[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JPH023200A - 半導体集積回路装置のテスト回路 - Google Patents

半導体集積回路装置のテスト回路

Info

Publication number
JPH023200A
JPH023200A JP63144321A JP14432188A JPH023200A JP H023200 A JPH023200 A JP H023200A JP 63144321 A JP63144321 A JP 63144321A JP 14432188 A JP14432188 A JP 14432188A JP H023200 A JPH023200 A JP H023200A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data
signal
register
mode switching
clock signal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63144321A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Segawa
瀬川 浩
Kazuya Ishihara
石原 和哉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP63144321A priority Critical patent/JPH023200A/ja
Publication of JPH023200A publication Critical patent/JPH023200A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は半導体集積回路装置のテスト回路に関し、特
に、半導体集積回路装置に内蔵されたメモリのアクセス
タイムを測定するためのテスト回路に関する。
[従来の技術] 第3図は従来の半導体集積回路における内部メモリのア
クセスタイムを測定するためのテスト回路を示すブロッ
ク図である。
まず、第3図を参照して、従来のテスト回路の構成につ
いて説明する。アドレスレジスタ1は第1のタロツク信
号φ1に同期して、データ入力端子11〜I、のデータ
を取込み、内部メモリ3にアドレスデータを与えるため
のものである。このアドレスレジスタはスキャンモード
切換端子を含み、このスキャンモード切換端子に与えら
れるスキャンモード切換信号SCIを“H”レベルにす
ることにより、シリアルレジスタモードとなる。
すなわち、スキャン入力端子からスキャン用クロック信
号φse+に同期してスキャンデータSl、をシリアル
入力し、スキャン出力端子からスキャンデータSO0を
シリアルに出ツノすることができる。
アドレスレジスタ1から出力されたnビットのアドレス
データはANDゲート21.22・・・2nの一方入力
端に与えられる。これらのANDゲート21.22・・
・2nの他方入力端にはテスト信号入力端子からテスト
信号TEが入力される。ANDゲート21.22・・・
2nはテスト信号TEが′H”レベルであれば、それぞ
れゲートを開き、nビットのアドレスデータを内部メモ
リ3に与える。
内部メモリ3はnビットのアドレスデータが入力される
と、データ端子からデータを出力する。
この出力されたデータはデータレジスタ4に与えられ、
データレジスタ4は内部メモリ3から読出されたデータ
をクロック信号φ2に同期して取込み、出力データをデ
ータ出力端子0..02・・・O8に与える。このデー
タレジスタ4はアドレスレジスタ1と同様にして、スキ
ャンモード切換端子に与えられるスキャンモード切換信
号SC2を“H“レベルに設定することにより、シリア
ルレジスタモードすなわちシフトレジスタとなり、スキ
ャン入力端子からスキャン用クロック信号φ。
O2に同期してスキャンデータSI2をシリアル入力す
ると、スキャン出力端子からスキャンデータS02をシ
リアルに出力することができる。
次に、第3図に示したテスト回路の動作について説明す
る。このテスト回路において、動作は通常動作モードと
テストモードとに分けられ、スキャンモード切換信号s
c、、sc2が“L”レベルに設定され、テスト信号入
力端子に入力されるテスト信号TEが′H”レベルに設
定されているとき通常動作モードとなり、スキャンモー
ド切換信号sc、、sc2およびテスト信号TEをそれ
ぞれ適当にH”レベル、  ’L’ レベルに切換える
とテストモードになる。
まず、通常動作モードについて説明する。データ入力端
子1.、I2・・・I、に与えられたnビットのアドレ
スデータは、クロック信号φ、に同期しアドレスレジス
タ1に取込まれる。このとき、ANDゲート21.22
・・・2nのそれぞれの一方の入力端子には″H2レベ
ルのテスト信号TEが入力されているため、それぞれの
ゲートが開かれ、アドレスレジスタ1から出力されたア
ドレスデータが内部メモリ3のアドレス端子にそのまま
与えられる。アドレスデータの与えられた内部メモリ3
はそのアドレスデータに対応した番地からnビットのデ
ータをデータ端子に出力する。出力されたデータはクロ
ック信号φ2に同期してデータレジスタ4に取込まれ、
このデータはデータ出力端子0 + 、 02・・・O
oに出力される。
第4図は第3図に示したテスト回路におけるテストモー
ドの動作を説明するためのタイミング図である。次に、
第3図および第4図を参照して、内部メモリ3のアクセ
スタイムの測定方法について説明する。まず、第4図(
a)に示すようにスキャンモード切換信号SC4を“H
#レベルに設定し、第4図(e)に示すように、“L″
レベルテスト信号TEをアドレスレジスタ1に与えると
、アドレスレジスタ1がシリアルモードに設定される。
そして、第4図(C)に示すようにアドレスデータをス
キャンデータS■、として与え、第4図(b)示すスキ
ャン用クロック信号φ、C7が与えられると、このスキ
ャン用クロック信号φsc+に同期して、第4図(d)
に示すようにアドレスデータがアドレスレジスタ1にシ
リアルに入力される。
次に、第4図(a)に示すスキャンモード切換信号SC
1を“L#レベルにし、テスト信号TEを第4図(e)
に示すように“H”レベルにすることにより、内部メモ
リ3のアドレス端子に第4図(f)に示すようなアドレ
スデータが与えられ、このアドレスデータに対応したデ
ータが第4図(g)に示すように内部メモリ3のデータ
端子に出力される。
このとき、テスト信号TEが“H”レベルになってから
内部メモリ3のデータ端子にデータが出力されるまでの
時間tacが内部メモリ3のアクセスタイムとなる。こ
こで、クロック信号φ2を第4図(h)に示すように″
H″レベルに設定することにより、第4図(i)に示す
内部メモリ3の出力データはデータレジスタ4に取込ま
れ、クロック信号φ2を“L”レベルにすると、データ
レジスタ4のデータが確定する。
すなわち、テスト信号TEが“Hルベルになってからク
ロック信号φ2が“L″レベルなるまでの時間t(1が
tQcよりも長ければ、内部メモリ3の出力データはデ
ータレジスタ4に取込まれる。しかしながら、時間tQ
がtacよりも短かければ、内部メモリ3の出力データ
はデータレジスタ4に取込むことができない。したがっ
て、時間tQを変化させ、内部メモリ3の出力データが
データレジスタ4に取込むことのできる最小時間T(1
m+nが内部メモリ3のアクセスタイムとなる。
但し、データレジスタ4に内部メモリ3の出力データが
取込まれたか否かの検証は、第4図(j)に示すスキャ
ンモード切換信号SC2を“H”レベルにすることによ
り、データレジスタ4をシリアルモードにし、第4図(
k)に示すクロック信号φSC2により、第4図(fL
)に示すように、スキャン出力端子からスキャンデータ
S02を出力することによって行なわれる。
[発明が解決しようとする課題] 従来の内部メモリ3のアクセスタイムを測定するための
テスト回路は、上述のごとく構成されており、テスト信
号TEを与えるためのテスト信号入力端子が必要となり
、端子数が増大する欠点があった。
それゆえに、この発明の主たる目的は、端子数を削減し
得る半導体集積回路装置のテスト回路を提供することで
ある。
[課題を解決するための手段] この発明は半導体集積回路装置のテスト回路であって、
第1のレジスタ手段に設けられているモード切換端子に
与えられる第1のモード切換信号が第1の状態のとき、
第1のクロック信号に同期したnビットのパラレルレジ
スタとし、第1のモード切換信号が第2の状態のとき、
第2のクロック信号に同期したnビットのシリアルレジ
スタとし、テスト信号が与えられたことに応じて論理ゲ
ート手段により第1のレジスタ手段の出力をアドレス信
号として記憶手段に与え、そのアドレス信号に応じたデ
ータを第2のレジスタ手段に与え、第2のレジスタ手段
に設けられているモード切換端子に入力された、第2の
モード切換信号が第1の状態のとき、記憶手段から読出
されたデータを第3のクロック信号に同期して第2のレ
ジスタ手段に入力し、第2のモード切換信号が第2の状
態のとき、第4のクロック信号に同期したnビットのシ
リアルなシフトレジスタとなるように構成し、論理ゲー
ト手段に与えられるテスト信号を第4のタロツク信号に
付加して与えるように構成したものである。
[作用] この発明に係る半導体集積回路装置のテスト回路は、論
理ゲート手段に与えられるテスト信号を第4のクロック
信号に付加するようにしたので、テスト信号の入力端子
を削除することができる。
[発明の実施例] 第1図はこの発明の一実施例のブロック図である。
第1図において、この実施例のテスト回路は前述の第3
図と同様にして、アドレスレジスタ1とANDゲート2
1.22・・・2nと内部メモリ3とデータレジスタ4
とを含み、ANDゲート21゜22・・・2nの一方入
力端はスキャン用クロック信号φSC2の入力端に接続
され、それ以外の構成は第3図と同様にして構成される
。そして、クロック発生器5からクロック信号φ1がア
ドレスレジスタ1に与えられ、クロック信号φ2がデー
タレジスタ4に与えられる。さらに、クロック発生器5
からスキャン用クロック信号φ、C4,φ。
c2が発生され、スキャン用クロック信号φ、。
はアドレスレジスタ1に与えられ、スキャン用クロック
信号φSC2はデータレジスタ4に与えられる。
次に、この発明の一実施例の動作について説明する。こ
の実施例におけるテスト回路は通常動作モードとテスト
モードとに分けられる。通常動作モードにおいては、ス
キャンモード切換信号5C8C2が“Lルーベルに設定
され、第3図に示した従来例と同様にして、クロック信
号φ、に同期してアドレスデータがアドレスレジスタ1
に取込まれる。そして、クロック信号φ2が“H″レベ
ル設定されることにより、アドレスデータがANDゲー
ト21.22・・・2nを介して内部メモリ3のアドレ
ス端子に与えられ、内部メモリ3からデータが読出され
てデータレジスタ4に与えられる。データレジスタ4は
クロック信号φ2に同期してデータを取込んでデータ出
力端子O2゜0□・・・ooに出力する。
第2図はこの発明の一実施例におけるテストモードでの
内部メモリのアクセスタイム測定方法を説明するための
タイミング図である。
次に、第2図を参照して、テストモードの動作について
説明する。まず、スキャンモード切換信号SC5を第2
図(a)に示すように“H”レベルにすることにより、
アドレスレジスタ1をシリアルモードにする。そして、
第2図(C)に示すアドレスデータをスキャンデータS
■1としてスキャン入力端子から与え、第2図(b)に
示すように、スキャン用クロック信号φsc+に同期し
てアドレスレジスタ1にシリアルに入力する。それによ
って、アドレスレジスタ1には第2図(d)に示すよう
なデータがストアされる。
次に、スキャンモード切換信号SC1を“L”レベルに
設定し、第2図(j)に示すようにスキャンクロック信
号φ、。2を“H”レベルに設定することにより、AN
Dゲート21.22・・・2nがイネーブルとなり、第
2図(e)に示すように、アドレスレジスタ1のデータ
が内部メモリ3のアドレス端子に与えられる。それによ
って、第2図(f)に示すように、アドレスデータに対
応した番地のデータが内部メモリ3から読出されて出力
される。このとき、スキャンクロック信号φ、C2がH
”レベルになってから内部メモリ3のデータ端子にデー
タが出力されるまでの時間T”acが内部メモリ3のア
クセスタイムとなる。
内部メモリ3の出力データは第2図(g)に示すように
クロック信号φ2を“H゛レベル設定することにより、
データレジスタ4に取込まれ、クロック信号φ2を“L
”レベルに設定すると、第2図(h)に示すように、デ
ータレジスタ4のデータが確定する。すなわち、スキャ
ンクロック信号φSC2が“H”レベルになってから、
クロック信号φ2が“L”レベルになるまでの時間をt
Qとすると、データレジスタ4に内部メモリ3の出力デ
ータを取込むことのできる最小時間tQ□Inが内部メ
モリ3のアクセスタイムとなる。
但し、データレジスタ4に内部メモリ3の出力データが
取込まれたかどうかの検証は、従来例と同様にして、第
2図(i)に示すようにスキャンモード切換信号SC2
を“H“レベルにし、かつ第2図(k)に示すように、
スキャン出力端子SO□からデータを出力することによ
って行なう。
なお、上述の実施例では、テスト信号として、データレ
ジスタ4に与えられるスキャンクロック信号φSC2を
用いたが、テスト信号として代用できるものであればど
のような信号を用いてもよい。たと几ば、クロック信号
φ4.φ2の他にφ、を用いるものであれば、このクロ
ック信号φ。
にテスト信号を付加するようにしてもよい。
[発明の効果] 以上のように、この発明によれば、内部メモリのアクセ
スタイムを測定するためのテスト信号を第4のクロック
信号に付加して与えるようにしたので、テスト信号の入
力端子を削除でき、コストを低減できる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例を示すブロック図である。 第2図は第1図のテスト回路におけるアクセスタイム測
定方法を説明するためのタイミング図である。第3図は
従来のテスト回路のブロック図である。第4図は第3図
に示したテスト回路によってアクセスタイム測定方法を
説明するためのタイミング図である。 図において、1はアドレスレジスタ、21.22・・・
2nはANDゲート、3は内部メモリ、4はデータレジ
スタ、5はクロック発生器を示す。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】  モード切換端子を含み、第1のモード切換信号が第1
    の状態のとき、第1のクロック信号に同期したnビット
    のパラレルレジスタとなり、前記第1のモード切換信号
    が第2の状態のとき、第2のクロック信号に同期したn
    ビットのシリアルレジスタとなる第1のレジスタ手段と
    、 前記第1のレジスタ手段の出力を受け、テスト信号が与
    えられたことに応じて、前記第1のレジスタ手段出力を
    導出する論理ゲート手段と、前記論理ゲート手段の出力
    をアドレス信号として受け、該アドレス信号に応じてデ
    ータを出力する記憶手段、および モード切換端子を含み、第2のモード切換信号が第1の
    状態のとき、前記記憶手段から読出されたデータが第3
    のクロック信号に同期して入力され、前記第2のモード
    切換信号が第2の状態のとき、第4のクロック信号に同
    期したnビットのシリアルなシフトレジスタとなる第2
    のレジスタ手段を備え、 前記論理ゲート手段に与えられるテスト信号を前記第4
    のクロック信号に付加して与えることを特徴とする、半
    導体集積回路装置のテスト回路。
JP63144321A 1988-06-10 1988-06-10 半導体集積回路装置のテスト回路 Pending JPH023200A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63144321A JPH023200A (ja) 1988-06-10 1988-06-10 半導体集積回路装置のテスト回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63144321A JPH023200A (ja) 1988-06-10 1988-06-10 半導体集積回路装置のテスト回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH023200A true JPH023200A (ja) 1990-01-08

Family

ID=15359377

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63144321A Pending JPH023200A (ja) 1988-06-10 1988-06-10 半導体集積回路装置のテスト回路

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH023200A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8962664B2 (en) 2006-08-31 2015-02-24 Simon Fraser University Selective glycosidase inhibitors and uses thereof

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8962664B2 (en) 2006-08-31 2015-02-24 Simon Fraser University Selective glycosidase inhibitors and uses thereof

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5305284A (en) Semiconductor memory device
US4995039A (en) Circuit for transparent scan path testing of integrated circuit devices
JP3262033B2 (ja) 半導体記憶装置
JP2946658B2 (ja) フリップフロップ回路
US4825439A (en) Semiconductor logic integrated circuit device having first and second operation modes for testing
JPH10111346A (ja) 半導体集積回路のスキャン試験方法
JP2000230966A (ja) マスタ・スレーブ・フリップ・フロップ走査動作中のシュート・スルー事象を除去する方法及び装置
JPH023200A (ja) 半導体集積回路装置のテスト回路
JP2788729B2 (ja) 制御信号発生回路
KR970002062B1 (ko) 바운더리 스캔 구조의 테스트 데이타 출력 장치
JP2702147B2 (ja) 集積回路のテストモード設定回路
JPH0295284A (ja) 半導体集積回路装置
JPH0261569A (ja) シリアルシフトレジスタ
JP2885126B2 (ja) 入力試験回路
JPH0377543B2 (ja)
JP2869533B2 (ja) 半導体論理回路用検査装置
JPH05249183A (ja) 半導体論理集積回路
JPH04109183A (ja) 遅延試験方式
US20050044461A1 (en) Semiconductor device test circuit and semiconductor device
JPS6095370A (ja) 集積回路装置
JPS6336535B2 (ja)
JPH10213630A (ja) 集積回路装置
JPH0566244A (ja) スキヤンパス装置およびそれを含む半導体集積回路装置
JPS62291579A (ja) テスト回路
JPH04279874A (ja) Ic試験装置