JPH03107767A - 加速度センサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、物体の傾斜を測定する傾斜計又は運動加速度
を測定する加速度計に利用される加速度センサに関する
。

従来の技術 従来における加速度センサの第一の従来例を第２５図に
基づいて説明する。起歪体ｌは、その周辺部が支持部２
とされ中心部が作用部３とされており、その支持部２と
作用部３との間には肉厚の薄いダイヤフラム４が形成さ
れている。その作用部３の下方には円柱状の力伝達体５
が形成されており、その先端には付加重り６が取付けら
れている。また、前記ダイヤフラム４の上部に位置して
ＳＬ単結晶基板７が接着固定されており、この表面には
各軸方向の成分力を検出する歪検出素子８が形成されて
いる。

このような構成において、付加重り６にある一方向（例
えば、Ｘ軸方向）の力が作用すると、その力は力伝達体
５に伝わりダイヤフラム４が変形し、これに連れて単結
晶基板７も変形するため、歪検出素子８にその力の成分
力が検出されることになる。

次に、第二の従来例を第２６図に基づいて説明する。こ
れは、上述した第一の従来例のように歪検出素子８や、
付加重り６を別個に設けるのではなく、これらを直接、
力の作用する起歪体９と一体化して形成するものである
。すなわち、半導体く例えば、Ｓｉ）からなる起歪体９
をその裏面側から一部をエツチングにより取り除くこと
により、起歪体９は、中央部ｌＯには肉厚の厚い領域が
形成され、その周辺部１１には肉厚の薄い領域が形成さ
れる。起歪体９はその外周端で保持部材１２により固定
されている。そして、中央部１０の肉厚の厚い領域を付
加重り６として用い、周辺部１°ｌの肉厚の薄い領域を
検出面としその表面に歪検出素子８を形成することによ
って、前述した第一の従来例と同様に、力の成分力の検
出を行うことができる。

発明が解決しようとする課題 まず、第一の従来例の場合、起歪体ｌはその材質として
金属を用いているので、Ｓｉ単結晶基板７との間で熱膨
張係数が異なるため、その出力の零点出力の温度依存性
が大きくなるという欠点がある。また、Ｓｉ単結晶基板
７と起歪体１との位置合わせをその工程上精密に行うこ
とはできず、このため検出精度が悪いという問題がある
。

第二の従来例の場合、半導体からなる起歪体９のエツチ
ングを行うことにより付加重り６部分の形成を行ってい
る。そのエツチング方法として、等方性エツチングの場
合、第２７図に示すように、付加重り６の先端部分はサ
イドエッチにより細くなってしまい先端部の質量が小さ
くなってしまうので、起歪体９に生じるモーメントが小
さくなってしまい感度が低くなり、その結果、正確な信
号検出を行うことができない。また、第２８図に示すよ
うに、異方性エツチングを行ったような場合にも、付加
重り６の先端部分は細くなってしまう。

また、第三の従来例として、第２９図に示すように、付
加重り６のモーメントが大きくなるように歪検出素子８
の反対側が大きくなるように歪検出素子８の形成されて
いる側の面から異方性エツチングを行うと、Ｓｉ単結晶
基板１３の厚みがそのまま梁（検出面）１４の厚みｔど
なる。この梁１４に生じる歪は梁１４の厚さの２乗にほ
ぼ反比例するので感度が非常に悪くなる。

さらに、第四の従来例として、第３０図に示すように、
Ｓｉ単結晶基板１５の裏面側に形成された付加重り６だ
けの質量では足りない場合に、表面側からＡｕ１６をメ
ツキすることによりその質量を補っているものもある。

しかし、この場合、Ａｕ１６は歪検出素子１７が形成さ
れている側と同一面内に形成されているため、ＡｕとＳ
ｉとの熱膨張係数の違いによりセンサ出力の零点温度依
存性が大きくなってしまい、その結果、正確な信号検出
を行うことができないという問題がある。

発明を解決するための手段 請求項１記載の発明は、周辺部が台座に固定され中心部
が作用部とされ前記周辺部と前記中心部との間に肉厚の
薄い検出面が形成されその検出面に歪検出素子の配設さ
れた半導体よりなる起歪体の設けられた加速度センサに
おいて、前記起歪体の前記作用部の裏面にその起歪体と
同一材質からなり前記歪検出素子から遠ざかる下方に向
かうに従って拡大化形状をなす付加重りを形成した。

請求項２記載の発明は、周辺部が台座に固定され中心部
が作用部とされ前記周辺部と前記中心部との間に肉厚の
薄い検出面が形成されその検出面に歪検出素子の形成さ
れた半導体よりなる起歪体の設けられた加速度センサに
おいて、前記起歪体の前記作用部の裏面に比重の大きい
付加重りを取付けた。

作用 請求項１記載の発明により、起歪体や付加重り、さらに
は、その周囲の固定部材の全てを同一材料により一体化
して形成することによって、構造が簡素化され、また、
従来のように異種材料間での熱膨張係数の相違による熱
応力歪を小さくすることができ、これにより出力電圧の
温度依存性を小さくすることができ、さらに、付加重り
は歪検出素子から遠ざかる下方に向かうに従って拡大化
形状をなしているので、力の作用した時に慣性モーメン
トが大きくなり、これにより大きな歪が得られるため検
出感度を高めることができる。

請求項２記載の発明により、歪検出素子の形成された側
の面と反対側の面に比重の大きい付加重りを形成したの
で、温度変動に伴い付加質量と起歪体との間に生じる熱
応力歪が歪検出素子側に伝わりにくくなり、これにより
センサ出力の温度依存性を小さくすることができる。

実施例 本発明の第一の実施例を第１図ないし第１０図に基づい
て説明する。起歪体としてのＳｔ単結晶基板（以下、Ｓ
ｉ基板と呼ぶ）１８は、ｐ型（１００）面方位の基板に
ｎ型のエピタキシャル層を有している。この場合、ＫＯ
Ｈ、ヒドラジン、ＥＰＷ（エチレンジアミン・パイロカ
テユール・水）等を用いてＳｉ基板１８の裏面側より結
晶軸異方性エツチングを行い（その製造方法については
後述する）、肉厚の薄い検出面としての梁１９が形成さ
れ、これにより作用部としての中央部２０と周辺部２１
とが分離される。

その梁１９の表面には歪検出素子としての拡散抵抗２２
が形成されており、その拡散抵抗２２の長手方向がＳｉ
基板１８の＜０１１＞軸と、＜Ｏｌｌ＞軸とに一致する
ように形成されている。

ここでは、ｘ、ｙ、ｚ軸方向の各成分力を検出するため
に、Ｘ軸方向の拡散抵抗Ｒｘｌ　！　ＲＸ　ｘ　＋　Ｒ
Ｘ　３　ＴＲｘ４、Ｙ軸方向の拡散抵抗ＲＬ＋ＲＬ＋Ｒ
ｙｓ＋Ｒｙいｚ軸方向の拡散抵抗Ｒｚ、　、　Ｒｚ、　
、　Ｒｚ、　、　Ｒｚ４．　Ｒｚ、　。

Ｒ７，、、Ｒｚ、　、　Ｒｚ、が配設されている。それ
ら各軸方向の力の成分力を検出するブリッジ回路を第７
図（ａ、）（ｂ）（ｃ）に示した。

また、Ｓｉ基板１８の中央部２０は重り２０ａを有して
おり、その中央部２０の裏面側には、そのＳｉ基板１８
と同一の材質からなる付加重り２３が形成されている。

この付加重り２３は、下方に向かうに従って拡大化した
形状となっている。

また、Ｓｉ基板１８の周辺部２】は台座２４に固定され
ており、その周辺部２１は上部からストッパー２５で押
え付けられた形となっている。その台座２４はパッケー
ジ２６の底面２６ａで固定された形となっている。さら
に、前記拡散抵抗２２は、周辺部２１でパッド２７と接
着されたボンディングワイヤ２８を介してリードビン２
９と接続されており、これにより外部へ検出された信号
が送り出されるようになっている。

このような構成において、例えば、今、各軸方向に加速
度０ｘ、αｙ、α２が加わるものとすると、中央部２０
の重さ及びその中央部２０に形成された付加重り２３に
よる慣性力によって、αＸ、αｙによるモーメントＭｘ
、Ｍｙが、αＺによる力ＦｚがそれぞれＳｉ基板１８の
中央部２０に作用する。これにより第８図ないし第１０
図に示すような応力がそれぞれ発生し、これに伴って、
第１表に示すような各ブリッジ出力Ｖｘ、Ｖｙ、Ｖｚが
現われ、これにより互いに干渉のない正確な加速度出力
を検出することができる。。

次に、本装置の加速度センサの製造方法を第３図ないし
第６図に基づいて説明する。まず、上部基板となるＳｉ
基板１８の作成方法を第３図及び第４図に基づいて説明
する。

〔熱酸化〕

ｐ−ＳＬ　（１００）ウェハ上にｎ型エピタキシャル層
を形成したものを酸化し、表面にＳｉ○。

を形成する。Ｓｉｎ、は次工程の拡散のマスクとして使
用する。

［拡散窓明〕 選択拡散を行うためにＳｉｎ、を除去し、拡散窓明を行
う。

〔拡散〕

ＢＮ固相拡散源等により拡散を行う。ボロンはＳｉ面が
露出しているところのみ拡散し、ｎ型からｐ型に変わる
。

（ＣＶＤ−ＰＳＧ） 両面にＣＶＤ−ＰＳＧをデポジションする。表面は外部
からの汚染に対するバリアとする。

〔コンタクトホール〕

拡散抵抗２２を電気的に接続するためのコンタクトホー
ルをエツチングで明ける。

〔アルミ蒸着／エツチング〕

アルミニウムにより拡散抵抗２２の相互接続及び外部回
路への電気的接続を図る。

（シリンダリング〕 アルミニウムと拡散抵抗２２とのオーミック性を改善す
るためにシリンダリングを行う。

（ＣＶＤ、Ｓ　ｉ、Ｎ４デポジシヨン〕プラズマＣＶＤ
等によりＳｉ基板１８の両面にＳｉ、Ｎ、膜が形成され
る。

〔裏面Ｓｉ、Ｎ４エツチング窓明〕 Ｓｉ基板１８の裏面からＳｉ異方性エツチングを行うた
め、ＣＦ４＋　Ｏ，等を用いたドライエツチングにより
エツチング窓を明ける。

（ＳＬ異方性エッチングゴ Ｓｉ、Ｎ、膜をエツチングマスクとしてＫＯＨ十Ｈ，Ｏ
等のエツチング液によりＳｉ基板１８の結晶軸異方性エ
ツチングを行う。このエツチングは、エピタキシャル層
の厚みが梁１９の厚みとなるように、電気化学エツチン
グによりｐ型基板をエツチングする。

〔裏面Ｓｉ、Ｎ、除去〕

エツチングマスクとなったＳｉ、Ｎ４をドライエツチン
グ等により除去する。その後、ダイシングを行う。

次に、下部基板となる付加重り２３、台座２４を有する
台座基板３０の作成工程を第５図に基づいて説明する。

この台座基板３０はＳｉ基板１８と同一材質よりなって
いる。

［ＣＶＤ、Ｓ　ｉ、Ｎ４デポジシヨン］ＣＶＤにて台座
基板３０の両面にＳｉ３Ｎ４をデポジションする。

〔付加重り部分エツチング窓明〕

台座基板３０の裏面側の付加重り２３部分の窓明けを行
う。

〔付加重り部分エツチング〕

付加重り２３とパッケージ２６との間隔（ギャツブ）を
設けるために、付加重り２３のエツチングを行う。この
エツチングは、等方性又は異方性のウェットエツチング
或いはドライエツチングのどちらを使用してもよい。こ
の場合、第１図に示すように、そのエツチング深さが付
加重り２３とパッケージ２６とのギャップｇとなる。過
剰な加速度が本加速度センサに加わると、重り２３と底
面２６ａとが接触してストッパとして働き、梁１９が破
壊するのを防ぐ。ギャップｇはストッパが働き出す加速
度を決定するので、そのエツチング深さは適切な値に調
整する必要がある。

［Ｓｉ、Ｎ、除去］ 台座基板３０の裏面のＳｉ、Ｎ４を除去する。

〔ガラス膜デポジション〕

台座基板３０の表面に陽極接合に必要なガラス膜をスパ
ッタ等で形成する。

〔裏面Ｓｉ、Ｎ４デポジシヨン〕 台座基板３０の裏面にＳｉ、Ｎ、を形成する。その後、
ダイシングを行う。

次に、このような工程により作成された付加重り２３と
台座２４とを有する台座基板３０よりなる下部基板と、
前述したＳｉ基板１８よりなる上部基板とを接合する工
程を第６図に基づいて説明する。

〔上部基板と下部基板との接合〕

Ｓｉ基板１８と台座基板３０とを陽極接合、□加熱によ
るＳｉ同士の直接接合法、或いは、ＰＳＧによるＳＬ／
ＰＳＧ／Ｓｉの溶着でもよい。

〔ガラス膜エツチング〕

ウェットエツチングによりガラス（Ｓ　ｉ　０１ｌ）膜
のみをエツチングする。エッチャントはフッ酸ＨＦにＮ
Ｈ４Ｆ　を１＝７で混合した緩衝ＨＦを用いる。これは
Ｓｉｎ、に比べてＳｉ、Ｎ４のエッチレートが非常に小
さく　（１／１００）　Ｓ　ｉ　Ｏ，のみのエツチング
ができる。この場合、Ｓｉ基板１８の両側には第２図に
示すように穴３１が明けであるので、ウェットエッチャ
ントに浸漬すればその穴３１からエッチャントが浸入し
てＳｉｎ、はエツチングされる。

（Ｓｉ異異方性エツチング 上下基板を再度異方性エッチャントに浸漬し電気化学エ
ツチングすれば、ガラスの存在しない部分から台座基板
３０が異方性エツチングされていき、反対側の面までエ
ツチングされつくしてしまう。

（Ｓｉ、Ｎ、エツチング〕 Ｓｉ基板１８のワイヤボンディング用バッド２７の窓明
けを行う。また、台座基板３０の裏面のＳｉ、Ｎ、膜の
エツチングを行うことにより、台座基板３０の中央部３
０ａと周辺部３０ｂとを分離することができる。

そして、これまで述べた工程の終了後、上部基板（Ｓｉ
基板１８）及び下部基板（台座基板３０）と同じ材料で
作成された上部のストッパー２５を陽極接合にて接着し
、パッケージ２６に実装後、ワイヤボンディングをした
後、封止を行うことにより加速度センサを作成すること
ができる。

次に、上述したような各種工程により作成された加速度
センサの特徴を列挙してみる。

その第一番目として、Ｓｉ基板１８、台座２４、付加重
り２３、ストッパー２５が全て同一の材料で形成されて
いるので、従来において問題とされていた異種材料間の
熱膨張係数の違いによる熱応力歪が少なく、このためセ
ンサ出力電圧の温度依存性を小さく抑えることができる
。

その第二番目として、歪ゲージとなる拡散抵抗２２の反
対側の面に形成される付加重り２３は、その形状が拡散
抵抗２２の位置から遠ざかるに従って広がるように形成
されているため、付加重り２３の重心位置はその歪ゲー
ジ形成面から遠い位置にある。このため、力（例えば、
加速度αＸ）が加わった時の慣性モーメントは大きくな
り、これにより梁１９に生じる歪が大きくなってその分
検出感度が高くなる。

その第三番目として、付加重り２３の形状やその形成位
置は、上部基板であるＳｉ基板１８の裏面から異方性エ
ツチングされた中央部２ｏの重り２０ａの形状やその形
成位置により決定される。

このため、重り２０ａと付加重り２３との間で位置ズレ
が生じるようなことはない。また、拡散抵抗２２の位置
と重り２０ａとの位置合わせは、両面アライナで精度良
く行われているので、重り２０ａ及び付加重り２３の重
心点は各拡散抵抗２２の中心軸Ｐ上に存在する。従って
、これらのことから、各出力成分間の干渉を小さくして
測定精度を上げることができる。

その第四番目として、例えば、急激で過剰な加速度に対
しては、第２４図に示すように、付加重り２３の下方先
端部と台座２４との間にストッパー機能が働くため、そ
のセンサ自体の破壊を防止することができる。

その第五番目として、Ｓｉ基板１８の歪ゲージ（拡散抵
抗２２）位置と、裏面からの異方性エツチングの位置合
わせは、両面アライナ−露光機により精度良く行うこと
ができるため、各センサ出力間の干渉を小さくすること
ができ、これにより測定精度を一段と向上させることが
できる。

次に、本発明の第二の実施例を第１１図ないし第１４図
に基づいて説明する。これは、加速度センサが破壊する
程の過剰な加速度がかがらない状況で使用する場合の構
成例を示したものである。

従って、本実施例の場合、第一の実施例のような付加重
り２３はなく、その代わりに金属等（ここでは、Ａ、　
ｕ　）からなる比重の大きい付加重り３２をＳｉ基板１
８の中央部２０の下面側に取付けた。

第１２図（第３図を含む）は上部基板としてのＳｉ基板
１８の作成方法を、第１３図は下部基板としての台座基
板３０の作成方法を、第１４図はそれら上下基板を接合
して最終的に加速度センサを作成する工程を示したもの
である。各工程は、前述した第一の実施例と同様な手順
により処理することができるので、その詳細な説明につ
いては省略し、ここではその概略について述べる。

Ｓｉ基板１８は第３図と同様な工程を経た後、第１２図
に示すように付加重り２３の金属（例えば、Ａｕ）を８
１基板１８の裏面側にデポジションした後、その付加重
り２３の部分を残して裏面エツチング窓明を行う。その
後、Ｓｉの異方性エツチングを行い、裏面側周辺部のＳ
ｉ、Ｎ、を除去する。一方、台座基板３０は第１３図に
示すような手順により作成される。この場合、台座２４
を作成する台座基板３０は、接合した際、付加重り２３
の部分が当らないように予めギャップｇをエツチングに
より作成しておく。

その後、第１４図に示すように、Ｓｉ基板１８と台座基
板３０とを陽極接合又は融着により一体化形成する。そ
して、ガラス膜（Ｓ　ｉ　Ｏ，）をエツチングした後、
台座基板３０の異方性エツチングを行い、さらに、裏面
側のＳｉ、Ｎ４を除去して台座２４を作成する。

上述したように、本実施例においては、歪ゲージ（拡散
抵抗２２）の形成されている面と反対側の面に付加重り
３２である金属（ここでは、Ａｕ）を形成しているので
、Ｓｉ基板１８とＡｕ３２との間に生じる熱膨張係数の
差による熱応力歪は、歪ゲージ側の面には伝達されにく
く、これによりセンサ出力の温度依存性を小さくするこ
とができる。また、工程上では、本実施例におけるＡｕ
からなる付加重り３２と、第一の実施例における重り２
０ａと付加重り２３とにより形成される境界面の形状と
が一致するので、第一の実施例と同様な効果を得ること
ができる。

次に、本発明の第三の実施例を第１５図ないし第１８図
に基づいて説明する。これは、第一〇実流側における付
加重り２３の質量が不足している場合に、比重の大きい
金属（ここでは、Ａｕ）３３をさらに付加し、これによ
り慣性力を大きくし出力感度を高めたものである。

この場合、第１６図（第３図も含む）のＳｉ基板１８の
作成工程は第一の実施例（第３図及び第４図）と同じで
ある。また、台座基板３ｏもＱ工程までは第一の実施例
（第５図）と同じであるが、この場合、付加重り３３と
なるＡｕを台座基板３０の裏面に電界メツキ等で形成す
る。その後、第１８図に示すように、上部基板であるＳ
ｉ基板１８と下部基板である台座基板３０とを陽極接合
した後、第６図と同様な工程を経て、Ｒ工程にて超音波
洗浄器によりエタノール等の溶液中で超音波振動をかけ
Ａｕブリッジを切断して中央部２０と周辺部２１との分
離を行い、これにより加速度等の測定ができる。

次に、本発明の第四の実施例を第１９図ないし第２３図
に基づいて説明する。これは、起歪体としてのＳｉ基板
１８において、中央部２０と周辺部２１との間に形成さ
れる検出面は、第２０図に示すように、これまで述べて
きたような梁１９ではなくダイヤフラム３４として形成
されている場合の例であり、このためＳＬ基板１８自体
には穴３１　（第２図参照）は設けられていない。従っ
て、本実施例は、梁１９では破壊してしまって測定でき
ないような大きな加速度の加わる測定等に用いることが
できる。第２１図（第３図参照）は上部基板であるＳｉ
基板１８の作成工程を、第２２図は下部基板である台座
基板３０の作成工程を、第２３図は上下基板の接合工程
をそれぞれ示したものである。なお、ここでは、これら
各工程における詳細な説明は省略する。

第２２図の台座基板３０のＳ工程において、裏面側から
異方性エツチングを行い穴３５を設け、後に行う付加重
り２３と台座２４とを分離するために行う異方性エッチ
ャントが浸入しやすいようにしておく。その後、第２３
図において、上下基板を陽極接合し、ガラス膜エツチン
グを行う。この時、穴３５が重要な役割を担う。以下、
その理由を述べる。本実施例におけるＳｉ基板１８には
ダイヤフラム３４が形成されている穴３５がないので、
前述した各実施例のように梁１９が形成されている場合
と異なりエッチャントがＳｉ基板１８の上側から浸入す
ることができない。そこで、台座基板３０に穴３５を設
けておくことによって、エッチャントが浸入しやすくな
り、これにより所望のエツチングを行うことが可能とな
る。

このようにしてガラス膜のエツチングを行った後、Ｓｉ
の異方性エツチングを行うことによって、付加重り２３
と台座２４とを分離し加速度センサを作成することがで
き、これにより第一の実施例と同様の効果を得ることが
でき、信頼性の高い信号検出を行うことができるもので
ある。

発明の効果 請求項１記載の発明では、周辺部が台座に固定され中心
部が作用部とされ前記周辺部と前記中心部との間に肉厚
の薄い検出面が形成されその検出面に歪検出素子の配設
された半導体よりなる起歪体の設けられた加速度センサ
において、起歪体の前記作用部の裏面にその起歪体と同
一材質からなり前記歪検出素子から遠ざかる下方に向か
うに従って拡大化形状をなす付加重りを形成したので、
起歪体や付加重り、さらには、その周囲の固定部材の全
てを同一材料により一体化して形成することによって、
構造が簡素化され、また、従来のように異種材料間での
熱膨張係数の相違による熱応力歪を小さくすることがで
き、これにより出力電圧の温度依存性を小さくすること
ができ、さらに、付加重りは歪検出素子から遠ざかる下
方に向かうに従って拡大化形状をなしているので、力の
作用した時に慣性モーメントが大きくなり、これによリ
大きな歪が得られるため検出感度を高めることができる
ものである。

請求項２記載の発明では、周辺部が台座に固定され中心
部が作用部とされ前記周辺部と前記中心部との間に肉厚
の薄い検出面が形成されその検出面に歪検出素子の形成
された半導体よりなる起歪体の設けられた加速度センサ
において、起歪体の前記作用部の裏面に比重の大きい付
加重りを取付けたので、温度変動に伴い付加質量と起歪
体との間に生じる熱応力歪が歪検出素子側に伝わりにく
くなり、これによりセンサ出力の温度依存性を小さくと
ることができるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第一の実施例を示す側面図、第２図は
その起歪体の平面図、第３図ないし第６図は製造工程図
、第７図はブリッジ回路、第８図ないし第１０図は各軸
方向の成分力が作用した時の応力の分布状態を示す説明
図、第１１図は本発明の第二の実施例を示す側面図、第
１２図ないし第１４図は製造工程図、第１５図は本発明
の第三の実施例を示す側面図、第１６図ないし第１８図
は製造工程図、第１９図は本発明の第四の実施例を示す
側面図、第２０図はその起歪体の平面図、第２１図ない
し第２３図は製造工程図、第２４図は起歪体の作用部に
力が作用した時の様子を示す側面図、第２５図は第一の
従来例を示す縦断側面図、第２６図は第二の従来例を示
す縦断側面図、第２７図及び第２８図はエツチングによ
り形状が変化している様子を示す側面図、第２９図（ａ
）は第三の従来例を示す平面図、第２９図（ｂ）はその
側面図、第３０図は第四の従来例を示す側面図である。 １８・・・起歪体、１９・・・検出面、２０・・・中心
部、２１・・・周辺部、２２・・・歪検出素子、２３・
・・付加重り、２４・・・台座、３２．３３・・・付加
重り、３４・・・検出面 １’ｒ） ３」」１ス Ｄ （支） 」コ １皿昆 ：％Ｊ９ 図 Ｊ　ＺＯ図 、％　Ｚ７図 Ｊ）没図 （巽７５ｎユ、ツテフク゛） ３７９図 ！　３０図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、周辺部が台座に固定され中心部が作用部とされ前記
   周辺部と前記中心部との間に肉厚の薄い検出面が形成さ
   れこの検出面に歪検出素子の配設された半導体よりなる
   起歪体の設けられた加速度センサにおいて、前記起歪体
   の前記作用部の裏面にその起歪体と同一材質からなり前
   記歪検出素子から遠ざかる下方に向かうに従って拡大化
   形状をなす付加重りを形成したことを特徴とする加速度
   センサ。 ２、周辺部が台座に固定され中心部が作用部とされ前記
   周辺部と前記中心部との間に肉厚の薄い検出面が形成さ
   れその検出面に歪検出素子の配設された半導体よりなる
   起歪体の設けられた加速度センサにおいて、前記起歪体
   の前記作用部の裏面に比重の大きい付加重りを取付けた
   ことを特徴とする加速度センサ。