JPH03135184A - カラー固体撮像素子 - Google Patents
カラー固体撮像素子Info
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- JPH03135184A JPH03135184A JP1272873A JP27287389A JPH03135184A JP H03135184 A JPH03135184 A JP H03135184A JP 1272873 A JP1272873 A JP 1272873A JP 27287389 A JP27287389 A JP 27287389A JP H03135184 A JPH03135184 A JP H03135184A
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- 238000009825 accumulation Methods 0.000 claims 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14868—CCD or CID colour imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/10—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof for transforming different wavelengths into image signals
- H04N25/11—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics
- H04N25/13—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements
- H04N25/133—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements including elements passing panchromatic light, e.g. filters passing white light
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
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- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産業上の利用分野
本発明は、色分離フィルタを備えたカラー固体撮像素子
に係り、特にフレームトランスファ方式のCCD固体撮
像素子に関する。
に係り、特にフレームトランスファ方式のCCD固体撮
像素子に関する。
(ロ)従来の技術
単板式のカラー撮像装置に於いては、撮像装置に搭載さ
れるCCD固体撮像素子の受光面にモザイク状、ストラ
イブ状等の色分離フィルタが装着され、受光面の各画素
が各色成分に対応付けられる。モザイク状の色分離フィ
ルタを用いた場合には、ストライブ状の色分離フィルタ
を用いた場合よりも水平解像度は高くなるが、CODか
ら得られる映像信号処理が複雑になるといった問題を有
している。
れるCCD固体撮像素子の受光面にモザイク状、ストラ
イブ状等の色分離フィルタが装着され、受光面の各画素
が各色成分に対応付けられる。モザイク状の色分離フィ
ルタを用いた場合には、ストライブ状の色分離フィルタ
を用いた場合よりも水平解像度は高くなるが、CODか
ら得られる映像信号処理が複雑になるといった問題を有
している。
第2図は、モザイク状の色分離フィルタが装着されたフ
レームトランスファ方式のCOD固体撮像素子の受光面
を示す平面図である。
レームトランスファ方式のCOD固体撮像素子の受光面
を示す平面図である。
CCDの受光面には、複数のチャネル領域(1)がチャ
ネル分離領域(2〉で互いに分離され、垂直方向に延在
して設けられる。そして、チャネル領域(1)に直交し
て2層構造の転送電極(3)(4)が絶縁膜を介して形
成きれる。また、上層側の転送電極(4)は、チャネル
分離領域(2)上で、その幅が狭く形成され、転送効率
の向上が図られている。これら転送電極(3)(4)に
は例えば4相の転送りロックが印加きれ、チャネル領域
(1)に発生した情報電荷がチャネル領域(1)に沿っ
て転送される。
ネル分離領域(2〉で互いに分離され、垂直方向に延在
して設けられる。そして、チャネル領域(1)に直交し
て2層構造の転送電極(3)(4)が絶縁膜を介して形
成きれる。また、上層側の転送電極(4)は、チャネル
分離領域(2)上で、その幅が狭く形成され、転送効率
の向上が図られている。これら転送電極(3)(4)に
は例えば4相の転送りロックが印加きれ、チャネル領域
(1)に発生した情報電荷がチャネル領域(1)に沿っ
て転送される。
受光面に装着されるモザイク状の色分離フィルタ(10
)は、受光面の画素に従って分割されており、各分割領
域にイエロー(Ye)、シアン(Cy)、グリーン(G
)及びホワイ) (W>の各色が所定の順序で与えられ
ている。受光面の画素は、チャネル分離領域(2)に依
って垂直方向に分離されると共に、転送電極(3)(4
)が形成するポテンシャルの障壁に依って水平方向に分
離される。即ち、転送電極(3)(4)の端部付近が各
画素の境界となり、一対の転送電極(3)(4)の幅が
一画素に相当する。従って、色分離フィルタ(10)は
、チャネル分離領域(2〉に沿って垂直方向に分割され
ると共に、転送電極(3)(4)の端部に沿って水平方
向に分割きれる。
)は、受光面の画素に従って分割されており、各分割領
域にイエロー(Ye)、シアン(Cy)、グリーン(G
)及びホワイ) (W>の各色が所定の順序で与えられ
ている。受光面の画素は、チャネル分離領域(2)に依
って垂直方向に分離されると共に、転送電極(3)(4
)が形成するポテンシャルの障壁に依って水平方向に分
離される。即ち、転送電極(3)(4)の端部付近が各
画素の境界となり、一対の転送電極(3)(4)の幅が
一画素に相当する。従って、色分離フィルタ(10)は
、チャネル分離領域(2〉に沿って垂直方向に分割され
ると共に、転送電極(3)(4)の端部に沿って水平方
向に分割きれる。
このようなCODに於いては、通常、垂直方向の2画素
が同時に読出され、フィールド毎にその組合せを反転さ
せるインターレース駆動が採用され、解像度の向上が図
られている。即ち、奇数フィールドに於いては、n行目
とn+1行目との画素が同時に読出きれ、偶数フィール
ドに於いてはn−1行目とn行目との画素が同時に読出
されることになる。そして、CCDから読出された信号
の水平方向に隣り合うものの和から輝度信号、差から色
成分信号を夫々得ている0例えば第2図に示す如く各色
が配列される場合、奇数フィールドではWとYe、Gと
cyの色成分が混合して読出され、(W+ye)+(G
+Cy)から輝度信号を得ると共に(W+Ye)−(G
+Cy)から色信号を得る。同様に偶数フィールドでも
、Yeとw、cyとGの色成分が混合して読出きれ、(
Ye + W ) + (Cy + Q )から輝度信
号、(Ye+W)−(Cy+G)から色信号を得る。そ
こで、W=R+G+B 、Ye=R+G、Cy−G+B
(R:レッド、Bニブル−)であることから、輝度信号
は奇数フィールド及び偶数フィールドで2R+4G+2
Bとなる。また、色信号は両フィールドで2Rとなる。
が同時に読出され、フィールド毎にその組合せを反転さ
せるインターレース駆動が採用され、解像度の向上が図
られている。即ち、奇数フィールドに於いては、n行目
とn+1行目との画素が同時に読出きれ、偶数フィール
ドに於いてはn−1行目とn行目との画素が同時に読出
されることになる。そして、CCDから読出された信号
の水平方向に隣り合うものの和から輝度信号、差から色
成分信号を夫々得ている0例えば第2図に示す如く各色
が配列される場合、奇数フィールドではWとYe、Gと
cyの色成分が混合して読出され、(W+ye)+(G
+Cy)から輝度信号を得ると共に(W+Ye)−(G
+Cy)から色信号を得る。同様に偶数フィールドでも
、Yeとw、cyとGの色成分が混合して読出きれ、(
Ye + W ) + (Cy + Q )から輝度信
号、(Ye+W)−(Cy+G)から色信号を得る。そ
こで、W=R+G+B 、Ye=R+G、Cy−G+B
(R:レッド、Bニブル−)であることから、輝度信号
は奇数フィールド及び偶数フィールドで2R+4G+2
Bとなる。また、色信号は両フィールドで2Rとなる。
ここで、YeとCyを入れ換えれば、色信号は2Bとな
る。
る。
(ハ)発明が解決しようとする課題
しかしながら、第2図の如きフレームトランスファ型C
CDの受光面は、水平方向の画素分離が転送電極(3)
(4)の形成するポテンシャル障壁に依り成されている
ため、水平方向にもチャネル分離領域を有するインター
ライントランスファ方式のCCDに比して水平方向の画
素分離が不十分となる。このため、各画素の情報電荷の
一部が垂直方向に隣り合う画素に漏れる虞れがある。例
えば第3図に示す如くGの画素に於いては、Gの画素の
一部分(g)の情報電荷が漏れ出し、Yeの画素からY
eの画素の一部分(y)の情報電荷が漏れ入むことにな
る。このような情報電荷の漏れは、各画に於いて発生し
、各画素の情報電荷に誤差が生じる。この情報電荷の漏
れの量を夫々ΔYe、ΔCy、ΔG及びΔWで表わすと
すれば、輝度信号と色信号とは偶数フィールドに於いて
(Ye+W−ΔYe+ΔCy)+(Cy+G−Δcy+
ΔYe)と(Ye+W−ΔYe+ΔCy)−(Cy+G
−ΔCy+ΔYe)となり、夫々2 R+ 4 G+2
Bと2R−2ΔYe+2ΔCyと計算できる。
CDの受光面は、水平方向の画素分離が転送電極(3)
(4)の形成するポテンシャル障壁に依り成されている
ため、水平方向にもチャネル分離領域を有するインター
ライントランスファ方式のCCDに比して水平方向の画
素分離が不十分となる。このため、各画素の情報電荷の
一部が垂直方向に隣り合う画素に漏れる虞れがある。例
えば第3図に示す如くGの画素に於いては、Gの画素の
一部分(g)の情報電荷が漏れ出し、Yeの画素からY
eの画素の一部分(y)の情報電荷が漏れ入むことにな
る。このような情報電荷の漏れは、各画に於いて発生し
、各画素の情報電荷に誤差が生じる。この情報電荷の漏
れの量を夫々ΔYe、ΔCy、ΔG及びΔWで表わすと
すれば、輝度信号と色信号とは偶数フィールドに於いて
(Ye+W−ΔYe+ΔCy)+(Cy+G−Δcy+
ΔYe)と(Ye+W−ΔYe+ΔCy)−(Cy+G
−ΔCy+ΔYe)となり、夫々2 R+ 4 G+2
Bと2R−2ΔYe+2ΔCyと計算できる。
一方奇数フイールドでは、輝度信号と色信号とが(W+
Ye−ΔW+ΔW ) + (G + Cy−ΔG+Δ
G)と(W+Ye−ΔW+ΔW ) −(G + Cy
−ΔG+ΔG)となり、夫々2R+4G+2Bと2Rと
計算できる。従って、輝度信号については、情報重荷の
漏れを考慮しない場合と同一となるが、色信号について
は奇数フィールドで一2ΔYe+2ΔCyの誤差を生じ
る。このため、映像信号がフィールド毎に色成分の誤差
を含むことになり、再生画面のちらつき、所謂フリッカ
が発生する。
Ye−ΔW+ΔW ) + (G + Cy−ΔG+Δ
G)と(W+Ye−ΔW+ΔW ) −(G + Cy
−ΔG+ΔG)となり、夫々2R+4G+2Bと2Rと
計算できる。従って、輝度信号については、情報重荷の
漏れを考慮しない場合と同一となるが、色信号について
は奇数フィールドで一2ΔYe+2ΔCyの誤差を生じ
る。このため、映像信号がフィールド毎に色成分の誤差
を含むことになり、再生画面のちらつき、所謂フリッカ
が発生する。
このようなフリッカ発生の対策として、色分離フィルタ
の形状を情報電荷の漏れが予測される領域に応じて設け
ることが考えられるが、色分離フィルタの各分離領域の
形状が複雑となることから、実際にその形状に応じて分
離形成することは極めて困難である。また、各分離領域
の境界部分にアルミニウム等に依る遮光領域を一定の幅
で形成することが、例えば特公昭60−41872号公
報等に提案されているが、水平方向のチャネル分離領域
を有していないフレームトランスファ型のCODには適
きず、受光感度の低下や、完全な遮光が困難といった問
題が生じる。
の形状を情報電荷の漏れが予測される領域に応じて設け
ることが考えられるが、色分離フィルタの各分離領域の
形状が複雑となることから、実際にその形状に応じて分
離形成することは極めて困難である。また、各分離領域
の境界部分にアルミニウム等に依る遮光領域を一定の幅
で形成することが、例えば特公昭60−41872号公
報等に提案されているが、水平方向のチャネル分離領域
を有していないフレームトランスファ型のCODには適
きず、受光感度の低下や、完全な遮光が困難といった問
題が生じる。
そこで本発明は、各画素間の情報電荷の漏れに起因する
再生画面のフリッカの発生を防止できるカラー固体撮像
素子の提供を目的とする。
再生画面のフリッカの発生を防止できるカラー固体撮像
素子の提供を目的とする。
(ニ)課題を解決するための手段
本発明は上述の課題を解決するためになされたものであ
り、その特徴とするところは、半導体基板の一主面にチ
ャネル分離領域で互いに分離されて平行に配列形成され
た一方向に延在する複数のチャネル領域と、このチャネ
ル領域に交差して設けられて上記半導体基板中のポテン
シャル状態を制御する複数の転送電極と、この転送電極
を覆い上記チャネル領域に対応して複数の領域に分割さ
れて各分割領域が夫々特定波長の入射光を透過する色分
離フィルタと、を備えたカラー固体撮像素子であって、
上記色分離フィルタは、上記チャネル分離領域に沿って
分割きれると共に、上記転送電極が形成するポテンシャ
ル障壁に依り上記チャネル領域中に区画形成される受光
画素に対応して分割されて成り、この受光画素に対応し
て分割される境界に入射光に対して透明な領域を設けた
ことにある。
り、その特徴とするところは、半導体基板の一主面にチ
ャネル分離領域で互いに分離されて平行に配列形成され
た一方向に延在する複数のチャネル領域と、このチャネ
ル領域に交差して設けられて上記半導体基板中のポテン
シャル状態を制御する複数の転送電極と、この転送電極
を覆い上記チャネル領域に対応して複数の領域に分割さ
れて各分割領域が夫々特定波長の入射光を透過する色分
離フィルタと、を備えたカラー固体撮像素子であって、
上記色分離フィルタは、上記チャネル分離領域に沿って
分割きれると共に、上記転送電極が形成するポテンシャ
ル障壁に依り上記チャネル領域中に区画形成される受光
画素に対応して分割されて成り、この受光画素に対応し
て分割される境界に入射光に対して透明な領域を設けた
ことにある。
(*)作用
本発明に依れば、情報電荷の漏れが予測される各画素の
境界部分を入射光に対して透明としたことで、各画素か
ら漏れ出す情報電荷量と各画素に漏れ入む情報電荷量と
を等しくすることができ、各画素から漏れ出した電荷量
が各画素に漏れ入む電荷量で補なわれ、各画素の情報電
荷の誤差分がキャンセルされて誤差の少ない情報電荷を
得ることができる。
境界部分を入射光に対して透明としたことで、各画素か
ら漏れ出す情報電荷量と各画素に漏れ入む情報電荷量と
を等しくすることができ、各画素から漏れ出した電荷量
が各画素に漏れ入む電荷量で補なわれ、各画素の情報電
荷の誤差分がキャンセルされて誤差の少ない情報電荷を
得ることができる。
(へ)実施例
本発明の一実施例を図面に従って説明する。第1図は本
発明カラー固体撮像素子の要部を示す平面図であり、第
2図と対応する部分を示している。この図に於いて、チ
ャネル領域(1)、チャネル分離領域(2)及び転送電
極(3)(4)は第2図と同一であり、同一部分には同
一符号が付しである。
発明カラー固体撮像素子の要部を示す平面図であり、第
2図と対応する部分を示している。この図に於いて、チ
ャネル領域(1)、チャネル分離領域(2)及び転送電
極(3)(4)は第2図と同一であり、同一部分には同
一符号が付しである。
本発明の特徴とするところは、色分離フィルタ(20)
の各分割領域の境界部分に白色光に対して透明な領域(
21)を設けたことにある。即ち、色分離フィルタ(2
0)は、チャネル分離領域(2)に沿って垂直方向に分
割されると共に転送電極<3)(4)の端部に沿って透
明領域(21)が水平方向に設けられ、この透明領域(
21)で水平方向に分割される。そして、各領域に所定
の色、例えばYe、Cy、G及びWが与えられ、各画素
が各色成分に対応付けられる。
の各分割領域の境界部分に白色光に対して透明な領域(
21)を設けたことにある。即ち、色分離フィルタ(2
0)は、チャネル分離領域(2)に沿って垂直方向に分
割されると共に転送電極<3)(4)の端部に沿って透
明領域(21)が水平方向に設けられ、この透明領域(
21)で水平方向に分割される。そして、各領域に所定
の色、例えばYe、Cy、G及びWが与えられ、各画素
が各色成分に対応付けられる。
各受光画素からの情報重荷の読出しは、第2図の場合と
同様にして行われ、奇数フィールドにn行目とn+1行
目との画素から同時に読出され、偶数フィールドにn−
1行目とn行目との画素から同時に読出される。そして
、水平方向に隣り合う画素からの信号を加算して輝度信
号を得ると共に、信号の差から色信号を得る。この場合
、各画素から漏れる情報電荷は、何れも透明領域(21
)に対応する領域からのものであり、各画素から漏れる
情報電荷量は略等しくなる。そこで、各画素からの漏れ
をΔWとすれば、奇数フィールドに於ける輝度信号及び
色信号は(W+Ye−ΔW+ΔW)+(G+Cy−ΔW
+ΔW)及び(W + Y e−ΔW+ΔW)−(G+
Cy−ΔW+Δw)となり、夫々2R+4G+2B及び
2Rと計算される。一方偶数フイールドでの輝度信号及
び色信号は(Ye+W−ΔW+Δw)+(cy+c−Δ
W+ΔW)及び(Ye+W−ΔW+ΔW ) + (C
y十G−ΔW+ΔW)となり、夫々2R+4G+2B及
び2Rと計算される。従って、両フィールドに於いて、
夫々の信号カミ情報電荷の漏れを示すΔWを含んでおら
ず、各画素間で情報電荷の漏れが生じても色信号に支障
を来すことはない。このような色分離フィルタ(20)
は、透明基板上に所定の着色層が設けられたフィルタ板
を受光面に装着して得られるか、或いは受光面上に形成
される被染色層を所定の色に染色する所謂オンチップフ
ィルタに依り得られる。この色分離フィルタ(20)の
透明領域(21)は、透明基板上に着色層を形成しない
こと、または被染色層を染色しないことで形成すること
ができるため、アルミニウム等の遮光膜を設ける場合に
比して製造工程は簡単になる。
同様にして行われ、奇数フィールドにn行目とn+1行
目との画素から同時に読出され、偶数フィールドにn−
1行目とn行目との画素から同時に読出される。そして
、水平方向に隣り合う画素からの信号を加算して輝度信
号を得ると共に、信号の差から色信号を得る。この場合
、各画素から漏れる情報電荷は、何れも透明領域(21
)に対応する領域からのものであり、各画素から漏れる
情報電荷量は略等しくなる。そこで、各画素からの漏れ
をΔWとすれば、奇数フィールドに於ける輝度信号及び
色信号は(W+Ye−ΔW+ΔW)+(G+Cy−ΔW
+ΔW)及び(W + Y e−ΔW+ΔW)−(G+
Cy−ΔW+Δw)となり、夫々2R+4G+2B及び
2Rと計算される。一方偶数フイールドでの輝度信号及
び色信号は(Ye+W−ΔW+Δw)+(cy+c−Δ
W+ΔW)及び(Ye+W−ΔW+ΔW ) + (C
y十G−ΔW+ΔW)となり、夫々2R+4G+2B及
び2Rと計算される。従って、両フィールドに於いて、
夫々の信号カミ情報電荷の漏れを示すΔWを含んでおら
ず、各画素間で情報電荷の漏れが生じても色信号に支障
を来すことはない。このような色分離フィルタ(20)
は、透明基板上に所定の着色層が設けられたフィルタ板
を受光面に装着して得られるか、或いは受光面上に形成
される被染色層を所定の色に染色する所謂オンチップフ
ィルタに依り得られる。この色分離フィルタ(20)の
透明領域(21)は、透明基板上に着色層を形成しない
こと、または被染色層を染色しないことで形成すること
ができるため、アルミニウム等の遮光膜を設ける場合に
比して製造工程は簡単になる。
尚、本実施例に於いては、色分離フィルタの組合せをイ
エロー(Ye>、シアン(Cy)、グリーン(G)及び
ホワイト(W)としたが、この他にもイエロー(Ye)
、シアン(Cy)、マゼンタ(Mg)及びグリーン(G
)等の補色の組合せに依っても構成できる。
エロー(Ye>、シアン(Cy)、グリーン(G)及び
ホワイト(W)としたが、この他にもイエロー(Ye)
、シアン(Cy)、マゼンタ(Mg)及びグリーン(G
)等の補色の組合せに依っても構成できる。
(ト)発明の効果
本発明に依れば、各画素間の情報電荷の漏れに起因する
色信号の乱れを防止できるため、垂直方向の画素が十分
に分離できないフレームトランスファ型のCCD固体撮
像素子に於いてもモザイク状の色分離フィルタを採用す
ることができ、解像度が高くフリッカの少ない再生画面
を得ることができる。
色信号の乱れを防止できるため、垂直方向の画素が十分
に分離できないフレームトランスファ型のCCD固体撮
像素子に於いてもモザイク状の色分離フィルタを採用す
ることができ、解像度が高くフリッカの少ない再生画面
を得ることができる。
また、色分離フィルタの製造は、各画素間に遮光領域を
必要としないために工程の追加は特に必要なく、工程数
の増大を防止できる。
必要としないために工程の追加は特に必要なく、工程数
の増大を防止できる。
第1図は本発明カラー固体撮像素子の要部を示す平面図
、第2図は従来のカラー固体撮像素子の要部を示す平面
図、第3図は各画素間の情報電荷の漏れの状態を示す平
面図である。 (1)・・・チャネル領域、 (2)・・・チャネル分
離領域、 (3バ4)・・・転送電極、 (10)(2
0)・・・色分離フィルタ、 (21)・・・透明領域
。 第1図
、第2図は従来のカラー固体撮像素子の要部を示す平面
図、第3図は各画素間の情報電荷の漏れの状態を示す平
面図である。 (1)・・・チャネル領域、 (2)・・・チャネル分
離領域、 (3バ4)・・・転送電極、 (10)(2
0)・・・色分離フィルタ、 (21)・・・透明領域
。 第1図
Claims (2)
- (1)半導体基板の一主面にチャネル分離領域で互いに
分離されて平行に配列形成された一方向に延在する複数
のチャネル領域と、 このチャネル領域に交差して設けられて上記半導体基板
中のポテンシャル状態を制御する複数の転送電極と、 この転送電極を覆い上記チャネル領域に対応して複数の
領域に分割されて各分割領域が夫々特定波長の入射光を
透過する色分離フィルタと、 を備えたカラー固体撮像素子であって、 上記色分離フィルタは、上記チャネル分離領域に沿って
分割されると共に、上記転送電極が形成するポテンシャ
ル障壁に依り上記チャネル領域中に区画形成される受光
画素に対応して分割され、この受光画素に対応して分割
される境界に入射光に対して透明な領域を設けたことを
特徴とするカラー固体撮像素子。 - (2)入射光を受光して情報電荷を発生する受光領域と
、 この受光領域の情報電荷を画面毎に蓄積する蓄積領域と
、 を備え、上記チャネル領域が上記受光領域から上記蓄積
領域に連続して設けられることを特徴とする請求項第1
項記載の固体撮像素子。
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---|---|---|---|
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EP (1) | EP0424810A1 (ja) |
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