JPH0225089A - 片面薄銅箔張回路基板の製造法 - Google Patents
片面薄銅箔張回路基板の製造法Info
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- JPH0225089A JPH0225089A JP63173743A JP17374388A JPH0225089A JP H0225089 A JPH0225089 A JP H0225089A JP 63173743 A JP63173743 A JP 63173743A JP 17374388 A JP17374388 A JP 17374388A JP H0225089 A JPH0225089 A JP H0225089A
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Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電子部品を実装するプリント配線板製造用の
銅箔と電気絶縁体とより製造された片面銅箔張積層板、
片面銅張フィルム、片面銅張シートなどの片面銅箔張回
路基板であって、特に高密度のシート或いはフィルム状
のプリント配線板や高密度の多層プリント配線板製造の
際の最外層として用いるに好適な銅箔の厚みが数−〜2
0虜、所望厚みに対する厚みのバラツキが±2.0AI
Ta以下、好適には±1.0μs以下である片面薄銅箔
張回路基板の製造法である。
銅箔と電気絶縁体とより製造された片面銅箔張積層板、
片面銅張フィルム、片面銅張シートなどの片面銅箔張回
路基板であって、特に高密度のシート或いはフィルム状
のプリント配線板や高密度の多層プリント配線板製造の
際の最外層として用いるに好適な銅箔の厚みが数−〜2
0虜、所望厚みに対する厚みのバラツキが±2.0AI
Ta以下、好適には±1.0μs以下である片面薄銅箔
張回路基板の製造法である。
銅箔張回路基板の製造法は、銅箔と絶縁体とを重ね通常
積層成形等によって製造され、用いる銅箔としては、電
解法による厚み105虜、70虜、35虜、18Js、
12fiなどが蛍産され、アルミニウム箔等の担体上
に形成された5虜、9μsなどの銅箔も作られている。
積層成形等によって製造され、用いる銅箔としては、電
解法による厚み105虜、70虜、35虜、18Js、
12fiなどが蛍産され、アルミニウム箔等の担体上
に形成された5虜、9μsなどの銅箔も作られている。
又、圧延法による銅箔があるが、製造法との関係から薄
くなるほど高価なものとなり実質的には351以下の厚
さの箔は実用化されていない。
くなるほど高価なものとなり実質的には351以下の厚
さの箔は実用化されていない。
このような銅箔を積層成形に用いる場合、その厚みが1
81より薄いと皺になりやすく、銅箔を絶縁体と重ね合
わせる作業が極めて困難となるので殆ど実用化されてい
ない。またアルミニウム箔等の担体上に形成された銅箔
は、この点を改善したものであるが高価であり、更に銅
箔によるプリント配線を形成する前に担体であるアルミ
ニウム箔等の除去工程が必要という問題があった。
81より薄いと皺になりやすく、銅箔を絶縁体と重ね合
わせる作業が極めて困難となるので殆ど実用化されてい
ない。またアルミニウム箔等の担体上に形成された銅箔
は、この点を改善したものであるが高価であり、更に銅
箔によるプリント配線を形成する前に担体であるアルミ
ニウム箔等の除去工程が必要という問題があった。
また、プリント配線板加工工程において塩化銅や塩化鉄
などのエツチング液にて銅箔張回路基板を予備エツチン
グして銅箔を研磨してレジストの密着性を良好とした後
、プリント配線板の製造工程に用いる方法が知られてい
たが、予備エツチングによる銅箔の除去量を多くしたり
、或いは1m角などの大面積をエツチングして、薄銅張
回路基板を製造することは出来なかった。
などのエツチング液にて銅箔張回路基板を予備エツチン
グして銅箔を研磨してレジストの密着性を良好とした後
、プリント配線板の製造工程に用いる方法が知られてい
たが、予備エツチングによる銅箔の除去量を多くしたり
、或いは1m角などの大面積をエツチングして、薄銅張
回路基板を製造することは出来なかった。
従って、片面に厚さ181未満の電解銅箔や厚さ201
未満の圧延銅箔がはられ、他の片面に厚さ数AI−rA
〜105pなどの銅箔がはられた両面板も実質的には量
産が困難であった。
未満の圧延銅箔がはられ、他の片面に厚さ数AI−rA
〜105pなどの銅箔がはられた両面板も実質的には量
産が困難であった。
本発明は、大型回路基板として使用可能な薄銅箔張回路
基板を生産性よく製造する方法について鋭意検討した結
果、特定の成分からなるエツチング液を用いることより
、大面積においても場所や表裏のちがいによる厚み精度
の差が極めて小さいエツチング法を見出した。さらに、
検討をすすめた結果、本発明に到達した。
基板を生産性よく製造する方法について鋭意検討した結
果、特定の成分からなるエツチング液を用いることより
、大面積においても場所や表裏のちがいによる厚み精度
の差が極めて小さいエツチング法を見出した。さらに、
検討をすすめた結果、本発明に到達した。
すなわち、本発明は、銅箔と電気絶縁体とより製造され
た両面銅箔張回路基板を銅エツチング液を用い、スプレ
ー式エツチングマシンにより両面をエツチングし、該両
面銅箔張積層板の片面の残存銅箔の厚さをもとの銅箔の
厚さの10〜75%とし、反対面の銅箔を完全に除去し
てなることを特徴とする片面薄銅箔張回路基板の製造法
である。
た両面銅箔張回路基板を銅エツチング液を用い、スプレ
ー式エツチングマシンにより両面をエツチングし、該両
面銅箔張積層板の片面の残存銅箔の厚さをもとの銅箔の
厚さの10〜75%とし、反対面の銅箔を完全に除去し
てなることを特徴とする片面薄銅箔張回路基板の製造法
である。
以下、本発明の構成について説明する。
本発明の銅箔と電気絶縁体とより製造された両面銅箔張
回路基板は、特に限定はなく電子、電気材料用として用
いられている種々の市販品等いずれも使用可能であるが
、本発明の製造法を適用する場合、通常、公称厚みが1
84以上の銅箔を用い、必要に応じて互いの面の銅箔の
厚さを変えた両面銅張のフィルム、シート、繊維強化絶
縁樹脂積層板、金属芯積層板、内層にプリント配線網を
形成した多層シールド板などである。電気絶縁体層は、
ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂等のフィルムやシー
ト、熱硬化性樹脂や耐熱性の熱可塑性樹脂とガラス(E
ガラス、Dガラス、Sガラス、石英ガラス(クォーツ)
その他)、セラミックス類(アルミナ、窒化硼素、その
他)、全芳香族ポリアミド、ポリイミド、セミカーボン
、フッ素樹脂、その他の耐熱性エンジニアリングプラス
チックなどを一種或いは二種以上適宜併用してなる繊維
、チョップなどを用いた多孔質フィルム或いはシート状
の補強基材とを組み合わせてなるプリプレグを用いて製
造されるもの、又は、鉄、アルミニウム板等に絶縁性の
接着剤や接着フィルムを被覆してなるものなどである。
回路基板は、特に限定はなく電子、電気材料用として用
いられている種々の市販品等いずれも使用可能であるが
、本発明の製造法を適用する場合、通常、公称厚みが1
84以上の銅箔を用い、必要に応じて互いの面の銅箔の
厚さを変えた両面銅張のフィルム、シート、繊維強化絶
縁樹脂積層板、金属芯積層板、内層にプリント配線網を
形成した多層シールド板などである。電気絶縁体層は、
ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂等のフィルムやシー
ト、熱硬化性樹脂や耐熱性の熱可塑性樹脂とガラス(E
ガラス、Dガラス、Sガラス、石英ガラス(クォーツ)
その他)、セラミックス類(アルミナ、窒化硼素、その
他)、全芳香族ポリアミド、ポリイミド、セミカーボン
、フッ素樹脂、その他の耐熱性エンジニアリングプラス
チックなどを一種或いは二種以上適宜併用してなる繊維
、チョップなどを用いた多孔質フィルム或いはシート状
の補強基材とを組み合わせてなるプリプレグを用いて製
造されるもの、又は、鉄、アルミニウム板等に絶縁性の
接着剤や接着フィルムを被覆してなるものなどである。
また、通常の銅張積層板は積層成形の圧力により、銅箔
表面が補強基材の凹凸を一部反映して例えばガラス織布
基材の場合約40.ピッチで4p程度のうねりを持った
ものとなるが、機械的に精密研磨して31程度以下の細
かい凹凸度でこのうねりを取ったものを使用することも
できる。
表面が補強基材の凹凸を一部反映して例えばガラス織布
基材の場合約40.ピッチで4p程度のうねりを持った
ものとなるが、機械的に精密研磨して31程度以下の細
かい凹凸度でこのうねりを取ったものを使用することも
できる。
上記の両面銅箔張回路基板をエツチングする本発明の銅
エツチング液は、過酸化水素/硫酸、過硫酸塩、塩化銅
又は塩化鉄などを主剤とし、主剤の安定剤、銅の溶解促
進剤、エツチングされた銅箔面の状態を制御するための
助剤などを配合してなる水溶液であり、通常のエツチン
グ条件で条件制御を厳密に行うことにより実施可能であ
るが、通常のエツチングに用いられるエツチング液に比
較してエツチング成分の濃度を低く保つ方法、温度を低
く保つ方法又は銅箔面上の供給エツチング液の接触量(
スプレー法の場合には“スプレー圧力或いはスプレー数
)を少なくする方法等並びにこれらを適宜組み合わせる
ことによってエツチング速度を通常より遅くして行うこ
とが好適であり、特にエツチング液の濃度又はエツチン
グ温度を通常に比較して低くする方法が好適である。
エツチング液は、過酸化水素/硫酸、過硫酸塩、塩化銅
又は塩化鉄などを主剤とし、主剤の安定剤、銅の溶解促
進剤、エツチングされた銅箔面の状態を制御するための
助剤などを配合してなる水溶液であり、通常のエツチン
グ条件で条件制御を厳密に行うことにより実施可能であ
るが、通常のエツチングに用いられるエツチング液に比
較してエツチング成分の濃度を低く保つ方法、温度を低
く保つ方法又は銅箔面上の供給エツチング液の接触量(
スプレー法の場合には“スプレー圧力或いはスプレー数
)を少なくする方法等並びにこれらを適宜組み合わせる
ことによってエツチング速度を通常より遅くして行うこ
とが好適であり、特にエツチング液の濃度又はエツチン
グ温度を通常に比較して低くする方法が好適である。
エツチング液として過酸化水素/硫酸系を用いる場合、
通常、過酸化水素(H20□)の濃度は0.7〜14w
/v%、硫酸(H,SO,)の濃度は1〜25iv/v
%でH20□/]1□S04のモル比が0.2〜1で温
度20〜55℃の範囲とすることが望ましく、特に安定
的に高い厚み精度の両面の厚みの異なる薄銅箔張回路基
板を製造するためには、H2O2の濃度は2〜6w/v
%、硫酸の濃度は3〜1h/v%、銅濃度30〜60g
/Aで温度25〜35℃の範囲から選択するのが好適で
ある。
通常、過酸化水素(H20□)の濃度は0.7〜14w
/v%、硫酸(H,SO,)の濃度は1〜25iv/v
%でH20□/]1□S04のモル比が0.2〜1で温
度20〜55℃の範囲とすることが望ましく、特に安定
的に高い厚み精度の両面の厚みの異なる薄銅箔張回路基
板を製造するためには、H2O2の濃度は2〜6w/v
%、硫酸の濃度は3〜1h/v%、銅濃度30〜60g
/Aで温度25〜35℃の範囲から選択するのが好適で
ある。
この過酸化水素/硫酸系のエツチング剤には、過酸化水
素の安定剤、銅の溶解促進剤などの添加剤を加える方法
は好ましいものである。このような添加剤としてはメタ
ノール、エタノール、プロパツール、ブタノールなどの
1価アルコール;エチレングリコール、プロピレングリ
コール、ブタンジオール、ベンタンジオールなどの2価
のアルコール;グリセリン、ペンタエリスリトールなど
の3価以上のアルコール;ポリエチレングリコールなど
のグリコールエーテル類ニアミノ安息香酸、アミノテト
ラゾール、フェニル尿素などの含窒素有機環状化合物類
などが例示され、通常0.1〜5%の範囲から適宜選択
される。
素の安定剤、銅の溶解促進剤などの添加剤を加える方法
は好ましいものである。このような添加剤としてはメタ
ノール、エタノール、プロパツール、ブタノールなどの
1価アルコール;エチレングリコール、プロピレングリ
コール、ブタンジオール、ベンタンジオールなどの2価
のアルコール;グリセリン、ペンタエリスリトールなど
の3価以上のアルコール;ポリエチレングリコールなど
のグリコールエーテル類ニアミノ安息香酸、アミノテト
ラゾール、フェニル尿素などの含窒素有機環状化合物類
などが例示され、通常0.1〜5%の範囲から適宜選択
される。
CLICI2を主剤とする塩化第二銅エツチング液の場
合には例えばCuC]□”2L01.421bとIIc
I(20゜Be’) 0.6galを溶解して水溶液1
ga Iとしたもの(CIIC12・28□0170g
/ 12、HCI 19w/v%の水溶液)程度の濃度
以下とした水溶液を用い、温度30〜40℃で行う方法
が例示される。
合には例えばCuC]□”2L01.421bとIIc
I(20゜Be’) 0.6galを溶解して水溶液1
ga Iとしたもの(CIIC12・28□0170g
/ 12、HCI 19w/v%の水溶液)程度の濃度
以下とした水溶液を用い、温度30〜40℃で行う方法
が例示される。
N1140H,NH4Cl、 Cu、 NaCl0z、
NHJOsなどを含む水溶液の所謂「アルカリエツチ
ング液」の場合には例えばNH,OH3mol/j#
NaCl0z 10mol/11NH4C11mol
/jl!、NH4HCOa 1mol/ 1、NH,
NO31mol/A程度の濃度以下とし、水溶液中のC
u濃度を10 lb/gal (74,89g/β)以
下、温度 30〜45℃に保つ方法、又は通常の液濃度
としてエツチング温度を20〜30℃程度にする方法が
例示される。
NHJOsなどを含む水溶液の所謂「アルカリエツチ
ング液」の場合には例えばNH,OH3mol/j#
NaCl0z 10mol/11NH4C11mol
/jl!、NH4HCOa 1mol/ 1、NH,
NO31mol/A程度の濃度以下とし、水溶液中のC
u濃度を10 lb/gal (74,89g/β)以
下、温度 30〜45℃に保つ方法、又は通常の液濃度
としてエツチング温度を20〜30℃程度にする方法が
例示される。
(Nl+4) 2S20.を主剤とする過硫酸塩エツチ
ング液の場合には例えば(N)I4)zszOs 21
b/gal(240g/l程度の濃度以下とした水溶液
を用い、20〜35℃の温度で行う方法が例示される。
ング液の場合には例えば(N)I4)zszOs 21
b/gal(240g/l程度の濃度以下とした水溶液
を用い、20〜35℃の温度で行う方法が例示される。
塩化第二鉄を主剤とするエツチング液の場合、例えばF
eC1−(40°Be’) 5.81’、 HCI(3
5wt%)1.2A及び水3.O1の比率で配合してな
る水溶液で、室温(25℃)程度以下の温度で行う方法
が例示される。
eC1−(40°Be’) 5.81’、 HCI(3
5wt%)1.2A及び水3.O1の比率で配合してな
る水溶液で、室温(25℃)程度以下の温度で行う方法
が例示される。
クロム酸/硫酸エツチング液の場合には例えばCrL
240g/A’5Na2SO440,5g#、 H2S
04(96%)180 g/42程度の濃度以下とした
水溶液を用いる方法が例示される。
240g/A’5Na2SO440,5g#、 H2S
04(96%)180 g/42程度の濃度以下とした
水溶液を用いる方法が例示される。
しかしながら例えばアルカリエツチング液では、液の安
定性が悪いという欠点があり、過硫酸塩エツチング液で
はエツチングされた銅が水溶液から析出し易い欠点があ
り、塩化第二鉄エツチング液では溶解銅濃度の変化によ
りエツチング速度が大きく変化する欠点があり、更にク
ロム酸/硫酸エツチング液の場合、積層板の樹脂を侵す
という欠点があるので、本発明においては過酸化水素/
硫酸系のエツチング液が液管理の点や公害などの点から
最も好ましい。
定性が悪いという欠点があり、過硫酸塩エツチング液で
はエツチングされた銅が水溶液から析出し易い欠点があ
り、塩化第二鉄エツチング液では溶解銅濃度の変化によ
りエツチング速度が大きく変化する欠点があり、更にク
ロム酸/硫酸エツチング液の場合、積層板の樹脂を侵す
という欠点があるので、本発明においては過酸化水素/
硫酸系のエツチング液が液管理の点や公害などの点から
最も好ましい。
本発明の製造法におけるエツチング方法は、スプレー式
エツチングマシンで行い、銅箔のエツチング速度を好適
には0.Obcm/秒〜0.4即/秒、特に0.03−
/秒〜0.3ρ/秒の範囲とする。エツチング速度が速
いと、僅かな時間のずれで残存銅箔の厚さが変化し易く
、遅いと時間並びに装置面から経済的でない。
エツチングマシンで行い、銅箔のエツチング速度を好適
には0.Obcm/秒〜0.4即/秒、特に0.03−
/秒〜0.3ρ/秒の範囲とする。エツチング速度が速
いと、僅かな時間のずれで残存銅箔の厚さが変化し易く
、遅いと時間並びに装置面から経済的でない。
本発明のスプレー式エツチングマシンによって片面の銅
箔は完全に除去し、反対面は所望の厚みの薄銅箔とする
ためには、通常、所定のエツチング液を用い、スプレー
圧力又は使用スプレー数を代えて両面のエツチング速度
を所望の速度比より大きく設定する方法が好ましく、特
にエツチングする両面銅張回路基板の移動方向に平行な
方向の使用スプレー数を変え、垂直な方向は変えない方
法が好適であり、更に好適には水平型のスプレーエツチ
ングにおいては下側のスプレーノズル数を上側のスプレ
ーノズル数より少なくする方法により調整するのが好適
である。例えば、長さ1m、幅0.6mの面積に上下そ
れぞれ54個のスプレーノズルを置き、長さ方向(移動
方向と平行な方向)に9列、幅方向(移動方向と垂直な
方向)に6列のノズルを標準配列として配置したスプレ
ーエツチングマシンにおいて上面と下面とのエツチング
速度比を271とする場合、上側は標準配列とし、下側
のスプレーノズル数を長さ方向4列に減らし、その後、
スプレー圧力等により速度比を所望の値より大きくなる
ように調整する方法が例示される。なお、両面銅張回路
基板を垂直に立てて行う方法;さらに、従来のエツチン
グマシンは、通常一定速度で移動する積層板の面に対し
てノズルの噴射方向を出来るだけ垂直とする方法が取ら
れているが、本発明の場合には積層板表面に均一にスプ
レーされればよく、30゛〜75°程度傾けて使用する
こともできるものである。
箔は完全に除去し、反対面は所望の厚みの薄銅箔とする
ためには、通常、所定のエツチング液を用い、スプレー
圧力又は使用スプレー数を代えて両面のエツチング速度
を所望の速度比より大きく設定する方法が好ましく、特
にエツチングする両面銅張回路基板の移動方向に平行な
方向の使用スプレー数を変え、垂直な方向は変えない方
法が好適であり、更に好適には水平型のスプレーエツチ
ングにおいては下側のスプレーノズル数を上側のスプレ
ーノズル数より少なくする方法により調整するのが好適
である。例えば、長さ1m、幅0.6mの面積に上下そ
れぞれ54個のスプレーノズルを置き、長さ方向(移動
方向と平行な方向)に9列、幅方向(移動方向と垂直な
方向)に6列のノズルを標準配列として配置したスプレ
ーエツチングマシンにおいて上面と下面とのエツチング
速度比を271とする場合、上側は標準配列とし、下側
のスプレーノズル数を長さ方向4列に減らし、その後、
スプレー圧力等により速度比を所望の値より大きくなる
ように調整する方法が例示される。なお、両面銅張回路
基板を垂直に立てて行う方法;さらに、従来のエツチン
グマシンは、通常一定速度で移動する積層板の面に対し
てノズルの噴射方向を出来るだけ垂直とする方法が取ら
れているが、本発明の場合には積層板表面に均一にスプ
レーされればよく、30゛〜75°程度傾けて使用する
こともできるものである。
上記したエツチング剤で処理した積層板の銅箔面は清浄
化した後、適宜乾燥し、銅箔面の保護のために防錆剤の
塗布や剥離可能な樹脂による被覆を行う。
化した後、適宜乾燥し、銅箔面の保護のために防錆剤の
塗布や剥離可能な樹脂による被覆を行う。
ここに清浄化とは、中和、酸洗浄、水洗、湯洗などの公
知の不純物の除去法でよく、用いた過酸化水素/硫酸水
溶液による銅エツチング液の安定剤その他の成分を考慮
して適宜選択するが、通常は中和→酸洗浄→(防錆或い
は保護膜被覆)を行うのが好ましい。
知の不純物の除去法でよく、用いた過酸化水素/硫酸水
溶液による銅エツチング液の安定剤その他の成分を考慮
して適宜選択するが、通常は中和→酸洗浄→(防錆或い
は保護膜被覆)を行うのが好ましい。
適宜乾燥した後、本発明の防錆剤或いは剥離可能な樹脂
により銅箔面を保護する。防錆剤としては公知の銅の防
錆剤が挙げられ、ベンゾトリアゾールなどのアゾール化
合物が挙げられ、これに界面活性剤等を適宜併用したも
のが例示される。又、剥離可能な樹脂としては、ポリエ
チレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン樹脂、
エチレン−酢酸ビニル樹脂、塩化ビニリデン、ポリアク
リレート共重合体、1.2−ポリブタジェン樹脂、ポリ
エステル樹脂、その他の熱可吻性樹脂製のフィルム類や
フォトレジストフィルム;パラフィンワックス、ポリエ
チレンワックス、ロジン、低分子量ポリスチレンなどの
汎用溶媒溶解性の樹脂類;フォトレジスト樹脂液などが
例示され、洗浄された銅箔面に直接圧着などしても良い
し、前記の防錆処理した面にさらに圧着などして銅箔面
を被覆する。
により銅箔面を保護する。防錆剤としては公知の銅の防
錆剤が挙げられ、ベンゾトリアゾールなどのアゾール化
合物が挙げられ、これに界面活性剤等を適宜併用したも
のが例示される。又、剥離可能な樹脂としては、ポリエ
チレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン樹脂、
エチレン−酢酸ビニル樹脂、塩化ビニリデン、ポリアク
リレート共重合体、1.2−ポリブタジェン樹脂、ポリ
エステル樹脂、その他の熱可吻性樹脂製のフィルム類や
フォトレジストフィルム;パラフィンワックス、ポリエ
チレンワックス、ロジン、低分子量ポリスチレンなどの
汎用溶媒溶解性の樹脂類;フォトレジスト樹脂液などが
例示され、洗浄された銅箔面に直接圧着などしても良い
し、前記の防錆処理した面にさらに圧着などして銅箔面
を被覆する。
以下、実施例、比較例により本発明を具体的に説明する
。なお、エツチングした銅箔の厚みは、渦電流方式で測
定した。
。なお、エツチングした銅箔の厚みは、渦電流方式で測
定した。
実施例1
長さ1020mm、幅600m+nで板厚1.6mm、
公称18ρ銅箔(日鉱グールド社、TC箔)を両面に張
ったガラス布基材エポキシ樹脂積層板を水平スプレーエ
ツチングマシンを用い、過酸化水素/硫酸エツチング液
(三菱瓦斯化学■製、FES−6000、l(、[12
=7.’i’8w/v%、H2S04=11.7w/v
%)の2倍希釈液を用イ、下記条件でエツチングした。
公称18ρ銅箔(日鉱グールド社、TC箔)を両面に張
ったガラス布基材エポキシ樹脂積層板を水平スプレーエ
ツチングマシンを用い、過酸化水素/硫酸エツチング液
(三菱瓦斯化学■製、FES−6000、l(、[12
=7.’i’8w/v%、H2S04=11.7w/v
%)の2倍希釈液を用イ、下記条件でエツチングした。
・エツチング条件。
ついで、中和→酸洗浄→水洗した後、水溶性の防錆剤(
例えば、C,B、ブライト (三菱瓦斯化学■製)、コ
ロミンCB (花王アトラス■製など)を用いて、防錆
処理をして、渦電流式膜厚計(電測工業■製、グーメス
渦電流式膜厚計、型式O3−1)で銅箔の厚みを測定す
ることにより、第1表に記載の薄銅張板を連続して10
枚製造した。
例えば、C,B、ブライト (三菱瓦斯化学■製)、コ
ロミンCB (花王アトラス■製など)を用いて、防錆
処理をして、渦電流式膜厚計(電測工業■製、グーメス
渦電流式膜厚計、型式O3−1)で銅箔の厚みを測定す
ることにより、第1表に記載の薄銅張板を連続して10
枚製造した。
第1表
〔発明の作用および効果〕
以上、発明の詳細な説明および実施例から明瞭な如く、
本発明の製造法によれば、銀箔の厚みが18−以下であ
る片面薄銅張積層板が容易に製造され、しかも銅箔の厚
み精度、銅箔の剥離強度においても優れたものが製造で
きる。
本発明の製造法によれば、銀箔の厚みが18−以下であ
る片面薄銅張積層板が容易に製造され、しかも銅箔の厚
み精度、銅箔の剥離強度においても優れたものが製造で
きる。
この結果、従来は実質的に製造困難であった片面薄銅張
積層板が精度よく安価に容易に製造できるので、その産
業上の意義は極めて大きいものである。
積層板が精度よく安価に容易に製造できるので、その産
業上の意義は極めて大きいものである。
特許出願人 三菱瓦斯化学株式会社
Claims (1)
- 銅箔と電気絶縁体とより製造された両面銅箔張回路基
板を銅エッチング液を用い、スプレー式エッチングマシ
ンにより両面をエッチングし、該両面銅箔張積層板の片
面の残存銅箔の厚さをもとの銅箔の厚さの10〜75%
とし、反対面の銅箔を完全に除去してなることを特徴と
する片面薄銅箔張回路基板の製造法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63173743A JPH0225089A (ja) | 1988-07-14 | 1988-07-14 | 片面薄銅箔張回路基板の製造法 |
EP89108934A EP0342669B1 (en) | 1988-05-20 | 1989-05-18 | Method for preparing thin copper foil-clad substrate for circuit boards |
DE68923904T DE68923904T2 (de) | 1988-05-20 | 1989-05-18 | Verfahren zur Herstellung eines mit einer dünnen Kupferfolie kaschierten Substrats für Schaltungsplatten. |
US07/354,954 US4917758A (en) | 1988-05-20 | 1989-05-19 | Method for preparing thin copper foil-clad substrate for circuit boards |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63173743A JPH0225089A (ja) | 1988-07-14 | 1988-07-14 | 片面薄銅箔張回路基板の製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0225089A true JPH0225089A (ja) | 1990-01-26 |
Family
ID=15966307
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63173743A Pending JPH0225089A (ja) | 1988-05-20 | 1988-07-14 | 片面薄銅箔張回路基板の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0225089A (ja) |
-
1988
- 1988-07-14 JP JP63173743A patent/JPH0225089A/ja active Pending
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