、実装基板
上に実装した場合、複数本のうちの一部のアウターリー
ド４Ｂが接触しない実装不良を生じる。放熱板７を前述
のようにＣｕで形成した場合、樹脂封止部８の反り量δ
を±５０［μｍ］の範囲内に押えて平担度を確保するに
は、放熱板７の厚さｔ３は約６０〜１８０［μｍ］の厚
さになる。

つまり、樹脂封止部８の厚さｔ２は放熱板７の厚さｔ３
の約１．９〜６．０倍に設定する必要がある。

また、樹脂封止部８の反り量δをほとんどなくすには（
反り量δをほぼ０にするには）、放熱板７の厚さｔ３は
約８０〜１２０［μｍ］の厚さつまり樹脂封止部８の厚
さｔ２は放熱板７の３．０〜４．０倍の厚さに設定する
必要がある。

また、第７図に示すように、放熱板７を設けずに、半導
体ペレット２の下側を樹脂封止部８で構成した場合、反
り量δをなくすには、樹脂封止部８は半導体ペレット２
の素子形成面上の厚さｔ２と同等の厚さが下側に必要と
される。

また、同第７図に示すように、放熱板７をＦｅ−Ｎｉ合
金で形成した場合、Ｃｕと同様に反り量δを小さくでき
る。ところが、Ｆｅ−Ｎｉ合金は、ヤング率がＣｕに比
べて大きいために、約２００［μｍ１以上の厚さに形成
しないと１反り量δを小さくできない。換言すれば、放
熱板７は、Ｃｕで形成することにより、薄くしても充分
に反り量δを小くできるので、樹脂封止部８の厚さを薄
くできる特徴がある。

次に、前述の樹脂封止型半導体装置１の樹脂封止（レジ
ンモールド）について、第８図及び第９図（樹脂封止工
程中における金型の断面図）を用いて簡単に説明する。

第８図は、前記第１図と同一方向から見た樹脂封止型半
導体装置１の側面と金型の断面とを示す、第９図は、前
記第２図と同一方向から見た樹脂封止型半導体装［１の
側面と金型の断面とを示す。

第８図及び第９図に示すように、樹脂封止型半導体装Ｉ
１の樹脂封止部８を形成する金型は下型２０及び上型２
１で構成される。下型２０は樹脂封止部８のリードフレ
ーム４よりも下側の形状を形成する。つまり、下型２０
は、半導体ペレット２及び放熱板）のすべての領域を収
納できるキャビティを有し、ガイド用凹部８Ｂを形成す
る領域２０Ｂ１回し込み部８Ｃを形成する領域２０Ｃを
有する。また、下型２０は、樹脂封止時にキャビティ内
の空気を外部に抜くエアーベンド２０Ｄが設けられる。

また、樹脂封止型半導体装置１がＬＯＧ構造を採用しリ
ードフレーム４下に樹脂封止部８の大半が存在するので
、又樹脂封止部８のリードフレーム４よりも下側が上側
に比べて複雑な形状で形成されるので、第９図に示すよ
うに、下型２０にはレジンゲート（樹脂注入口）１０が
構成される。前記第４図に示すように、レジンゲート１
０は、インナーリード４Ａ及びアウターリード４Ｂ、放
熱板７の夫々が配置されない領域を利用して構成される
。

上型２１は、樹脂封止部８のリードフレーム４よりも上
側の形状を形成する。つまり、上型２１は、ガイド用凸
部８Ａを形成するキャビティを有し、このガイド用凸部
８Ａを形成する領域２１Ａを有する。また、上型２１に
は、樹脂封止時に放熱板７を挟持し、かつ樹脂封止部８
の突出する放熱板７側の側面の形状を規定するレジン、
止め部２１Ｂが設けられる。

このように構成された樹脂封止型半導体装置１は、第１
０図（記憶装置の要部断面図）に示すように、メモリボ
ード（実装基板）１１上に複数個積層した状態で実装さ
れ、メモリモジュールを構成する。

本実施例■は、この積層数に限定されないが、メモリボ
ード１１の実装面に対して垂直な方向（高さ方向）に４
個の樹脂封止型半導体装置１を積層する。積層されたう
ちの最下段に位置する樹脂封止型半導体装置（ＲＡＭＩ
）１はそのアウターリード４Ｂを直接メモリボード１１
の端子１１Ａに接触させ電気的に接続する（固着される
）。２段目の樹脂封止型半導体装！（ＲＡＭ２）１はそ
のガイド用凹部８Ｂを最下段の樹脂封止型半導体装置（
ＲＡＭＩ）１のガイド用凸部８Ａに勘合させて実装する
。この実装が行われると、最下段の樹脂封止型半導体装
置１．２段目の樹脂封止型半導体装置１の夫々の同一機
能のアウターリード４Ｂが接触し電気的に接続される一
０同様に、３段目の樹脂封止型半導体装１（ＲＡＭ３）
１．４段目の樹脂封止型半導体装置（ＲＡＭ４）１の夫
々も実装される。

第１１図（システムブロック図）に示すように、積層さ
れた４個の樹脂封止型半導体装置１は、制御系信号のロ
ウアドレスストローブ信号ＲＡＳを除き、他の制御系信
号、データ系信号、アドレス系信号、電源の夫々を共通
信号として入力する。

つまり、積層された４個の樹脂封止型半導体装置１の夫
々の同一配列位置のアウターリード４Ｂには同一の信号
が印加される。前記ロウアドレスストローブ信号ＲＡＳ
はチップ選択信号として積層された樹脂封止型半導体装
Ｆ４１の夫々に独立に入力される。つまり、最下段の樹
脂封止型半導体装置（ＲＡＭＩ）１にはロウアドレスス
トローブ信号ＲＡＳＩ、・・・・・・、最上段の樹脂封
止型半導体装置（ＲＡＭ４）１にはロウアドレスストロ
ーブ信号ＲＡＳ４が夫々入力される。本実施例Ｉの場合
、樹脂封止型半導体装置１を４個積層するので、樹脂封
止型半導体装［１にはロウアドレスストローブ信号ＲＡ
Ｓが印加できるアウターリード４Ｂは４本配列される。

積層された樹脂封止型半導体装置１の夫々の同一位置に
配列されたアウターリード４Ｂには同一のロウアドレス
ストローブ信号ＲＡＳが印加される。４つのうちの１つ
のロウアドレスストローブ信号ＲＡＳを樹脂封止型半導
体装置１に入力する場合、該当するアウターリード４Ｂ
と一体に構成されたインナーリード４Ａと外部端子ＢＰ
との間にボンディングワイヤ５をボンディングする。実
質的に入力しない３つのロウアドレスストローブ信号Ｒ
ＡＳが印加された夫々のインナーリード４Ａにおいては
ボンディングが行われない。例えば、ロウアドレススト
ローブ信号ＲＡＳ１は積層された４個の樹脂封止型半導
体装置１の夫々のアウターリード４Ｂにはすべて印加さ
れるが、最下段の樹脂封止型半導体装置１のロウアドレ
スストローブ信号ＲＡＳＩが印加されるインナーリード
４Ａと外部端子ＢＰとの間を接続し、他の樹脂封止型半
導体装置１はそれを行わないことにより、最下段の樹脂
封止型半導体装置１のみにロウアドレスストローブ信号
ＲＡＳが入力される。

また、前述のメモリモジュールは、カラムアドレススト
ローブ信号ＣＡＳをチップ選択信号として使用し、他の
信号を共通信号としてもよい。また、メモリモジュール
は、積層された樹脂封止型半導体装［１の夫々に独立に
データ系信号（Ｄｉｎ及びＤｏｕｔ）を入力しくチップ
選択信号とし）、制御系信号、アドレス系信号、電源の
夫々を共通信号としてもよい。

このように、（１）インナーリード４Ａに外部端子ＢＰ
が電気的に接続された半導体ペレット２を樹脂封止部８
で封止する樹脂封止型半導体装置１において、前記半導
体ペレット２の素子形成面と対向する裏面に、この裏面
に比べて大きな平面々積を有する放熱板７を設け、この
放熱板７の周囲の一部の領域を除き、この放熱板７の前
記半導体ペレット２を搭載する表面側が前記半導体ペレ
ット２を被覆しかつガイド用凸部８Ａを有し、放熱板７
の前記表面と対向する裏面側が前記ガイド用凸部８Ａと
嵌合できる形状で形成されたガイド用凹部８Ｂを有する
樹脂封止部８を設ける。この樹脂封止型半導体装置１は
前記半導体ベレット２の素子形成面に対して垂直方向に
複数個積層される。この構成により、（Ａ）前記樹脂封
止型半導体装置１の樹脂封止部８のガイド用凸部８Ａ及
びガイド用凹部８Ｂをガイドとして、上下方向に複数個
の樹脂封止型半導体装［１を積層できる。複数個積層さ
れた樹脂封止型半導体装置ｌはメモリモジュール（電子
装置）において２次元的な（平面方向の）実装密度を高
められる。（Ｂ）また、前記樹脂封止型半導体装置１の
樹脂封止部８から放熱板７を突出させ、半導体ペレット
２から樹脂封止部８の外部に抜ける熱放出経路を確保し
たので。

半導体ペレット２の動作で発生する熱の放熱効率を向上
できる。この放熱板７は、樹脂封止型半導体装［１を上
下方向に複数個積層した場合でも、各段特に上段及び下
段に挟まれた中段に位置する樹脂封止型半導体装置１の
放熱経路を確保し、この中段に位置する樹脂封止型半導
体装置１の放熱効率を向上できる。（Ｃ）また、前記樹
脂封止型半導体装置１の半導体ペレット２の裏面側の大
半を樹脂封止部８に変えて放熱板フとし、樹脂封止部８
の厚さを薄くできる。この結果、複数個積層された樹脂
封止型半導体装置１はメモリモジュールにおいて３次元
的な（高さ方向の）実装密度を高めることができる。

また、（２）インナーリード４Ａに外部端子ＢＰが電気
的に接続された半導体ペレット２を樹脂封止部８で封止
する樹脂封止型半導体装置１において、前記半導体ペレ
ット２の素子形成面と対向する裏面に、この裏面に比べ
て大きな平面々積を有する放熱板７を設け、この放熱板
７の周囲の一部の領域を除き、この放熱板フの前記半導
体ペレット２を搭載する表面側が前記半導体ペレット２
及び放熱板７の周囲を被覆し、かつ放熱板７の前記表面
と対向する裏面側が放熱板７の周囲を被覆する樹脂封止
部８を設ける。この構成により、前記構成（１）の効果
（Ｂ）及び（Ｃ）の他に、前記樹脂封止型半導体装置１
の樹脂封止部８を放熱板７の表面側から裏面側に向って
この放熱板７の周囲に設けたので（放熱板７の周囲に樹
脂封止部８が食い込む構造としたので）、樹脂封止部８
と放熱板７との界面での剥離を低減できる。この剥離の
低減は、樹脂封止部８の外部から半導体ペレット２に達
する水分の伝達経路を遮断できるので。

樹脂封止型半導体装！１の耐湿性を向上できる。

また、（３）前記構成（２）の放熱板７には。

その周囲にこの放熱板７の表面側、裏面側の夫々の樹脂
封止部８を連結する貫通穴７Ａを設ける。

この構成により、前記構成（２）の効果の他に、前記放
熱板７の貫通穴７Ａを通して、放熱板７の表面側、裏面
側の夫々の樹脂封止部８を連結し。

樹脂封止部８と放熱板フとの接着強度をより高められる
ので、樹脂封止部８と放熱板７との界面での剥離をより
低減し、樹脂封止型半導体装置１の耐湿性をより向上で
きる。

また、（４）インナーリード４Ａに外部端子ＢＰが電気
的に接続された半導体ペレット２を樹脂封止部８で封止
する樹脂封止型半導体装置１において、前記半導体ペレ
ット２の素子形成面と対向する裏面に、この裏面に比べ
て大きな平面々積を有する放熱板フを設け、この放熱板
フの前記半導体ペレット２を搭載した表面側に前記半導
体ペレット２を被覆し、かつこの半導体ペレット２の素
子形成面上の厚さｔ２を前記放熱板７の厚さｔ３の１．
９〜６．０倍で形成した樹脂封止部８を設ける。この構
成により、前記構成（１）の効果（Ｂ）及び（Ｃ）の他
に、前記樹脂封止型半導体装置１の樹脂封止部８、放熱
板７の夫々の熱膨張係数差を許容範囲内に設定し、樹脂
封止部８の反りを低減できるので、メモリボード１１上
の端子１１Ａとすべてのアウターリード４Ｂとの接触が
確実に行え、樹脂封止型半導体装置１の実装不良を防止
できる。

また、（５）前記構成（４）の樹脂封止部８をエポキシ
系樹脂で形成し、前記放熱板７をＣｕ材料で形成する。

この構成により、前記樹脂封止部８、放熱板７の夫々の
線膨張係数をほぼ均一化できるので、樹脂封止部８の反
り量δを低減し、樹脂封止型半導体装置１の実装不良を
低減できると共に、樹脂封止部８に比べて放熱板７のヤ
ング率が約１桁高いので、放熱板７の厚さを薄くし、樹
脂封止型半導体装ｗ１の高さ方向のサイズを縮小できる
。

また、前記構成（５）の樹脂封止部８の半導体ペレット
２の素子形成面上の厚さｔ２は前記放熱板７の厚さｔ３
の３．０〜４．０倍で形成される。

この構成により、前記樹脂封止部８．放熱板７の夫々の
線膨張係数差をほとんどなくすことができる（反り量δ
をほぼ０にできる）ので、より樹脂封止型半導体装置１
の実装不良を低減できる。

また、（７）インナーリード４Ａに外部端子ＢＰが電気
的に接続された半導体ペレット４Ａを樹脂封止部８で封
止する樹脂封止型半導体装置１において、前記半導体ペ
レット２の表面側及びこの表面側と対向する裏面側を被
覆すると共に、前記表面側にガイド用凸部８Ａを有しか
つ前記裏面側に前記ガイド用凸部８Ａと嵌合できる形状
で形成されたガイド用凹部８Ｂを有する樹脂封止部８を
設け、この樹脂封止部８の表面側のガイド用凸部８Ａの
周囲に裏面側のガイド用凹部８Ｂの周囲まで引き回され
たアウターリード４Ｂを設け、このアウターリード４Ｂ
の前記表面側又は裏面側の一部分にリード幅を他部分に
比べて太く構成した接触部４ｂａを設ける。この構成に
より、前記構成（１）の効果（Ａ）の他に、前記樹脂封
止型半導体装Ｗ１のアウターリード４Ｂの一部分のリー
ド幅を太くシ、このアウターリード４Ｂに、上又は下方
向に積層された他の樹脂封止型半導体装置ｌの同一機能
を有するアウターリード４Ｂが接触できる面積を拡大し
たので５両者アウターリート４Ｂ間の電気的接続を確実
に行い、積層された樹脂封止型半導体装＠１間の電気的
接触不良を防止できる。

また、（８）前記構成（７）のアウターリード４Ｂの前
記表面側又は裏面側には、積層される他の樹脂封止型半
導体装置１のアウターリード４Ｂと適度な押圧力で接触
できるばね性を有する末端部４ｂｂを設ける。この構成
により、前記樹脂封止型半導体装置１のアウターリード
４Ｂに設けたばね性で、上又は下方向に積層された他の
樹脂封止型半導体装置１の同一機能を有するアウターリ
ード４Ｂとの電気的な接触を確実に行うことができるの
で、積層された樹脂封止型半導体装置１間の電気的接触
不良を防止できる。

（実施例■） 本実施例■は、前記実施例Ｉの樹脂封止型半導体装置の
外部ピン数を増加した、本発明の第２実施例である。

本発明の実施例■である面実装方式を採用する樹脂封止
型半導体装置を第１２図（要部断面図）及び第１３図（
平面図）で示す。

本実施例■の樹脂封止型半導体装置１は、第１２図及び
第１３図に示すように、基本的には前記実施例Ｉと同様
であるが、樹脂封止部８の対向する長辺の夫々にアウタ
ーリード４Ｂを配列する。

放熱板７は、樹脂封止部８のアウターリード４Ｂが配列
されていない領域、つまり対向する短辺から夫々突出（
露出）させる。

このように構成される樹脂封止型半導体装置１は、前記
実施例Ｉとほぼ同様の効果を奏することができると共に
、アウターリード４Ｂの本数を増加できる（多ピン化で
きる）特徴がある。

（実施例■） 本実施例■は、前記実施例Ｉの樹脂封止型半導体装置に
おいて、半導体ペレットとリードとの間の寄生容量を低
減した、本発明の第３実施例である。

本発明の実施例■である面実装方式を採用する樹脂封止
型半導体装置を第１４図（要部断面図）で示す。

本実施例■の樹脂封止型半導体装置１は、第１４図に示
すように、半導体ペレット２、インナーリード４Ａの夫
々の間に金属板７０が設けられる。

金属板７０と半導体ペレット２．インナーリード４Ａの
夫々との間は絶縁層３，６（フィルム、シリコーンゴム
等で形成される）が設けられる。前記金属板７０は、図
示しないが、電源例えば基準電源電圧Ｖｓｓがインナー
リード４Ｂからボンディングワイヤ５を介在させて供給
される。

このように構成される樹脂封止型半導体装置１は、前記
実施例■とほぼ同様の効果を奏することができる。また
、この効果の他に、前記金属板７０が電界を遮蔽できる
ので、半導体ペレット２、インナーリード４Ａの夫々に
形成される寄生容量を低減できる特徴がある。この結果
、インナーリード４Ａに伝達される信号の伝達速度が速
くなり、半導体ペレット２に搭載されたＤＲＡＭの動作
速度の高速化を図ることができる。

また、前記金属板７０は容量の一方の電極を構成し、絶
縁層は誘電体膜を構成し、半導体ペレット２又はインナ
ーリード４Ａは他の電極を構成するので、電源に前記金
属板７０を構成要件とする平滑コンデンサが挿入される
。つまり、樹脂封止型半導体装＠１は電源ノイズマージ
ンを向上できる特徴がある。

（実施例■） 本実施例■は、ピン挿入方式を採用する樹脂封止型半導
体装置に本発明を適用した１本発明の第４実施例である
。

本発明の実施例■であるピン挿入方式を採用する樹脂封
止型半導体装置を第１５図（要部断面図）で示す。

本実施例■の樹脂封止型半導体装置１は、第１５図に示
すように、アウターリード４Ｂを直線的に延在させたピ
ン挿入方式で構成する。この樹脂封止型半導体装置１は
、同第１５図に示すように、メモリボード１１上に複数
個積層し実装される。

また、前記樹脂封止型半導体装置１はアウタリード４Ｂ
を千鳥状に配列したＺＩＰ構造で構成してもよい。

このように構成される樹脂封止型半導体装置１は前記実
施例■とほぼ同様の効果を奏することができる。

以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施例に
基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限
定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲にお
いて種々変更可能であることは勿論である。

例えば、本発明は、前記樹脂封止型半導体装置の半導体
ペレットにＳ　ＲＡ　Ｍ　（Ｓ　ｔａｔｉｃ　ＲＡ　Ｍ
　）。

マスクＲＯＭ、ＥＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ等、他のメモ
リを搭載してもよい。

また、本発明は、前記樹脂封止型半導体装置において、
放熱板７の半導体ペレット２下の裏面に他の領域に比べ
て薄く樹脂封止部８を設けてもよい。

〔発明の効果〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。

樹脂封止型半導体装置において、組立作業における歩留
りを向上することができる。

樹脂封止型半導体装置において、放熱効率を向上するこ
とができる。

樹脂封止型半導体装置において、耐湿性を向上すること
ができる。

樹脂封止型半導体装置を実装する電子装置において、実
装密度を向上することができる。

樹脂封止型半導体装置を実装する電子装置において、実
装不良を防止することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の実施例■である面実装方式を採用す
る樹脂封止型半導体装置の基本的構造を示す要部断面図
、 第２図は、前記樹脂封止型半導体装置の側面図、第３図
は、前記樹脂封止型半導体装置の平面図、第４図は、前
記樹脂封止型半導体装置の組立工程中でのリードフレー
ムの平面図、 第５図は、前記樹脂封止型半導体装置の放熱板の部品平
面図、 第６図は、前記樹脂封止型半導体装置の半導体ペレット
のレイアウト図、 第７図は、前記樹脂封止型半導体装置の放熱板の厚さと
樹脂封止部の反り量との関係を示す図、第８図及び第９
図は、前記樹脂封止型半導体装置の樹脂封止工程中にお
ける金型の断面図、第１０図は、前記樹脂封止型半導体
装置を実装した記憶装置の要部断面図、 第１１図は、前記記憶装置の′システムブロワ９図、 第１２図は、本発明の実施例■である面実装方式を採用
する樹脂封止型半導体装置の要部断面図。 第１３図は、前記樹脂封止型半導体装置の平面図、 第１４図は、本発明の実施例■である面実装方式を採用
する樹脂封止型半導体装置の要部断面図、第１５図は、
本発明の実施例■であるビン挿入方式を採用する樹脂封
止型半導体装置の要部断面図である。 図中、１・・・樹脂封止型半導体装置、２・・・半導体
ペレット、４Ａ・・・インナーリード、４Ｂ・・・アウ
ターリード、４ｂａ・・・接触部、４ｂｂ・・・末端部
、５・・ボンディングワイヤ、７・・放熱板、７Ａ・・
・貫通穴、８・・・樹脂封止部、８Ａ・・・ガイド用凸
部、８Ｂ・・ガイド用四部、８Ｃ・・・回り込み部、１
０・・・レジンゲート、１１・・・メモリボード、７０
・・・金属板、ＢＰ・・・外部端子である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、インナーリードに外部端子が電気的に接続された半
   導体ペレットを樹脂封止部で封止する樹脂封止型半導体
   装置において、前記半導体ペレットの素子形成面と対向
   する裏面に、この裏面に比べて大きな平面々積を有する
   放熱板を設け、この放熱板の周囲の一部の領域を除き、
   この放熱板の前記半導体ペレットを搭載する表面側が前
   記半導体ペレットを被覆しかつ凸部を有し、放熱板の前
   記表面と対向する裏面側が前記凸部と嵌合できる形状で
   形成された凹部を有する樹脂封止部を設けたことを特徴
   とする樹脂封止型半導体装置。 ２、前記樹脂封止型半導体装置は前記半導体ペレットの
   素子形成面に対して垂直方向に複数個積層されたことを
   特徴とする請求項１に記載の電子装置。 ３、インナーリードに外部端子が電気的に接続された半
   導体ペレットを樹脂封止部で封止する樹脂封止型半導体
   装置において、前記半導体ペレットの素子形成面と対向
   する裏面に、この裏面に比べて大きな平面々積を有する
   放熱板を設け、この放熱板の周囲の一部の領域を除き、
   この放熱板の前記半導体ペレットを搭載する表面側が前
   記半導体ペレット及び放熱板の周囲を被覆し、かつ放熱
   板の前記表面と対向する裏面側が放熱板の周囲を被覆す
   る樹脂封止部を設けたことを特徴とする樹脂封止型半導
   体装置。 ４、前記放熱板は、その周囲にこの放熱板の表面側、裏
   面側の夫々の樹脂封止部を連結する貫通孔を設けたこと
   を特徴とする請求項３に記載の樹脂封止型半導体装置。 ５、インナーリードに外部端子が電気的に接続された半
   導体ペレットを樹脂封止部で封止する樹脂封止型半導体
   装置において、前記半導体ペレットの素子形成面と対向
   する裏面に、この裏面に比べて、大きな平面々積を有す
   る放熱板を設け、この放熱板の前記半導体ペレットを搭
   載した表面側に前記半導体ペレットを被覆し、かつこの
   半導体ペレットの素子形成面上の厚さを前記放熱板の厚
   さの１．９〜６．０倍で形成した樹脂封止部を設けたこ
   とを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 ６、前記樹脂封止部はエポキシ系樹脂で形成され、前記
   放熱板はＣｕ系材料で形成されることを特徴とする請求
   項５に記載の樹脂封止型半導体装置。 ７、前記樹脂封止部の半導体ペレットの素子形成面上の
   厚さは放熱板の厚さの３．０〜４．０倍で形成されるこ
   とを特徴とする請求項６に記載の樹脂封止型半導体装置
   。 ８、インナーリードに外部端子が電気的に接続された半
   導体ペレットを樹脂封止部で封止する樹脂封止型半導体
   装置において、前記半導体ペレットの表面側及びこの表
   面側と対向する裏面側を被覆すると共に、前記表面側に
   凸部を有しかつ前記裏面側に前記凸部と嵌合できる形状
   で形成された凹部を有する樹脂封止部を設け、この樹脂
   封止部の表面側の凸部の周囲に裏面側の凹部の周囲まで
   引き回されたアウターリードを設け、このアウターリー
   ドの前記表面側又は裏面側の一部分のリード幅を他部分
   に比べて太く構成したことを特徴とする樹脂封止型半導
   体装置。 ９、前記アウターリードの前記表面側又は裏面側には、
   積層される他の樹脂封止型半導体装置のアウターリード
   と適度な押圧力で接触できるばね性を設けたことを特徴
   とする請求項８に記載の樹脂封止型半導体装置。 １０、前記樹脂封止型半導体装置の半導体ペレットはＤ
   ＲＡＭ、ＳＲＡＭ、ＥＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ等の記憶
   装置であることを特徴とする請求項１乃至請求項９に記
   載の樹脂封止型半導体装置又は電子装置。