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JPH0310144A - 徴細粒子測定装置 - Google Patents

徴細粒子測定装置

Info

Publication number
JPH0310144A
JPH0310144A JP1145831A JP14583189A JPH0310144A JP H0310144 A JPH0310144 A JP H0310144A JP 1145831 A JP1145831 A JP 1145831A JP 14583189 A JP14583189 A JP 14583189A JP H0310144 A JPH0310144 A JP H0310144A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
wafer
signal
interference fringes
laser light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP1145831A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2711140B2 (ja
Inventor
Minoru Akiyama
実 秋山
Masao Ecchu
昌夫 越中
Hideki Komori
秀樹 古森
Toshimasa Tomota
友田 利正
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP1145831A priority Critical patent/JP2711140B2/ja
Publication of JPH0310144A publication Critical patent/JPH0310144A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2711140B2 publication Critical patent/JP2711140B2/ja
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Expired - Fee Related legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、ウェハ上の微細粒子を検出する微細粒子測
定装置に関するものである。
〔従来の技術〕
、第3図は特開昭62−297747号公報に示された
従来のウェハ表面の異物を検査する検査方法および装置
を示す説明図であり、図において、21は試料台、22
はウェハ、23は検査光、24は光源、25は対物レン
ズ、26は光−電気変換手段、27は散乱光又は反射光
、28は第1の信号線、29は第2の信号線、30は比
較部、31は判定部、32は遅延部である。
次に動作について説明する。
光源24より出射された光を試料台21によって回転す
るウェハ22上に照射することにより、ウェハの表面が
検査光23によって連続的に走査され、この時被検査物
の表面において、検査光23が照射される所定の領域か
ら発生される散乱光。
又は反射光27は、対物レンズ25を介して光電気変換
手段26に入射される。そして第1の時刻T、に検出さ
れる散乱光または反射光27が発生される被検査物22
の部位に異物が存在すると、光−電気変換手段26にお
いては異物からの散乱光または反射光7と迷光とが混在
して信号S、とじて検出され、第2の時刻T2において
光−電気変換手段26に検出される散乱光又は反射光2
7の信号S2は迷光の信号のみとすると、それぞれ例え
ば第4図(a)及びCb)に示す波形となる。第4図中
41は異物からの信号、42は迷光信号である。
比較部30において、Slと32との差信号S。
を算出し、迷光成分を相殺すると、第4図(C)に示さ
れるように散乱光又は反射光に含まれる異物からの信号
が相殺できなかった迷光成分と良好な対比で検出され、
異物からの信号が明瞭に検出される。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来のウェハ表面の異物を検出する微細粒子測定装置は
以上のように構成されていたので、その迷光強度相殺の
効果は迷光強度のうち時不変のもののみに有効であり、
異物が小さくなり、その散乱光強度が迷光強度の時間的
に変動する成分よりも弱くなったり、又迷光の多く存在
する環境下では検出が困難になるという問題点があった
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、微細粒子が小さく、その散乱光が弱い場合や
迷光の多く存在する状況下、特にプロセス装置内でも測
定可能な微細粒子測定装置を得ることを目的とする。
〔課題を解決するための手段] この発明に係る微細粒子測定装置は、同波長の2本のレ
ーザ光を回転するウェハで重畳させて一定間隔の干渉縞
を形成し、その干渉縞を横切るウェハ上微細粒子よりの
散乱光にある周波数成分を持たせ、光検出器の出力をそ
の周波数を通すようにフィルタリングするようにしたも
のである。
〔作用〕
この発明においては、2本の同波長のレーザ光をウェハ
上で重畳して一定間隔の干渉縞を形成させ、その干渉縞
を横切るウェハ上微細粒子よりの散乱光に縞の間隔と微
細粒子の速さによって決定されるある周波数成分子を持
たせ、散乱光を検出する光検出器の出力うち少なくとも
fの周波数成分を通すようにフィルタリングした出力を
信号処理して微細粒子を検知する構成としたから、迷光
成分による信号を低減でき、SN比を向上できる。
〔実施例] 以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第1図は本発明の一実施例による微細粒子測定装置の構
成を示す図であり、図において、lはレーザ光源、2は
ビームスプリッタ、3,4はミラ、5はウェハを回転さ
せる回転台、6はウェハ、7はウェハ6の表面に付着し
た微細粒子、8は例えば光電子増倍管で構成される光検
出器、9は光検出器8からの出力される電気信号の中か
ら少なくともある周波数成分を通過させるフィルタ、1
0はフィルタ9の出力を信号処理して微細粒子を検知す
る処理部である。
次に動作について説明する。レーザ光atより出射され
た波長λの直線偏光レーザ光はビームスプリッタ2によ
って2光束に分けられた後、ミラーによってウェハ上で
角度θで重畳させ、第2図(a)に示すように微細粒子
の移動方向15と平行ではない方向に一定間隔の干渉縞
13を形成する。
この時、干渉縞13と微細粒子の移動方向15との角度
をφとし、ウェハに付着している微細粒子7が速さ■で
干渉縞を横切った時には第2図(b)に示すように、 度が粒子の大きさに依存した散乱光が発生する。
そして、この散乱光強度に対応した電気信号とレーザ光
に起因するもの以外の迷光(例えば外部から入射してく
る室内照明光など)とレーザ光線光路上の気体による散
乱光に対応した電気信号成分が重なって光検出器6より
出力される。この3つの信号成分のうち、微細粒子によ
らない第2.第3番目のものは周波数成分子を持たない
。従って、フィルタ9において周波数成分子を通すよう
にフィルタリングすれば、レーザ光に起因するもの以外
の迷光及びレーザ光線光路上の気体による散乱光に対応
した電子信号は除去され、微細粒子7による散乱光に対
応した信号のみが処理部10において測定される。こう
して本実施例では、従来例と比較して、より粒径の小さ
い微細粒子に対しても測定能力が高いものが得られる。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明によれば微細粒子測定装置にお
いて、同一波長のレーザ光を回転するウェハ上で重畳さ
せ干渉縞を形成し、ウェハ上に付着した微細粒子による
散乱光に特定周波数成分子を持たせ、散乱光を受光して
電気信号に変換する光検出器の出力のうち少なくともf
の周波数成分を通すようにフィルタリングし、得られた
出力を信号処理する構成としたから、迷光成分による信
号を低減でき、SN比を向上させることができる効果が
ある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例による微細粒子測定装置を示
す構成図、第2図(a)はウェハ上での干渉縞を示す図
、第2図(b)は出力信号の一例を示す図、第3図は従
来の検査装置の構成図、第4図は光−電気検出手段によ
って検出される散乱光又は反射光の光量の信号波形の一
例を示す図である。 1はレーザ光源、2はビームスプリッタ、3゜4はミラ
ー、5は回転台、6はウェハ、7は微細粒子、8は光検
出器、9はフィルタ、10は処理部、11はレーザ光束
、13は干渉縞、15は微細粒子進行方向である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)半導体装置用基板の表面に付着した微細粒子を検
    出する微細粒子測定装置において、 ウェハを移動させる台と、 同一波長のレーザ光をウェハ上にて重畳させ干渉じまを
    形成させるレーザ光照射機構と、ウェハ上に付着した微
    細粒子より散乱された光を受光して電気信号に変換する
    光検出器と、この光検出器から出力される電気信号のう
    ち、少なくとも特定の周波数信号を通過させるフィルタ
    と、 上記フィルタの出力を信号処理する信号処理部とを備え
    た微細粒子測定装置。
JP1145831A 1989-06-08 1989-06-08 徴細粒子測定装置 Expired - Fee Related JP2711140B2 (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06249773A (ja) * 1993-02-23 1994-09-09 Ebara Corp 基板表面粒子測定装置
JP2004513364A (ja) * 2000-11-13 2004-04-30 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 表面欠陥の測定
CN109073566A (zh) * 2016-03-31 2018-12-21 统半导体公司 用于通过激光多普勒效应检测用于微电子或光学的板的方法和系统

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JP2019518197A (ja) * 2016-03-31 2019-06-27 ユニティ セミコンダクターUnity Semiconductor マイクロエレクトロニクス用または光学用の基板をレーザドップラ効果によって検査するための方法およびシステム

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JP2711140B2 (ja) 1998-02-10

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