JPH03112185A - 半導体レーザの製造方法 - Google Patents
半導体レーザの製造方法Info
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 24
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 26
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 7
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 abstract 1
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 abstract 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 6
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 241000272522 Anas Species 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-L Phosphate ion(2-) Chemical compound OP([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000005457 ice water Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
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- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/2054—Methods of obtaining the confinement
- H01S5/2081—Methods of obtaining the confinement using special etching techniques
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/2201—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure in a specific crystallographic orientation
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体レーザ、特にメサ埋め込み型半導体レ
ーザの製造方法に関するものである。
ーザの製造方法に関するものである。
有機金属気相成長法等によるメサ埋め込み型半導体レー
ザ（特にＩｎＰ系長波長波長帯レーザ製造方法としては
次のようなものがある。
ザ（特にＩｎＰ系長波長波長帯レーザ製造方法としては
次のようなものがある。
すなわち、第３図（Ａ）に示すようにＩｎＰクラッド層
２層上１上成したストライプ状のマスク２２をエツチン
グマスクとして逆メサ２３を形成し、同図（Ｂ）に示す
ように埋込層２４でこの逆メサ２３を埋め込もうとする
方法がある。この方法は、ジャーナル オブ アプライ
ド フィジックス（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ’ Ａｐｐｌ
ｉｅｄ Ｐｙｓｌｃｓ ｖｏｌ、６４（１９８８）ｐ３
６８４−３８８８）に開示されている。
２層上１上成したストライプ状のマスク２２をエツチン
グマスクとして逆メサ２３を形成し、同図（Ｂ）に示す
ように埋込層２４でこの逆メサ２３を埋め込もうとする
方法がある。この方法は、ジャーナル オブ アプライ
ド フィジックス（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ’ Ａｐｐｌ
ｉｅｄ Ｐｙｓｌｃｓ ｖｏｌ、６４（１９８８）ｐ３
６８４−３８８８）に開示されている。
別の従来技術として、第４図（Ａ）に示すように垂直メ
サ３１を形成し、同図（Ｂ）に示すようにこれを埋め込
む方法もある。この方法は、上述のジャーナル オブ
アプライド フィジックス（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ’
Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｙｓｆｃｓ ｖｏｌ、８４（１９８
８）ｐ３６８４−３６８８）やジャーナル オブ クリ
スタルダルース（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆＣｒｙｓｔａｌ
Ｇｒｏｗｔｈ ｖｏｌ、９３（１９８８）ｌ）２４８
−２５３）に開示されている。
サ３１を形成し、同図（Ｂ）に示すようにこれを埋め込
む方法もある。この方法は、上述のジャーナル オブ
アプライド フィジックス（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ’
Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｙｓｆｃｓ ｖｏｌ、８４（１９８
８）ｐ３６８４−３６８８）やジャーナル オブ クリ
スタルダルース（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆＣｒｙｓｔａｌ
Ｇｒｏｗｔｈ ｖｏｌ、９３（１９８８）ｌ）２４８
−２５３）に開示されている。
さらに別の従来技術として、順メサを形成し、これを埋
め込む方法もある。
め込む方法もある。
しかし、上記第１の従来技術によると、第３図（Ｂ）に
示すように、埋込層２４には逆メサ２３の付は根付近に
、気相からの原料拡散不足に起因する成長残しく溝）２
５が形成され易い。
示すように、埋込層２４には逆メサ２３の付は根付近に
、気相からの原料拡散不足に起因する成長残しく溝）２
５が形成され易い。
上記第２の従来技術は、第１の従来技術を用いるよりは
、成長残しく溝）が生じにくい。しかし、そのためには
メサ３１の高さ３２とマスク３４の下のアンダーカット
量３３を一定の範囲内に収めなければならないという制
約を伴う。前述の文献によれば、メサ高さは３μｍ以内
、アンダーカット量はメサ高さが２．５μｍの場合で約
１μｍと示されている。
、成長残しく溝）が生じにくい。しかし、そのためには
メサ３１の高さ３２とマスク３４の下のアンダーカット
量３３を一定の範囲内に収めなければならないという制
約を伴う。前述の文献によれば、メサ高さは３μｍ以内
、アンダーカット量はメサ高さが２．５μｍの場合で約
１μｍと示されている。
また、順メサを形成する結晶方位で埋め込み成長を行う
上記第３の従来技術によれば、第５図に示すように、埋
込層４１が（１１１）Ａ面を形成し、その結晶面に沿っ
てマスク４２の上に埋込層４１が成長してしまう。した
がって、表面の平坦化ができない。
上記第３の従来技術によれば、第５図に示すように、埋
込層４１が（１１１）Ａ面を形成し、その結晶面に沿っ
てマスク４２の上に埋込層４１が成長してしまう。した
がって、表面の平坦化ができない。
本発明の課題は、このような問題点を解消することにあ
る。
る。
上記課題を解決するために、本発明の半導体レーザは、
第１導電型半導体基板の（００１）面上に、第１導電型
の第１クラッド層、活性層、第２導電型の第２クラッド
層およびこれらの各層よりもサイドエッチの生じやすい
キャップ層を順次積層する工程と、この積層基板上に＜
０１１＞方向に伸びるストライプ状のマスクを形成する
工程と、マスクを耐エツチング材として前記積層基板を
その表面から第１クラッド層に達するまでエツチングす
る工程と、マスクを選択成長マスクとしてエツチング工
程により除去された領域に埋込層を形成する工程と、マ
スクおよびキャップ層を除去した後、表面に第２導電型
の第３クラッド層および第２導電型のコンタクト層を積
層する工程を含むものである。
第１導電型半導体基板の（００１）面上に、第１導電型
の第１クラッド層、活性層、第２導電型の第２クラッド
層およびこれらの各層よりもサイドエッチの生じやすい
キャップ層を順次積層する工程と、この積層基板上に＜
０１１＞方向に伸びるストライプ状のマスクを形成する
工程と、マスクを耐エツチング材として前記積層基板を
その表面から第１クラッド層に達するまでエツチングす
る工程と、マスクを選択成長マスクとしてエツチング工
程により除去された領域に埋込層を形成する工程と、マ
スクおよびキャップ層を除去した後、表面に第２導電型
の第３クラッド層および第２導電型のコンタクト層を積
層する工程を含むものである。
キャップ層上に形成されたマスクの方向は、本来なら次
のエツチング工程において逆メサを形成する方向である
が、キャップ層にサイドエツチングが生じやすい材料が
用いられているため、上部に行く程細い順メサが形成さ
れる。そのため、次の埋め込み工程において、メサの付
は根に成長残しが生じない。しかも、本来の順メサを形
成する結晶方位で埋め込み成長を行うときとは異なり（
１１１）Ａ面が形成されないのでマスク上への異常成長
もなく、表面の平坦な埋込層が形成される。
のエツチング工程において逆メサを形成する方向である
が、キャップ層にサイドエツチングが生じやすい材料が
用いられているため、上部に行く程細い順メサが形成さ
れる。そのため、次の埋め込み工程において、メサの付
は根に成長残しが生じない。しかも、本来の順メサを形
成する結晶方位で埋め込み成長を行うときとは異なり（
１１１）Ａ面が形成されないのでマスク上への異常成長
もなく、表面の平坦な埋込層が形成される。
以下、第１図を用いて本発明の一実施例を説明する。
まず、減圧有機金属気相成長法（ＯＭＶＰＥ法）によっ
て、Ｓｎドープのｎ型ＩｎＰ（１００）基板１上に、Ｓ
ｔドープのｎ型１ｎＰ第１クラッド層２、アンドープＧ
ａＩｎＡｓＰ活性層３、Ｚｎドープのｐ型ＩｎＰ第２ク
ラッド層４およびＺｎドープのｐ型ＧａＩｎＡｓキャッ
プ層５を順に成長させ、積層基板６を形成する（第１図
（Ａ）参照）。各層の厚さは、ｎ型１ｎＰ第１クラッド
層２がｉ ｐ ｍ ｓアンドープＧａ Ｉ ｎＡｓ Ｐ
活性層３が０．１５．ｃｚｍ、ｐ型１ｎＰ第２クラッド
層４が０．４μｍ％ｐ型ＧａＩｎＡｓキャップ層５が０
．２μｍである。
て、Ｓｎドープのｎ型ＩｎＰ（１００）基板１上に、Ｓ
ｔドープのｎ型１ｎＰ第１クラッド層２、アンドープＧ
ａＩｎＡｓＰ活性層３、Ｚｎドープのｐ型ＩｎＰ第２ク
ラッド層４およびＺｎドープのｐ型ＧａＩｎＡｓキャッ
プ層５を順に成長させ、積層基板６を形成する（第１図
（Ａ）参照）。各層の厚さは、ｎ型１ｎＰ第１クラッド
層２がｉ ｐ ｍ ｓアンドープＧａ Ｉ ｎＡｓ Ｐ
活性層３が０．１５．ｃｚｍ、ｐ型１ｎＰ第２クラッド
層４が０．４μｍ％ｐ型ＧａＩｎＡｓキャップ層５が０
．２μｍである。
次に、積層基板６上に熱ＣＶＤ法によりＳｉＯ膜をデポ
ジションする。そして、５１０２１Ｎ上にレジストを塗
布し、フォトリソグラフィ法により、＜０１１＞方向（
図面に垂直な方向）すなわち逆メサを形成する方向に幅
６μｍのレジストのストライプパターンを形成する。こ
のレジストをマスクとして、バッファ弗酸によりＳ ｌ
０２膜を選択エツチングしてストライプＳ ｉｏ ２
膜７を形成し、残余のレジストを除去する（第１図ＣＢ
）参照）。このときのストライプＳ ｉＯ２膜７の幅は
、サイドエツチングによりやや狭くなり５μｍ程度とな
っている。
ジションする。そして、５１０２１Ｎ上にレジストを塗
布し、フォトリソグラフィ法により、＜０１１＞方向（
図面に垂直な方向）すなわち逆メサを形成する方向に幅
６μｍのレジストのストライプパターンを形成する。こ
のレジストをマスクとして、バッファ弗酸によりＳ ｌ
０２膜を選択エツチングしてストライプＳ ｉｏ ２
膜７を形成し、残余のレジストを除去する（第１図ＣＢ
）参照）。このときのストライプＳ ｉＯ２膜７の幅は
、サイドエツチングによりやや狭くなり５μｍ程度とな
っている。
次に、氷水で十分に冷却したＢｒ・メタノールのエッチ
ャント（Ｂｒ ：メタノールー２．５：１０００）によ
り、ストライプ５１０２膜７をマスクとして各層２〜５
を選択エツチングする。エツチングは、エッチャントを
攪拌しながら約５分間行い、深さ１２が約２．５μｍ、
サイドエツチングｆｉｌｋ（アンダーカット量）１１が
約１．７μｍのメサを形成する（第１図（Ｃ）参照）。
ャント（Ｂｒ ：メタノールー２．５：１０００）によ
り、ストライプ５１０２膜７をマスクとして各層２〜５
を選択エツチングする。エツチングは、エッチャントを
攪拌しながら約５分間行い、深さ１２が約２．５μｍ、
サイドエツチングｆｉｌｋ（アンダーカット量）１１が
約１．７μｍのメサを形成する（第１図（Ｃ）参照）。
本発明者の実験では、氷水で冷却したＢｒ拳メタノール
エッチャント（Ｂｒ ：メタノール−２，５：１００
０）によると、エツチング深さ１に対してアンダーカッ
ト量が０．５〜０．７という結果が得られている。本来
ならＢｒ番メタノールエッチャントによるエツチングに
おいて、逆メサを形成する結晶方位であるにもかかわら
ず、ここでは、図示のような上部はど細い順メサ形状が
得られる。
エッチャント（Ｂｒ ：メタノール−２，５：１００
０）によると、エツチング深さ１に対してアンダーカッ
ト量が０．５〜０．７という結果が得られている。本来
ならＢｒ番メタノールエッチャントによるエツチングに
おいて、逆メサを形成する結晶方位であるにもかかわら
ず、ここでは、図示のような上部はど細い順メサ形状が
得られる。
これは、選択エツチング用のストライプＳ Ｉ Ｏ２膜
７の直ぐ下に、Ｂｒφメタノールによりサイドエツチン
グの生じやすいキャップ層５が形成されているからであ
る。なお、本実施例の活性層３の幅は、単一モード発振
が可能となる１、５μｍである。
７の直ぐ下に、Ｂｒφメタノールによりサイドエツチン
グの生じやすいキャップ層５が形成されているからであ
る。なお、本実施例の活性層３の幅は、単一モード発振
が可能となる１、５μｍである。
次に、ストライプＳ ｉ Ｏ２膜７を選択成長マスクと
して用い、減圧ＯＭＶＰＥ法によりＺｎドープｐ型１ｎ
Ｐ層（厚さ約１μｍ）８及びＳｉドープｎ型１ｎＰ層（
厚さ約１μｍ）９からなる積層埋込層１０をデポジショ
ンする（第１図（Ｄ）参照）。埋込層１０を構成するＩ
ｎＰ層８および９は、メサの下部から上部に向かうにつ
れて徐々に薄くなっており、したがって、埋込層１０を
その表面が基板１の表面とほぼ平行となるように形成す
ることができる。しかも、埋込層１０は、メサ側面のい
かなる場所においても、必ず順序正しく２層構造となっ
ている。したがって、後に形成される第２クラッド層１
３、埋込１ｎＰ層９．８および第１クラッド層２により
メサの外側全体に渡って確実にｐｎｐｎ構造（サイリス
タ）が形成され、Ｐ型１ｎＰ層８およびｎ型１ｎＰ層９
を電流ブロック層として機能させることができる。その
うえ、ｐ型ＩｎＰ層８がメサ側面において上部にゆくほ
ど薄くなっているため、第２クラッド層４からｐ型１ｎ
Ｐ層８を経由して第１クラッド層２へ抜けるリーク電流
の経路が狭く、リーク電流の低減に非常に効果的な構造
となっている。
して用い、減圧ＯＭＶＰＥ法によりＺｎドープｐ型１ｎ
Ｐ層（厚さ約１μｍ）８及びＳｉドープｎ型１ｎＰ層（
厚さ約１μｍ）９からなる積層埋込層１０をデポジショ
ンする（第１図（Ｄ）参照）。埋込層１０を構成するＩ
ｎＰ層８および９は、メサの下部から上部に向かうにつ
れて徐々に薄くなっており、したがって、埋込層１０を
その表面が基板１の表面とほぼ平行となるように形成す
ることができる。しかも、埋込層１０は、メサ側面のい
かなる場所においても、必ず順序正しく２層構造となっ
ている。したがって、後に形成される第２クラッド層１
３、埋込１ｎＰ層９．８および第１クラッド層２により
メサの外側全体に渡って確実にｐｎｐｎ構造（サイリス
タ）が形成され、Ｐ型１ｎＰ層８およびｎ型１ｎＰ層９
を電流ブロック層として機能させることができる。その
うえ、ｐ型ＩｎＰ層８がメサ側面において上部にゆくほ
ど薄くなっているため、第２クラッド層４からｐ型１ｎ
Ｐ層８を経由して第１クラッド層２へ抜けるリーク電流
の経路が狭く、リーク電流の低減に非常に効果的な構造
となっている。
なお、本発明者は、この埋め込み成長においては、平坦
に埋め込むためのメサ深さ制約はないことを確認してい
る。また、本発明者は、この埋め込み成長において、マ
スク７直下のキャップ層（Ｇａ ＩｎＡｓ）５の側面に
は、埋込層１０の成長が生じないことを確認している。
に埋め込むためのメサ深さ制約はないことを確認してい
る。また、本発明者は、この埋め込み成長において、マ
スク７直下のキャップ層（Ｇａ ＩｎＡｓ）５の側面に
は、埋込層１０の成長が生じないことを確認している。
そのため、埋め込み成長が進んでも、ストライプ５ｉＯ
９膜７の下のアンダーカット部に気相領域を十分に残し
ておくことができ、原料拡散不足を防止できる。
９膜７の下のアンダーカット部に気相領域を十分に残し
ておくことができ、原料拡散不足を防止できる。
この埋め込み成長においては、埋込層１０の表面の高さ
をストライプＳ ｌ ０２膜７のそれを越えないように
することが、後の工程で形成される第３クラッド層およ
びコンタクト層の表面を平坦化する上で重要である。す
なわち、埋込層１０の表面高さがストライプＳ １０２
膜７の表面高さを大きく越えた場合、第２図（Ａ）に示
すように埋込層１０が（１１１）Ｂ面を形成してしまう
。そして、（１１１）Ｂ面においては第３クラッド層お
よびコンタクト層の成長が他の面に比べて遅いため、第
２図（Ｂ）に示すように表面にｒＷＪ字状の溝が形成さ
れ、平坦化できない。したがって、換言すれば、埋込層
１０の表面がストライプ５ｔＯ２膜７の表面高さを越え
る場合でも、（１１１）Ｂ面を形成しない程度であれば
、第３クラッド層およびコンタクト層の成長に支障がな
い。ｒＷＪ字状の溝は、不良および信頼性の低下の原因
となり、特に、（１１１）８面上のコンタクト層が薄く
なるため、デバイスとしてのコンタクト抵抗が大きくな
り、特性劣化をもたらす。
をストライプＳ ｌ ０２膜７のそれを越えないように
することが、後の工程で形成される第３クラッド層およ
びコンタクト層の表面を平坦化する上で重要である。す
なわち、埋込層１０の表面高さがストライプＳ １０２
膜７の表面高さを大きく越えた場合、第２図（Ａ）に示
すように埋込層１０が（１１１）Ｂ面を形成してしまう
。そして、（１１１）Ｂ面においては第３クラッド層お
よびコンタクト層の成長が他の面に比べて遅いため、第
２図（Ｂ）に示すように表面にｒＷＪ字状の溝が形成さ
れ、平坦化できない。したがって、換言すれば、埋込層
１０の表面がストライプ５ｔＯ２膜７の表面高さを越え
る場合でも、（１１１）Ｂ面を形成しない程度であれば
、第３クラッド層およびコンタクト層の成長に支障がな
い。ｒＷＪ字状の溝は、不良および信頼性の低下の原因
となり、特に、（１１１）８面上のコンタクト層が薄く
なるため、デバイスとしてのコンタクト抵抗が大きくな
り、特性劣化をもたらす。
最後に、バッファ弗酸を用いてストライプ５ｔＯ２膜７
を除去し、ついでキャップ層５を燐酸二過酸化水素−５
：１からなるエッチャントにより除去する。その後、減
圧ＯＭＶＰＥ法によりＺｎドープｐ梨型１ｎＰ３クラッ
ド層（厚さ約１．５μｍ）１３及びＺｎドープｐ梨型Ｇ
ａｎＡｓ＝７ンタクト層（厚さ約０．５μｍ）１４を順
次成長させる（第１図（Ｅ）参照）。
を除去し、ついでキャップ層５を燐酸二過酸化水素−５
：１からなるエッチャントにより除去する。その後、減
圧ＯＭＶＰＥ法によりＺｎドープｐ梨型１ｎＰ３クラッ
ド層（厚さ約１．５μｍ）１３及びＺｎドープｐ梨型Ｇ
ａｎＡｓ＝７ンタクト層（厚さ約０．５μｍ）１４を順
次成長させる（第１図（Ｅ）参照）。
なお、本実施例では埋込層１０は導電型の異なる２層構
造であり、これによりｐｎ接合を利用したブロック層が
形作られているが、これに代えて埋込層１０を高抵抗層
とするか、若しくは高抵抗層を含む積層構造とすること
により抵抗体によるブロック層を構成してもよい。
造であり、これによりｐｎ接合を利用したブロック層が
形作られているが、これに代えて埋込層１０を高抵抗層
とするか、若しくは高抵抗層を含む積層構造とすること
により抵抗体によるブロック層を構成してもよい。
また、ＩｎＰ基板１、第１〜第３クラツド層およびコン
タクト層の各導電型を逆にしてもよい。
タクト層の各導電型を逆にしてもよい。
その場合の埋込層１０は、ｐ型１ｎＰ層、ｎ型ＩｎＰ層
およびｐ型１ｎＰ層を積層した構造とするか、またはそ
れに代えて高抵抗層を含む構造とする。
およびｐ型１ｎＰ層を積層した構造とするか、またはそ
れに代えて高抵抗層を含む構造とする。
さらに、キャップ層はＧａ Ｉ ｎＡｓ層に限定される
ものではなく、たとえば、Ｇ ａ Ｉ ｎ ｔっＡｓ
Ｐ （ｘ＝−０，４７ｙ）であってもよい。
ものではなく、たとえば、Ｇ ａ Ｉ ｎ ｔっＡｓ
Ｐ （ｘ＝−０，４７ｙ）であってもよい。
ｙトｙ
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明の半導体レーザの製造方法
によれば、キャップ層にサイドエツチングが生じやすい
材料を用い、本来は逆メサとなる結晶方位で選択エツチ
ングを行うことにより、最適形状の順メサを作ることが
できる。そのため、成長残しのない、しかも表面の平坦
な埋込層を形成することができる。
によれば、キャップ層にサイドエツチングが生じやすい
材料を用い、本来は逆メサとなる結晶方位で選択エツチ
ングを行うことにより、最適形状の順メサを作ることが
できる。そのため、成長残しのない、しかも表面の平坦
な埋込層を形成することができる。
第１図は本発明の一実施例を示す工程断面図、第２図は
埋込層の適切な高さを説明するための断面図、第３図か
ら第５図はそれぞれ従来技術を示す断面図である。 １−８ ｎドープのｎ！ｕｌｎＰ（１００）基板、２・
・・Ｓｉドープのｎ型１ｎＰ第１クラッド層、３・・・
アンドープＧａ １ ｎＡｓ Ｐ活性層、４・・・Ｚｎ
ドープのｐ型１ｎＰ第２クラッド層、５・・・Ｚｎドー
プのｐ型Ｇａ Ｉ ｎＡｓキャップ層、６・・・積層基
板、７・・・ストライプＳ ｉｏ ２膜、８・・・Ｚｎ
ドープのｐ型１ｎＰ層、９−Ｓ ｉドープのｎ型１ｎＰ
層、１０・・・埋込層、１３・・・Ｚｎドープｐ梨型１
ｎＰ３クラッド層、１４・・・Ｚｎｎドープ型Ｇａ Ｉ
ｎＡｓコンタクト層。
埋込層の適切な高さを説明するための断面図、第３図か
ら第５図はそれぞれ従来技術を示す断面図である。 １−８ ｎドープのｎ！ｕｌｎＰ（１００）基板、２・
・・Ｓｉドープのｎ型１ｎＰ第１クラッド層、３・・・
アンドープＧａ １ ｎＡｓ Ｐ活性層、４・・・Ｚｎ
ドープのｐ型１ｎＰ第２クラッド層、５・・・Ｚｎドー
プのｐ型Ｇａ Ｉ ｎＡｓキャップ層、６・・・積層基
板、７・・・ストライプＳ ｉｏ ２膜、８・・・Ｚｎ
ドープのｐ型１ｎＰ層、９−Ｓ ｉドープのｎ型１ｎＰ
層、１０・・・埋込層、１３・・・Ｚｎドープｐ梨型１
ｎＰ３クラッド層、１４・・・Ｚｎｎドープ型Ｇａ Ｉ
ｎＡｓコンタクト層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、第１導電型半導体基板の（００１）面上に、第１導
電型の第１クラッド層、活性層、第２導電型の第２クラ
ッド層およびこれらの各層よりもサイドエッチの生じや
すいキャップ層を順次積層する工程と、 この積層基板上に＜０１１＞方向に伸びるストライプ状
のマスクを形成する工程と、 前記マスクを耐エッチング材として前記積層基板をその
表面から前記第１クラッド層に達するまでエッチングす
る工程と、 前記マスクを選択成長マスクとして前記エッチング工程
により除去された領域に埋込層を形成する工程と、 前記マスクおよびキャップ層を除去した後、表面に第２
導電型の第３クラッド層および第２導電型のコンタクト
層を積層する工程 を含む半導体レーザの製造方法。 ２、前記埋込層の成長方法が有機金属気相成長法である
請求項１に記載の半導体レーザの製造方法。 ３、前記半導体基板、第１、第２および第３クラッド層
がＩｎＰであり、前記キャップ層がＧａＩｎＡｓである
請求項２に記載の半導体レーザの製造方法。 ４、前記エッチングにおけるエッチャントがＢｒ・メタ
ノール系である請求項３に記載の半導体レーザの製造方
法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1251079A JP2827326B2 (ja) | 1989-09-27 | 1989-09-27 | 半導体レーザの製造方法 |
| US07/586,226 US5093278A (en) | 1989-09-27 | 1990-09-21 | Method of manufacturing a semiconductor laser |
| EP90118380A EP0420143B1 (en) | 1989-09-27 | 1990-09-25 | Method of manufacturing semiconductor laser |
| DE69018558T DE69018558T2 (de) | 1989-09-27 | 1990-09-25 | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlasers. |
| CA002026289A CA2026289C (en) | 1989-09-27 | 1990-09-26 | Method of manufacturing semiconductor laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1251079A JP2827326B2 (ja) | 1989-09-27 | 1989-09-27 | 半導体レーザの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03112185A true JPH03112185A (ja) | 1991-05-13 |
| JP2827326B2 JP2827326B2 (ja) | 1998-11-25 |
Family
ID=17217325
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1251079A Expired - Lifetime JP2827326B2 (ja) | 1989-09-27 | 1989-09-27 | 半導体レーザの製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5093278A (ja) |
| EP (1) | EP0420143B1 (ja) |
| JP (1) | JP2827326B2 (ja) |
| CA (1) | CA2026289C (ja) |
| DE (1) | DE69018558T2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0548210A (ja) * | 1991-08-09 | 1993-02-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
| EP0665581A1 (en) * | 1994-01-12 | 1995-08-02 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of processing an epitaxial wafer of InP or the like |
| JPH0851255A (ja) * | 1993-11-01 | 1996-02-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| JP2007014174A (ja) * | 2005-07-04 | 2007-01-18 | Nissei Eco Co Ltd | ワイヤーハーネス外装用コルゲートチューブ継手 |
| JP2007165640A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体光素子を作製する方法 |
| JP2007165538A (ja) * | 2005-12-13 | 2007-06-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体光素子の製造方法 |
| US8039282B2 (en) | 2008-04-02 | 2011-10-18 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor optical device and method of fabricating the same |
| JPWO2020090078A1 (ja) * | 2018-11-01 | 2021-09-02 | 三菱電機株式会社 | 光半導体装置、および光半導体装置の製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5173447A (en) * | 1989-10-31 | 1992-12-22 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Method for producing strained quantum well semiconductor laser elements |
| US5227015A (en) * | 1990-07-30 | 1993-07-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of fabricating semiconductor laser |
| JPH0513881A (ja) * | 1990-11-28 | 1993-01-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザの製造方法 |
| DE4240539C2 (de) * | 1992-01-21 | 1997-07-03 | Mitsubishi Electric Corp | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlasers |
| DE4244822C2 (de) * | 1992-01-21 | 1997-06-12 | Mitsubishi Electric Corp | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung |
| JPH065975A (ja) * | 1992-06-22 | 1994-01-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ |
| JPH06132608A (ja) * | 1992-10-20 | 1994-05-13 | Sony Corp | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| US5384151A (en) * | 1993-08-11 | 1995-01-24 | Northwestern University | InGaAsP/GaAs diode laser |
| US5568501A (en) * | 1993-11-01 | 1996-10-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser and method for producing the same |
| US5656539A (en) * | 1994-07-25 | 1997-08-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of fabricating a semiconductor laser |
| KR0146714B1 (ko) * | 1994-08-08 | 1998-11-02 | 양승택 | 평면 매립형 레이저 다이오드의 제조방법 |
| JP3718129B2 (ja) * | 2001-02-28 | 2005-11-16 | アンリツ株式会社 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| KR100640393B1 (ko) | 2004-05-20 | 2006-10-30 | 삼성전자주식회사 | 역메사 구조를 이용한 광집적 소자 및 그 제조방법 |
| KR100842277B1 (ko) * | 2006-12-07 | 2008-06-30 | 한국전자통신연구원 | 반사형 반도체 광증폭기 및 수퍼 루미네센스 다이오드 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS5826834B2 (ja) * | 1979-09-28 | 1983-06-06 | 株式会社日立製作所 | 半導体レ−ザ−装置 |
| US4354898A (en) * | 1981-06-24 | 1982-10-19 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Method of preferentially etching optically flat mirror facets in InGaAsP/InP heterostructures |
| GB2114808B (en) * | 1981-12-01 | 1985-10-09 | Standard Telephones Cables Ltd | Semiconductor laser manufacture |
| JPS58127392A (ja) * | 1982-01-25 | 1983-07-29 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ−素子の製造方法 |
| GB2115608B (en) * | 1982-02-24 | 1985-10-30 | Plessey Co Plc | Semi-conductor lasers |
| JPS60154689A (ja) * | 1984-01-25 | 1985-08-14 | Hitachi Ltd | 発光素子およびこれを用いた光通信装置 |
| US4573255A (en) * | 1984-03-22 | 1986-03-04 | At&T Bell Laboratories | Purging: a reliability assurance technique for semiconductor lasers utilizing a purging process |
| US4660208A (en) * | 1984-06-15 | 1987-04-21 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Semiconductor devices employing Fe-doped MOCVD InP-based layer for current confinement |
| CA1247947A (en) * | 1984-07-31 | 1989-01-03 | Masaru Wada | Method of manufacturing semiconductor device |
| GB8516853D0 (en) * | 1985-07-03 | 1985-08-07 | British Telecomm | Manufacture of semiconductor structures |
| US4905057A (en) * | 1985-12-18 | 1990-02-27 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor devices |
| US4792958A (en) * | 1986-02-28 | 1988-12-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor laser with mesa stripe waveguide structure |
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-
1989
- 1989-09-27 JP JP1251079A patent/JP2827326B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-09-21 US US07/586,226 patent/US5093278A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-09-25 DE DE69018558T patent/DE69018558T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1990-09-25 EP EP90118380A patent/EP0420143B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-09-26 CA CA002026289A patent/CA2026289C/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
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| CA2026289C (en) | 1998-12-29 |
| EP0420143A2 (en) | 1991-04-03 |
| EP0420143B1 (en) | 1995-04-12 |
| CA2026289A1 (en) | 1991-03-28 |
| EP0420143A3 (en) | 1991-10-23 |
| US5093278A (en) | 1992-03-03 |
| JP2827326B2 (ja) | 1998-11-25 |
| DE69018558D1 (de) | 1995-05-18 |
| DE69018558T2 (de) | 1996-01-18 |
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Legal Events
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